單晶硅片從切片到拋光清洗的工藝流程

1、一、硅片生產(chǎn)主要制造流程如下：切片T倒角T磨片T磨檢TCiCVM 最終洗凈T終檢T倉入二、硅片生產(chǎn)制造流程作業(yè)實習1. 硅棒粘接：用粘接劑對硅棒和碳板進行粘接，以利于牢固的固定在切割機上和方位角 的確定。2. 切片 (Slice)：主要利用內(nèi)圓切割機或線切割機進行切割，以獲得達到其加工要求的厚 度，X、Y方向角，曲翹度的薄硅片。3. 面方位測定：利用X射線光機對所加工出的硅片或線切割前要加工的硅棒測定其X、丫方位角，以保證所加工的硅片的 X、Y方位角符合產(chǎn)品加工要求。4. 倒角前清洗：主要利用熱堿溶液和超聲波對已切成的硅片進行表面清洗，以去除硅片表 面的粘接劑、有機物和硅粉等。5. 倒角 (B

2、V)：利用不同的砥石形狀和粒度來加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度 等，以減少后續(xù)加工過程中可能產(chǎn)生的崩邊、晶格缺陷、處延生長和涂膠工藝 中所造成的表面層的厚度不均勻分布。6. 厚度分類：為后續(xù)的磨片加工工藝提供厚度相對均勻的硅片分類，防止磨片中的厚度 不均勻所造成的碎片等。7. 磨片 (Lapping):去除切片過程中所產(chǎn)生的切痕和表面損傷層，同時獲得厚度均勻一致的硅 片。8. 磨片清洗：去除磨片過程中硅片表面的研磨劑等。9. 磨片檢查：鈉光燈下檢查由于前段工藝所造成的各類失效模式，如裂紋、劃傷、倒角 不良等。10. ADE 測量：測量硅片的厚度、曲翹度、 TTV TIR FPD等。11

3、. 激光刻字：按照客戶要求對硅片進行刻字。12. 研磨最終清洗：去除硅片表面的有機物和顆粒。13. 擴大鏡檢查：查看倒角有無不良和其它不良模式。14. CP前洗：去除硅片表面的有機物和顆粒。15. CP(ChemicalPolishing):采用HNO3+HF+CH3COO溶液腐蝕去除31um厚度，可有效去除表面損傷 層和提高表面光澤度。16. CP后洗：用堿和酸分別去除有機物和金屬離子。17. CP檢查:PN判定和厚在熒光燈和聚光燈下檢查表面有無缺陷和洗污，以及電阻率、 度的測量分類。18. DK(Donar Killer):利用退火處理使氧原子聚為基團，以穩(wěn)定電阻率。19.IG(Intri

4、nsic Gettering):利用退火處理使氧原子形成二次缺陷以吸附表面金屬雜質(zhì)。20. BSD(Back Side Damage):利用背部損傷層來吸附金屬雜質(zhì)。21. CVD 前洗：去除有機物和顆粒。22. LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高溫分解SiH4外延出多晶硅達到增強型的外吸雜。23. AP-CVD(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition):在硅片背部外延SiO2來背封并抑制自摻雜。24. 端面處理：去除硅片背面邊緣的 SiO2。25. CVD 后洗：去除表面顆粒。26.

5、ML(Mirror Lapping)倒角：防止后續(xù)工藝中的崩邊發(fā)生以及外延時的厚度不均勻等。27. ML 前洗：去除有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)等。28. ML 貼付：硅片表面涂臘貼附在陶瓷板上，固定硅片以利于 ML 加工。29. ML:14um也稱之為 CMP(Chemical Mechanism Polishing，) 經(jīng)過粗拋和精拋去除 厚度，此可有效的去除表面損傷層和提高表面平坦度。30. 去臘洗凈：去除 ML 后背面的臘層。31. ADE 測量：測定硅片表面形貌參數(shù)如：平整度，翹曲度等。32. p測量：對電阻率和厚度進行測定和分類。33. 擴大鏡檢查：檢查 ML 倒角不良。34. 最終洗凈：去除顆粒，有機物和金屬雜質(zhì)。35.