第三章邏輯門電路

1、3 邏輯門電路邏輯門電路3.1 MOS邏輯門電路邏輯門電路3.2 TTL邏輯門電路邏輯門電路3.5 邏輯描述中的幾個問題邏輯描述中的幾個問題3.6 邏輯門電路使用中的幾個實際問題邏輯門電路使用中的幾個實際問題教學基本要求：教學基本要求：1、了解半導體器件的開關特性。了解半導體器件的開關特性。2、熟練掌握熟練掌握基本邏輯門（與、或、非、與非、或非、異或門）、三基本邏輯門（與、或、非、與非、或非、異或門）、三態(tài)門、態(tài)門、OD門（門（OC門）和傳輸門的邏輯功能。門）和傳輸門的邏輯功能。3、學會門電路邏輯功能分析方法。學會門電路邏輯功能分析方法。4、掌握掌握邏輯門的主要參數(shù)及在應用中的接口問題。邏輯門

2、的主要參數(shù)及在應用中的接口問題。RTL（Resistor-Transistor Logic）電阻）電阻-晶體管邏輯；晶體管邏輯；DTL（Diode-Transistor Logic）二極管）二極管-晶體管邏輯；晶體管邏輯；HTL（High-Threshold Logic）高閾值邏輯；）高閾值邏輯；TTL（Transistor -Transistor Logic）晶體管）晶體管-晶體管邏輯；晶體管邏輯；ECL（Emitter Coupled Logic）發(fā)射極耦合邏輯；）發(fā)射極耦合邏輯；I2L（Integrated Injection Logic）集成注入邏輯）集成注入邏輯(IIL)。 數(shù)字集成

3、電路分類數(shù)字集成電路分類 雙雙極極型型PMOS型型;NMOS型型;CMOS型型 (Complementary Metal Oxide Semiconductor)單單極極型型互補型金屬氧化物半導體互補型金屬氧化物半導體ECL:ECL:速度極高速度極高, ,但功耗大但功耗大, ,不適合大規(guī)模集成電路，用于超高速設備。不適合大規(guī)模集成電路，用于超高速設備。砷化鎵砷化鎵: :新半導體材料。速度快新半導體材料。速度快, ,功耗低功耗低, ,抗輻射抗輻射, ,用在光纖用在光纖, ,移動及移動及GPSGPS中。中。 邏輯門邏輯門: :實現(xiàn)基本邏輯運算和復合邏輯運算的單元電路。實現(xiàn)基本邏輯運算和復合邏輯運算

4、的單元電路。邏輯門電路的分類：邏輯門電路的分類：二極管門電路二極管門電路三極管門電路三極管門電路TTL門電路門電路MOS門電路門電路PMOS門門CMOS門門邏輯門電路邏輯門電路分立門電路分立門電路集成門電路集成門電路NMOS門門3.1.1 數(shù)字集成電路簡介數(shù)字集成電路簡介3.1 MOS邏輯門電路邏輯門電路CMOS:CMOS:功耗低功耗低, ,工作電壓范圍寬工作電壓范圍寬, ,抗干擾能力強，廣泛應用于超大規(guī)模、抗干擾能力強，廣泛應用于超大規(guī)模、甚大規(guī)模集成電路甚大規(guī)模集成電路High SpeedTTL CompatibleVery High SpeedLow-Voltage 4000 4000系

5、列系列74HC 74HCT74VHC 74VHCT速度慢速度慢與與TTL不不兼容兼容抗干擾抗干擾功耗低功耗低74LVC 74AUC速度加快速度加快與與TTL兼容兼容負載能力強負載能力強抗干擾抗干擾功耗低功耗低速度兩倍于速度兩倍于74HC與與TTL兼容兼容負載能力強負載能力強抗干擾抗干擾功耗低功耗低低低( (超低超低) )電壓電壓速度更加快速度更加快與與TTL兼容兼容負載能力強負載能力強抗干擾功耗低抗干擾功耗低Ultra-Low-Voltage 54系列：軍品系列：軍品 74系列系列 ：民品民品TTLTTL系列系列TTL:TTL:退出主導退出主導, ,應用于中小規(guī)模集成電路應用于中小規(guī)模集成電路

6、 (1).CMOS集成電路集成電路: :(2).TTL 集成電路集成電路:H系列系列L系列系列S系列系列AS系列系列ALS系列系列LS系列系列3.1.2 MOS3.1.2 MOS管的開關特性管的開關特性 CMOS型型：互補型：互補型MOS場場效效應應管管結型場效應管結型場效應管JFET絕緣柵效應管絕緣柵效應管IGFET（MOS管）管）增強型增強型耗盡型耗盡型PMOSNMOSPMOSNMOSTTL集成門屬于雙極型晶體管集成電路，集成門屬于雙極型晶體管集成電路，電子與空穴電子與空穴兩種載流子均參與導電。兩種載流子均參與導電。場效應管屬于單極型晶體管集成電路，場效應管屬于單極型晶體管集成電路，電子或

7、空穴電子或空穴只有一種只有一種載流子參與導電。載流子參與導電。金屬金屬-氧化物氧化物-半導體場效應管半導體場效應管單極型晶體管，單極型晶體管，簡稱簡稱MOSFET或或MOS管。管。P型半導體型半導體 N N 源極源極Source柵極柵極Gate漏極漏極Drain金屬鋁金屬鋁SiO2絕緣層絕緣層半導體半導體1. MOS管的形成：管的形成：金屬金屬-Metal氧化物氧化物Oxide半導體半導體SemiconductorMOSPNNGSD柵極加正柵極加正向電壓向電壓GSDN溝道增強型溝道增強型MOS源極源極柵極柵極漏極漏極2. 結構和電路符號結構和電路符號NPPGSD源極源極柵極柵極漏極漏極柵極加反

8、柵極加反向電壓向電壓空穴導電溝道空穴導電溝道GSDP溝道增強型溝道增強型MOS電子導電溝道電子導電溝道PNNGSDVDSVGSVGS=0時時ID=0對應截止區(qū)對應截止區(qū)D-S間相當于兩個反間相當于兩個反接的接的PN結結沒有導電溝道沒有導電溝道3. MOS管的工作原理管的工作原理以以N溝道增強型溝道增強型MOS為例為例PNNGSDVDSVGSVGS0時時VGS足夠大時足夠大時（VGSVT），電子），電子導電為主導電為主-N型導型導電溝道。電溝道。感應出電子感應出電子VT稱為閾值電壓稱為閾值電壓以以N溝道增強型溝道增強型MOS為例為例3. MOS管的工作原理管的工作原理VGSVVT T較小時，導電

9、較小時，導電溝道相當于電阻將溝道相當于電阻將D-S連接起來，連接起來，VGS越大越大此電阻越小。此電阻越小。對應線性區(qū)對應線性區(qū)PNNGSDVDSVGSID夾斷后夾斷后ID呈呈恒流特性。恒流特性。當當VDS較大時，較大時，靠近靠近D區(qū)的導電區(qū)的導電溝道變窄。溝道變窄。VDS增加，使增加，使VGD=VT時，靠近時，靠近D端的溝道被夾斷端的溝道被夾斷-預夾斷。預夾斷。以以N溝道增強型溝道增強型MOS為例為例3. MOS管的工作原理管的工作原理當當VDS不太大時，導不太大時，導電溝道在兩個電溝道在兩個N區(qū)區(qū)間是均勻的。間是均勻的。對應恒流區(qū)對應恒流區(qū)4. NMOS4. NMOS管的開關特性管的開關特

10、性 G G：柵極或稱控制極：柵極或稱控制極D D：漏極：漏極S S：源極：源極B B：襯底：襯底晶體管的三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)晶體管的三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)MOS管的三個區(qū)：管的三個區(qū)：截止區(qū)截止區(qū)、恒流區(qū)和、恒流區(qū)和線性區(qū)線性區(qū)V VT T：閾值電壓，一般為（：閾值電壓，一般為（2 23V3V） 轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線 輸出特性曲線輸出特性曲線 符號符號PNNGSD MOS管用于數(shù)字電路時，一般工作于截止區(qū)和線性區(qū)，管用于數(shù)字電路時，一般工作于截止區(qū)和線性區(qū)， 用于放大電路時，一般工作于恒流區(qū)。用于放大電路時，一般工作于恒流區(qū)。（1 1）當）當v vI Iv vGSGS V

11、 VT T時，截止區(qū)時，截止區(qū)i iD D0mA0mA，v vO O V VDDDDi iD D R RD DV VDDDDR RDSDS（offoff）極大，約為極大，約為10109 9以上以上（3 3）當）當v vI Iv vm m時，線性區(qū)時，線性區(qū) v vO O0V0V，i iD D很大，等效電阻很大，等效電阻R RDSDS（onon）很小，約為幾百歐姆很小，約為幾百歐姆 （2 2）當）當v vI Iv vGSGSV VT T時，恒流區(qū)時，恒流區(qū)MOS管相當管相當于一個由于一個由vGS控制的無觸控制的無觸點開關。點開關。5. PMOS5. PMOS管的開關特性管的開關特性 （1 1）當

12、）當v vI I=0V=0V，v vSG SG = -= -v vI I=0V-=0V-= 10V-V VT T，線性區(qū)，線性區(qū) )(onDSDRRVvO0VVvDDO10RDS（off） 耗盡型耗盡型MOS管的符號管的符號(a) P溝道溝道 (b) N溝道溝道6增強型增強型MOS管和耗盡型管和耗盡型MOS管管 在在vGS時就已經(jīng)有導電溝時就已經(jīng)有導電溝道存在。溝道耗盡型道存在。溝道耗盡型MOS管外管外加電壓小于加電壓小于VGS(off)N時，導電溝道時，導電溝道消失，消失，MOS管截止。管截止。VGS(off) 稱為稱為夾斷電壓。夾斷電壓。 GSDN溝道增強型溝道增強型MOSGSDP溝道增強

13、型溝道增強型MOS3.1.3 CMOS反相器反相器NMOS管管PMOS管管CMOS電路電路Complementary MOS-互補互補MOS CMOS反相器是由溝道增強型反相器是由溝道增強型MOS管管T1和溝道增強型和溝道增強型MOS管管T2組組成的互補式電路。通常以成的互補式電路。通常以PMOS管作負載管，管作負載管，MOS管作驅(qū)動管。采用管作驅(qū)動管。采用單一正電源供電。單一正電源供電。 Vi=0截止截止VGS2= VDD導通導通V=“”1。工作原理：。工作原理：Vi=導通導通截止截止V=“”VGS1=VDDNMOSNMOS管的柵源電壓管的柵源電壓v vGS1GS1=0=0-V VT2T2，

14、即即| |v vGS2GS2|V VT2T2| |，T TP P管導通管導通，導通電，導通電阻阻小于小于1k1k。V VOHOHV VDDDDNMOSNMOS管的柵源電壓管的柵源電壓v vGS1GS1= =V VDDDD V VT1 T1 ，所，所以以T TN N管導通管導通, ,導通電阻導通電阻小于小于1k 1k ；PMOSPMOS管的柵源電壓管的柵源電壓| |v vGS2GS2|=0|=0|V VT2T2| | ，T TP P管截止管截止，內(nèi)阻高達，內(nèi)阻高達10109 9 。V VOLOL0V0VAL1(a)原理圖原理圖(b)輸出高電平等效電路輸出高電平等效電路 (c)輸出低電平等效電路輸

15、出低電平等效電路(d)輸出高電平接負載情況輸出高電平接負載情況T TP P，T TN N參數(shù)對稱，輸入高電平和低電平時，總是一個導通，一個截參數(shù)對稱，輸入高電平和低電平時，總是一個導通，一個截止，即處于互補狀態(tài)，所以把這種電路結構稱為互補對稱結構。止，即處于互補狀態(tài)，所以把這種電路結構稱為互補對稱結構。 2電壓、電流傳輸特性電壓、電流傳輸特性輸入低，輸出高輸入低，輸出高輸入高，輸出低輸入高，輸出低過渡區(qū)過渡區(qū)3 3。工作速度。工作速度B.B.當輸入信號當輸入信號v vI I= =V VIHIH= =V VDDDD時時A.A.當輸入信號當輸入信號V VI I=V=VILIL=0V=0V時時TN截

16、止，截止，TP導通電阻很小，導通電阻很小，VDDDD通過通過RDS2onDS2on向向CL L充電充電TP 截止，截止， TN導通電阻很小，導通電阻很小， CL L通過通過RDS1onDS1on放電。放電。 由于由于TNTP的導通電阻很小，充放電時間極短，且電路具有的導通電阻很小，充放電時間極短，且電路具有互補對稱的性質(zhì)，其開通時間與關閉時間是相等的。互補對稱的性質(zhì)，其開通時間與關閉時間是相等的。 CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns。3.1.4 CMOS門電路門電路1. CMOS與非門與非門ABY “有低必高、全高出低有低必高、全高出低”實現(xiàn)與非邏輯功能實

17、現(xiàn)與非邏輯功能（d）A=B=1，T1、T2導通，導通，T3、T4截止，截止，Y0。（a）A=B=，T1、T2截止，而截止，而T3、T4導通，導通，Y=1；（b）A=1、B=，T1、T4導通，導通，T2 、T3截止，截止，Y=1；（c）A=0、B=1，T2 、T3導通，導通，T1、T4截止，截止，Y=1； T T1 1、T T2 2是兩個串聯(lián)的是兩個串聯(lián)的NMOSNMOS驅(qū)動管驅(qū)動管（相當于兩個串聯(lián)開關）；（相當于兩個串聯(lián)開關）；T T3 3、T T4 4是兩是兩個并聯(lián)的個并聯(lián)的PMOSPMOS負載管負載管。 注意：驅(qū)動管串聯(lián)，會抬高輸出低注意：驅(qū)動管串聯(lián)，會抬高輸出低電平，所以輸入端數(shù)目不宜過

18、多。電平，所以輸入端數(shù)目不宜過多。2. CMOS或非門或非門BAY“有高必低、全低出高有高必低、全低出高”實現(xiàn)了或非邏輯功能。實現(xiàn)了或非邏輯功能。 （c）A、B取不同值時，取不同值時，T1和和T2中總有中總有一個管導通，同時一個管導通，同時T3和和T4中總有一個管中總有一個管截止，截止，Y=0。（a）A=B=，T1和和T2截止，截止，T3和和T4導通，導通，Y1；（b）A=B=1，T1和和T2導通，導通，T3和和T4截止，截止，Y0；互補管柵極輸入、驅(qū)動管漏極輸出，互補管柵極輸入、驅(qū)動管漏極輸出，邏輯非邏輯非。 驅(qū)動管驅(qū)動管串聯(lián)串聯(lián)，相應的負載管，相應的負載管并聯(lián)并聯(lián)，為，為邏輯與邏輯與；驅(qū)動

19、管驅(qū)動管并聯(lián)并聯(lián)，相應的負載管，相應的負載管串聯(lián)串聯(lián)，為，為邏輯或邏輯或；注意：負載管串聯(lián)，會降低輸出高電注意：負載管串聯(lián)，會降低輸出高電平，所以輸入端數(shù)目也不宜過多。平，所以輸入端數(shù)目也不宜過多。A、B全為全為1時，時，L0A、B有有0時時若若X1，則，則L0；若；若X0則則L13. CMOS復合門復合門BA BABAXBAL BABA BA CMOSCMOS異或門異或門 4.4.輸入保護電路和緩沖電路輸入保護電路和緩沖電路 基基本本邏邏輯輯功功能能電電路路 基基本本邏邏輯輯功功能能電電路路 輸輸入入保保護護緩緩沖沖電電路路 輸輸出出緩緩沖沖電電路路 vi vo 采用緩沖電路能統(tǒng)一參數(shù)，使不

20、同內(nèi)部邏輯集成邏輯門電路具有相采用緩沖電路能統(tǒng)一參數(shù)，使不同內(nèi)部邏輯集成邏輯門電路具有相同的輸入和輸出特性。同的輸入和輸出特性。3.1.5 CMOS漏極開路門和三態(tài)輸出門漏極開路門和三態(tài)輸出門低阻通路，電流大低阻通路，電流大功耗過大損壞管子功耗過大損壞管子無法實現(xiàn)線與邏輯無法實現(xiàn)線與邏輯線與線與Y1Y2Y000010100111“1”“0”A L & 邏輯符號邏輯符號1 1。CMOSCMOS漏極開路門漏極開路門（Open Drain-OD門）門）VDDRpOD門工作時必須通過門工作時必須通過上拉電阻接上拉電阻接VDDA B L & 邏輯符號邏輯符號幾個幾個OD門輸出端相連時，可

21、以共用一個電阻和電源門輸出端相連時，可以共用一個電阻和電源只要電阻的阻值選擇得當，能夠?qū)崿F(xiàn)只要電阻的阻值選擇得當，能夠?qū)崿F(xiàn)“線與線與”上拉電阻對上拉電阻對OD門動態(tài)性能的影響門動態(tài)性能的影響Rp的值愈小，負載電容的充電時間的值愈小，負載電容的充電時間常數(shù)亦愈小，因而開關速度愈快常數(shù)亦愈小，因而開關速度愈快。但但功耗大功耗大, ,且可能使輸出電流超過允許且可能使輸出電流超過允許的最大值的最大值IOL(max） 。Rp的值大，可保證輸出電流不能超的值大，可保證輸出電流不能超過允許的最大值過允許的最大值IOL(max）、）、功耗小功耗小。但負載電容的充電時間常數(shù)亦愈大，但負載電容的充電時間常數(shù)亦愈大

22、，開關速度因而愈慢開關速度因而愈慢。CDAB CDAB 21PPL C D RP VDD L A B & & (c)(c)可以實現(xiàn)線與功能可以實現(xiàn)線與功能; ;(b)(b)與非邏輯不變與非邏輯不變(a)(a)工作時必須外接電源和電阻工作時必須外接電源和電阻; ;最不利的情況：最不利的情況：只有一個只有一個 OD門導通，門導通，110為保證低電平輸出為保證低電平輸出OD門的門的輸輸出電流不能超過允許的最大值出電流不能超過允許的最大值 IOL(max)且且VO=VOL(max） ，RP不不能太小能太小。當當VO=VOLIL(total)OLOLDDpIIVVR(max)(max)(

23、min) IL(total)pOLDDOLIRVVI(min)(max)(max) +V DDIILRP&n&m&kIIL（total)IOL（max)當當VO=VOH+V DDRP&n&m&111IIH（total)I0H（total)為使得高電平不低于規(guī)定的為使得高電平不低于規(guī)定的VIH的的最小值，則最小值，則Rp的選擇不能過大。的選擇不能過大。Rp的最大值的最大值Rp(max) ：IH(total)OH(total)IHDDpIIVVR(min)(max) IL(total)OLOLDDpIIVVR(max)(max)(min) TP TN

24、 VD D L A EN & 1 1 2. CMOS2. CMOS三態(tài)門三態(tài)門(TSL-(TSL-Tristate logicTristate logic) ) 高阻態(tài)是除了高電平和低電平之外的第三種狀態(tài)，相當于斷高阻態(tài)是除了高電平和低電平之外的第三種狀態(tài)，相當于斷開，又稱禁止態(tài)、懸空態(tài)。開，又稱禁止態(tài)、懸空態(tài)。EN A L 1 高電平有效的同相邏輯門高電平有效的同相邏輯門高電平使能高電平使能低電平使能低電平使能EN A L 1 低電平有效的同相邏輯門低電平有效的同相邏輯門3.1.6 CMOS傳輸門傳輸門( (雙向模擬開關雙向模擬開關) ) 1 1. CMOS傳輸門電路傳輸門電路(Tr

25、ansmission Gate-TG)(Transmission Gate-TG) TP vI /vO TN vO /vI C C +5V 5V 電路電路vI / vO vO / vI C C T G 邏輯符號邏輯符號I / Oo/ IC等效電路等效電路NMOSNMOS管管T TN N和和PMOSPMOS管管T TP P并聯(lián)構成的。并聯(lián)構成的。C. PMOSC. PMOS管的襯底接管的襯底接+5V ,NMOS+5V ,NMOS管的襯底接管的襯底接-5V-5VB. TB. TN N和和 T TP P的的柵極柵極作為作為控制端控制端, ,分別由互補信號分別由互補信號C C和和C C控制控制A. T

26、A. TN N和和 T TP P的的均為結構對稱器件均為結構對稱器件，S S極和極和D D極可互換極可互換雙向雙向2、CMOS傳輸門電路的工作原理傳輸門電路的工作原理 設設TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2V， I的變化范圍為的變化范圍為5V到到+5V。 5V+5V 5V到到+5V GSN0, TP截止截止TP vI /vO TN vO /vI C C +5V 5V 1）當）當c=0， c =1時時c=0=-5V， c c =1=+5V C TP vO/vI vI/vO +5V 5V TN C +5V5V GSP= 5V (3V+5V)= 2V 10V GSN=5V (5V+3V)=(

27、102)V b、 I= 3V5V GSNVTN, TN導通導通a、 I= 5V3VTN導通，導通，TP導通導通 GSP |VT|, TP導通導通C、 I= 3V3VIOvv 2）當）當c=1， c =0時時因此，當因此，當vI在在-5V +5V之間變化時，之間變化時，TN和和 TP必有一個導通，使必有一個導通，使vI與與vO間呈間呈低阻態(tài)低阻態(tài)1k，傳輸門處于導通狀態(tài)。，傳輸門處于導通狀態(tài)。傳輸門組成的數(shù)據(jù)選擇器傳輸門組成的數(shù)據(jù)選擇器C=0C=0 , ,TG1導通導通, TG2斷開斷開 ,L=X C=1C=1 , ,TG2導通導通, TG1斷開斷開,L=Y傳輸門的應用傳輸門的應用具有很低的導通

28、電阻和很高的截止電阻，是理想開關?？梢詡鬏斈M信號也可具有很低的導通電阻和很高的截止電阻，是理想開關。可以傳輸模擬信號也可傳輸數(shù)字信號，且是雙向傳輸可與傳輸數(shù)字信號，且是雙向傳輸可與CMOS邏輯門一起，構成復雜的邏輯電路。邏輯門一起，構成復雜的邏輯電路。EN=1,Y高阻高阻EN=0,Y=A傳輸門組成的三態(tài)門傳輸門組成的三態(tài)門TG1TG1TG2TG23.1.7 NMOS3.1.7 NMOS邏輯門電路邏輯門電路 NMOS邏輯門電路全部采用邏輯門電路全部采用NMOS管構成，無電阻管構成，無電阻其優(yōu)點是：易于集成，易于用其優(yōu)點是：易于集成，易于用CAD設計。設計。T1為工作管，為工作管，T2為負載管為

29、負載管T2的的G極與極與S極同接電源，極同接電源，T2總工作在恒流區(qū)，處于總工作在恒流區(qū)，處于導通狀態(tài)。導通狀態(tài)。VIVIHVDD時時VIVIL0V時時1. NMOS1. NMOS反相器反相器 T1導通導通VoVOLT1截止截止VoVOH 2. NMOS門電路門電路AY T TL L永遠導通相當于永遠導通相當于電阻，驅(qū)動管電阻，驅(qū)動管T T1 1實實現(xiàn)現(xiàn)邏輯非邏輯非：TL永遠導通相當于電永遠導通相當于電阻，驅(qū)動管阻，驅(qū)動管T1、T2串串聯(lián)聯(lián)實現(xiàn)實現(xiàn)邏輯與非邏輯與非：BAYTL永遠導通相當于電阻，永遠導通相當于電阻，驅(qū)動管驅(qū)動管T1、T2并聯(lián)并聯(lián)實現(xiàn)實現(xiàn)邏輯或非邏輯或非：BAY用途廣用途廣3.1

30、.8 邏輯門電路的一般特性及主要參數(shù)邏輯門電路的一般特性及主要參數(shù)1. 1. 輸入和輸出的高、低電平輸入和輸出的高、低電平 vO vI 驅(qū)動門驅(qū)動門G1 負載門負載門G2 1 1 輸出高電平的下限值輸出高電平的下限值 VOH(min)輸入低電平的上限值輸入低電平的上限值 VIL(max)輸入高電平的下限值輸入高電平的下限值 VIL(min)輸出低電平的上限值輸出低電平的上限值 VOH(max)輸出輸出高電平高電平+VDD VOH(min)VOL(max) 0 G1門門vO范圍范圍 vO 輸出輸出低電平低電平 輸入輸入高電平高電平VIH(min) VIL(max) +VDD 0 G2門門vI范圍

31、范圍 輸入輸入低電平低電平 vI VNH 當前級門輸出高電平的最小當前級門輸出高電平的最小值時值時允許負向噪聲電壓的最大值允許負向噪聲電壓的最大值。負載門負載門輸入高電平時的噪聲容限輸入高電平時的噪聲容限：VNL 當前級門輸出低電平的最大當前級門輸出低電平的最大值時值時允許正向噪聲電壓的最大值允許正向噪聲電壓的最大值負載門負載門輸入低電平時的噪聲容限輸入低電平時的噪聲容限：2. 噪聲容限噪聲容限VNH =VOH(min)VIH(min) VNL =VIL(max)VOL(max) 在保證輸出電平不變的條件下，輸入電平允許波動的范圍。在保證輸出電平不變的條件下，輸入電平允許波動的范圍。 它表示門

32、電路的它表示門電路的抗干擾能力抗干擾能力 1 驅(qū)動驅(qū)動門門 vo 1 負載門負載門 vI 噪聲噪聲 類型類型參數(shù)參數(shù)74HCVDD=5V74HCTVDD=5V74LVCVDD=3.3V74AUCVDD=1.8VtPLH或或tPHL(ns)782.10.93.傳輸延遲時間傳輸延遲時間 傳輸延遲時間傳輸延遲時間tPHL, tPLH是表征門電是表征門電路開關速度的參數(shù)，它說明門電路在路開關速度的參數(shù)，它說明門電路在輸入脈沖波形的作用下，其輸出波形輸入脈沖波形的作用下，其輸出波形相對于輸入波形延遲了多長的時間相對于輸入波形延遲了多長的時間。CMOS電路傳輸延遲時間電路傳輸延遲時間 tPHL 輸出輸出

33、50% 90% 50% 10% tPLH tf tr 輸入輸入 50% 50% 10% 90% 平均傳輸延遲時間平均傳輸延遲時間t tpdpd=(t=(tPHLPHL+t+tPLHPLH)/2)/24. 4. 功耗功耗靜態(tài)功耗靜態(tài)功耗：指的是當電路沒有狀態(tài)轉(zhuǎn)換時的功耗，即門電路：指的是當電路沒有狀態(tài)轉(zhuǎn)換時的功耗，即門電路空載時電源總電流空載時電源總電流ID與電源電壓與電源電壓VDD的乘積。的乘積。 P0= IDVDD5. 5. 延時延時 功耗積功耗積是速度功耗綜合性的指標是速度功耗綜合性的指標. .延時延時 功耗積功耗積，用符號，用符號DP表示表示DP=tDP=tpdpdP PD D扇入數(shù)：取

34、決于邏輯門的輸入端的個數(shù)。扇入數(shù)：取決于邏輯門的輸入端的個數(shù)。6. 6. 扇入與扇出數(shù)扇入與扇出數(shù)動態(tài)功耗動態(tài)功耗：指的是電路在輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換時的功耗，：指的是電路在輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換時的功耗，對于對于TTL門電路來說，靜態(tài)功耗是主要的。門電路來說，靜態(tài)功耗是主要的。CMOS電路的靜態(tài)功耗非常低，電路的靜態(tài)功耗非常低，CMOS門電路有動態(tài)功耗門電路有動態(tài)功耗扇出數(shù)：是指其在正常工作情況下，所能帶同類門電路的扇出數(shù)：是指其在正常工作情況下，所能帶同類門電路的 最大數(shù)目。最大數(shù)目。（a)a)帶拉電流負載帶拉電流負載當負載門的個數(shù)增加時，總的拉電流將增加，會引起輸出高電壓的降當負載門的個數(shù)增加時，總的拉電流

35、將增加，會引起輸出高電壓的降低。但不得低于輸出高電平的下限值，這就限制了負載門的個數(shù)。低。但不得低于輸出高電平的下限值，這就限制了負載門的個數(shù)。)(I)(IN負負載載門門驅(qū)驅(qū)動動門門IHOHOH 高電平高電平扇出數(shù)扇出數(shù):IOH : :驅(qū)動門的輸出端為高電平電流驅(qū)動門的輸出端為高電平電流IIH : :負載門的輸入電流為負載門的輸入電流為。(b)(b)帶灌電流負載帶灌電流負載)(I)(IN負負載載門門驅(qū)驅(qū)動動門門ILOLOL 當負載門的個數(shù)增加時，總的灌電流當負載門的個數(shù)增加時，總的灌電流IOL將增加，同時也將引起輸出低電壓將增加，同時也將引起輸出低電壓VOL的的升高。當輸出為低電平，并且保證不

36、超過升高。當輸出為低電平，并且保證不超過輸出低電平的上限值。輸出低電平的上限值。IOL ：驅(qū)動門的輸出端為低電平電流：驅(qū)動門的輸出端為低電平電流IIL ：負載門輸入端電流之和：負載門輸入端電流之和低電平低電平扇出數(shù)扇出數(shù): CMOS反相器在輸入信號的高、低電平作用下，總反相器在輸入信號的高、低電平作用下，總有一個管子處于截止狀態(tài)，其工作電流非常小，接近有一個管子處于截止狀態(tài)，其工作電流非常小，接近于管子的漏電流，所以于管子的漏電流，所以靜態(tài)功耗極小靜態(tài)功耗極小。同時，總有一。同時，總有一個管子處于飽和導通狀態(tài)，為負載電容個管子處于飽和導通狀態(tài)，為負載電容CL提供了低電提供了低電阻的充放電回路。

37、因此，阻的充放電回路。因此，工作速度高工作速度高。 CMOS反相器的特點反相器的特點(a)靜態(tài)功耗極小靜態(tài)功耗極小: 小于小于10nW (b)工作速度較高工作速度較高: nS數(shù)量級數(shù)量級 (c)抗干擾性能好抗干擾性能好: 噪聲容限寬，電源電壓的噪聲容限寬，電源電壓的45 (d)負載能力較強負載能力較強: No 50(e)電源適用范圍寬電源適用范圍寬: 318V參數(shù)參數(shù)系列系列傳輸延遲時傳輸延遲時間間tpd/ns(CL=15pF)功耗功耗(mW)延時功耗積延時功耗積(pJ)4000B751 (1MHz)10574HC101.5 (1MHz)1574HCT131 (1MHz)13CMOS門電路各系

38、列的性能比較門電路各系列的性能比較3.2.1 3.2.1 晶體二極管的開關特性晶體二極管的開關特性 截止條件：截止條件：v vD D V VONON （開啟電壓（開啟電壓0.60.7V）B. 實際：實際：v vD00，保證二極管可靠截止，保證二極管可靠截止 C. V VZ Z ：二極管的反向擊穿電壓：二極管的反向擊穿電壓 二極管截止時二極管截止時的等效電路的等效電路 3.2 TTL邏輯門邏輯門晶體二極管動態(tài)開關特性晶體二極管動態(tài)開關特性 動態(tài)過程（過渡過程）：二極管導通和截止之間轉(zhuǎn)換過程動態(tài)過程（過渡過程）：二極管導通和截止之間轉(zhuǎn)換過程。t re反向恢復時間：二極管反向恢復時間：二極管從導通到

39、截止所需時間。從導通到截止所需時間。 二極管的反向恢復時間限制了二極二極管的反向恢復時間限制了二極管的開關速度。管的開關速度。若輸入波形的頻率若輸入波形的頻率過高，會使輸出負電壓的持續(xù)時間過高，會使輸出負電壓的持續(xù)時間小于它的反向恢復時間，此時二極小于它的反向恢復時間，此時二極管將失去其單向?qū)щ娦?。管將失去其單向?qū)щ娦浴?（由于（由于PN結電容中存有電荷結電容中存有電荷電荷存儲效應）電荷存儲效應）3.2.2 3.2.2 雙極型晶體三極管雙極型晶體三極管(BJT)(BJT)的開關特性的開關特性 三極管具有飽和、放大和截止三種工作狀態(tài)，在三極管具有飽和、放大和截止三種工作狀態(tài)，在數(shù)字電路中，靜態(tài)主

40、要工作于飽和和截止狀態(tài)數(shù)字電路中，靜態(tài)主要工作于飽和和截止狀態(tài) 。NPNNPN型硅三極管輸出特性曲線型硅三極管輸出特性曲線 NPN 型三極管截止、放大、飽和 3 種工作狀態(tài)的特點 工工作作狀狀態(tài)態(tài) 截截 止止 放放 大大 飽飽 和和 條條 件件 iB0 0iBIBS iBIBS 偏偏置置情情況況 發(fā)發(fā)射射結結反反偏偏 集集電電結結反反偏偏 vBE0，vBC0，vBC0，vBC0 集集電電極極電電流流 iC0 iCiB iCICS ce 間間電電壓壓 vCEVCC vCEVCCiCRc vCEVCES0.3V 工工 作作 特特 點點 ce 間間等等效效電電阻阻 很很大大， 相相當當開開關關斷斷開

41、開 可可變變 很很小小， 相相當當開開關關閉閉合合 三極管的截止狀態(tài)三極管的截止狀態(tài)三極管的飽和狀態(tài)三極管的飽和狀態(tài)NPNNPN型硅三極管開關等效電路型硅三極管開關等效電路 三極管作為開關使用時只需要：飽和狀態(tài)和截止狀態(tài)三極管作為開關使用時只需要：飽和狀態(tài)和截止狀態(tài) 輸入信號為高電壓時，應使三極管可靠地飽和；輸入信號為高電壓時，應使三極管可靠地飽和； 輸入信號為低電壓時，應使三極管可靠地截止。輸入信號為低電壓時，應使三極管可靠地截止。 三極管開關的過渡過程（動態(tài)特性）三極管開關的過渡過程（動態(tài)特性） 從截止到導通從截止到導通ton = td +tr ton開通時間開通時間 從導通到截止從導通到

42、截止toff = ts +tf toff關斷時間關斷時間 td：延遲時間，上升到延遲時間，上升到0.1Icmaxtr：上升時間，上升時間， 0.1Icmax到到0.9Icmaxts：存儲時間，下降到存儲時間，下降到0.9Icmaxtf：下降時間，下降到下降時間，下降到0.1IcmaxBJT飽和與截止兩種狀態(tài)的相互轉(zhuǎn)換需要一定的時間才能完成。飽和與截止兩種狀態(tài)的相互轉(zhuǎn)換需要一定的時間才能完成。 ton和和toff一般約在幾十納秒（一般約在幾十納秒（ns=10-9 s）范圍。通常都有）范圍。通常都有toff ton，而且，而且ts tf 。 ts 的大小是影響三極管速度的最主要因素，要提高三極管的

43、開關的大小是影響三極管速度的最主要因素，要提高三極管的開關速度就要設法縮短速度就要設法縮短ton與與toff ，特別是要縮短，特別是要縮短ts 。3.2.3 3.2.3 基本邏輯門電路基本邏輯門電路 1.1.二極管與門及或門電路二極管與門及或門電路 二極管二極管“與與”門電路門電路 D D1 1D D2 2導通導通D D1 1D D2 2導通導通D D1 1截止截止D D2 2導通導通D D1 1導通導通D D2 2截止截止二極管二極管“或或”門電門電路路 BAYD D1 1D D2 2導通導通D D1 1D D2 2導通導通D D1 1截止截止D D2 2導通導通D D1 1導通導通D D2

44、 2截止截止2.2.三極管非門三極管非門 R1DR2AF+12V +3V三極管非門三極管非門uA uF 3V 0.3 0V 3.7 鉗位二極管鉗位二極管AF T T導通導通T T截止截止R1DR2F+12V +3V三極管非門三極管非門D1D2AB+12V二極管與門二極管與門DTL與非門與非門ABP 3.3.復合門復合門(DTL)(DTL)輸出級：輸出級：T3、D、T4和和Rc4構成推拉式的輸出構成推拉式的輸出級。用于提高開關速度級。用于提高開關速度和帶負載能力。和帶負載能力。中間級中間級T2和電阻和電阻Rc2、Re2組成，從組成，從T2的集電的集電結和發(fā)射極同時輸出結和發(fā)射極同時輸出兩個相位相

45、反的信號，兩個相位相反的信號，作為作為T T3 3和和T T4 4輸出級的驅(qū)輸出級的驅(qū)動信號；動信號； Rb1 4k W Rc2 1.6k W Rc4 130 W T4 D T2 T1 + vI T3 + vO 負載 Re2 1K W VCC(5V) 輸入級輸入級 中間級中間級輸出級輸出級 4 . TTL反相器的基本電路反相器的基本電路1 1）. .電路組成電路組成輸入級：輸入級：T1和電阻和電阻Rb1組成。用于提高電路組成。用于提高電路的開關速度的開關速度輸入為低電平（輸入為低電平（0.3V0.3V）時）時“0”1V不足以讓不足以讓T2、T5導通導通三個三個PN結結導通需導通需2.1V2）

46、TTL反相器的工作原理反相器的工作原理 “0”1VVo=5-VR2-Vbe3-VD3 3.6V 輸出高電平！輸出高電平！輸入為低電平（輸入為低電平（0.3V0.3V）時）時截止截止導通導通導通導通截止截止飽和飽和低電平低電平T4DT3T2T T1 1輸入輸入高電平高電平輸出輸出輸入為高電平（輸入為高電平（3.6V3.6V）時）時“1”全導通全導通電位被鉗電位被鉗位在位在2.1V反偏截止反偏截止 1V截止截止飽和飽和vo=0.3VABY Vo=0.3V 輸出低電平！輸出低電平！輸入為高電平（輸入為高電平（3.6V3.6V）時）時飽和飽和截止截止T4低電平低電平截止截止截止截止飽和飽和倒置工作倒置

47、工作高電平高電平高電平高電平導通導通導通導通截止截止飽和飽和低電平低電平輸出輸出DT3T2T1輸入輸入全導通全導通電位被鉗電位被鉗位在位在2.1V反偏截止反偏截止 1V“1”3 ）采用輸入級以提高工作速度）采用輸入級以提高工作速度 當當TTL反相器反相器 I由由3.6V變變0.3V的瞬間的瞬間 T2、T3管的狀態(tài)變化滯后于管的狀態(tài)變化滯后于T1管，仍處于導通狀態(tài)。管，仍處于導通狀態(tài)。T1管管e結正偏、結正偏、c結反偏，結反偏， T1工作在放大狀態(tài)。工作在放大狀態(tài)。T1管射極電流（管射極電流（1+ 1 ） iB1很快地從很快地從T2的基區(qū)抽走多余的基區(qū)抽走多余的存儲電荷的存儲電荷,從而加速了輸從

48、而加速了輸出由低電平到高電平的轉(zhuǎn)換。出由低電平到高電平的轉(zhuǎn)換。 4）采用推拉式輸出級以提高開關速度和帶負載能力）采用推拉式輸出級以提高開關速度和帶負載能力當輸出當輸出 O=0.2V低電平時，低電平時，T4截止，截止，T3飽和導通，其飽飽和導通，其飽和電流全部用來驅(qū)動負載和電流全部用來驅(qū)動負載a)帶負載能力帶負載能力輸出端接負載電容輸出端接負載電容C CL時，時， O由低到高電平跳變的瞬間，由低到高電平跳變的瞬間，CL充電充電，其時間常數(shù)很小使，其時間常數(shù)很小使輸出波形上升沿陡直輸出波形上升沿陡直。而當。而當 O由高由高變低后，變低后， CL很快很快放電放電，輸出波形的下降沿也很好輸出波形的下降

49、沿也很好。 當當 O O=3.6V=3.6V時時T T3 3截止，截止，T T4 4組組成的電壓跟隨器的輸出電成的電壓跟隨器的輸出電阻很小，輸出高電平穩(wěn)定，阻很小，輸出高電平穩(wěn)定，帶負載能力也較強。帶負載能力也較強。b)輸出級對提高開關速度的作用輸出級對提高開關速度的作用T1ABCB1C1ABCB1(a)(b)1. TTL與非門電路與非門電路多發(fā)射極多發(fā)射極BJT T1e e bc eeb cA& BAL B3.2.4 TTL邏輯門電路邏輯門電路TTL與非門與非門電路的工作原理電路的工作原理 任一輸入端為低電平時任一輸入端為低電平時: :TTL與非門各級工作狀態(tài)與非門各級工作狀態(tài) IT

50、1T2T4T3 O輸入全為高電平輸入全為高電平 (3.6V)倒置使用的放大狀倒置使用的放大狀態(tài)態(tài)飽和飽和截止截止飽和飽和低電平低電平（0.3V）輸入有低電平輸入有低電平 (0.3V)深飽和深飽和截止截止放大放大截止截止高電平高電平（3.6V）當全部輸入端為高電平時：當全部輸入端為高電平時： 輸出低電平輸出低電平 輸出高電平輸出高電平 A& BALB2. TTL或非門或非門 若若A、B中有一個為高電平中有一個為高電平:若若A、B均為低電平均為低電平:T2A和和T2B均將截止，均將截止，T3截止。截止。 T4和和D飽和，飽和，輸出為高電平。輸出為高電平。T2A或或T2B將飽和，將飽和，T3

51、飽和，飽和，T4截止，截止，輸出為低電平。輸出為低電平。 B A LAB 1 vOHvOL輸出為低電平輸出為低電平的邏輯門輸出的邏輯門輸出級的損壞級的損壞3.2.5 集電極開路門和三態(tài)門電路集電極開路門和三態(tài)門電路1.1.集電極開路門電路集電極開路門電路 VCC(5V) Rb1 4k Rc2 1.6k Rc4 130 T4 A B C T1 T2 D Re2 1k T3 VCC(5V) Rb1 4k Rc2 1.6k Rc4 130 T4 A B C T1 T2 D Re2 1k T3 OC(Open Collector)門門a） 集電極開路與非門電路集電極開路與非門電路b） 使用時的外電路連

52、接使用時的外電路連接c） 邏輯功能邏輯功能L = A BOC門輸出端連接實現(xiàn)線與門輸出端連接實現(xiàn)線與VCC T1 Re2 Rc2 Rc4 Rb1 T2 T3 T4 D A B L VCC T1 Re2 Rc2 Rb1 T2 T3 A B L VCCC D RP VDD L A B & & OC門門 (-Open Collector)輸出端外接上拉電阻輸出端外接上拉電阻2. 三態(tài)與非門三態(tài)與非門(TSL ) 當當EN= 3.6V時時-與非門與非門EN數(shù)據(jù)輸入端數(shù)據(jù)輸入端輸出端輸出端LAB10010111011100 高阻高阻三態(tài)與非門真值表三態(tài)與非門真值表 當當EN= 0.2V時

53、時-高阻態(tài)高阻態(tài)邏輯符號邏輯符號高電平高電平使能使能高阻狀態(tài)高阻狀態(tài)與非邏輯與非邏輯 ZL ABLEN = 0_EN =1ABEN & L EN2. 三態(tài)與非門三態(tài)與非門(TSL ) 當當EN= 3.6V時時EN數(shù)據(jù)輸入端數(shù)據(jù)輸入端輸出端輸出端LAB10010111011100 高阻高阻三態(tài)與非門真值表三態(tài)與非門真值表 當當EN= 0.2V時時邏輯符號邏輯符號ABEN & L EN高電平高電平使能使能高阻狀態(tài)高阻狀態(tài)與非邏輯與非邏輯 ZL ABLEN = 0_EN =1打印機打印機掃描儀掃描儀顯示器顯示器通過控制使能端，可以使各個設備輸出通過控制使能端，可以使各個設備輸出的數(shù)據(jù)

54、輪流占有總線，分時傳送。的數(shù)據(jù)輪流占有總線，分時傳送。三態(tài)門主要用于總線傳輸系統(tǒng)三態(tài)門主要用于總線傳輸系統(tǒng)分析以下電路分析以下電路 的功能的功能E1時，時，G1工作工作 Y/D G2禁止禁止 輸出輸出X高阻態(tài)高阻態(tài)E0時，時，G1禁止輸出高阻禁止輸出高阻G2工作工作 X/Y三態(tài)門可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)雙向傳輸三態(tài)門可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)雙向傳輸(a)(b)AGF1EN三態(tài)緩沖門AGF1EN三態(tài)倒相門ABGF&EN三態(tài)與門ABGF&EN三態(tài)與非門AGF三態(tài)緩沖門1ENAGF三態(tài)倒相門1ENENABGF&三態(tài)與門ABGF&EN三態(tài)與非門各種三態(tài)門的邏輯符各種三態(tài)門的邏輯符號號三態(tài)門和三

55、態(tài)門和OC門的性能比較門的性能比較 (1) 三態(tài)門的開關速度比三態(tài)門的開關速度比OC門快門快。 (2) 允許接到總線上的三態(tài)門的個數(shù)，原則上不受限制，允許接到總線上的三態(tài)門的個數(shù)，原則上不受限制，但但允許接到總線上的允許接到總線上的OC門的個數(shù)受到上拉電阻門的個數(shù)受到上拉電阻RC的取值條件的的取值條件的限制。限制。 (3) OC門可以實現(xiàn)門可以實現(xiàn)“線與線與”邏輯，而三態(tài)門則不能。邏輯，而三態(tài)門則不能。若把若把多個三態(tài)門輸出端并聯(lián)在一起，并使其同時選通，多個三態(tài)門輸出端并聯(lián)在一起，并使其同時選通， 當它們的當它們的輸出狀態(tài)不同時，不能輸出正確的邏輯電平，而且還會燒壞輸出狀態(tài)不同時，不能輸出正確

56、的邏輯電平，而且還會燒壞導通狀態(tài)的輸出管。導通狀態(tài)的輸出管。特點特點: :功耗低、速度快、驅(qū)動力強功耗低、速度快、驅(qū)動力強3.2.6 Bi CMOS門電路門電路 I I為高電平為高電平: :MN、M1和和T2導通，導通，MP、M2和和T1截止，截止，輸出輸出 O O為低電平。為低電平。工作原理工作原理: :M1的導通的導通, , 迅速拉走迅速拉走T1的基區(qū)存儲電荷的基區(qū)存儲電荷; ; M2截止截止, , MN的輸出電流全部作為的輸出電流全部作為T2管的管的驅(qū)動電流驅(qū)動電流, , M1 、 M2加快輸出狀態(tài)的轉(zhuǎn)換加快輸出狀態(tài)的轉(zhuǎn)換 I I為低電平為低電平: :MP、M2和和T1導通，導通，MN、

57、M1和和T2截止，截止，輸出輸出 O O為高電平。為高電平。T2基區(qū)的存儲電荷通過基區(qū)的存儲電荷通過M2而消散。而消散。 M1 、 M2加快輸出狀態(tài)的轉(zhuǎn)換加快輸出狀態(tài)的轉(zhuǎn)換電路的開關速度可得到改善電路的開關速度可得到改善M1截止，截止，MP的輸出電流全部作為的輸出電流全部作為T1的驅(qū)動電流。的驅(qū)動電流。3.2.7 改進型改進型TTL門電路門電路抗飽和抗飽和TTL門電路門電路 晶體三極管的開關時間限制了晶體三極管的開關時間限制了TTLTTL門的開關速度。為了提高門的開關速度。為了提高TTLTTL門電路的開關速度，人們在三極管的基極和集電極間跨接肖門電路的開關速度，人們在三極管的基極和集電極間跨接

58、肖特基二極管，以縮短三極管的開關時間。肖特基二極管也稱快速特基二極管，以縮短三極管的開關時間。肖特基二極管也稱快速恢復二極管，它的導通電壓較低，約為恢復二極管，它的導通電壓較低，約為0.40.40.5 V0.5 V，因此開關速，因此開關速度極短，可實現(xiàn)度極短，可實現(xiàn)1ns1ns以下的高速度。加接了肖特基二極管的三極以下的高速度。加接了肖特基二極管的三極管稱為肖特基三極管。管稱為肖特基三極管。 由肖特基三極管組成由肖特基三極管組成的門電路稱做肖特基的門電路稱做肖特基TTLTTL門，門，即即STTLSTTL門，它的門，它的t tpdpd 在在10 10 nsns以內(nèi)。除典型的肖特基以內(nèi)。除典型的肖

59、特基型（即型（即STTLSTTL型）外，還有型）外，還有低功耗肖特基型（低功耗肖特基型（LSTTLLSTTL）、）、先進的肖特基型（先進的肖特基型（ASTTLASTTL）、）、先進的低功耗型（先進的低功耗型（ALSTTLALSTTL）等，它們的技術參數(shù)各有等，它們的技術參數(shù)各有特點，是在特點，是在TTLTTL工藝的發(fā)展工藝的發(fā)展過程中逐步形成的。過程中逐步形成的?；净綯TL門和肖特基門和肖特基TTL門電路門電路的性能比較的性能比較3.5.1 正負邏輯問題正負邏輯問題正負邏輯的規(guī)定正負邏輯的規(guī)定 0 01 1 1 10 0正邏輯正邏輯負邏輯負邏輯3.5 邏輯描述中的幾個問題邏輯描述中的幾個問

60、題正邏輯體制正邏輯體制: :將高電平用邏輯將高電平用邏輯1 1表示，低電平用邏輯表示，低電平用邏輯0 0表示表示負邏輯體制負邏輯體制: :將高電平用邏輯將高電平用邏輯0 0表示，低電平用邏輯表示，低電平用邏輯1 1表示表示與非與非 或非或非負邏輯負邏輯 正邏輯正邏輯與與 或或非非 非非3.5.2 基本邏輯門電路的等效符號及其應用基本邏輯門電路的等效符號及其應用1、 基本邏輯門電路的等效符號基本邏輯門電路的等效符號ABL LA B & B A 與非門及其等效符號與非門及其等效符號 B A BAL 1 系統(tǒng)輸入信號中，有的是高電平有效，有的是低電平有效。系統(tǒng)輸入信號中，有的是高電平有效，有的是低電平有效。低電平有效，輸入端加小圓圈；低電平有效，輸入端加小圓圈；高電平有效，輸入端不加小圓圈。高電平有效，輸入端不加小圓圈。BA BABAL B A LAB 1 或非門及其等效符號或非門及其等效符號BAL & B A & B A B A