設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)半導(dǎo)體材料能隙測定與計(jì)算_第1頁
設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)半導(dǎo)體材料能隙測定與計(jì)算_第2頁
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文檔簡介

1、半導(dǎo)體材料能隙測定與計(jì)算本征半導(dǎo)體萌能帶結(jié)構(gòu)T=OK,T#OK,本征激發(fā)成對(duì)產(chǎn)生電子和空穴。禁帶寬度Eg半導(dǎo)體重要的參量000000000000000000000000000000000000思考：怎樣測量 半導(dǎo)體的禁帯寬度Eg ?OOOOOOOOO滿帶（價(jià)帶）方案一：利用光電導(dǎo)效應(yīng)光電導(dǎo)效應(yīng)：入射光子能量方卩鼻半導(dǎo)體的禁帶寬度就激發(fā) 出電子空穴對(duì)，使載流子濃度增加，半導(dǎo)體的導(dǎo)電裡增加，阻 值減低，這種現(xiàn)象稱為光電導(dǎo)效應(yīng)。方案二：利用本征載流子濃度的溫度關(guān)系I本征載流子濃度ni = f = Po = gN,兩（-兩邊取對(duì)數(shù)2kTE1/T方案三=利用電阻率的溫度關(guān)系I本征載流子濃度I Eni =

2、 % = Poe科（一厲）、6 二（X +/） 一般測量電阻率，由Qp = Po ep() ° 2kT兩邊取對(duì)數(shù)IEgIn q = ccr, =cr0 網(wǎng)(一11/T2kT方案四：利用霍耳系數(shù)表：價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的帶隙魚間接帶隙，d：直接帶隙）晶休帶隙Eg(eV) (300K)晶體帶隙Eg(eV) (300K)金剛石i5.40GaAsd1.43Sii1.14I11Pd1.35Gei0.67PbSd0.34-0.37InSbd0.18CdSd2.421M分樁能隙實(shí)際上還與溫度有關(guān)'具體表現(xiàn)為:7（0）-O表：價(jià)帶和導(dǎo)帶Z間6 （aGa,As1.5195.405 x IO-4204Si1.174.7

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