FLX2320操作手冊

1、FLX 2320 Stress Measurement System 操作手冊A. 開機(jī)1. 打開FLX-2320 主機(jī)電源。（壓下Power-On鍵）2. 打開電腦電源，系統(tǒng)會自行進(jìn)入WIN31，請執(zhí)行 Tencor FLX 群組下之 WINFLX，既可進(jìn)入主操作畫面。B. 關(guān)機(jī)1. 離開主操作軟體（Measure Exit），跳出WIN31至DOS下，關(guān)閉電腦電源。2. 關(guān)閉FLX-2320電源（壓下Power-Off鍵）。C. 量測Stress 值需有Wafer處理前與處理後之曲率半徑差異值來計(jì)算，故Wafer須在長膜之前先量一次，長膜之後再量一次才可得出Stress值。1. 於主畫面之

2、Edit選單下，選擇Process Program，按Load可選擇欲量測Wafer尺寸的程式，後再Cancel。2. 打開主機(jī)門蓋，將Wafer置於Locator內(nèi),將Wafer定位於中心，請記住Wafer放的方向。3. 關(guān)上門蓋。4. 於主選單Measure下選擇First （No Film）。此為未長膜之前的量測。5. 輸入此量測資料欲儲存的檔名，並輸入定義給此Wafer之ID。6. 按Measure即開始量測，量測結(jié)束會顯示曲率半徑之圖形。再按Measure可再量測一次或按Cancel離開。7. 打開主機(jī)上蓋，取出Wafer。8. 當(dāng)Wafer做完製程後，再將Wafer置於主機(jī)內(nèi)，選擇

3、主選單Measure下之Single。9. 輸入與之前相同之檔名或按下File選擇，輸入與之前相同之ID，輸入膜層之厚度（）。10. 按Measure即開始量測，量測結(jié)束會顯示曲率半徑之圖形與Stress值。再按Measure可再量測一次或按Cancel離開。D. Stress-Time 量測1. 當(dāng)Wafer做完製程後，可做長時(shí)間性量測；選擇主選單Measure下之Time。2. 輸入與之前相同之檔名或按下File選擇，輸入與之前相同之ID，輸入膜層之厚度（）。3. 輸入間隔量測時(shí)間（Interval）（最小30秒），與總時(shí)間（Total）。4. 按Measure即開始量測，量測間會顯示間隔

4、時(shí)間記數(shù)，結(jié)束會顯示Stress之趨勢圖。再按Measure可再量測一次或按Cancel離開。E. Stress-Temp 量測Stress Temp 量測Wafer 放置方法1. 打開主機(jī)門蓋，將Wafer置於Locator內(nèi),將Wafer定位於中心，請記住Wafer放的方向。2. 請小心取出Wafer Locator，取出時(shí)勿移動到Wafer。3. 將透明石英片放置Heater上。4. 蓋上升溫用不鏽鋼外罩，將四個(gè)旋扭鎖緊。5. 將N2 打開極微量，只要微量充入Chamber既可，量過大會造成Wafer震動或溫度無法有效上升。(此項(xiàng)為有接才使用)6. 將CDA 打開至 60 psi。(此項(xiàng)

5、為有接才使用)7. 按下機(jī)臺上之Heater 與Fan 開關(guān)(綠色按鈕)。8. 關(guān)上門蓋。當(dāng)Wafer做完製程後，可做昇溫量測；選擇主選單Measure下之Temperature。1. 輸入與之前相同之檔名或按下File選擇，輸入與之前相同之ID，輸入膜層之厚度（）。2. 於昇溫之Recipe內(nèi)可輸入每階段之昇溫或降溫條件，最高昇溫速率約為每分鐘1520C，最高溫度為500C。3. 輸入完成後，按Measure即開始量測，量測間會顯示溫度與量測變化，結(jié)束會顯示Stress之升降溫圖。注意：降溫至室溫時(shí)請將該步驟溫度設(shè)定大於室溫約10度(例40)，以避免等待時(shí)間過長到達(dá)室溫。F. 其他功能1.

6、Data Edit ReviewEdit 選單下選擇Data，可叫出已存檔之資料，供檢視或繪製圖形。2. 校正 Calibration隨機(jī)之Certified Wafer 可供做定期檢測量測之正確性。請將Wafer A做First量測，將Wafer B做Single量測，（參照其附之Certified Data sheet）?？雌淞繙y值是否在標(biāo)準(zhǔn)值2.5之規(guī)格內(nèi)，若超出規(guī)格請聯(lián)絡(luò)Scientech Service。3. 雷射強(qiáng)度與位置檢查a. 將一Bare Silicon Wafer至於主機(jī)Chamber內(nèi)。b. 執(zhí)行主選單Utilities 下之Diagnostics。c. 當(dāng)顯示放入一Bare Silicon Wafer時(shí)，按OK。d. 畫面上會顯示650nm與750nm雷射之強(qiáng)度（Intensity）及位置（Diff），若雷射位置無誤，則Table Leveling 會顯示OK；否則會顯示CW或CCW令你將主機(jī)內(nèi)晶片載臺旁之水平調(diào)整鈕順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)調(diào)整，調(diào)整至Table Leveling顯示OK既可。（此時(shí)Diff值應(yīng)介於0.