太陽能電池制作

1、太陽能電池制作Page 2 硅太陽能電池的生產(chǎn)流程Page 3主要有單晶硅太陽能電池多晶硅太陽能電池Page 41、硅片切割，材料準(zhǔn)備n工業(yè)制作硅電池所用的單晶硅材料，一般采用坩鍋直拉法制的太陽級(jí)單晶硅棒，原始的形狀為圓柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的邊長一般為1015cm，厚度約200350um，電阻率約1.cm的p型（摻硼）。Page 5硅片切割機(jī)Page 62、去除損傷層n硅片在切割過程會(huì)產(chǎn)生大量的表面缺陷，這就會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)問題，首先表面的質(zhì)量較差，另外這些表面缺陷會(huì)在電池制造過程中導(dǎo)致碎片增多。因此要將切割損傷層去除，一般采用堿或酸腐蝕，腐蝕的厚度約10um。Page

2、73、制絨n制絨，就是把相對(duì)光滑的原材料硅片的表面通過酸或堿腐蝕，使其凸凹不平，變得粗糙，形成漫反射，減少直射到硅片表面的太陽能的損失。對(duì)于單晶硅來說一般采用NaOH加醇的方法腐蝕，利用單晶硅的各向異性腐蝕，在表面形成無數(shù)的金字塔結(jié)構(gòu)，堿液的溫度約80度，濃度約12%，腐蝕時(shí)間約15分鐘。對(duì)于多晶來說，一般采用酸法腐蝕。Page 84、擴(kuò)散制結(jié)n擴(kuò)散的目的在于形成PN結(jié)。普遍采用磷做n型摻雜。由于固態(tài)擴(kuò)散需要很高的溫度，因此在擴(kuò)散前硅片表面的潔凈非常重要，要求硅片在制絨后要進(jìn)行清洗，即用酸來中和硅片表面的堿殘留和金屬雜質(zhì)。Page 95、邊緣刻蝕、清洗n 擴(kuò)散過程中，在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)

3、散層。周邊擴(kuò)散層使電池的上下電極形成短路環(huán)，必須將它除去。周邊上存在任何微小的局部短路都會(huì)使電池并聯(lián)電阻下降，以至成為廢品。目前，工業(yè)化生產(chǎn)用等離子干法腐蝕，在輝光放電條件下通過氟和氧交替對(duì)硅作用，去除含有擴(kuò)散層的周邊。n 擴(kuò)散后清洗的目的是去除擴(kuò)散過程中形成的磷硅玻璃。Page 106、沉積減反射層n沉積減反射層的目的在于減少表面反射，增加折射率。廣泛使用PECVD淀積SiN ,由于PECVD淀積SiN時(shí),不光是生長SiN作為減反射膜,同時(shí)生成了大量的原子氫,這些氫原子能對(duì)多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用于大批量生產(chǎn)。Page 117、絲網(wǎng)印刷上下電極n電極的制備是太陽電池制備過

4、程中一個(gè)至關(guān)重要的步驟，它不僅決定了發(fā)射區(qū)的結(jié)構(gòu)，而且也決定了電池的串聯(lián)電阻和電池表面被金屬覆蓋的面積。，最早采用真空蒸鍍或化學(xué)電鍍技術(shù)，而現(xiàn)在普遍采用絲網(wǎng)印刷法，即通過特殊的印刷機(jī)和模版將銀漿鋁漿（銀鋁漿）印刷在太陽電池的正背面，以形成正負(fù)電極引線。Page 128、共燒形成金屬接觸n晶體硅太陽電池要通過三次印刷金屬漿料，傳統(tǒng)工藝要用二次燒結(jié)才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸，共燒工藝只需一次燒結(jié)，同時(shí)形成上下電極的歐姆接觸。在太陽電池絲網(wǎng)印刷電極制作中，通常采用鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐進(jìn)行快速燒結(jié)。Page 139、電池片測試n在室外太陽光下，檢測你的太陽能電池是否可以產(chǎn)生電流。Page 14n上述方法

5、實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。Page 15n 化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發(fā)現(xiàn)，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用 LPCVD在襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜Page