專升本《CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)》_試卷_答案

1、精品專升本 CMOS 模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)一、 （共 75 題 ,共 150 分）1. Gordon Moore 在 1965 年預(yù)言 :每個(gè)芯片上晶體管的數(shù)目將每（）個(gè)月翻一番（2 分）A.12B.18C.20D.24.標(biāo)準(zhǔn)答案： B2. MOS 管的小信號(hào)輸出電阻是由 MOS 管的（）效應(yīng)產(chǎn)生的。（2 分）A. 體B. 襯偏C. 溝長(zhǎng)調(diào)制D. 亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案： C3. 在 CMOS 模擬集成電路設(shè)計(jì)中，我們一般讓 MOS 管工作在（）區(qū)。 （2 分）A. 亞閾值區(qū)B. 深三極管區(qū)C. 三極管區(qū)D. 飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案： D4. MOS 管一旦出現(xiàn)（）現(xiàn)象，此時(shí)的 MOS 管將進(jìn)入飽和

2、區(qū)。 （2 分）A. 夾斷B. 反型C. 導(dǎo)電D. 耗盡.標(biāo)準(zhǔn)答案： A5. （）表征了 MOS 器件的靈敏度。 （2 分）A.B.C.D.標(biāo)準(zhǔn)答案： C6. Cascode 放大器中兩個(gè)相同的 NMOS 管具有不相同的（）。 （2 分）A.B.C.D.標(biāo)準(zhǔn)答案： B7. 基本差分對(duì)電路中對(duì)共模增益影響最顯著的因素是（）。（2 分）A.尾電流源的小信號(hào)輸出阻抗為有限值B.負(fù)載不匹配C.輸入 MOS 不匹配D.電路制造中的誤差.標(biāo)準(zhǔn)答案： C8. 下列電路不能能使用半邊電路法計(jì)算差模增益（）。（2 分）A.二極管負(fù)載差分放大器B.電流源負(fù)載差分放大器C.有源電流鏡差分放大器D.Cascode 負(fù)

3、載 Casocde 差分放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案： C9. 鏡像電流源一般要求相同的（）。 （2 分）A.制造工藝B. 器件寬長(zhǎng)比C. 器件寬度 WD. 器件長(zhǎng)度 L.標(biāo)準(zhǔn)答案： D10. 某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3 的體效應(yīng)。要使和嚴(yán)格相等，應(yīng)取為（）。（2 分）A.感謝下載載精品B.C.D.標(biāo)準(zhǔn)答案： A11. 選擇題 :下列結(jié)構(gòu)中密勒效應(yīng)最大的是（）。 （ 2 分）A. 共源級(jí)放大器B. 源級(jí)跟隨器C.共柵級(jí)放大器D.共源共柵級(jí)放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案： A12. 下圖中，其中電壓放大器的增益為 -A ，假定該放大器為理想放大器。請(qǐng)計(jì)算該電路的等效輸入電阻為（）。（2 分）A.B.C.D.標(biāo)準(zhǔn)答

4、案： A13. 對(duì)電路進(jìn)行直流工作點(diǎn)分析的 Hspice 命令是（）。 （2 分）A.DCB.ACC.OPD.IC.標(biāo)準(zhǔn)答案： C14. 模擬集成電路設(shè)計(jì)中的第一步是（）。 （ 2 分）A. 電路設(shè)計(jì)B.版圖設(shè)計(jì)C.規(guī)格定義D.電路結(jié)構(gòu)選擇.標(biāo)準(zhǔn)答案： C15. （）可提高圖中放大器的增益。（2 分）A.減小，減小B.增大，增大C.增大，減小D.減小，增大.標(biāo)準(zhǔn)答案： A16. 模擬集成電路設(shè)計(jì)中可使用大信號(hào)分析方法的是（）。（2 分）A.增益B. 輸出電阻C. 輸出擺幅D. 輸入電阻.標(biāo)準(zhǔn)答案： C17. 模擬集成電路設(shè)計(jì)中可使用小信號(hào)分析方法的是（）。（2 分）A.增益B. 電壓凈空C.

5、輸出擺幅D. 輸入偏置.標(biāo)準(zhǔn)答案： A18. 在 NMOS 中，若會(huì)使閾值電壓（）（2 分）A.增大B. 不變C. 減小D. 可大可小.標(biāo)準(zhǔn)答案： A19. NMOS 管中，如果 VB 變得更負(fù)，則耗盡層（）。 （ 2 分）A.不變B. 變得更窄C. 變得更寬D. 幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案： C感謝下載載精品A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS20. 隨著微電子工藝水平提高 ,特征尺寸不斷減小 ,這時(shí)電路的工作電壓會(huì)（）（ 2.標(biāo)準(zhǔn)答案： B分）A. 不斷提高B. 不變C. 可大可小D. 不斷降低27. MOS 器件小信號(hào)模型中的 gmb 是由 MOS 管的（）效應(yīng)引起。 （2

6、分）.標(biāo)準(zhǔn)答案： DA.二級(jí)B. 襯偏C. 溝長(zhǎng)調(diào)制D. 亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案： B21. MOS 管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是（）。（2 分）A. 電導(dǎo)B. 電阻C. 跨導(dǎo)D. 跨阻28. PMOS 管的導(dǎo)電溝道中依靠（）導(dǎo)電。 （2 分）.標(biāo)準(zhǔn)答案： CA.電子B. 空穴C. 正電荷D. 負(fù)電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案： B22. 工作在飽和區(qū)的 MOS 管，可以被看作是一個(gè)（）。 （2 分）A. 恒壓源B.電壓控制電流源29. 當(dāng) MOS 管的寬長(zhǎng)比是定值時(shí)，其跨導(dǎo)與漏源電流的關(guān)系曲線是（）。C.恒流源D.電流控制電壓源.標(biāo)準(zhǔn)答案： B23. 密勒效應(yīng)最明顯的放大器是（）。 （2 分）AA.

7、 共源極放大器B. 源極跟隨器BCD （2分）C.共柵極放大器D. 共基極放大器A.見圖B. 見圖C. 見圖D. 見圖.標(biāo)準(zhǔn)答案： A.標(biāo)準(zhǔn)答案： D24. 不能直接工作的共源極放大器是（）共源極放大器。（2 分）30. 如果 MOS 管的柵源過驅(qū)動(dòng)電壓給定，L 越（），輸出電流越理想。（2 分）A. 電阻負(fù)載B. 二極管連接負(fù)載A.大B. 小C. 近似于 WD. 精確C.電流源負(fù)載D.二極管和電流源并聯(lián)負(fù)載.標(biāo)準(zhǔn)答案： A.標(biāo)準(zhǔn)答案： C31. MOS 電容中對(duì)電容值貢獻(xiàn)最大的是（）。（2 分）25. 模擬集成電路設(shè)計(jì)中的最后一步是（）。（2 分）A. CGSA. 電路設(shè)計(jì)B.版圖設(shè)計(jì)B.C

8、GDC.規(guī)格定義D.電路結(jié)構(gòu)選擇C.CDB.標(biāo)準(zhǔn)答案： BD. CSB.標(biāo)準(zhǔn)答案： A26. 在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的 IC 在功耗方面具有最大的優(yōu)勢(shì)。 （2 分）感謝下載載精品32. 下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。 （2 分）A. 電阻負(fù)載共源級(jí)放大器B. 電流源負(fù)載共源級(jí)放大器C.二極管負(fù)載共源級(jí)放大器D. 源極負(fù)反饋共源級(jí)放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案： C33. 電阻負(fù)載共源級(jí)放大器中，下列措施不能提高放大器小信號(hào)增益的是（）。（2 分）A. 增大器件寬長(zhǎng)比B. 增大負(fù)載電阻C.降低輸入信號(hào)直流電平D. 增大器件的溝道長(zhǎng)度L.標(biāo)準(zhǔn)答案： D34. 電阻負(fù)載共源級(jí)放大器中，讓

9、輸入信號(hào)從 VDD 下降， NMOS 管首先進(jìn)入（）區(qū)。 （2 分）A. 亞閾值區(qū)B. 深三極管區(qū)C. 三極管區(qū)D. 飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案： B35. 下圖的共源共柵放大器中，選擇合適的偏置電壓VB ，讓輸入電壓 Vin 從 0 逐36. 下面放大器的小信號(hào)增益為（）。（2 分）A. gm ro gm roB. 1 gmRsC.1D.理論上無窮大.標(biāo)準(zhǔn)答案： A37. 下列不是基本差分對(duì)電路中尾電流的作用的是（）。（2 分）A.為放大器管提供固定偏置B. 為放大管提供電流通路C.減小放大器的共模增益D. 提高放大器的增益.標(biāo)準(zhǔn)答案： D漸增加，則先從飽和區(qū)進(jìn)入線性區(qū)的MOS 管是（）。（2 分）3

10、8. 下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。（2 分）A. 2VOD2VthA.M1B.M2B. 2VODVthC.兩個(gè)同時(shí)進(jìn)入D. 都有可能C. 2VOD.標(biāo)準(zhǔn)答案： DD. 2VOD2VGS.標(biāo)準(zhǔn)答案： C感謝下載載精品39. 下圖中，其中電壓放大器的增益為 -A ，假定該放大器為理想放大器。請(qǐng)計(jì)算該電路的等效輸出電阻為（）。（2 分）RA.1AR1 1B. AC. R 1 AR 1D.A1.標(biāo)準(zhǔn)答案： B40. （）可提高圖中放大器的增益。（ 2分）WA. 減小L1, 2B.僅增大 L1, 2WL1, 2C.增大D. 僅減小 W1, 2.標(biāo)準(zhǔn)答案： C41. MOS 管的端電壓變化時(shí)，源極和

11、漏極（）互換。（2 分）A.能B.不能C.不知道能不能D. 在特殊的極限情況下能.標(biāo)準(zhǔn)答案： A42. CMOS 工藝?yán)锊蝗菀准庸さ钠骷椋ǎ?（2 分）A.電阻B. 電容C. 電感D.MOS管.標(biāo)準(zhǔn)答案： C43. MOS 管的特征尺寸通常是指（）。 （2 分）A.WB.LC.W/LD.tox.標(biāo)準(zhǔn)答案： B44. MOS 管從不導(dǎo)通到導(dǎo)通過程中，最先出現(xiàn)的是（）。（2 分）A.反型B. 夾斷C. 耗盡D. 導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案： C45. 源極跟隨器通常不能用作（）。 （2 分）A.緩沖器B. 放大器C. 電平移動(dòng)D. 驅(qū)動(dòng)器.標(biāo)準(zhǔn)答案： B46. 能較大范圍提高閾值電壓的方法是（）。 （2

12、分）A.增大 MOS 管尺寸B. 提高過驅(qū)動(dòng)電壓C.制造時(shí)向溝道區(qū)域注入雜質(zhì)D. 增大襯底偏置效應(yīng).標(biāo)準(zhǔn)答案： C47. PMOS 管導(dǎo)電，依靠的是溝道中的（）。 （2 分）A.電子B. 空穴C. 電荷D. 電子空穴對(duì).標(biāo)準(zhǔn)答案： B48. 為了讓 MOS 管對(duì)外表現(xiàn)出受控電流源的特性，我們通常讓其工作在（）區(qū)。（2 分）A.截止B. 三極管C. 線性D. 飽和感謝下載載精品.標(biāo)準(zhǔn)答案： D49. MOS 管中最大的電容是（）。 （2 分）A. 氧化層電容B. 耗盡層電容C. 交疊電容D. 結(jié)電容.標(biāo)準(zhǔn)答案： A50. MOS 器件小信號(hào)模型中的是由 MOS 管的（）效應(yīng)引起。（2 分）A.

13、體B. 襯偏C. 溝長(zhǎng)調(diào)制D. 亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案： C51. 在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的 IC 最容易實(shí)現(xiàn)尺寸的按比例縮小。 （2 分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案： B52. （）在 1965 年預(yù)言 :每個(gè)芯片上晶體管的數(shù)目將每 18 個(gè)月翻一番 （2 分）A. 比爾蓋茨B. 摩爾C. 喬布斯D. 貝爾.標(biāo)準(zhǔn)答案： B53. 最常見的集成電路通常采用（）工藝制造。 （2 分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案： B54. 工作在（）區(qū)的 MOS 管，可以被看作為電流源。 （2 分）A. 截止B. 三極

14、管C. 深三極管D. 飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案： D55. 工作在（）區(qū)的 MOS 管，其跨導(dǎo)是恒定值。 （2 分）A. 截止B. 三極管C. 深三極管D. 飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案： D56. 載流子溝道就在柵氧層下形成（），源和漏之間“導(dǎo)通 ”。 （2 分）A.夾斷層B. 反型層C. 導(dǎo)電層D. 耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案： B57. 形成（）的柵源電壓叫閾值電壓（）。 （ 2 分）A.夾斷層B. 反型層C. 導(dǎo)電層D. 耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案： B58. NMOS 管中，如果 VBS 變得更小，則耗盡層（）。 （2 分）A.不變B. 變得更窄C. 變得更寬D. 幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案： C59. NMOS 管的導(dǎo)電溝道中依靠（

15、）導(dǎo)電。 （2 分）A.電子B. 空穴C. 正電荷D. 負(fù)電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案： A60. 當(dāng) MOS 管的寬長(zhǎng)比是定值時(shí)，其跨導(dǎo)與過驅(qū)動(dòng)電源的關(guān)系曲線是（）。ABCD （2分）A.見圖B. 見圖C. 見圖D. 見圖.標(biāo)準(zhǔn)答案： C61. MOS 管的漏源電流受柵源過驅(qū)動(dòng)電壓控制，我們定義（）來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。 （ 2 分）A.跨導(dǎo)B. 受控電流源C. 跨阻D. 小信號(hào)增益.標(biāo)準(zhǔn)答案： A62.為溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，對(duì)于較長(zhǎng)的溝道，值（） （2 分）A.較大B. 較小C. 不變D. 不定.標(biāo)準(zhǔn)答案： B感謝下載載精品63. 共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特性就是輸出阻抗（）。（2 分）A. 低B

16、. 一般C. 高D. 很高.標(biāo)準(zhǔn)答案： D64. NMOS 管中，對(duì)閾值電壓影響最大的是（）。 （2 分）A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.標(biāo)準(zhǔn)答案： A65. Cascode 放大器中兩個(gè)尺寸相同的 NMOS 具有相同的（）效應(yīng)。 （2 分）A. 溝長(zhǎng)調(diào)制B. 體C. 背柵D. 襯底偏置.標(biāo)準(zhǔn)答案： A66. 小信號(hào)輸出電阻相對(duì)最小的放大器是（）。 （2 分）A. 共源級(jí)放大器B. 源級(jí)跟隨器C.共柵級(jí)放大器D.共源共柵級(jí)放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案： B67. 差分放大器中，共模輸入電平的變化不會(huì)引起差動(dòng)輸出的改變的因素是（）。（2 分）A. 尾電流源輸出阻抗為有限值B. 輸入 MOS 管不完

17、全對(duì)稱C.負(fù)載不完全對(duì)稱D. 輸入對(duì)管工作在飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案： D68. 下列不是基本差分對(duì)電路中尾電流的作用的是（）。（2 分）A. 為放大器管提供固定偏置B. 為放大管提供電流通路C.減小放大器的共模增益D. 提高放大器的增益.標(biāo)準(zhǔn)答案： D69. 下面電路的差模小信號(hào)增益為（）。（2 分）A. gm1 RDB. gm1ro4C.gm1 | gm2 ro 4 | ro2D. gm1 ro4 | ro2.標(biāo)準(zhǔn)答案： D70. 某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略 M3 的體效應(yīng)。若讓 M2 管工作在飽和區(qū)邊緣， Vb 應(yīng)取為（）。（2 分）A. 2VOD2VthB. 2VODVthC. 2VODD. 2VOD 2VGS.標(biāo)準(zhǔn)答案： B71. 下圖中，其中電壓放大器的增益為 -A ，假定該放大器為理想放大器。請(qǐng)計(jì)算該電路的等效輸出電阻為（）。（2 分）感謝下載載精品RA.1AR1 1B. AC. R 1 AR 1D.A1.標(biāo)準(zhǔn)答案： B72. Hspice 仿真中，耗時(shí)最長(zhǎng)的一