MOS管參數(shù)解釋

1、MO潸介紹在使用MOSt設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，一般都要考慮MOS勺導通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOSFE#是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增強型的NMOS管和增強型的PMOST,所以通常提到的就是這兩種。這兩種增強型MOST,比較常用的是NMOS原因是導通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS在MOST內(nèi)部，漏極和源極之間會寄生一個二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負載（如馬達），這個二極管很重要，并且只在單個的MOST中存在此二極管，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。MOST的三個管腳之間

2、有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免。MOST導通特性導通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。NMOS勺特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V,其他電壓，看手冊）就可以了。PMOS勺特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的T1況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOST以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOSMOSFF關(guān)管損失不管是NMOS5是PMOS導通后

3、都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOSW會減小導通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOST導通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右MOSE導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOST端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時內(nèi)，MOSW的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關(guān)時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失

4、。MOST驅(qū)動MO潸導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。但是，我們還需要速度。在MOST的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS,GD之間存在寄生電容，而MOST的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOSt驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。普遍用于高端驅(qū)動的NMOS導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOST導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCCt（4V或10V其他電壓，看手冊）。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCCt的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬

5、達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOST。Mosfet參數(shù)含義說明Features:Vds：DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS勺DS所能承受的最大電壓Rds（on）:DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS勺DS之間的電阻Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低Vgs:最大GS電壓.一般為：-20V+20VIdm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關(guān)系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作結(jié)溫，通常為150度和175度Tstg:最大存儲溫度Iar:雪崩電流Ear:重復雪崩擊穿能量Eas:單次脈沖雪崩擊穿

6、能量BVdss：DS擊穿電壓Idss:飽和DS電流，uA級的電流Igss:GS驅(qū)動電流，nA級的電流.gfs:跨導Qg:G總充電電量Qgs:GS充電電量Qgd:GD充電電量Td（on）:導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間Tr:上升時間，輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間Td（off）:關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關(guān)斷電壓時10%的時間Tf:下降時間，輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間（參考圖4）。Ciss:輸入電容，Ciss=Cgd+Cgs.Coss:輸出電容，Coss=Cds+Cgd.Crss:反向傳輸

7、電容，Crss=Cgc.其實MOSfc要是通過柵控制器件的開啟和導通，所以以NMOST為例，只需要將柵壓降得足夠低，讓它在襯底中無法形成反型層，也就沒有了溝道，沒有低阻通路，自然就變成高阻態(tài)，從漏源兩端看上去，它便是關(guān)斷的追問謝謝您的回答，不過，我還是不明白！您的意思是不是說：N溝道MOST,在常態(tài)下是低阻通路，測量D,S兩端的電阻有幾百歐是正常的，當它工作時給它加反壓，就是關(guān)斷的了嗎？如果我說的不對，請您把常態(tài)下怎樣檢測MOSt的好壞方法及測量的依據(jù)告訴我好嗎？我用數(shù)字萬用表。請不吝賜教回答因為MOST包括柵、源、漏三個電極，而一般情況下，源和漏是對稱的，如果有特別標明的話，以NMO的例，在測量時，漏極接高電位端，源極接低電位端。由于柵極的電壓決定了MOST的工作狀態(tài)，因此，當NMOSE常時，柵極接地，器件是不導通的，測量得到的源漏之間的電阻應(yīng)該會很大，而當你對照器件的手冊資料查找它正常工作時柵極電壓一般為多少，將柵壓逐漸升高（最好不要超過額定電壓），源漏之間的電阻應(yīng)該是逐漸降低的幾百歐的電阻屬于不大不小，總覺得不算是一個正常