(完整版)常用半導(dǎo)體元件習(xí)題及答案

1、第5章 常用半導(dǎo)體元件 習(xí)題5.1晶體二極管一、填空題：1 半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力介于 和之間，二極管是將 封裝起來，并分別引出 和兩個(gè)極。2二極管按半導(dǎo)體材料可分為 和，按內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為和，按用途分類有、四種。3二極管有、四種狀態(tài)，PN結(jié)具有性，即。4用萬用表（RX1K檔）測量二極管正向電阻時(shí)，指針偏轉(zhuǎn)角度 ，測量反向電阻時(shí)，指針偏轉(zhuǎn)角度 。5 使用二極管時(shí)，主要考慮的參數(shù)為 和二極管的反向擊穿是扌旨。6. 二極管按PN結(jié)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可分為是 型和型。7硅二極管的正向壓降約為 _V，鍺二極管的正向壓降約為 匕；硅二極 管的死區(qū)電壓約為 V ，鍺二極管的死區(qū)電壓約為 匕。8. 當(dāng)加到二極管上反向電

2、壓增大到一定數(shù)值時(shí)，反向電流會突然增大，此現(xiàn)象稱為現(xiàn)象。9. 利用萬用表測量二極管PN結(jié)的電阻值，可以大致判別二極管的、和PN結(jié)的材料。二、選擇題：1. 硅管和鍺管正常工作時(shí)，兩端的電壓幾乎恒定，分別分為（）。A. 0.2-0.3V 0.6-0.7V B. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3V D. 0.1-0.2V 0.6-0.7V2. 判斷右面兩圖中，LAb的大小為（）A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6VX 10D.C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V3. 用萬用表檢測小功率二極管的好壞時(shí)，應(yīng)將萬用表歐姆檔撥到 Q檔。A.1 X

3、 10B. 1 X 1000 C. 1 X 102 或 1 X 103 D. 14. 如果二極管的正反向電阻都很大，說明（）。A.內(nèi)部短路 B.內(nèi)部斷路C. 正常5. 當(dāng)硅二極管加0.3V正向電壓時(shí)，該二極管相當(dāng)于（）。A.很小電阻B. 很大電阻 C. 短路D.開路6. 二極管的正極電位是-20V，負(fù)極電位是-10V，則該二極管處于（）A.反偏B .正偏C .不變D.斷路7. 當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的反向電流將（）A.增大B .減小C .不變D.不確定8. PN結(jié)的P區(qū)接電源負(fù)極，N區(qū)接電源正極，稱為（）偏置接法A.正向B .反向C .零9二極管正向?qū)ǖ臈l件是其正向電壓值（）。A.大于0

4、B .大于0.3VC大于0.7V D .大于死區(qū)電壓10. 點(diǎn)接觸型二極管比較適用于（）。A.大功率整流 B .小信號檢波 C .大電流開關(guān)11 .面接觸型二極管比較適用于（）。A.大功率整流 B .高頻檢波 C .小電流開關(guān)12.當(dāng)硅二極管加上0.4V正向電壓時(shí)，該二極管相當(dāng)于（）。A.很小電阻 B. 很大電阻 C. 短路 D. 開路三、判斷題：1. 由P型半導(dǎo)體引出的電極是二極管的正極。（）2. 硅二極管的反向漏電流比鍺二極管的反向漏電流大。（）3. 二極管的最高反向電壓就是該管的反向擊穿電壓。（）4. 用萬用表不同的電阻檔測量正反向電阻，讀數(shù)是不同的。（）5. 一般情況下，硅二極管的死區(qū)

5、電壓小于鍺二極管的死區(qū)電壓。（）6. 當(dāng)二極管加反向電壓時(shí)，二極管將有很小的反向電流通過。（）7. 當(dāng)二極管的電流一電壓關(guān)系特性可大概理解為正向?qū)?、反向截止的?性。（）8. 當(dāng)二極管加正向電壓時(shí)，二極管將有很大的正向電流通過，這個(gè)正向電 流是由P型和N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動形成的。（）9. 當(dāng)反向電壓小于反向擊穿電壓時(shí)，二極管的反向電流極小；當(dāng)反向電壓 大于反向擊穿電壓后，其反向電流迅速增大。10. 利用二極管的正向特性較陡的特點(diǎn)也能起到穩(wěn)壓作用。（）11. 二極管電壓一電流曲線描繪出了電流隨時(shí)間變化的關(guān)系。（12. 當(dāng)加在二極管兩端的電壓一定時(shí)， 流經(jīng)二極管的電流還會隨環(huán)境溫度的

6、 改變而改變。（）四、簡答題1. 如何用萬用表測量一個(gè)沒有標(biāo)明極性的二極管，并判斷為何種材料制成以及 質(zhì)量好壞。2. 分析與判斷：如圖所示，VD均為理想二極管，試判斷二極管的工作狀態(tài)并求U0。rt.liIni3、根據(jù)下圖所示的電路，輸入電壓為U，若開關(guān)S在t1時(shí)刻閉合，在t2時(shí)刻斷開, 試畫出負(fù)載電壓UL波形。皿：5.2三極管一、填空題：1、 半導(dǎo)體三極管是由 極 極 極三個(gè)電極， 結(jié)吉兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。2、要使三極管具有電流放大作用，發(fā)射結(jié)必須加 電壓，集電結(jié)必須加電壓。3、 三極管按其內(nèi)部結(jié)構(gòu)分為 和 兩種類型4、 三極管三個(gè)電極的電流存在 關(guān)系。5、 三極管有三個(gè)工作狀態(tài)，即 、 和 狀態(tài)

7、，狀態(tài)具有放大作用。6三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，相當(dāng)于開關(guān) ;工作在飽和狀態(tài)時(shí)，相當(dāng)于開關(guān)。7. 晶體三極管作共射組態(tài)時(shí)，其輸入特性與二極管類似，但其輸出特性較為復(fù)雜，可分為放大區(qū)外，還有 區(qū)和 區(qū)。8. 晶體管接材料分為 和 種，按PN結(jié)的組成方式分為和 種，晶體管有三個(gè)極，分別為 、和它有PN吉，分別為 和。9. 晶體管具有、 種狀態(tài)，它們各自的條件是10晶體管的電流放大作用，是通過改變 流來控制電流的，其實(shí)質(zhì)是以 勺變化來控制 化。11 晶體管各極之間的電流分配關(guān)系式為，且三者的大小取決于勺變化，晶體管的放大系數(shù) B =。12晶體管飽和時(shí)，如同一個(gè)開關(guān)處于 I犬態(tài)，相當(dāng)于，晶體管截止?fàn)顟B(tài)時(shí)

8、，相當(dāng)于處于 犬態(tài)，相當(dāng)于。，13在模擬電路中，晶體管主要工作在 犬態(tài)，在數(shù)字電路中，晶體管主要工作在和犬態(tài)。14.硅晶體管和飽和電壓降為 V鍺管的飽和電壓降為 ;當(dāng)晶體管的電流放大系數(shù)太大時(shí)，會使晶體管的性能 。15 晶體管的穿透電流ICEO是在基極開路時(shí)，由 向的電流，它隨溫度的增高而。二、選擇題：1、三極管作放大管時(shí)一般工作在（A. 放大區(qū) B. 截止區(qū) C. 飽和區(qū)2、 一三極管三個(gè)極的對地電位分別有 VC=3.3V, VE=3V VB=3.7V,則該管工作 在（ ）。A. 放大區(qū) B. 飽和區(qū) C. 截止區(qū)3、 一三極管三個(gè)極的對地電位分別是 6V, 5.4V, 9V,則該管是（）。

9、A. NPN 硅管 B. NPN 鍺管 C.PNP 硅管4、 下列是三極管各個(gè)極的電位，處于放大狀態(tài)的三極管為。A. VB=0.7V V E=0V V C=0.3VB. VB=-6.7V V E=-7.4V V C=-4VC. VB=-3V V E=0V VC=6V5、NPN的管型的I e方向是（）。A. I E 向管內(nèi) B. I E 管內(nèi)可向管外C. I E 向管外 D. 均不對6. NPN 型晶體管處于放大狀態(tài)，三個(gè)管腳的電壓為V1=3V，V2=8V，V3=2. 7V，則三個(gè)管腳分別是 （） 。A. C B E B. B C E C. B E C D. E B C7. PNP 型晶體管，

10、VB=-4.7V VE=-4VVC=-4.3V 管子處于 （ ） 狀態(tài)。A. 飽和B.放大C.截止D.不定8. 晶體管工作在（）狀態(tài)時(shí)，I卩B Ib才成立。A. 飽和B.放大C.截止D.所有9. 用萬用表的紅表筆接觸某晶體管的一只管腳, 黑表筆分別接觸另兩只腳, 測得 的電阻均較小,說明該晶體管是（ ）。A. PNP B. NPNC. NNP D. NPN 或 PNP10. 當(dāng)晶體管飽和時(shí) （ ）。A. I c不隨I b而變化 B.C. I B 增大引起 I C 減小 D.11. 三極管放大作用的實(shí)質(zhì)是 （ ）A. 三極管可以把小電流變成大電流Ib增大引起I c變化增大無法確定B. 三極管可以

11、把小電流變成大電壓C. 三極管可以用較小的電流控制較大的電流 D. 以上說法均不對12. 用直流電壓表測量處于放大狀態(tài)中的一只NPN型晶體管，各電極對地的電位分別為V1=2V V2=6V V3=2.7V,貝U該晶體管各腳的名稱是（）A.腳1為C,腳2為B,腳3為E B.腳1為E,腳2為C,腳3為BC.腳1為B,腳2為E,腳3為C13. 測得電路中一個(gè)PNP型三極管的3個(gè)電極電位分別為：U B= -4.7 V,U C =-4.3 V,U E=-4 V,則可判定該三極管工作在（）A.截止區(qū)B.飽和區(qū)C.放大區(qū)14. 三極管的電流放大系數(shù)B,隨溫度的升高會（）A.減小B.增大C.不變15. NPN型

12、晶體管處于放大狀態(tài)時(shí)，各極電位關(guān)系是（）A.VCVEVB B. VC VB VE C. VCVEVB D. VCVBVE16. 當(dāng)三極管集電極電流大于它的最大允許電流ICM時(shí)，該管子（）A. 放大能力降低 B. 必定過熱至燒毀 C. 仍能正常工作 D. 被擊穿、判斷題：1. 晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成，所以可以用兩個(gè)二極管反向連接起來充當(dāng)晶體 管使用。（）2. 若晶體管發(fā)射結(jié)處于正向偏置，則其一定處于截止?fàn)顟B(tài)。（）3發(fā)射結(jié)處于正向偏置的晶體管，其一定是工作于放大狀態(tài)。（）4. 當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)、集電結(jié)都正偏時(shí)具有放大作用。（）5. 晶體三極管具有能量放大作用。（）6. 當(dāng)晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于

13、正偏狀態(tài)時(shí)，晶體管一定工作在飽和 區(qū)0 （）7. 有一晶體管接在電路中，測得它得三個(gè)管腳電位分別為10.5V、6V、6.7V， 說明這個(gè)晶體管是PNPto （）8般說來，晶體管的交流電流放大系數(shù)B隨溫度的變化而變化，溫度升 高，B增大。（9. 晶體管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是由同一種雜質(zhì)半導(dǎo)體（N型的或P型）構(gòu)成， 故E極和C極可以互換使用。（四、簡答題1. 如何使用萬用表判別晶體管管型與管腳以及質(zhì)量好壞。矗2 測得工作在放大狀態(tài)下的三極管的兩個(gè)電極電流如圖所示， 則（1）另一個(gè)電極的電流是多少？其方向是流入還是流出管 子？ （2）腳分別是什么電級？該管管型是什么，該管的 B為多少？5.3晶閘管一、填

14、空題：1、 普通晶閘管又叫 ，內(nèi)部有結(jié)，外部有三個(gè)電極，分別是 極極和極。2、 晶閘管的工作狀態(tài)有正向 狀態(tài)，正向狀態(tài)和反向狀態(tài)。3、 晶閘管可以等效成一個(gè)型晶體管和一個(gè)型晶體管的復(fù)合電路。4、 晶閘管導(dǎo)通的條件是在陽極加 電壓的同時(shí)，在控制極加電壓。5、 要使晶閘管關(guān)斷必須使陽極電流減小到低于 o6某半導(dǎo)體器件的型號為KP50-7的，其中KP表示該器件的名稱為 ，50表示， 7表示o7、 按負(fù)載的性質(zhì)不同，晶閘管可控整流電路的負(fù)載分為 性負(fù)載，_性負(fù)載和負(fù)載三大類。8、當(dāng)晶閘管可控整流的負(fù)載為大電感負(fù)載時(shí)，負(fù)載兩端的直流電壓平均值會，解決的辦法就是在負(fù)載的兩端接一個(gè)9、 在晶閘管兩端并聯(lián)的R

15、C回路是用來防止 損壞晶閘管的。二、選擇題：1、普通晶閘管內(nèi)部有（）PN結(jié)。A. 一個(gè)， B. 二個(gè)， C. 三個(gè)， D. 四個(gè)2、 晶閘管可控整流電路中的控制角a減小，則輸出的電壓平均值會（）A. 不變， B. 增大， C. 減小。3、 晶閘管可整流電路中直流端的蓄電池或直流電動機(jī)應(yīng)該屬于（）負(fù)載。A. 電阻性， B. 電感性， C. 反電動勢。4、 晶閘管在電路中的門極正向偏壓（）愈好。A. 愈大， B. 愈小， C.不變5、 壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來（）。A.分流，B.降壓， C.過電壓保護(hù)，D. 過電流保護(hù)。6、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（）來表示的。A.有

16、效值B.最大值 C. 平均值7、 普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（）晶閘管。A.一只，B.二只，C.三只，D.四只。8、 雙向晶閘管是用于交流電路中的，其外部有（）電極。A.一個(gè)，B.兩個(gè)，C.三個(gè)，D.四個(gè)。9、可控整流電路的功率大于4kW宜采用（）整流電路。A. 單相半波可控 B. 單相全波可控 C. 三相可控10、 三相可控整流與單相可控整流相比較，輸出直流電壓的紋波系數(shù)（） A.三相的大，B.單相的大，C. 一樣大。三、判斷題：1晶閘管的控制極僅在觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通時(shí)起作用。 （）2晶閘管的控制極加上觸發(fā)信號后，晶閘管就導(dǎo)通。（ ）3當(dāng)晶閘管陽極電壓為 0 時(shí)，晶閘管就馬上關(guān)斷。 （

17、）4加在晶閘管控制極上的觸發(fā)電壓，一般不準(zhǔn)超過10V。（）5. 只要陽極電流小于維持電流，晶閘管就關(guān)斷。 （）6有人說，晶閘管可理解為受控制的二極管。（ ）7只要給晶閘管加足夠大的正向電壓，沒有控制信號也能導(dǎo)通。（ ）四、簡答題 1晶閘管的正常導(dǎo)通條件是什么？晶閘管的關(guān)斷條件是什么？如何實(shí)現(xiàn)？。2. 對晶閘管的觸發(fā)電路有哪些要求？。3、正確使用晶閘管應(yīng)該注意哪些事項(xiàng)？。第 5 章 常用半導(dǎo)體元件 答案5.1 晶體二極管一、填空題：1導(dǎo)體 絕緣體 PN 陽 陰 2硅二極管 鍺二極管 點(diǎn)接觸型 面接觸型 普 通二極管穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管 變?nèi)荻O管 3死區(qū) 正向偏置 正向?qū)?反 向截止 反向擊

18、穿 單向?qū)щ娦?正向偏置導(dǎo)通反向偏置截止 4較大較小 5最 大反向電壓 URM 最大整流電流 I FM 當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)， 反向電流將會 急劇增加 6 點(diǎn)接觸型 、面接觸型 7 0.7 、0.3 、0.5 、0.1 8 反向擊穿 9 正反向 、好壞、極性二、選擇題：1C 2D 3C 4B 5B 6A 7.A 8.B 9.D 10.B11.A 12. B三、判斷題：1. V 2 . x 3 . x 4 . V 5. x 6. V 7 . V 8 . V 9 . V10. V11. x 12. V四、簡答題1. 答：將萬用表置于RX 100K或 R X1Kg,將兩表筆分別接二極管的兩極，

19、測得 一次電阻值較小， 一次電阻值較大 (兩次相差幾百倍) ，較小的一次為正向電阻， 黑表筆(表)是二極管的正極(注意：萬用表的黑表筆與表內(nèi)的電池正極相連) ； 用測量管壓降的方法來判斷，硅管壓降約0.5 0.7V，鍺管壓降約0.1 0.3V；正 向電阻越小越好，反向電阻越大越好，當(dāng)兩者都很小時(shí)，內(nèi)部短路，當(dāng)兩者都很 大時(shí)，內(nèi)部斷路。2. 答：3. (a)VD導(dǎo)通，U0=-3V(b)VD截止，Ub=-6V (c) VD1 導(dǎo)通，Ub=-0V，VD2截 止(d) VD2優(yōu)先導(dǎo)通Ub=-3V，VD1截止。3答：略。5.2 三極管一、填空題：1 發(fā)射極、基極、集電極；發(fā)射結(jié)、集電結(jié) 2. 正向，反向

20、 3. PNP ， NPN 4 i e i c5 ib 放大、飽和、截止，放大 6斷開，閉合 7 截止、飽和 8 硅 晶體管 鍺晶體管 NPN PNP 集電極 發(fā)射極 基極 兩個(gè) 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 9放大飽和截止 發(fā)射結(jié)正偏反射結(jié)反偏 發(fā)射結(jié)正偏反射結(jié)正偏 發(fā)射結(jié)反偏 反射結(jié)反偏 10基極 集電極 基極電流較小 集電極電流較大 11I E=IB+IC、I E IC/ I B1 2閉合 短路 斷開 開路 13放大 飽和 截止 140.3V 0.1V 不穩(wěn)定 15 集電極 發(fā)射極 升高二、選擇題：1A 2B 3A 4B 5D 6B 7.A 8.A 9.A 10.A 11.C 12. B 13. B 14.B 15.B 16. A三、判斷題：1x 2 x 3x 4x 5. x6V 7 8 V 9x四、簡答題1.答：判管型：將萬用表置于RX 100K RX1K當(dāng)，先假設(shè)某管腳為基極，將黑 表筆與它相接，紅表筆分別與另兩極相接，若測得兩次電阻都很小，為NPN否則為 PNP確定發(fā)射極和集電極黑表筆接基極， 紅表筆接集電極和發(fā)射極， 然