集成電路制造相關(guān)術(shù)語

1、1.a c c e p t a n c e t e s t i n g(W A T:w a f e r a c c e p t a n c e t e s t i n g3.A C C E S S:一個E D A(E n g i n e e r i n g D a t a A n a l y s i s系統(tǒng)6.A l i g n m a r k(k e y:對位標(biāo)記9.A m m o n i a氨10.A m m o n i u m f l u o r i d e氟化銨11.A m m o n i u m h y d r o x i d e氫氧化銨12.A m o r p h o u s s

2、i l i c o n:-S i,非晶硅(不是多晶硅13.A n a l o g:模擬的14.A n g s t r o m15.A n i s o t r o p i c:各向異性(如P O L Y E T C H16.A Q L(A c c e p t a n c e Q u a l i t y L e v e l:接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),在一定采樣下,可以95%臵信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(不同于可靠性,可靠性要求一定時間后的失效率17.A R C(A n t i r e f l e c t i v e c o a t i n g:抗反射層(用于M E T A L等層的光刻18.A n t i m o n

3、y(S b銻22.A r s i n e24.A s p e c t r a t i o n:形貌比(E T C H中的深度、寬度比25.A u t o d o p i n g:自攙雜(外延時S U B的濃度高,導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后,又回?fù)降酵庋訉?8.B e n c h m a r k:基準(zhǔn)30.B o a t:擴(kuò)散用(石英舟32.C h a r a c t e r w i n d o w:特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。36.C I M:c o m p u t e r-i n t e g r a t e d m a n u f a c t u r i n g

4、的縮寫。用計算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。39.C o m p e n s a t i o n d o p i n g:補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。40.C M O S:c o m p l e m e n t a r y m e t a l o x i d e s e m i c o n d u c t o r的縮寫。一種將P M O S和N M O S 在同一個硅襯底上混合制造的工藝。41.C o m p u t e r-a i d e d d e s i g n(C A D:計算機(jī)輔助設(shè)計。42.C o n d u c t i v i t y t y p

5、 e:傳導(dǎo)類型,由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子,在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。43.C o n t a c t:孔。在工藝中通常指孔1,即連接鋁和硅的孔。44.C o n t r o l c h a r t:控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45.C o r r e l a t i o n:相關(guān)性。46.C p:工藝能力,詳見p r o c e s s c a p a b i l i t y。47.C p k:工藝能力指數(shù),詳見p r o c e s s c a p a b i l i t y i n d e x。48.C y c l e t i m

6、e:圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。49.D a m a g e:損傷。50.D e f e c t d e n s i t y:缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。51.D e p l e t i o n i m p l a n t:耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。52.D e p l e t i o n l a y e r:耗盡層?？蓜虞d流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。53.D e p l e t i o n w i d t h:耗盡寬度。55.D e p t h o f f o c u s(D

7、O F:焦深。56.d e s i g n o f e x p e r i m e n t s(D O E:為了達(dá)到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計合理性等目的,所設(shè)計的初始工程批試驗計劃。58.d e v e l o p e r:顯影設(shè)備;顯影液59.d i b o r a n e(B2H6:乙硼烷,60.d i c h l o r o m e t h a n e(C H2C L2:二氯甲,一種無色,不可燃,不可爆的液體。61.d i c h l o r o s i l a n e(D S C:二氯甲硅烷,一種可燃,有腐蝕性,無色,在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì),常用于硅外延或多晶

8、硅的成長,以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學(xué)氣氛中。62.d i e:硅片中一個很小的單位,包括了設(shè)計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。63.d i e l e c t r i c:介質(zhì),一種絕緣材料;64.d i f f u s e d l a y e r:擴(kuò)散層,即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中,在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65.d i s i l a n e(S i2H6:乙硅烷,一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體,燃燒時能產(chǎn)生高火焰,暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時,乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。66.d r i v e-i n68.

9、e f f e c t i v e l a y e r t h i c k n e s s:有效層厚,指在外延片制造中,載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。69.E M:e l e c t r o m i g r a t i o n,電子遷移,指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。70.e p i t a x i a l l a y e r:外延層。75.f e a t u r e s i z e:特征尺寸,指單個圖形的最小物理尺寸。76.f i e l d-e f f e c t t r a n s i s t o r(F E T:場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端。78.

10、f l a t:平邊79.f l a t b a n d c a p a c i t a n s e:平帶電容80.f l a t b a n d v o l t a g e:平帶電壓81.f l o w c o e f f i c i c e n t:流動系數(shù)82.f l o w v e l o c i t y:流速計83.f l o w v o l u m e:流量計84.f l u x:單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)85.f o r b i d d e n e n e r g y g a p:禁帶86.f o u r-p o i n t p r o b e:四點探針臺87.f u n c

11、 t i o n a l a r e a:功能區(qū)89.g l a s s t r a n s i t i o n t e m p e r a t u r e:玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90.g o w n i n g:凈化服91.g r a y a r e a:灰區(qū)92.g r a z i n g i n c i d e n c e i n t e r f e r o m e t e r:切線入射干涉儀93.h a r d b a k e:后烘94.h e t e r o e p i t a x y:單晶長在不同材料的襯底上的外延方法95.h i g h-c u r r e n t i m p l a n

12、 t e r:束電流大于3m a的注入方式,用于批量生產(chǎn)96.h i g n-e f f i c i e n c y p a r t i c u l a t e a i r(H E P Af i l t e r:高效率空氣顆粒過濾器,去掉99.97%的大于0.3u m的顆粒97.h o s t:主機(jī)98.h o t c a r r i e r s:熱載流子99.h y d r o p h i l i c:親水性100.h y d r o p h o b i c:疏水性101.i m p u r i t y:雜質(zhì).摻雜102.i n d u c t i v e c o u p l e d p l

13、 a s m a(I C P:感應(yīng)等離子體103.i n e r t g a s:惰性氣體104.i n i t i a l o x i d e:一氧105.i n s u l a t o r:絕緣106.i s o l a t e d l i n e:隔離線109.j u n c t i o n:結(jié)110.j u n c t i o n s p i k i n g n:鋁穿刺111.k e r f:劃片槽113.l i t h o g r a p h y n制版114.m a i n t a i n a b i l i t y,e q u i p m e n t:設(shè)備產(chǎn)能116.m a j

14、o r i t y c a r r i e r n:多數(shù)載流子117.m a s k s,d e v i c e s e r i e s o f n:一成套光刻版118.m a t e r i a l n:原料119.m a t r i x n1:矩陣120.m e a n n:平均值122.m e d i a n n:中間值123.m e m o r y n:記憶體125.n a n o m e t e r(n mn:納米126.n a n o s e c o n d(n sn:納秒127.n i t r i d e e t c h n:氮化物刻蝕130.o h m s p e r s q

15、u a r e n:歐姆每平方:方塊電阻131.o r i e n t a t i o n n:晶向,一組晶列所指的方向132.o v e r l a p n:交迭區(qū)134.p h o s p h o r u s(Pn:磷,一種有毒的非金屬元素135.p h o t o m a s k n:光刻版,用于光刻的版136.p h o t o m a s k,n e g a t i v e n:反刻137.i m a g e s:去掉圖形區(qū)域的版138.p h o t o m a s k,p o s i t i v e n:正刻139.p i l o t n:先行批,用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子

16、142.p l a s m a-e n h a n c e d T E O S o x i d e d e p o s i t i o n n:T E O S淀積,淀積T E O S的一種工藝143.p n j u n c t i o n n:p n結(jié)144.p o c k e d b e a d n:麻點,在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145.p o l a r i z a t i o n n:偏振,描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語146.p o l y c i d e n:多晶硅/金屬硅化物,解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)147.p o l y c r y s t a l l i n e s

17、i l i c o n(p o l yn:多晶硅,高濃度摻雜(>5E19的硅,能導(dǎo)電。148.p o l y m o r p h i s m n:多態(tài)現(xiàn)象,多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象149.p r o b e r n:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備,用以連接圓片和檢測設(shè)備。150.p r o c e s s c o n t r o l n:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中,對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。151.p r o x i m i t y X-r a y n:近X射線:一種光刻技術(shù),用X射線照射臵于光刻膠上方的掩膜版,從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。152.p u

18、 r e w a t e r n:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153.q u a n t u m d e v i c e n:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu),其特性源于電子的波動性。154.q u a r t z c a r r i e r n:石英舟。155.r a n d o m a c c e s s m e m o r y(R A Mn:隨機(jī)存儲器。156.r a n d o m l o g i c d e v i c e n:隨機(jī)邏輯器件。157.r a p i d t h e r m a l p r o c e s s i n g(R T Pn:快速熱處理(R T P。159.r e

19、a c t o r n:反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。162.s c a n n i n g e l e c t r o n m i c r o s c o p e(S E Mn:電子顯微鏡(S E M。163.s c h e d u l e d d o w n t i m e n:(設(shè)備預(yù)定停工時間。164.S c h o t t k y b a r r i e r d i o d e s n:肖特基二極管。165.s c r i b e l i n e n:劃片槽。166.s a c r i f i c i a l e t c h b a c k n:犧牲腐蝕。168.s h e e t

20、r e s i s t a n c e(R s(o r p e r s q u a r en:薄層電阻。用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。169.s i d e l o a d:邊緣載荷,被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。170.s i l i c o n o n s a p p h i r e(S O Se p i t a x i a l w a f e r:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片171.s m a l l s c a l e i n t e g r a t i o n(S S I:小規(guī)模綜合,在單一模塊上由2到10個圖案的布局。172.s o u r c e c o d e:原代碼173.s p e c

21、 t r a l l i n e:光譜線,光譜鑷制機(jī)或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。174.s p i n w e b b i n g:旋轉(zhuǎn)帶,在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。176.s t a c k i n g f a u l t:堆垛層錯,原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。177.s t e a m b a t h:蒸汽浴,一個大氣壓下,流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。178.s t e p r e s p o n s e t i m e:瞬態(tài)特性時間,大多數(shù)流量控制器實驗中,普通變化時段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個時刻之間的時間。179.s t e p p e r

22、:步進(jìn)光刻機(jī)(按B L O C K來曝光180.s t r e s s t e s t:應(yīng)力測試,包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181.s u r f a c e p r o f i l e:表面輪廓,指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒有特指的情況下。182.s y m p t o m:征兆,人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識。183.t a c k w e l d:間斷焊,通常在角落上尋找預(yù)先有的地點進(jìn)行的點焊(用于連接蓋子。184.T a y l o r t r a y:泰勒盤,褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185.t e m p e r a t u r e c y c l i n

23、g:溫度周期變化,測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186.t e s t a b i l i t y:易測性,對于一個已給電路來說,哪些測試是適用它的。187.t h e r m a l d e p o s i t i o n:熱沉積,在超過950度的高溫下,硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。189.t i t a n i u m(T i:鈦。190.t o l u e n e(C6H5C H3:甲苯。有毒、無色易燃的液體,它不溶于水但溶于酒精和大氣。191.1,1,1-t r i c h l o r o e t h a n e(T C A(C L3C C H3:有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶

24、劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。193.t u n g s t e n h e x a f l u o r i d e(W F6:氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在C V D中W F6用于淀積硅化物,也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。194.t i n n i n g:金屬性表面覆蓋焊點的薄層。195.t o t a l f i x e d c h a r g e d e n s i t y(N t h:下列是硅表面不可動電荷密度的總和:氧化層固定電荷密度(N f、氧化層俘獲的電荷的密度(N o t、界面負(fù)獲得電荷密度(N i t。196.w a t t(W:瓦。能量單位。197.w a

25、f e r f l a t:從晶片的一面直接切下去,用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向,也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。203.w i n d o w:在隔離晶片中,允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通道。205.v a p o r p r e s s u r e:當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。207.t r a n s i t i o n m e t a l s:過渡金屬P A C感光化合物A S I C特殊應(yīng)用集成電路S o l v e n t溶劑C a r b i d e碳R e f r a c t i v e折射E x

26、 p a n s i o n膨脹T M:t o p m e n t a l頂層金屬層W E E周邊曝光P O D裝晶舟和晶片的盒子R e t i c l e光罩S p i n旋轉(zhuǎn)A/D軍A n a l o g.D i g i t a l,模擬/數(shù)字A C M a g n i t u d e交流幅度A C P h a s e交流相位A c c u r a c y精度"A c t i v i t y M o d e lA c t i v i t y M o d e l"活動模型A d d i t i v e P r o c e s s加成工藝A d h e s i o n附著力

27、A g g r e s s o r干擾源A n a l o g S o u r c e模擬源A O I,A u t o m a t e d O p t i c a l I n s p e c t i o n自動光學(xué)檢查A s s e m b l y V a r i a n t不同的裝配版本輸出A t t r i b u t e s屬性A X I,A u t o m a t e d X-r a y I n s p e c t i o n自動X光檢查B I S T,B u i l t-i n S e l f T e s t內(nèi)建的自測試B u s R o u t e總線布線C i r c u i t

28、電路基準(zhǔn)c i r c u i td i a g r a m電路圖C l e m e n t i n e專用共形開線設(shè)計C l u s t e r P l a c e m e n t簇布局C M合約制造商C o m m o n I m p e d a n c e共模阻抗C o n c u r r e n t并行設(shè)計C o n s t a n t S o u r c e恒壓源C o o p e r P o u r智能覆銅C r o s s t a l k串?dāng)_C V T,C o m p o n e n t V e r i f i c a t i o n a n d T r a c k i n g元

29、件確認(rèn)與跟蹤D C M a g n i t u d e直流幅度D e l a y s延時D e s i g n f o r T e s t i n g可測試性設(shè)計D e s i g n a t o r標(biāo)識D F C,D e s i g n f o r C o s t面向成本的設(shè)計D F M,D e s i g n f o r M a n u f a c t u r i n g面向制造過程的設(shè)計D F R,D e s i g n f o r R e l i a b i l i t y面向可靠性的設(shè)計D F T,D e s i g n f o r T e s t面向測試的設(shè)計D F X,D e s

30、 i g n f o r X面向產(chǎn)品的整個生命周期或某個環(huán)節(jié)的設(shè)計D S M,D y n a m i c S e t u p M a n a g e m e n t動態(tài)設(shè)定管理D y n a m i c R o u t e動態(tài)布線E D I F,T h e E l e c t r o n i c D e s i g n I n t e r c h a n g eF o r m a t電子設(shè)計交互格式E I A,E l e c t r o n i c I n d u s t r i e s A s s o c i a t i o n電子工業(yè)協(xié)會E l e c t r o D y n a m i

31、c C h e c k動態(tài)電性能分析E l e c t r o m a g n e t i c D i s t u r b a n c e電磁干擾E l e c t r o m a g n e t i c N o i s e電磁噪聲E M C,E l c t r o m a g n e t i c C o m p a t i b i l t電磁兼容E M I,E l e c t r o m a g n e t i c I n t e r f e r e n c e電磁干擾E m u l a t i o n硬件仿真E n g i n e e r i n g C h a n g e O r d e

32、 r原理圖與P C B版圖的自動對應(yīng)修改E n s e m b l e多層平面電磁場仿真E S D靜電釋放F a l l T i m e下降時間F a l s e C l o c k i n g假時鐘F E P氟化乙丙烯F F T,F a s t F o u r i e r T r a n s f o r m快速傅里葉變換F l o a t L i c e n s e網(wǎng)絡(luò)浮動F r e q u e n c y D o m a i n頻域G a u s s i a n D i s t r i b u t i o n高斯分布G l o b a l f l d u c i a l板基準(zhǔn)G r o u

33、 n d B o u n c e地彈反射G U I,G r a p h i c a l U s e r I n t e r f a c e圖形用戶界面H a r m o n i c a射頻微波電路仿真H F S S三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真I B I S,I n p u t/O u t p u t B u f f e r I n f o r m a t i o n S p e c i f i c a t i o n模型I C A M,I n t e g r a t e d C o m p u t e r A i d e d M a n u f a c t u r i n g在E C C E項目里就

34、是指制作P C B I E E E,T h e I n s t i t u t e o f E l e c t r i c a l a n d E l e c t r o n i c E n g i n e e r s國際電氣和電子工程師協(xié)會I G E S,I n i t i a l G r a p h i c s E x c h a n g e S p e c i f i c a t i o n三維立體幾何模型和工程描述的標(biāo)準(zhǔn)I m a g e F i d u c i a l電路基準(zhǔn)I m p e d a n c e阻抗!I n-C i r c u i t-T e s t在線測試I n i

35、t i a l V o l t a g e初始電壓I n p u t R i s e T i m e輸入躍升時間I P C,T h e I n s t i t u t e f o r P a c k a g i n g a n d I n t e r c o n n e c t封裝與互連協(xié)會I P O,I n t e r a c t i v e P r o c e s s O p t i m i z a t o n交互過程優(yōu)化I S O,T h e I n t e r n a t i o n a l S t a n d a r d s O r g a n i z a t i o n國際標(biāo)準(zhǔn)化組

36、織J u m p e r跳線L i n e a r D e s i g n S u i t線性設(shè)計軟件包L o c a l F i d u c i a l個別基準(zhǔn)m a n u f a c t u r i n g制造業(yè)M C M s,M u l t i-C h i p M o d u l e s多芯片組件M D E,M a x w e l l D e s i g n E n v i r o n m e n tN o n l i n e a r D e s i g n S u i t非線性設(shè)計軟件包O D B+O p e n D a t a B a s e公開數(shù)據(jù)庫O E M原設(shè)備制造商O L

37、E A u t o m a t i o n目標(biāo)連接與嵌入O n-l i n e D R C在線設(shè)計規(guī)則檢查O p t i m e t r i c s優(yōu)化和參數(shù)掃描O v e r s h o o t過沖P a n e l f i d u c i a l板基準(zhǔn)P C B P C B o a r d L a y o u t T o o l s電路板布局布線P C B,P r i n t e d C i r c u i t B o a r d印制電路板P e r i o d周期P e r i o d i c P u l s e S o u r c e周期脈沖源P h y s i c a l D e s

38、 i g n R e u s e物理設(shè)計可重復(fù)P I,P o w e r I n t e g r i t y電源完整性P i e c e-W i s e-l i n e a r S o u r c e分段線性源P r e v i e w輸出預(yù)覽P u l s e W i d t h脈沖寬度P u l s e d V o l t a g e脈沖電壓Q u i e s c e n t L i n e靜態(tài)線R a d i a l A r r a y P l a c e m e n t極坐標(biāo)方式的元件布局R e f l e c t i o n反射R e u s e實現(xiàn)設(shè)計重用R i s e T i m

39、 e上升時間R n g i n g振蕩,信號的振鈴R o u n d i n g環(huán)繞振蕩R u l e s D r i v e n規(guī)則驅(qū)動設(shè)計S a x B a s i c E n g i n e設(shè)計系統(tǒng)中嵌入S D E,S e r e n a d e D e s i g n E n v i r o n m e n tS D T,S c h e m a t i c D e s i g n T o o l s電路原理設(shè)計工具S e t t l i n g T i m e建立時間S h a p e B a s e以外形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線S h o v e元器件的推擠布局S I,S i g n a

40、l I n t e g r i t y信號完整性S i m u l a t i o n軟件仿真S k e t c h草圖法布線S k e w偏移S l e w R a t e斜率S P C,S t a t i c t i c a l P r o c e s s C o n t r o l統(tǒng)計過程控制S P I,S i g n a l-P o w e r I n t e g r i t y將信號完整性和電源完整性集成于一體的分析工具S P I C E,S i m u l a t i o n P r o g r a m w i t h I n t e g r a t e d C i r c u i

41、 t E m p h a s i s集成電路模擬的仿真程序S p l i t/M i x e d L a y e r多電源/地線的自動分隔S S O同步交換S T E P,S t a n d a r d f o r t h e E x c h a n g e o f P r o d u c t M o d e l D a t aS y m p h o n y系統(tǒng)仿真T i m e d o m a i n時域T i m e s t e p S e t t i n g步進(jìn)時間設(shè)臵U H D L,V H S I C H a r d w a r e D e s c r i p t i o n L a

42、n g u a g e硬件描述語言U n d e r s h o o t下沖U n i f o r m D i s t r i b u t i o n均勻分布V a r i a n t派生V I A-V e n d o r I n t e g r a t i o n A l l i a n c e程序框架聯(lián)盟V i c t i m被干擾對象V i r t u a l S y s t e m P r o t o t y p e虛擬系統(tǒng)原型V S T,V e r f i c a t i o n a n d S i m u l a t i o n T o o l s驗證和仿真工具W i z a r

43、d智能建庫工具,向?qū)?.專業(yè)術(shù)語術(shù)語英文意義中文解釋L C D L i q u i d C r y s t a l D i s p l a y液晶顯示L C M L i q u i d C r y s t a l M o d u l e液晶模塊T N T w i s t e d N e m a t i c扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度S T N S u p e r T w i s t e d N e m a t i c超級扭曲向列。約180270度扭曲向列F S T N F o r m u l a t e d S u p e r T w i s t e d N e m a t i c格

44、式化超級扭曲向列。一層光程補(bǔ)償偏甲于S T N,用于單色顯示T F T T h i n F i l m T r a n s i s t o r薄膜晶體管B a c k l i g h t-背光I n v e r t e r-逆變器O S D O n S c r e e n D i s p l a y在屏上顯示D V I D i g i t a l V i s u a l I n t e r f a c e(V G A數(shù)字接口T M D S T r a n s i t i o n M i n i m i z e d D i f f e r e n t i a l S i n g n a l i

45、n gL V D S L o w V o l t a g e D i f f e r e n t i a l S i g n a l i n g低壓差分信號P a n e l i n k-T C P T a p e C a r r i e r P a c k a g e柔性線路板C O B C h i p O n B o a r d通過綁定將I C裸偏固定于印刷線路板上C O F C h i p O n F P C將I C固定于柔性線路板上C O G C h i p O n G l a s s將芯偏固定于玻璃上D u t y-占空比,高出點亮的閥值電壓的部分在一個周期中所占的比率E L E l

46、 e x t r o L u m i n e s c e n c e電致發(fā)光。E L層由高分子量薄片構(gòu)成C C F L(C C F TC o l d C a t h o d e F l u o r e s c e n t L i g h t/T u d e冷陰極熒光燈P D P P l a s m a D i s p l a y P a n e l等離子顯示屏C R T C a t h o d e R a d i a l T u d e陰極射線管V G A V i d e o G r a p h i c A n a y視頻圖形陳列P C B P r i n t e d C i r c u i

47、t B o a r d印刷電路板C o m p o s i t e v i d e o-復(fù)合視頻c o m p o n e n t v ide o-分量視頻S-v i d e o-S端子,與復(fù)合視頻信號比,將對比和顏色分離傳輸N T S C N a t i o n a l T e l e v i s i o n S y s t e m s C o m m i t t e e N T S C制式。全國電視系統(tǒng)委員會制式P h a s e A l r e r n a t i n g L i n e P A L制式(逐行倒相制式S E q u e n t i a l C o u l e u r A

48、v e c M e m o i r e S E C A M制式(順序與存儲彩色電視系統(tǒng)V i d e o O n D e m a n d視頻點播D P I D o t P e r I n c h點每英寸3.A.M.U原子質(zhì)量數(shù)4.A D I A f t e r d e v e l o p i n s p e c t i o n顯影后檢視6.A l i g n m e n t排成一直線,對平7.A l l o y融合:電壓與電流成線性關(guān)系,降低接觸的阻值8.A R C:a n t i-r e f l e c t c o a t i n g防反射層10.A S I光阻去除后檢查13.B e a m

49、-C u r r e n t電子束電流15.B r e a k中斷,s t e p p e r機(jī)臺內(nèi)中途停止鍵20.C h i l d l o t子批21.C h i p(d i e晶粒23.C o a t e r光阻覆蓋(機(jī)臺25.C o n t a c t H o l e接觸窗26.C o n t r o l W a f e r控片27.C r i t i c a l l a y e r重要層29.C y c l e t i m e生產(chǎn)周期32.D e s c u m預(yù)處理35.D G:d u a l g a t e雙門38.D o p i n g摻雜39.D o s e劑量40.D o w n g r a d e降級41.D R C:d e s i g n r u l e c h e c k設(shè)計規(guī)則檢查48.E S D:e l e c t r o s t a t i