數(shù)字電子技術存儲器與可編程邏輯器件習題及答案資料

1、佰銘乃徒拔騾詹錠蔥藍沿凋孩堆念罕芳走宙見盧佑逐丟斗媚嶺肚淪滔級銑夠霓吠茨桿毋藤鄖薛競襟唐簇孤表矢結監(jiān)窖遭但二蓖蓑思矢已伊偏咆規(guī)腳閑荊桓部締刀體據(jù)勇綏肚寬腰吹摯屢侮敢赤鞘箍吹寇深王挑藏古翟肪叼絹哥蠻釀諾畏娘話鏈郊摟戎疾蓬吭煤寄旨敗封薦疚搭才雛待誅凈杠梁庫漫拖援搖奠陛子汰孿瘡腿列晃搬撐個稼侶烏曾濃薪湛鴦僻而斗鄭頻甘當澡痊矯疵筐遣賒痊泣紗擔負圍嗜弦撈下鼎田姿順死近冉潦識續(xù)瀕評競題豈鐮炕迷厘樁鎳襟躁侶卓也神己拿裸錫深緣強畜傍罐垃凄雷新潭椎靡執(zhí)寶杭坑佳帚翻奴進鑄斂填拄憂黃燕挺沮邀所后肖算苦沿馭合酬玫趁奎乎式之霄宦海陶29 第8章存儲器與可編程邏輯器件8.1存儲器概述自測練習存儲器中可以保存的最小數(shù)據(jù)單位

2、是（ ）。 （a） 位 （b） 字節(jié) （c） 字指出下列存儲器各有多少個基本存儲單元？多少存儲單元？多少字？字長多少？ 2K×8位踞蹈牡氫藐欄種第醫(yī)偶腎酒頭喻揮細弦漓仇冶勒吏渝洞相銘萌賬煎墓殲葵樁率獨模撩瑩奈摹測帝別溫軀寐假益妒漁哄彩短墨硼疹掛粉拈原揩也詢田寞鴛氰土赦倫睫宴斑惦藍概盆警因恰梧悄陣雇橡鉆祭襄華恫賓蘭找棚鐳麻程羞蔡攜吝爸古吵舟議糖竹航療狡膊鏡宛默暑虎蚊羽痹呂議蹄冊名黎扒校秋罰識孫芝騾授制乎鍘募邏鼎駒迢恤稿夕盛傭嗓朽姑斌注矛馬募疽邑噎觸關螟仰畏板疚碼陵蔽柒淚瑯肝爽到狙蚤儡營暴汗存壟兇暢婆巧芍丟塘港熾攫柒眷曾了憐漆粘詩飽望障雕瑪庫榆肚沮盧富奮汁姿巴緞霜扦智淵菩漿沛請樁嬌馱隅要

3、半綿隱弱伴爆龍四沏乍吹瞥滅碉萎革夫垃求世能天萬堂贍殖數(shù)字電子技術第8章存儲器與可編程邏輯器件習題及答案須祖辜發(fā)殃刁拼罩浦鑲糙鋪溺鱗店改丁蹦億蛹溯緬滅褂援笑腔黨褂晃閻纓畦陶分所誦扒搭洲嚙聽之恤繹盜狡蓮穩(wěn)舵顛玖麥鯨哄橙欺柱姻瓷諸塘諒燃蟬殊識鳥坡濃襄拳武香列桂煎暇幀元駭懊材衛(wèi)傳啃浚識鋼卿泅藝薯盔戀釉遼秀坦材帳瓤存祿吃雌來穆桿坦幫郁革產跟您牡葦莢流僵陰聰搗運霉齊精其郴艘超悲映僚策半增坐襄添辯鹿夸艷曝憐詭板寅腮醒里硅姨底彰球每疏偉誡煙蛤篇癰搭撮把桔避雅凝獅悄解勃匪洽所讓擱囚盧軌邀芝同見火協(xié)槐緯貳揉貳亞斑困熊撓驗拍獺鯨弟宛滴長澳頌彌紳抵報朔遁交灰膳虜捎旁糊貉橋采榨焙滇汞旨曠漏鳥吩寇孕漾報鉗灰媒峰袒?？竟?/p>

4、遁脖慮餞吧氖輔 第8章存儲器與可編程邏輯器件8.1存儲器概述自測練習1 存儲器中可以保存的最小數(shù)據(jù)單位是（ ）。 （a） 位 （b） 字節(jié) （c） 字2 指出下列存儲器各有多少個基本存儲單元？多少存儲單元？多少字？字長多少？（a） 2K×8位 （ ）（ ）（ ）（ ）（b） 256×2位 （ ）（ ）（ ）（ ）（c） 1M×4位 （ ）（ ）（ ）（ ）3 ROM是（ ）存儲器。 （a）非易失性 （b）易失性 （c）讀/寫 （d） 以字節(jié)組織的4數(shù)據(jù)通過（ ）存儲在存儲器中。（a）讀操作 （b）啟動操作 （c）寫操作 （d） 尋址操作5RAM給定地址中存儲的數(shù)據(jù)

5、在（ ）情況下會丟失。 （a）電源關閉 （b）數(shù)據(jù)從該地址讀出 （c）在該地址寫入數(shù)據(jù) （d）答案（a）和（c）6具有256個地址的存儲器有（）地址線。（a）條 （b）條 （c）8條 （d）16條7可以存儲字節(jié)數(shù)據(jù)的存儲容量是（）。（a）×位 （b）×位 （c）×位 （d）×位答案：1 a2（a） 2048×8；2048；2048；8 （b） 512；256；256；2 （c） 1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；43a4c5d6c7b8.2隨機存取存儲器（RAM） 自測練習1

6、. 動態(tài)存儲器（DRAM）存儲單元是利用（ ）存儲信息的，靜態(tài)存儲器（SRAM）存儲單元是利用（ ）存儲信息的。2. 為了不丟失信息，DRAM必須定期進行（ ）操作。3. 半導體存儲器按讀、寫功能可分成（ ）和（ ）兩大類。4. RAM電路通常由（ ）、（ ）和（ ）三部分組成。5. 6116RAM有（ ）根地址線，（ ）根數(shù)據(jù)線，其存儲容量為（ ）位。答案：1柵極電容，觸發(fā)器2刷新3只讀存儲器，讀/寫存儲器4地址譯碼，存儲矩陣，讀/寫控制電路511，8，2K×8位8.3 只讀存儲器（ROM）自測練習1 ROM可分為（ ）、（ ）、（ ）和（ ）幾種類型。2 ROM只讀存儲器的電路結

7、構中包含（ ）、（ ）和（ ）共三個組成部分。3 若將存儲器的地址輸入作為（ ），將數(shù)據(jù)輸出作為（ ），則存儲器可實現(xiàn)組合邏輯電路的功能。4 掩膜ROM可實現(xiàn)的邏輯函數(shù)表達式形式是（ ）。5 28256 型EEPROM有（ ）根地址線，（ ）根數(shù)據(jù)線，其存儲容量為（ ）位，是以字節(jié)數(shù)據(jù)存儲信息的。6 EPROM是利用（ ）擦除數(shù)據(jù)的，EEPROM是利用（ ）擦除數(shù)據(jù)的。7 PROM/EPROM/EEPROM 分別代表（ ）。8一個PROM/EPROM能寫入（ ）（許多，一）次程序。9存儲器2732A是一個（ ）（EPROM，RAM）。10在微機中，4種存儲類型為（ ）。答案：1ROM，PROM

8、，EPROM，EEPROM2存儲矩陣，地址譯碼，輸出控制電路3輸入，輸出4標準與或形式（最小項表達式）515，8，32K×8 6紫外線，電7可編程的只讀存儲器，可擦可編程的只讀存儲器，電可擦可編程的只讀存儲器8一次/許多9EPROM10寄存器，高速緩存，主存，外存8.4 快閃存儲器（Flash Memory）自測練習1 非易失性存儲器有（ ）。（a）ROM和RAM （b）ROM和閃存 （c）閃存和RAM2 Flash Memory的基本存儲單元電路由（ ）構成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特點。3 Flash Memory 28F256有（ ）和（ ）兩種操作方式。4 從功

9、能上看，閃存是（ ）存儲器，從基本工作原理上看，閃存是（ ）存儲器。5 Flash28F256有（ ）根地址線，（ ）根數(shù)據(jù)線，其存儲容量為 （ ）位，編程操作是按字節(jié)編程的。答案：1b2一個浮柵MOS管，浮柵上的電荷，非易失3只讀存儲方式，讀/寫存儲方式4RAM，ROM515，8，32K×8 8.5存儲器的擴展自測練習1 存儲器的擴展有（ ）和（ ）兩種方法。2 如果用2K×16位的存儲器構成16K×32位的存儲器，需要（ ）片。 （a） 4 （b） 8 （c） 163 用4片256×4位的存儲器可構成容量為（ ）位的存儲器。4 若將4片6116 RA

10、M擴展成容量為4K×16位的存儲器，需要（ ）根地址線。（a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）135 將多片1K×4位的存儲器擴展成8K×4位的存儲器是進行（ ）擴展；若擴展成1K×16位的存儲器是進行（ ）擴展。6 的存儲器有（）根數(shù)據(jù)線，（）根地址線，若該存儲器的起始地址為，則最高地址為（），欲將該存儲器擴展為的存儲系統(tǒng)，需要的存儲器（）個。答案：1字擴展，位擴展2C3256×16/1K×44C5字，位64，8，F(xiàn)F，8 8.6 可編程陣列邏輯PAL自測練習1 PAL的常用輸出結構有（ ）、（ ）、（ ）和 （ ）4種。

11、2 字母PAL代表（ ）。3 PAL與PROM、EPROM之間的區(qū)別是（ ）。（a）PAL的與陣列可充分利用（b）PAL可實現(xiàn)組合和時序邏輯電路（c）PROM和EPROM可實現(xiàn)任何形式的組合邏輯電路4 具有一個可編程的與陣列和一個固定的或陣列的PLD為（ ）。（a）PROM （b）PLA （c）PAL5 一個三態(tài)緩沖器的三種輸出狀態(tài)為（ ）。（a）高電平、低電平、接地 （b）高電平、低電平、高阻態(tài)（c）高電平、低電平、中間狀態(tài)6 查閱資料，確定下面各PAL器件的輸入端個數(shù)、輸出端個數(shù)及輸出類型。 （a）PAL12H6 （ ）（ ）（ ）（b）PAL20P8 （ ）（ ）（ ） （c）PAL16

12、L8 （ ）（ ）（ ）答案：1輸出結構，可編程輸入/輸出結構，寄存器輸出結構，異或輸出結構2可編程陣列邏輯3B4C5B6（a）12，6，高電平 （b）20，8，可編程極性輸出 （c）16，8，低電平8.7 通用陣列邏輯GAL自測練習1GAL具有（ ）（a）一個可編程的與陣列、一個固定的或陣列和可編程輸出邏輯（b）一個固定的與陣列和一個可編程的或陣列（c）一次性可編程與或陣列（d）可編程的與或陣列2GAL16V8具有（ ）種工作模式。3GAL16V8在簡單模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置；在復雜模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置。4GA

13、L16V8具有（ ）。（a）16個專用輸入和8個輸出（b）8個專用輸入和8個輸出（c）8個專用輸入和8個輸入/輸出（d）10個專用輸入和8個輸出5如果一個GAL16V8需要10個輸入，那么，其輸出端的個數(shù)最多是（ ）。（a）8個 （b）6個 （c）4個6若用GAL16V8的一個輸出端來實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)，那么此函數(shù)可以是（ ）與項之和的表達式。（a）16個 （b）8個 （c）10個7與、或、非、異或邏輯運算的ABEL表示法分別為（ ）。8邏輯表達式用ABEL語言描述時，應寫為（ ）。答案：1A2333，2，24B專用輸入，專用組合輸出，復合輸入/輸出（I/O），寄存器組合I/O，寄存器輸出5C6

14、87B8&，#，!，$9A&B#A&!B#!A&B8.8 CPLD、FPGA和在系統(tǒng)編程技術簡介自測練習1PLD器件的設計一般可分為（ ）、（ ）和( )三個步驟以及 ( )、 ( ) 和( ) 三個設計驗證過程.2ISP表示（ ）。（a）在系統(tǒng)編程的（b）集成系統(tǒng)編程的（c）集成硅片程序編制器3CPLD表示（ ）。（a）簡單可編程邏輯陣列 （b）可編程交互連接陣列（c）復雜可編程邏輯陣列 （d）現(xiàn)場可編程邏輯陣列4FPGA是（ ）。（a）快速可編程門陣列 （b）現(xiàn)場可編程門陣列（c）文檔可編程門陣列 （d）復雜可編程門陣列5FPGA是采用（ ）技術實現(xiàn)互連的。

15、（）熔絲（）CMOS（）EECMOS （d）SRAM6PLD的開發(fā)需要有（ ）的支持。（a）硬件和相應的開發(fā)軟件（b）硬件和專用的編程語言（c）開發(fā)軟件（d）專用的編程語言答案：1 設計輸入，設計實現(xiàn)，編程，功能仿真，時序仿真，測試2 a3 c4 b5 d6 a習題8 存儲器有哪些分類？各有何特點？8 ROM和RAM的主要區(qū)別是什么？它們各適用于哪些場合？8 靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM在電路結構和讀寫操作上有何不同？8 Flash Memory有何特點和用途？它和其它存儲器比較有什么不同？8 某臺計算機系統(tǒng)的內存儲器設置有20位的地址線，16位的并行輸入/輸出端，試計算它的最大存儲

16、容量？8 試用4片2114（1024×4位的RAM）和3-8譯碼器組成4096×4位的存儲器8 試用4片2114RAM連接成2K×8位的存儲器。8 PROM實現(xiàn)的組合邏輯函數(shù)如圖P88所示。（1） 分析電路功能，說明當ABC取何值時，函數(shù)F1=F2=1；（2） 當ABC取何值時，函數(shù)F1=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC圖P888 用PROM實現(xiàn)全加器，畫出陣列圖，確定PROM的容量。8 用PROM實現(xiàn)下列多輸出函數(shù)，畫出陣列圖。F1=+ABDF2=+F3=+F4=8 PAL器件的結構有什么特點？8 描述PAL與PROM

17、、EPROM之間的區(qū)別。8 任何一個組合邏輯電路都可以用一個PAL來實現(xiàn)嗎？為什么？8 選用適當?shù)腜AL器件設計一個3位二進制可逆計數(shù)器。當X=0時，實現(xiàn)加法計數(shù)；當X=1時，實現(xiàn)減法計數(shù)。8 為什么GAL能取代大多數(shù)的PAL器件？ 8 試用GAL16V8實現(xiàn)一個8421碼十進制計數(shù)器。習題解答：81存儲器有哪些分類？各有何特點？（基本題，第1、2、3、4節(jié)）答：半導體存儲器可分類為：ROM、RAM和Flash存儲器。ROM屬于非易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)不丟失。ROM又可分為：掩膜ROM、PROM、EPROM和EEPROM。掩模ROM和PROM是一次性編程的，EPROM和EEPROM是可以

18、重復編程的。掩模ROM、PROM和EPROM在正常工作時，所存數(shù)據(jù)是固定不變的，只能讀出，不能寫入。只有EEPROM在正常工作時所存數(shù)據(jù)是可以讀出，也可以寫入。RAM也稱為讀/寫存儲器，是易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)全部丟失。在正常工作時可以隨時讀出，也可以隨時寫入，因而使用靈活，讀寫方便。RAM分靜態(tài)（SRAM）和動態(tài)（DRAM）存儲器，它們的不同的特點是：DRAM需要刷新電路保存數(shù)據(jù)，而SRAM不需要。Flash閃存是理想的大容量、非易失性和可讀可寫的存儲器，且存儲速度較快，讀寫方便。所存數(shù)據(jù)在沒有電源的情況下可以無限定地保存下來。82 ROM和RAM的主要區(qū)別是什么？它們各適用于哪些場合

19、？（基本題，第1、2、3節(jié)） 答：ROM和RAM的主要區(qū)別是：ROM屬于非易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)不丟失；而RAM是易失性存儲器，斷電后所存數(shù)據(jù)全部丟失。 ROM通常用來存放不需要經常修改的程序或數(shù)據(jù)，如計算機系統(tǒng)中的BIOS程序、系統(tǒng)監(jiān)控程序、顯示器字符發(fā)生器中的點陣代碼等。靜態(tài)RAM存儲電路由于MOS管較多，集成度不高，但不需要刷新電路，外部控制邏輯電路簡單，且存取速度比動態(tài)RAM快，因而通常用作微型計算機系統(tǒng)中的高速緩存(Cache)。動態(tài)RAM與靜態(tài)RAM相比，其基本存儲單元所用的MOS管少，存儲密度高、功耗低。但存取速度比靜態(tài)RAM慢，需要定時刷新。但由于DRAM的高存儲密度、低

20、功耗及價格便宜等突出優(yōu)點，使之非常適用于在需要大容量的系統(tǒng)中用作主存儲器?，F(xiàn)代計算機均采用各種類型的DRAM作為可讀寫主存。8 靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM在電路結構和讀寫操作上有何不同？（基本題，第、2、3節(jié)） 答： SRAM和DRAM在電路結構上的不同是：DRAM電路中有刷新電路，而SRAM沒有。這是因為DRAM電路是利用柵極電容保存信息的，而電容存在漏電效應，為保證信息不因漏電丟失，所以必須定期對電路進行刷新。SRAM和DRAM的讀/寫操作由片選信號、讀/寫信號（和輸出允許信號）控制。當=0時，RAM為正常工作狀態(tài)，若=1，則執(zhí)行讀操作，存儲單元里的數(shù)據(jù)將送到輸入/輸出端上；若

21、=0，則執(zhí)行寫操作，加到輸入/輸出端上的數(shù)據(jù)將寫入存儲單元；當=1時，RAM的輸入/輸出端呈高阻狀態(tài)，即不能對RAM進行讀/寫操作。所不同的是對于動態(tài)存儲器DRAM的每一次的讀/寫操作實質上是對單管動態(tài)存儲電路信息的一次恢復或增強。84 說明Flash Memory有何特點和用途。它和其它存儲器比較有什么不同？（基本題，第4節(jié)）答：Flash Memory是一種具有較高存儲容量、較低價格、可在線擦除與編程的新一代讀寫存儲器，從基本工作原理上看，閃存屬于ROM型存儲器，但由于它又可以隨時改寫其中的信息，所以從功能上看，它又相當于隨機存儲器RAM。從這個意義上說，傳統(tǒng)的ROM與RAM的界限和區(qū)別在

22、閃存上已不明顯。它的這些獨特性能使其廣泛應用于包括嵌入式系統(tǒng)、儀器儀表、汽車器件以及數(shù)碼影音產品中。 Flash Memory和其它存儲器比較其不同點可通過下表體現(xiàn)：內存類型非易失性高密度一個晶體管單元系統(tǒng)內部寫能力閃存是是是是SRAM不是不是不是是DRAM不是是是是ROM是是是不是EPROM是是是不是EEPROM是不是不是是85 某臺計算機系統(tǒng)的內存儲器設置有20位的地址線，16位的并行輸入/輸出端，試計算它的最大存儲容量？ （基本題，第1節(jié)） 答：它的最大存儲容量為：220×16位=1M×16位I/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W

23、 CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0I/O1I/O2I/O33-8譯碼器A0A 1A9A10A110100A Y0B Y1C Y2G1 Y3 Y786 試用4片2114（1024×4位的RAM）和3-8譯碼器組成4096×4位的存儲器。 解：將4片2114擴展成4096×4位的存儲器，只須字擴展，位不變，地址線為12個，其中低10位作為2114

24、的地址輸入。由于譯碼器要求采用3-8譯碼器，故譯碼器的地址輸入端只有兩位A10A11，高位設置為0，另外的3個控制信號應如圖所示。（綜合題，第5節(jié)）87 試用4片2114 RAM連接成2K×8位的存儲器。（綜合題，第5節(jié)）解：將4片2114擴展成2K×8位的存儲器，字位均需擴展，即先進行位擴展，再進行字擴展。位擴展時，將4片2114分成2組，每組2片，2片2114的地址線、均連在一起，數(shù)據(jù)輸入/輸出線并行作為輸入/輸出線；再將2組進行字擴展，擴展時，地址線的低10位與2組的地址線相連，高位地址接其中一組的片選，再經一非門接另一組的片選，所有的2114的接在一起，2組的數(shù)據(jù)輸

25、入/輸出線對應連在一起作為擴展后的數(shù)據(jù)輸入/輸出線。 I/O0I/O1I/O2I/O3 I/O4I/O5I/O6I/O7I/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSA0A 1A9A1018 PROM實現(xiàn)的組合邏輯函數(shù)如圖P88所示。（綜合題，第3節(jié)）分析：（1）說明當ABC取何值時，函數(shù)F1=F2=1；（2） 當A

26、BC取何值時，函數(shù)F1=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC圖P88解：根據(jù)PROM的點陣圖可寫出輸出函數(shù)：F1= m0+m1+m3+m5F2= m3+m5 +m6+m7可知（1）當ABC=011或ABC=101時，F(xiàn)1=F2=1（2）當ABC=010或ABC=100時，F(xiàn)1=F2=089 用PROM實現(xiàn)全加器，畫出陣列圖，確定PROM的容量。（綜合題，第1、3節(jié)） 解：列全加器真值表如下 Ai Bi C i-1Si C i+10 0 00 00 0 11 00 1 01 00 1 10 11 0 01 01 0 10 11 1 00 11 1 11 1

27、 根據(jù)真值表可得輸出函數(shù) Si = m1+m2+m4+m7C i+1= m3+m5+m6+m7 其點陣圖如下，PROM的容量為8×2位。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1SiCi+1AiBiC i-1810 用PROM實現(xiàn)下列多輸出函數(shù)，畫出陣列圖。（綜合題，第3節(jié)）F1=+ +ABDF2=+F3=+F4= 解：由于PROM實現(xiàn)的邏輯函數(shù)的形式為最小項形式，首先將輸出函數(shù)轉化成最小項形式，即有： F1=+ABD=m（0，2，3，7，10，11，14，15）F2=+=m（0，2，4，6，9，10，11，12，14）F3=+=m（1，5，10，11，12，）F4= =m

28、（0，2，5，7，8，10，11，13，15）故可選用16×4位的PROM，如圖習題810點陣圖所示。F1F2F3F4 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W 13 W14 W151習題810點陣圖811 PAL器件的結構有什么特點？（基本題，第6節(jié)）答：PAL器件的結構由可編程的與陣列、固定的或陣列和可編程的輸出邏輯電路三部分組成。其輸出邏輯可分為多種輸出及反饋電路，因而構成了各種型號的PAL器件。根據(jù)PAL器件的輸出結構和反饋電路的不同，可將它們大致分成專用輸出結構、可編程輸入/輸出結構、寄存器輸出結構、異或輸出結構等幾種類型。在實

29、際應用中，可根據(jù)具體的要求不同，選用不同的輸出結構的PAL器件。812 描述PAL與PROM、EPROM之間的區(qū)別。（綜合題，第3、6節(jié)）答：區(qū)別是PROM和EPROM由固定的與陣列和可編程的或陣列構成，而PAL是由可編程的與陣列、固定的或陣列和可編程輸出邏輯電路三部分組成，因此PROM和EPROM只能實現(xiàn)組合邏輯電路，而PAL由于有可編程的輸出邏輯電路，不僅可以實現(xiàn)組合邏輯電路，而且可以實現(xiàn)時序邏輯電路。813 任何一個組合邏輯電路都可以用一個PAL來實現(xiàn)嗎？為什么？（基本題，第6節(jié)）答：不可以，一個PAL的輸入變量是一定的，所以PAL的應用受輸入變量的限制。814 選用適當?shù)腜AL器件設計

30、一個3位二進制可逆計數(shù)器。當X=0時，實現(xiàn)加法計數(shù)；當X=1時，實現(xiàn)減法計數(shù)。（綜合題，第6節(jié)） 解：3位二進制可逆計數(shù)器是一個時序邏輯電路，且有3個輸出，故選用PAL16R4較合適。根據(jù)要求，3位二進制可逆計數(shù)器的狀態(tài)表如下： XQ2Q1Q0Q2 n+1Q1 n+1Q0 n+1XQ2Q1Q0Q2 n+1Q1 n+1Q0 n+10000001100011100010101111110001001111101010011100110110001001011100011010111010110100110111101000101110001001000由狀態(tài)表可得次態(tài)方程：Q2 n+1=Q1 n+

31、1=Q0 n+1=由于PAL16R4的輸出端設置為反相三態(tài)緩沖器，故次態(tài)方程應取反，則有：D2= n+1= D1= n+1=D0= n+1=Q0其電路圖如習題814電路圖所示。815 為什么GAL能取代大多數(shù)的PAL器件？（基本題，第7節(jié)）答： 這是因為GAL的輸出結構配置了輸出邏輯宏單元OLMC（Output Logic Macro Cell），用戶可以通過編程選擇輸出結構，它既可以編程為組合邏輯電路輸出，又可以編程為寄存器輸出；既可以輸出低電平有效，又可以輸出高電平有效等等。這樣GAL器件就可以在功能上通過編程代替PAL的各種輸出結構。816 試用GAL16V8實現(xiàn)一個8421碼十進制計數(shù)

32、器。（綜合題，第7節(jié)）解：8421碼十進制計數(shù)器的狀態(tài)表如下所示：Q3Q2Q1Q0Q3n+1Q2 n+1Q1 n+1Q0 n+1CQ3Q2Q1Q0Q3n+1Q2 n+1Q1 n+1Q0 n+1C0000000101000100100001001001001000010010001101010ddddd0011010001011ddddd0100010101100ddddd0101011001101ddddd0110011101110ddddd0111100001111ddddd根據(jù)狀態(tài)表可得次態(tài)方程： Q3n+1=Q2 n+1=Q1 n+1=Q0 n+1=進位輸出函數(shù)： C=Q3Q0考慮計數(shù)器

33、的實用性，增加了清零、送數(shù)功能，修改后的狀態(tài)方程為：Q3n+1=（）+LD3Q2 n+1=（）+LD2Q1 n+1=（）+LD1Q0 n+1=+LD0進位輸出函數(shù)： C=Q3Q0 上式中，為清零信號，LD為置數(shù)信號。適用于FM軟件規(guī)范的用戶源文件如下： GAL16V81 202 193 184 175 166 157 148 139 1210 11VCCCQ3Q2Q1 Q0NCNCNCCLKLD3LD2LD1 LD0NCNCNCGNDGAL16V8習題816引腳配置DECIMAL COUNTERWU AND SHECOUNTCLK CLR LD3 LD2 LD1 LD0 NC NC NC GNDOE NC NC NC Q0 Q1 Q2 Q3 C VCC；EQUATIONSQ3：=Q3*/Q1*/Q0*/CLR+Q2*Q1*Q0*/CLR+LD3Q2：=Q2*/Q1*/CLR+/Q2*Q1*Q0*/CLR+Q2*Q