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文檔簡介

1、微電子器件公式：部分物理常數(shù)：第1章 半導(dǎo)體器件基本方程 1. 泊松方程 2. 電流密度方程 3. 電荷控制方程 第2章 PN 結(jié)2.1 PN 結(jié)的平衡狀態(tài)1.平衡多子 2.平衡少子 3.內(nèi)建電勢 4.最大電場強度 5.N區(qū)耗盡區(qū)寬度 6.P區(qū)耗盡區(qū)寬度 7.總耗盡區(qū)寬度 2.2 PN 結(jié)的直流電流電壓方程 1.在N型區(qū)與耗盡區(qū)的邊界處，即 處 在P型區(qū)與耗盡區(qū)的邊界處，即 處 2.PN 結(jié)總的擴散電流密度 3.勢壘區(qū)產(chǎn)生復(fù)合電流 4.薄基區(qū)二極管擴散電流 2.3 準費米能級與大注入效應(yīng)1.轉(zhuǎn)折電壓 2.大注入下結(jié)定律 2.4 PN 結(jié)的擊穿1.雪崩倍增因子 2.雪崩擊穿近似計算2.5 PN結(jié)

2、的勢壘電容 2.6 PN 結(jié)的交流小信號特性與擴散電容1. PN結(jié)的直流增量電導(dǎo) 2. PN結(jié)的擴散電容 2.7 PN 結(jié)的開關(guān)特性 1.反向恢復(fù)時間 第3章 雙極結(jié)型晶體管3.1 雙極結(jié)型晶體管基礎(chǔ) 電流放大系數(shù)關(guān)系：3.2 均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)1.基區(qū)輸運系 2.基區(qū)度越時間 3.基區(qū)少子壽命 4.注入效率 5.共基極電流放大系數(shù) 6.共發(fā)射極電流放大系數(shù) 7.異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT） 3.4 雙極晶體管的直流電流電壓方程1.埃伯斯莫爾方程 2.共發(fā)射極電流方程 3.厄爾利電壓 4.共發(fā)射極增量輸出電阻 5.均勻基區(qū)厄爾利電壓 3.5 雙極晶體管的反向特性1.浮空電勢 2.基區(qū)穿通電壓 3.擊穿電壓 (共基極) （共發(fā)射極）3.6 基極電阻 3.8 電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系1.特征頻率 3.10 功率增益和最高振蕩頻率1.最大功率增益 2.高頻優(yōu)值 3.最高振蕩頻率 第 5 章 絕緣柵場效應(yīng)晶體管5.2 MOSFET 的閾電壓1.P型襯底的費米勢 N型襯底 2.閾值電壓 5.3 MOSFET 的直流電流電壓方程1.電流電壓方程 5.5 MOSFET 的直流參數(shù)與溫度特性1.通導(dǎo)電阻 5.6 MOSFET 的小信號參數(shù)、高頻等效電路及頻率特性 1.跨導(dǎo) 2.漏

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