第五節(jié)計(jì)算機(jī)硬件內(nèi)存

1、個(gè)人收集整理勿做商業(yè)用途第五節(jié)、計(jì)算機(jī)內(nèi)部硬件內(nèi)存內(nèi)存條的簡(jiǎn)介計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器由兩大部份組成內(nèi)存和外存，外存主要有硬盤、光盤等。計(jì)算機(jī)硬盤（或者是軟盤和CD- ROM就像是個(gè)文 件柜，桌面就相當(dāng)于電腦的內(nèi)存,桌面越大，可以擺放的文件 數(shù)量就越多，使用者就不必經(jīng)常打開文件柜抽取或存放文件， 這樣它的工作效率也就會(huì)提高。同理內(nèi)存越大，計(jì)算機(jī)的速度 也越快.內(nèi)存的主要作用是用來臨時(shí)存放數(shù)據(jù)，再與 CPI協(xié)調(diào)工作，從 而提高整機(jī)性能。內(nèi)存作為個(gè)人計(jì)算機(jī)硬件的必要組成部分之 一，其地位越來越重要，內(nèi)存的容量與性能已成為衡量計(jì)算機(jī) 整體性能的一個(gè)決定性因素。在內(nèi)存中最小的物理單元是位，從本質(zhì)上來講，位是一個(gè)

2、位于 某種二值狀態(tài)（通常是0和1）下的電氣單元.八位組成一個(gè)字 節(jié)，這樣組合的可能有256種（2的8次方）.字節(jié)是內(nèi)存可訪 問的最基本單元,每個(gè)這樣的組合可代表單獨(dú)的一個(gè)數(shù)據(jù)字符 或指令。內(nèi)存條的分類內(nèi)存（Memory也稱內(nèi)部存儲(chǔ)器或主存，按照內(nèi)存的工作原理 主要分為兩類。早期的主板使用的內(nèi)存類型主要有 FPM EDO SDRAM RDRAM, 目前主板常見的有DDR DDR2內(nèi)存。當(dāng)前，內(nèi)存條的封裝方式有184線、200線、240線等多種.168線、184線已淘汰圖：SD-168線內(nèi)存條PC 150個(gè)人收集整理勿做商業(yè)用途DDR2-240 線內(nèi)存條（一 ）、RAM （Random Acces

3、s Memory ）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,用來暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，其特點(diǎn)是存儲(chǔ)的 數(shù)據(jù)在掉電后會(huì)丟失。系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)，首先將指令和數(shù)據(jù)從外部 存儲(chǔ)器（外存）中調(diào)入內(nèi)存，CPU再?gòu)膬?nèi)存中讀取指令和數(shù)據(jù) 進(jìn)行運(yùn)算,并將運(yùn)算結(jié)果存入內(nèi)存中。它又分為兩種。1、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM Dynamic RAMDRAMfc要應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的主存儲(chǔ)器中，如內(nèi)存條由此構(gòu)成 特點(diǎn)：集成度高，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，功耗低,生產(chǎn)成本低.2、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM Static RAM）SRAMt要應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的高速小容量存儲(chǔ)器， 如CACH則是 由此構(gòu)成特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，造價(jià)高，速度快.（二）、ROM（Read Only

4、Memory）只讀存儲(chǔ)器，特點(diǎn)：只能從中讀取信息而不能任意寫入信息。一般用于保存不可更改的數(shù)據(jù)，如 BIOS.可分為以下三種：.EPROM可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，芯片上有一個(gè)透明窗口。EEPRQM電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。閃速存儲(chǔ)器Flash Memory :可以將BIOS存儲(chǔ)在其中,當(dāng)需 要時(shí)可以利用軟件來自動(dòng)升級(jí)和修改 BIOS,較為方便。三、內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存條的接口類型有 SIMM DIMM和 RIMM等 3種.SIMM（ Si ngle Inline Memory Module ，單列直插內(nèi)存模塊）-2 -個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途 就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號(hào)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)， 它多用于

5、早期的FPM和EDD DRAMDIMM（Dual Inline Memory Module, 雙列直插內(nèi)存模塊） 與SIM M相當(dāng)類似，不同的只是 DIM M的金手指兩端不像SIMM 那樣是互通的，它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào)，因此可以滿足更多 數(shù)據(jù)信號(hào)的傳送需要 .SDRAIDIMM為 168Pin DIMM結(jié)構(gòu)；DDR2DIMM為 240pin DIMM 結(jié)構(gòu)。RIMM（ Rambus Inline Memory Module ）是 Rambus公司生產(chǎn) 的RDRAI內(nèi)存所采用的接口類型四、內(nèi)存技術(shù)指標(biāo)1 、存儲(chǔ)速度 內(nèi)存的存儲(chǔ)速度用存取一次數(shù)據(jù)的時(shí)間來表示，單位為納秒， 記為ns, 1秒=10億

6、納秒,即1納秒=10" 9秒。ns和MHz之間的換算關(guān)系如下：1ns=1000MHz6ns=166MHz7ns=143MHz10ns=100MHz2、存儲(chǔ)容量目前常見的內(nèi)存存儲(chǔ)容量單條為 128MB 256MB 512MB當(dāng)然 也有單條1GB的，內(nèi)存，不過其價(jià)格較高，普通用戶少有使用.3 、 CLCL是CASLstency的縮寫，即CAS延遲時(shí)間，是指內(nèi)存縱向地 址脈沖的反應(yīng)時(shí)間， 是在一定頻率下衡量不同規(guī)范內(nèi)存的重要 標(biāo)志之一.對(duì)于PC1600和 PC2100的內(nèi)存來說，其規(guī)定的CL應(yīng) 該為 2，即他讀取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間是兩個(gè)時(shí)鐘周期。4、SPD芯片SPD是一個(gè)8針256字節(jié)的EER

7、ROM可電擦寫可編程只讀存儲(chǔ) 器）芯片。位置一般處在內(nèi)存條正面的右側(cè)，里面記錄了諸如 內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數(shù)信息。當(dāng) - 3 -個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途開機(jī)時(shí)，計(jì)算機(jī)的BIOS將自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息.6、內(nèi)存帶寬 即內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速率。 內(nèi)存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表于存儲(chǔ)器時(shí)鐘頻率、D表示存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)總線位 數(shù), 則帶寬 B=FD/8如常見 100MHZ的 SDRAM內(nèi)存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒常見 133MHZ的 SDRAM內(nèi)存的帶寬=133MH才 64bit/8=1064MB/ 秒7、內(nèi)存電壓內(nèi)存正常工作所需要的電壓值,SD

8、RA M內(nèi)存一般工作電壓都在3。3伏左右,上下浮動(dòng)額度不超過 0.3伏；DDR SDRA內(nèi)存一 般工作電壓都在 2。 5 伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過 0。 2 伏; 而DDR2 SDRA內(nèi)I存的工作電壓一般在 1.8V左右.五、內(nèi)存選配指南1. 不要貪高求貴 , 量力而行 。如果不考慮以后主板或 CPU等系統(tǒng)的升級(jí)，最好是量體裁衣， 不要一昧求高頻率、高容量 .就目前水平，一般選擇容量 512M即可,如果要作圖形圖像處理 或運(yùn)行大型3D游戲，可選擇更大一些的容量。2。注意速度同F(xiàn)SB的搭配目前 CPU常見的 FSB為 533MHHZ 800MHZ 1000MHZ 1066MHZ 可參考下表 .

9、FSB 內(nèi)存533MHZ DDR266如主板支持雙通道,則選兩條正好匹配。800MHZ DDR400如主板支持雙通道，則選兩條正好匹配。如板支持DDRII,可選DDRII400、DDRII533或更高總之，在同F(xiàn)SB的搭配上,內(nèi)存的總傳輸率同F(xiàn)SB要大致相當(dāng)（同 頻內(nèi)存?zhèn)鬏斅孰p通道為單通道的兩倍） 。個(gè)人收集整理勿做商業(yè)用途3）注意同主板搭配在同主板的搭配上,要注意，當(dāng)前不是所有主板都支持 DDRII,例 如Intel平臺(tái)主板，915以前的芯片組系列是不支持 DRRII的；而 AMD平臺(tái)主板比較好判定：754和939接口的主板都不支持 DDRII, 今年（06）開始流行AM2接 口的主板都支持

10、.六。內(nèi)存芯片編號(hào)以下分別列出了幾種常見內(nèi)存顆粒的編號(hào)，希望對(duì)您選購(gòu)內(nèi)存有所幫助。1、HYUNDAI （現(xiàn)代）nmiiiHiimniHiiiHiiuiiihqnix 40U HT8DU66852CT-5I I * 4 * » » 1 t * 1 i Illii intnlHt tflHtHiul inhttlH“ HY"是HYNIX的簡(jiǎn)稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。“5D"是內(nèi)存芯片類型為 DDR , 57則為SD類型.“U"代表處理工藝及電壓為 2。5V。（V:VDD=3。3V & VDDQ=2。5V ; U:VDD=2。5V &

11、amp; VDDQ=2.5V ; W:VDD=2.5V &VDDQ=1。8V; S: VDD=1。8V & VDDQ=1。8V）“56"代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新.（64:64M 4K 刷新；66 : 64M 2K刷新；28 : 128M 4K刷新;56 : 256M8K 刷新;57 : 256M 4K 刷新；12 : 512M 8K 刷新；1G:1G 8K 刷新）“8”是內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)，代表改內(nèi)存由8顆芯片構(gòu)成。（4=4顆芯片；8=8顆芯片；16=16顆芯片；32=32顆芯片）“2”指內(nèi)存的 bank （儲(chǔ)蓄位）。（仁2 bank ； 2=4 b

12、ank;3=8 bank）“2 ”代表接口類型為 SSTL_2。（仁SSTL_3;2=SSTL_2 ； 3=SSTL_18）“B”是內(nèi)核代號(hào)為第3代。（空白=第1代;A=第2代；B=第3代;C=第4代）能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內(nèi)存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。封裝類型用“ T"表示，即 TSOP 封裝。（T=TSOP ； Q=LOFP ； F=FBGA ； FC=FBGA）封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix;K=M & T； J=其它；M=MCP （ Hynix ）； MU=MCP（UTC），上述內(nèi)存為空白，代表是普通 封裝堆棧.個(gè)人收集整理 勿做商

13、業(yè)用途封裝原料，空白=普通；P=鉛；H =鹵素；R=鉛+鹵素。該內(nèi)存為普通封裝材料。“D43 ” 表示內(nèi)存的速度為 DDR400。( D43=DDR400 , 3-3 3; D4=DDR400 , 3-4-4 ; J=DDR333 ; M=DDR333 , 2 2-2 ; K=DDR266A ； H=DDR266B ； L=DDR200)工作溫度，一般被省略。匸工業(yè)常溫(4085度);E=擴(kuò)展溫度(-2585度)因此，通過編號(hào)“ HY5DU56822BT D43 ”的內(nèi)存顆粒我們可以了解到 ，這是一款DDR SDRAM 內(nèi)存，容量為256MB , 采用 TSOP 封裝 ,速度為 DDR400

14、?，F(xiàn)代的SDRAMS片上的標(biāo)識(shí)為以下格式： 個(gè)人收集整理,勿做商業(yè)用途本文為互聯(lián)網(wǎng)收集,請(qǐng)勿用作商業(yè)用途HY 5X X XXX XX X X X X XX - XXHY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品。5X表示芯片類型，57為一般的SDRAM 5D為DDR SDRAM第2個(gè)X代表工作電壓，空白為5V, "V"為3.3V， ” U為2。5V.第3-5個(gè)X代表容量和刷新速度，分別如下：第6、7個(gè)X代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬，40、80、16、32分別代表4位、8位、 16 位和 32 位。第8個(gè)X代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè) Bank組成，1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8 個(gè)Bank.是2的冪次關(guān)系。第

15、 9 個(gè) X 一般為 0，代表 LVTTL(Low Voltage TTL) 接口。第10個(gè)X可以為空白或A B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新。第11個(gè)X如為"L"則代表低功耗的芯片，如為空白則為普通芯片.第12、13個(gè)X代表封裝形式，分別如下：最后幾位為速度：注：例如常見的HY57V658010CTC-1QsHY是現(xiàn)代的芯片,57說明是SDRAM,6是 64Mhbit 和 4K refresh cycles/64ms,下來的 8 是 8 位輸出，10 是 2 個(gè) Bank，C 是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP- H封裝，10S代表CL=3的PC100。

16、2、LGS(LG Semicon Co。 ,Ltd. )LGS的SDRAMS片上的標(biāo)識(shí)為以下格式：GM72V XX XX X 1 X X T XXGM代表為L(zhǎng)GS的產(chǎn)品。72 代表 SDRAM.第1、2個(gè)X代表容量，類似現(xiàn)代，16為16Mbits ，66為64Mbits。第 3、 4 個(gè) X 表示數(shù)據(jù)位寬 , 一般為 4、 8、 16 等，不補(bǔ) 0。第5個(gè)X代表Bank，2對(duì)應(yīng)2個(gè)Bank, 4對(duì)應(yīng)4個(gè)Bank,和現(xiàn)代的不一樣，屬 于直接對(duì)應(yīng) .第6個(gè)X表示是第幾人版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到” E"了。第7個(gè)X如果是字母” L",就是低功耗，空白則為普通?！?T”為常見的

17、TSOPI封裝，現(xiàn)在還有一種BLP封裝出現(xiàn)，為"I ”.最后的XX自然是代表速度：個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途注：例如 GM72V661641CT7這是 64Mbit , 16 位輸出，4 個(gè) Bank,剛達(dá)到 PC100 的要求（CL=3）SDRAM3、SAMSUNG星）三星的SDRAMS片的標(biāo)識(shí)為以下格式：KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的產(chǎn)品。三星的SDRAM產(chǎn)品KM后均為4,后面的"S”代表普通的SDRAM如為” H"，則 為 DDR SDRAM"S"前兩個(gè)XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、& 16、32分別代

18、表4位、8位、16位和32位。三星的容量需要自己計(jì)算一下。方法是用"S”后的X乘S前的數(shù)字，得到的結(jié) 果即為容量。” 0"后的第一個(gè)X代表由幾個(gè)Bank構(gòu)成。2為2個(gè)Bank,3為難個(gè)Bank。"0"后的第 2 個(gè) X,代表 in terface ，1 為 SSTL 0 為 LVTTL” 0"后的第3個(gè)X與版本有關(guān)，如B、C等，但每個(gè)字母下又有各個(gè)版本，在表 面上并不能看得出來 ."T”為TSOP封裝。速度前的” G"和” F"的區(qū)別在自刷新時(shí)的電流，” F”需要的電流較” G"小 ,相 當(dāng)于一般的低功耗

19、版。"G/F”后的X代表速度：注：例如 KM416S4031BT-GH是 64Mbit（ 16*4），16，4 個(gè) Bank,在 100MHZ時(shí) CL=2。4、Micron MTMicron的SDRAMS片上標(biāo)識(shí)為以下格式：MT48 XX XX M XX AX TGXX XMT代表是Micron的產(chǎn)品。48代表是SDRAI系列。其后的XX如為L(zhǎng)C則為普通SDRAM.46為DDR SDRAMMricron的容量需要自己計(jì)算一下。方法是將 XX M XX中的M前后的數(shù)字相乘， 得到的結(jié)果即為容量。M后的XX表示數(shù)據(jù)位寬，4、& 16、32分別代表4位、8位、16位和32位.AX代

20、表 Write Recovery （ Twr）,如 A2 表示 Twr=2clk.TG為TSOPI封裝。LG為TGFP封裝。最后的XX是代表速度：其中X為AE,字母越后性能越好.按CL TRCTRP的表示方法AE分別為：3-3 3、 3-2 3、 3 2-2 、2 2 2、 22 2.速度后如有 L 則為低耗。注： 例如 MT48LC8M8A2TG-8E,64Mb（it8*8）, 8 位,且是性能相當(dāng)不錯(cuò)的芯片, 完全符合PC100規(guī)范。5、IBM個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途IBM的SDRAMS片上的標(biāo)識(shí)為以下格式：IBM03 XX XX X XT3X - XXXIBM代表為IBM的產(chǎn)品。IBM

21、的SDRA產(chǎn)品均為03。第 1、 2 個(gè) X 代表容量。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，為40、80、16等。一般的封裝形式為TSOP對(duì)4位數(shù)據(jù)位寬的型號(hào)，如第4個(gè)X不為0而為B,則 為TSOJ封裝。第5個(gè)X意義不詳，16Mbit上多為9，64Mbit上多為4。第6個(gè)X為P為低功耗，C為普通。第 7 個(gè) X 表示內(nèi)核的版本。最后的XXX代表速度：在B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3時(shí)的標(biāo)定速度為：135MHZ注：例如 IBM0316809CT310，16Mbit，8 位，不符合 PC-100規(guī)范。6、HITACHI (日立)HITACHI 的 SDRA芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式：HM 5

22、2 XX XX 5 X X TT XXHM代表是日立的產(chǎn)品，52是SDRAM如為51則為EDO DRAM第1、2個(gè)X代表容量。第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬,40、80、16分別代表4位、8位、16位。第5個(gè)X表示是第幾個(gè)版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到 "F" 了。第6個(gè)X如果是字母"L"就是低功耗.空白則為普通。TT為TSOPI封裝.最后XX代表速度：注：例如 HM5264805A60,是 64Mbit, 8 位輸出，100MHZ寸 CL可為 2。7、NECNEC勺SDRA芯片上的標(biāo)識(shí)通常為以下格式：卩 PD45 XX X X XG5- AXX X-XXX卩P

23、D4代表是NEC勺產(chǎn)品.” 5”代表是SDRAM第1、2個(gè)X代表容量.第 3(4) 個(gè) X 表示數(shù)據(jù)位寬 ,4 、 8、 16、 32 分別代表 4 位、 8 位、 16 位、 32 位. 當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí)，使用兩位，即占用第4個(gè)X。由于NEC的標(biāo)識(shí)的 長(zhǎng)度固定， 這會(huì)對(duì)下面的數(shù)字造成影響。第4 (5)個(gè)X代表Bank?！?3"或” 4"代表4個(gè)Bank,在16位和32位時(shí)代表2 個(gè) Bank; "2 ”代表 2 個(gè) Bank。第5個(gè)X,如為"1"代表LVTTL如為16位和32位的芯片，第5個(gè)X已被占用， 則第5個(gè)X有雙重含義，如” 1”代表2個(gè)Bank和LVTTL ” 3"代表4個(gè)Bank個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途和 LVTTL。G5為 TSOffl 封裝。-A后的XX是代表速度：速度后的X如果是字母” L”就是低功耗，空白則為普通。-XXX:第一人X通常為數(shù)字，如64Mbit芯片上常為準(zhǔn)，16Mbit芯片上常為7, 規(guī)律不詳。其后的XX的"JF"、” JH、"NF”