電工電子第1章上@Leon_第1頁
電工電子第1章上@Leon_第2頁
電工電子第1章上@Leon_第3頁
電工電子第1章上@Leon_第4頁
電工電子第1章上@Leon_第5頁
已閱讀5頁,還剩58頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、參考教材:參考教材:電子技術(shù)電子技術(shù)陳正傳陳正傳 羅會昌主編,羅會昌主編,機(jī)械工業(yè)出版社機(jī)械工業(yè)出版社 答疑安排:每周一、四晚答疑安排:每周一、四晚7:309:30。地點(diǎn):西苑校區(qū)地點(diǎn):西苑校區(qū)10-408, 中部中部“電工電子教研室電工電子教研室”。電子技術(shù)電子技術(shù)模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)第一節(jié)第一節(jié) PNPN結(jié)結(jié) 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。 例如:硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫例如:硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體?;锒际前雽?dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同的條件下有很大的差別。半導(dǎo)體的導(dǎo)

2、電能力在不同的條件下有很大的差別。共價健共價健 Si Si Si Si價電子價電子 Si Si Si Si價電子價電子這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)??昭昭ㄗ杂呻娮幼杂呻娮?Si Si Si Sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€失去一個電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子動畫動畫 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴動畫動畫 PN結(jié)是通過特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù),在一塊半導(dǎo)結(jié)是通過特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù),在一塊半導(dǎo)體基片上摻入不同的雜質(zhì),使其一邊為體基片上摻入不同的雜質(zhì),使其一邊為N型半導(dǎo)體,型半導(dǎo)體,另一邊為另一邊為P型半導(dǎo)體,

3、其交界面便形成了型半導(dǎo)體,其交界面便形成了PN結(jié)結(jié)。 PN結(jié)是通過特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù),在一塊半導(dǎo)結(jié)是通過特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù),在一塊半導(dǎo)體基片上摻入不同的雜質(zhì),使其一邊為體基片上摻入不同的雜質(zhì),使其一邊為N型半導(dǎo)體,型半導(dǎo)體,另一邊為另一邊為P型半導(dǎo)體,其交界面便形成了型半導(dǎo)體,其交界面便形成了PN結(jié)結(jié)。+ PN 結(jié)也稱空間電荷區(qū)、或耗盡層、或內(nèi)電場、結(jié)也稱空間電荷區(qū)、或耗盡層、或內(nèi)電場、或阻擋層?;蜃钃鯇?。 多子的擴(kuò)散運(yùn)動多子的擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場內(nèi)電場少子的漂移運(yùn)動少子的漂移運(yùn)動濃度差濃度差 擴(kuò)散的結(jié)果使空擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。間電荷區(qū)變寬。+動畫動畫形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)PN 結(jié)

4、變窄結(jié)變窄 P接正、接正、N接負(fù)接負(fù) 外電場外電場IF內(nèi)電場內(nèi)電場PN+動畫動畫+動畫動畫+ 內(nèi)電場被加內(nèi)電場被加強(qiáng),少子的漂強(qiáng),少子的漂移加強(qiáng),由于移加強(qiáng),由于少子數(shù)量很少,少子數(shù)量很少,形成很小的反形成很小的反向電流。向電流。IR動畫動畫+ 二極管是最基本的電子元件,其內(nèi)部主要是二極管是最基本的電子元件,其內(nèi)部主要是一個一個PN結(jié),加上引出的兩個電極。結(jié),加上引出的兩個電極。陰極引線陰極引線陽極引線陽極引線二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽極引線陽極引線N型鍺片型鍺片陰極引線陰極引線外殼外殼( a ) 點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型鋁合金小球鋁合金

5、小球N型硅型硅陽極引線陽極引線PN結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線陰極引線( b ) 面接觸型面接觸型陰極陰極陽極陽極( d ) 符號符號D反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+定性分析:定性分析:判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是理想的,若二極管是理想的,例例1:D6V12V3k BAUAB+例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+V sin18itu t 動畫動畫 穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管,穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管,由于它與適當(dāng)阻值的電阻配合后能起穩(wěn)壓作由于它與適當(dāng)阻值的電阻配

6、合后能起穩(wěn)壓作用,故稱用,故稱穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管。 穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿狀態(tài),當(dāng)反向電穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿狀態(tài),當(dāng)反向電壓撤去后,管子還是正常的,稱壓撤去后,管子還是正常的,稱可逆性擊穿可逆性擊穿。+AKUZIZIZM UZ IZUIOZZ ZIUr UOUIIZRDZUZIR RUS-UZ=20-850020-818US=20VRUZ=8V三、發(fā)光二極管三、發(fā)光二極管三、發(fā)光二極管三、發(fā)光二極管 所發(fā)出光的顏色由半導(dǎo)體中所摻雜質(zhì)決定所發(fā)出光的顏色由半導(dǎo)體中所摻雜質(zhì)決定,常見常見的紅、黃、綠色摻入了磷砷化鎵和磷化鎵。的紅、黃、綠色摻入了磷砷化鎵和磷化鎵。 晶體管晶體管又稱又稱半導(dǎo)體三

7、極管半導(dǎo)體三極管,是一種重要的半導(dǎo),是一種重要的半導(dǎo)體器件。它的放大作用和開關(guān)作用引起了電子技體器件。它的放大作用和開關(guān)作用引起了電子技術(shù)的飛躍發(fā)展。術(shù)的飛躍發(fā)展。 晶體管的結(jié)構(gòu),目前常見的有平面型和合金晶體管的結(jié)構(gòu),目前常見的有平面型和合金型兩類。硅管主要是平面型,鍺管都是合金型。型兩類。硅管主要是平面型,鍺管都是合金型。而從制造型號上,常分為而從制造型號上,常分為NPN型和型和PNP型。型。NNPBECBECIBIEICBECIBIEICEEBRBRCBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIII

8、IIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ,有有忽忽略略 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線,是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線,是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動的外部表現(xiàn),反映了晶體管的性能,內(nèi)部載流子運(yùn)動的外部表現(xiàn),反映了晶體管的性能,是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+常常數(shù)數(shù) CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VOIB=020

9、 A40 A60 A80 A100 A常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大區(qū)放大區(qū)O BCII_ BCII 53704051BC.II 400400605132BC .II ICBO A+EC AICEOIB=0+ICMU(BR)CEO安全工作區(qū)安全工作區(qū)ICUCEO其總的效果將會使其總的效果將會使IC增大。增大。SABC10K100K3V3V10V=503K解:解:1、S接接A點(diǎn)時,晶點(diǎn)時,晶體管發(fā)射結(jié)反向偏體管發(fā)射結(jié)反向偏置,晶體管截止,置,晶體管截止,所以晶體管處于截所以晶體管處于截止區(qū)。止區(qū)。2、S接接B點(diǎn)時:點(diǎn)時:30.60.024100BImAK0.024 50 1.2CBIImA10 3 1.2 6.41CEUVV 所以晶體管處所以晶體管處于放大區(qū)。于放大區(qū)。SABC10K100K3V3V10V=503K解:解:3、S接接C點(diǎn)時:點(diǎn)時:30.60.2410BImAK0.24 50 12CBIImA10 3 12261CEUVV 所以晶體管處所以晶體管處于飽和區(qū)。于飽和區(qū)。而:而:100.333CSCImAIK

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論