浙 江 理 工 大 學(xué) 二O一二年碩士學(xué)位研究生招生入學(xué)考試試題半導(dǎo)體物理

1、浙 江 理 工 大 學(xué)二O一二年碩士學(xué)位研究生招生入學(xué)考試試題 考試科目： 半導(dǎo)體物理 代碼： 928 （請考生在答題紙上答題，在此試題紙上答題無效）一、 不定項選擇題 （30分，3分*10）1. 具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料為（ ）A、Si B、Ge C、GaAs D、ZnO2. 高純度半導(dǎo)體就是（ ）A、對光透明的寬禁帶半導(dǎo)體 B、電阻率很高的補(bǔ)償半導(dǎo)體C、溫度很低的半導(dǎo)體 D、雜質(zhì)、缺陷濃度很低的半導(dǎo)體3. 那些躍遷可能導(dǎo)致半導(dǎo)體發(fā)光（ ）A、本征躍遷 B、帶-雜質(zhì)能級間輻射 C、施主-受主對 D、激子復(fù)合4. 利用吸收光譜可以獲得半導(dǎo)體材料的那些信息（ ）A、躍遷機(jī)制 B、禁帶寬度 C、

2、聲子能量 D、雜質(zhì)能級5. PP+和NN+結(jié)為淺結(jié)，它們常用于（ ）A、小信號整流 B、歐姆接觸 C、可變電容 D、穩(wěn)壓二極管6. 測知某半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)隨溫度升高由正值變?yōu)榱闳缓笞優(yōu)樨?fù)值，則該半導(dǎo)體可能是（ ）A、純凈半導(dǎo)體 B、p型半導(dǎo)體 C、n型半導(dǎo)體 D、以上三種都可能7. 光電導(dǎo)指（ ）A、光在介質(zhì)傳播時的電導(dǎo) B、光在半導(dǎo)體材料中的傳播速度C、光照引起的電導(dǎo)率變化 D、光照產(chǎn)生激子引起的電導(dǎo)率增加8. 非平衡載流子就是（ ）A、處于導(dǎo)帶還未與價帶空穴復(fù)合的電子 B、不穩(wěn)定的電子空穴對C、不停運(yùn)動著的載流子 D、偏離熱平衡狀態(tài)的載流子9. pn結(jié)擊穿指（ ）A、反向電壓隨電流增加迅速

3、增加 B、正向電流隨反向電壓增加迅速增加C、正向電壓隨電流增加迅速增加 D、反向電流隨反向電壓增加迅速增加10. 有關(guān)隧道二極管的正向I-V特性及其應(yīng)用正確的是（ ）A、I-V特性基本與普通pn結(jié)相同 B、I-V曲線上存在一個負(fù)阻區(qū)C、可以做整流二極管用 D、可用于高頻振蕩 二、 名詞解釋（45分，9分*5）1. 硅的晶體結(jié)構(gòu)，給出其晶體結(jié)構(gòu)簡圖2. 半導(dǎo)體的直接能帶結(jié)構(gòu)與間接能帶結(jié)構(gòu)3. 簡并半導(dǎo)體4. 有效質(zhì)量的物理意義5. 霍爾效應(yīng)及其主要應(yīng)用三、 問答題（10分*4）1. 金屬與n型半導(dǎo)體接觸的能帶結(jié)構(gòu)圖（假設(shè)金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)，在圖中標(biāo)出勢壘、費(fèi)米能級、導(dǎo)帶及價帶2. 半

4、導(dǎo)體中載流子的主要散射機(jī)構(gòu)及其與溫度的關(guān)系3. 非簡并半導(dǎo)體中電阻率隨溫度的變化趨勢并解釋原因4. p-n結(jié)擊穿的概念，擊穿機(jī)制的種類及不同擊穿機(jī)制的原理。四、 計算題（35分）1. 在半導(dǎo)體硅材料中摻入施主雜質(zhì)濃度ND=1015/cm3，受主雜質(zhì)濃度NA=4´1014/cm3, 設(shè)室溫下本征硅材料的電阻率i=2.2´105 ohmcm, 假設(shè)電子和空穴的遷移率分別為mn=1350 cm2/(V.S), mp=500 cm2/(V.S)，不考慮雜質(zhì)濃度對遷移率的影響，求摻雜樣品的電導(dǎo)率。（15分）2. 單晶硅中均勻摻入兩種雜質(zhì)：摻硼1.5´1016/cm3，摻磷5´1015/cm3，試計算：（1） 室溫下載流子的濃度（2） 室溫下費(fèi)米能級的位置（3） 室溫下的電導(dǎo)率已知：ni=1.5´1010/cm3, NC=2.8´1019/cm3, NV=1.0´1019/cm3, kT=0.026 eV, q=1