ROM存儲(chǔ)器內(nèi)涵EPROM2716存儲(chǔ)器地介紹

1、字J41-一I字地址謹(jǐn)悶器2統(tǒng)字3錢字DD線VD字r-位線2D4-S1D1位線4兀D2-位線3-r眠課堂教學(xué)實(shí)施方案授課時(shí)間:課題：只讀存儲(chǔ)器ROM、主存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)5.3只讀存儲(chǔ)器ROM指在微機(jī)系統(tǒng)的在線運(yùn)行過(guò)程中，只能對(duì)其進(jìn)行讀操作，而不能進(jìn)行寫(xiě)操作的一類存儲(chǔ)器，在不斷發(fā)展變化的過(guò)程中，ROM器件也產(chǎn)生了掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM等各種不同類型。一、掩模ROM如圖4-11所示，是一個(gè)簡(jiǎn)單的4X4位的MOSROM存儲(chǔ)陣列，采用單譯碼方式。這時(shí)，有兩位地址輸入，經(jīng)譯碼后，輸出四條字選擇線，每條字選擇線選中一個(gè)字，此時(shí)位線的輸出即為這個(gè)字的每一位此時(shí)，若有管子與其相連（如位線1

2、和位線4），則相應(yīng)的MOS管就導(dǎo)通，這些位線的輸出就是低電表平，表示邏輯“0”；而沒(méi)有管子與其相連的位線（如位線2和位線3）,則輸出就是高電平，表示邏輯“1”。Sec浮空多DAlSiO2晶硅柵l_AlLf么刀盤Jo玄N基體字線EPROM、可編程的ROM掩模ROM的存儲(chǔ)單元在生產(chǎn)完成之(b)位線(a)后，其所保存的信息就已經(jīng)固定下來(lái)了，這給使用者帶來(lái)了不便。為了解決這個(gè)矛盾，設(shè)計(jì)制造了一種可由用尸通過(guò)簡(jiǎn)易設(shè)備寫(xiě)入信息的ROM器件，即可編程的ROM,乂稱為PROMPROM的類型有多種，我們以二極管破壞型PROM為例來(lái)說(shuō)明其存儲(chǔ)原理這種PROM存儲(chǔ)器在出廠時(shí)，存儲(chǔ)體中每條字線和位線的交義處都是兩個(gè)反

3、向申聯(lián)的二極管的PN結(jié)，字線與位線之間不導(dǎo)通，此時(shí)，意味著該存儲(chǔ)器中所有的存儲(chǔ)內(nèi)容均為“1”。如果用戶需要寫(xiě)入程序，則要通過(guò)專門的PROM寫(xiě)入電路，產(chǎn)生足夠大的電流把要寫(xiě)入“1”的那個(gè)存儲(chǔ)位上的二極管擊分，造成這個(gè)PN結(jié)短路，只剩下順向的二極管跨連子線和位線，這時(shí)，此位就意味著寫(xiě)入了“1。讀出的操作同掩模ROM除此之外，還有一種熔絲式PROM,用戶編程時(shí)，靠專用寫(xiě)入電路產(chǎn)生脈沖電流，來(lái)燒斷指定的熔絲，以達(dá)到寫(xiě)入“1”的目的。對(duì)PROM來(lái)講，這個(gè)寫(xiě)入的過(guò)程稱之為固化程序。由丁擊穿的二極管不能再正常工作，燒斷后的熔絲不能再接上，所以這種ROM器件只能固化一次程序，數(shù)據(jù)寫(xiě)入后，就不能再改變了。1 三

4、、可擦除可編程的ROM.基本存儲(chǔ)電路可擦除可編程的ROM乂稱為EPROM。它的基本存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)和工作原理如圖4-12所示。與普通的P溝道增強(qiáng)型MOS電路相似，這種EPROM電路在N型的基片上擴(kuò)展了兩個(gè)高濃度的P型區(qū)，分別引出源極(S)和漏極(D),在源極與漏極之間有一個(gè)由多晶硅做成的柵極，但它是浮空?qǐng)D圖4-12P溝道EPROM結(jié)構(gòu)示意圖的，被絕緣物SiO2所包圍。在芯片制作完成時(shí)，每個(gè)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O上都沒(méi)有電荷，所以管子內(nèi)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，源極與漏極之間不導(dǎo)電，其相應(yīng)的等效電路如圖4-12(b)所示，此時(shí)表示該存儲(chǔ)單元保存的彳息為“1”。向該單元寫(xiě)入信息“0”:在漏極和源極(即S)之間加上十25

5、v的電壓，同時(shí)加上編程脈沖信號(hào)(寬度約為50ns),所選中的單元在這個(gè)電壓的作用下，漏極與源極之間被瞬時(shí)擊穿，就會(huì)有電子通過(guò)SiO2絕緣層注入到浮動(dòng)?xùn)?。在高壓電源去除之后，因?yàn)楦?dòng)?xùn)疟籗iO2絕緣層包圍，所以注入的電子無(wú)泄漏通道，浮動(dòng)?xùn)艦樨?fù)，就形成了導(dǎo)電溝道，從而使相應(yīng)單元導(dǎo)通，此時(shí)說(shuō)明將0寫(xiě)入該單元。消除存儲(chǔ)單元中所保存的信息：必須用一定波長(zhǎng)的紫外光照射浮動(dòng)?xùn)牛关?fù)電荷獲取足夠的能量，擺脫SiO2的包圍，以光電流的形式釋放掉，這時(shí)，原來(lái)存儲(chǔ)的信息也就不存在了。由這種存儲(chǔ)單元所構(gòu)成的ROM存儲(chǔ)器芯片，在其上方有一個(gè)石英玻璃的窗口，紫外線正是通過(guò)這個(gè)窗口來(lái)照射其內(nèi)部電路而擦除信息的，一般擦除信息

6、需用紫外線照射l520分鐘。2 .EPROM芯片Intel2716Intel2716是一種2KX8的EPROM存儲(chǔ)器芯片，雙列直插式封裝，24個(gè)引腳，其最基本的存儲(chǔ)單元，就是采用如上所述的帶有浮動(dòng)?xùn)诺腗OS管，其它的典型芯片有Ietel2732/27128/27512等。(1).芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)Intel2716存儲(chǔ)器芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖4-13(b)所示、其主要組成部分包括：A71“24A6223A5322A4421A352oA2619A1718Ao817Oo916。11。15O21114地1213(a)引腳分配圖圖4-13VCCA8AgVppOEAioCEO7O6O5O4O3(b)內(nèi)部結(jié)構(gòu)

7、框圖Intel2716的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳分配?存儲(chǔ)陣列；Intel2716存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)陣列由2KX8個(gè)帶有浮動(dòng)?xùn)诺腗OS管構(gòu)成，共可保存2KX8位二進(jìn)制信息；?X譯碼器：乂稱為行譯碼器，可對(duì)7位行地址進(jìn)行譯碼；?Y譯碼器：乂稱為列譯碼器，可對(duì)4位列地址進(jìn)行譯碼；?輸出允許、片選和編程邏輯：實(shí)現(xiàn)片選及控制信息的讀/寫(xiě)；?數(shù)據(jù)輸出緩沖器：實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出數(shù)據(jù)的緩沖。(2).芯片的外部結(jié)構(gòu)：Intel2716具有24個(gè)引腳，其引腳分配如圖4-13(a)所示，各引腳的功能如下：?AioAo:地址信號(hào)輸入引腳，可尋址芯片的2K個(gè)存儲(chǔ)單元；?O7Oo：雙向數(shù)據(jù)信號(hào)輸入輸出引腳；?CE:片選信號(hào)輸入引腳，低電平

8、有效，只有當(dāng)該引腳轉(zhuǎn)入低電平時(shí)，才能對(duì)相應(yīng)的芯片進(jìn)行操作；?OE：數(shù)據(jù)輸出允許控制信號(hào)引腳，輸入，低電平有效，用以允許數(shù)據(jù)輸出；?Vcc:+5v電源，用丁在線的讀操作；?VPP:+25v電源，用丁在專用裝置上進(jìn)行寫(xiě)操作；?GND:地。.Intel2716的工作方式與操作時(shí)序讀方式這是Intel2716連接在微機(jī)系統(tǒng)中的主要工作方式。在讀操作時(shí)，片選信號(hào)CE應(yīng)為低電平,輸出允許控制信號(hào)OE也為低電平其時(shí)序波形如圖4-14所示。讀周期由地址有效開(kāi)始，經(jīng)時(shí)間tACC后，所選中單元的內(nèi)容就可由存儲(chǔ)陣列中讀出，但能否送至外部的數(shù)據(jù)總線，還取決丁片選信號(hào)CE和輸出允許信號(hào)OE。時(shí)序中規(guī)定，必須從CE有效經(jīng)

9、過(guò)tcs時(shí)間以及從OE有效經(jīng)過(guò)時(shí)間t0E,芯片的輸出三態(tài)門才能完全打開(kāi)，數(shù)據(jù)才能送到數(shù)據(jù)總線。上述時(shí)序圖中參數(shù)的具體地址1/地t止有弟tACC-V值，請(qǐng).A參考有關(guān)的技術(shù)手冊(cè)。CE除了讀方式外，2716還有如1CE*/下工作方式：OE 禁止方式； 備用方式；輸出章酒/4ntel2Hogr有效輸出Ww 寫(xiě)入方式； 校核方式；圖4-14 編程。四、電可擦除可編程序的ROM（ElectronicErasible!716讀時(shí)序波形ammableROM)電可擦除可編程序的ROM也稱為EEPROM即E2PROM。E2PROM管子的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4-15所示。它的工作原理與EPROM類似，當(dāng)浮動(dòng)?xùn)派蠜](méi)有電荷

10、時(shí)，管子的漏極和源極之間不導(dǎo)電，若設(shè)法使浮動(dòng)?xùn)艓想姾?，則管子就導(dǎo)通。在E2PROM中，使浮動(dòng)?xùn)艓想姾珊拖ル姾傻姆椒ㄅcEPROM中是不同的。在E2PROM中，漏極上面增加了一個(gè)隧道二極管，它在第二柵與漏極之間的電壓VG的作用下（在電場(chǎng)的作用下）,可以使電荷通過(guò)它流向浮動(dòng)?xùn)牛雌鹁幊套饔茫蝗鬡G的極性相反也可以使電荷從浮動(dòng)?xùn)帕飨蚵O（起擦除作用），而編程與擦除所用的電流是極小的，可用極普通的電源就可供給VGE2PROM的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是：擦除可以按字節(jié)分別進(jìn)行（不像EPROM，擦除時(shí)把整個(gè)芯片的內(nèi)容全變成“1”）。由丁字節(jié)的編程和擦除都只需要10ms,并且不需特殊裝置，因此可以進(jìn)行在線的編程寫(xiě)

11、入。常用的典型芯片有2816/2817/2864等。五、快擦型存儲(chǔ)器（F1ashMemory）快擦型存儲(chǔ)器是不用電池供電的、高速耐用的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它以性能好、功耗低、體積小、重量輕等特點(diǎn)活躍丁便攜機(jī)（膝上型、筆記本型等）存儲(chǔ)器市場(chǎng)，但價(jià)格較貴。快擦型存儲(chǔ)器具有EEPROM的特點(diǎn)，乂可在計(jì)算機(jī)內(nèi)進(jìn)行擦除和編程，它的讀取時(shí)間與DRAM相似，而寫(xiě)時(shí)間與磁盤驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)?？觳列痛鎯?chǔ)器有5V或12V兩種供電方式。對(duì)丁便攜機(jī)來(lái)講，用5V電源更為合適?？觳列痛鎯?chǔ)器操作簡(jiǎn)便，編程、擦除、校驗(yàn)等工作均已編成程序，可由配有快擦型存儲(chǔ)器系統(tǒng)的中央處理機(jī)予以控制?？觳列痛鎯?chǔ)器可替代EEPROM，在某些應(yīng)用場(chǎng)合

12、還可取代SRAM,尤其是對(duì)丁需要配備電池后援的SRAM系統(tǒng)，使用快擦型存儲(chǔ)器后可省去電池。快擦型存儲(chǔ)器的非易失性和快速讀取的特點(diǎn)，能滿足固態(tài)盤驅(qū)動(dòng)器的要求，同時(shí)，可替代便攜機(jī)中的ROM,以便隨時(shí)寫(xiě)入最新版本的操作系統(tǒng)?？觳列痛鎯?chǔ)器還可應(yīng)用丁激光打印機(jī)、條形碼閱讀器、各種儀器設(shè)備以及計(jì)算機(jī)的外部設(shè)備中。典型的芯片有27F256/28F016/28F020等。5.4.2存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展及其與系統(tǒng)總線的連接微機(jī)系統(tǒng)的規(guī)模、應(yīng)用場(chǎng)合不同，對(duì)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的容量、類型的要求也必不相同，一般情況下，需要用不同類型，不同規(guī)格的存儲(chǔ)器芯片，通過(guò)適當(dāng)?shù)挠布B接，來(lái)構(gòu)成所需要的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，這就是本節(jié)所需要討論的內(nèi)容。

13、1 一、存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接.引言在微型系統(tǒng)中，CPU對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作，首先要由地址總線給出地址信號(hào)，選擇要進(jìn)行讀/寫(xiě)操作的存儲(chǔ)單元，然后通過(guò)控制總線發(fā)出相應(yīng)的讀/寫(xiě)控制信號(hào)，最后才能在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。所以，存儲(chǔ)器芯片與CPU之間的連接，實(shí)質(zhì)上就是其與系統(tǒng)總線的連接，包括：?地址線的連接；?數(shù)據(jù)線的連接；?控制線的連接；在連接中要考慮的問(wèn)題有以下幾個(gè)方面：2 .CPU總線的負(fù)載能力在設(shè)計(jì)CPU芯片時(shí)，一般考慮其輸出線的直流負(fù)載能力，為帶一個(gè)TTL負(fù)載?，F(xiàn)在的存儲(chǔ)器一般都為MOS電路，直流負(fù)載很小，主要的負(fù)載是電容負(fù)載，故在小型系統(tǒng)中，CPU是可以直接與存儲(chǔ)器相連的，而較大的系統(tǒng)

14、中，若CPU的負(fù)載能力不能滿足要求，可以（就要考慮CPU能否帶得動(dòng)，需要時(shí)就要加上緩沖器，）由緩沖器的輸出再帶負(fù)載。3 .CPU的時(shí)序和存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合問(wèn)題CPU在取指和存儲(chǔ)器讀或?qū)懖僮鲿r(shí)，是有固定時(shí)序的，用戶要根據(jù)這些來(lái)確定對(duì)存儲(chǔ)器存取速度的要求，或在存儲(chǔ)器已經(jīng)確定的情況下，考慮是否需要Tw周期，以及如何實(shí)現(xiàn)。4.存儲(chǔ)器的地址分配和片選問(wèn)題內(nèi)存通常分為RAM和ROM兩大部分，而RAM乂分為系統(tǒng)區(qū)（即機(jī)器的監(jiān)控程序或操作系統(tǒng)占用的區(qū)域）和用戶區(qū)，用戶區(qū)乂要分成數(shù)據(jù)區(qū)和程序區(qū)，ROM的分配也類似，所以內(nèi)存的地址分配是一個(gè)重要的問(wèn)題。另外，目前生產(chǎn)的存儲(chǔ)器芯片，單片的容量仍然是有限的，通

15、?？偸且稍S多片才能組成一個(gè)存儲(chǔ)器，這里就有一個(gè)如何產(chǎn)生片選信號(hào)的問(wèn)題。5.控制信號(hào)的連接CPU在與存儲(chǔ)器交換信息時(shí)，通常有以下幾個(gè)控制信號(hào)（對(duì)8088/8086來(lái)說(shuō)）:IO/M（IO/M）,RD,WR以及WAIT信號(hào)。這些信號(hào)如何與存儲(chǔ)器要求的控制信號(hào)相連，以實(shí)現(xiàn)所需的控制功能。二、存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展存儲(chǔ)器芯片擴(kuò)展的方法有以下兩種：1.存儲(chǔ)器芯片的位擴(kuò)充適用場(chǎng)合：存儲(chǔ)器芯片的容量滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的要求,但其字長(zhǎng)小丁存儲(chǔ)器系統(tǒng)的要求。例1用1KX4的2114芯片構(gòu)成IKX8的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。分析：由丁每個(gè)芯片的容量為1K,故滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的容量要求。但由丁每個(gè)芯片只能提供4位數(shù)據(jù)，故需用2片這樣的芯片

16、，它們分別提供4位數(shù)據(jù)至系統(tǒng)的數(shù)據(jù)總線，以滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的字長(zhǎng)要求。設(shè)計(jì)要點(diǎn)：將每個(gè)芯片的10位地址線按引腳名稱一一并聯(lián)，按次序逐根接至系統(tǒng)地址總線的低10位。數(shù)據(jù)線則按芯片編號(hào)連接，1號(hào)芯片的4位數(shù)據(jù)線依次接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的D0-D3,2號(hào)芯片的4位數(shù)據(jù)線依次接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的D4-D7。兩個(gè)芯片的WE端并在一起后接至系統(tǒng)控制總線的存儲(chǔ)器寫(xiě)信號(hào)（如CPU為8086/8088,也可由WR和IO/M或IO/M的組合來(lái)承擔(dān)）。CS引腳也分別并聯(lián)后接至地址譯碼器的輸出，而地址譯碼器的輸入則由系統(tǒng)地址總線的高位來(lái)承擔(dān)。具體連線見(jiàn)圖4-16。當(dāng)存儲(chǔ)器工作時(shí)，系統(tǒng)根據(jù)高位地址的譯碼同時(shí)選中兩個(gè)芯片，而地址

17、碼的低位也同時(shí)到達(dá)每一個(gè)芯片，從而選中它們的同一個(gè)單元。在讀/寫(xiě)信號(hào)的作用下，兩個(gè)芯片的數(shù)據(jù)同時(shí)讀出，送上系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線，產(chǎn)生一個(gè)字節(jié)的輸出，或者同時(shí)將來(lái)自數(shù)據(jù)總線上的字節(jié)數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器。A11M/IOA10A9A08088wrD0D3D4D7Yo譯碼器AqCSa9CS八921142114Ao(1)Ao(2)WEWEI/OI/OI/OI/O圖4-16用2114組成1KX8的存儲(chǔ)器連線根據(jù)硬件連線圖，我們還可以進(jìn)一步分析出該存儲(chǔ)器的地址分配范圍如下：（假設(shè)只考慮16位地址）地址碼芯片的地址范圍A15A12A11A10A9A0xX:00000000H:X:X0011:03FFHX表示可以任選值，在這

18、里我們均選0這種擴(kuò)展存儲(chǔ)器的方法就稱為位擴(kuò)展，它可以適用丁多種芯片,如可以用8片2164A組成一個(gè)64KX8的存儲(chǔ)器等。2.存儲(chǔ)器芯片的字?jǐn)U充適用場(chǎng)合：存儲(chǔ)器芯片的字長(zhǎng)符合存儲(chǔ)器系統(tǒng)的要求,但其容量太小。例2用2KX8的2716A存儲(chǔ)器芯片組成8KX8的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。分析：由于每個(gè)芯片的字長(zhǎng)為8位，故滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的字長(zhǎng)要求。但由丁每個(gè)芯片只能提供2K個(gè)存儲(chǔ)單元，故需用4片這樣的芯片，以滿足存儲(chǔ)器系統(tǒng)的容量要求。設(shè)計(jì)要點(diǎn)：同位擴(kuò)充方式相似。先將每個(gè)芯片的11位地址線按引腳名稱一一并聯(lián)，然后按次序逐根接至系統(tǒng)地址總線的低11位。將每個(gè)芯片的8位數(shù)據(jù)線依次接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的D0-D7。兩個(gè)芯片的茹端

19、并在一起后接至系統(tǒng)控制總線的存儲(chǔ)器讀信號(hào)（這樣連接的原因同位擴(kuò)充方式），它們的CE引腳分別接至地址譯碼器的不同輸出，地址譯碼器的輸入則由系統(tǒng)地址總線的高位來(lái)承擔(dān)。連線見(jiàn)圖4-17。A12A11M/I0A10A。8088RDD0D73210YYYYA10CEA10CEA10CEA10CEA02176Ao2176A02176A02176OEa0E（2）OE40EOoO0000007070707圖4-17用2716組成8KX8的存儲(chǔ)器連線當(dāng)存儲(chǔ)器工作時(shí)，根據(jù)高位地址的不同，系統(tǒng)通過(guò)譯碼器分別選中不同的芯片，低位地址碼則同時(shí)到達(dá)每一個(gè)芯片，選中它們的相應(yīng)單元。在讀信號(hào)的作用下，選中芯片的數(shù)據(jù)被讀出，送

20、上系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線，產(chǎn)生一個(gè)字節(jié)的輸出。同樣，根據(jù)硬件連線圖，我們也可以進(jìn)一步分析出該存儲(chǔ)器的地址分配范圍如下表：（假設(shè)只考慮16位地址）地址碼芯片的地址范圍對(duì)應(yīng)芯片編號(hào)A15A13A12A11A10A9A0XX000000000H:2716-1XX0011107FFHXX010000800H:2716-2XX011110FFFHXX100001000H:2716-3XX1011117FFHXX110001800H:2716-4XX111111FFFHX表示可以任選值，在這里我們均選0這種擴(kuò)展存儲(chǔ)器的方法就稱為字?jǐn)U展，它同樣可以適用丁多種芯片,如可以用8片27128（16kX8）組成一個(gè)128KX

21、8的存儲(chǔ)器等。3.同時(shí)進(jìn)行位擴(kuò)充與字?jǐn)U充適用場(chǎng)合：存儲(chǔ)器芯片的字長(zhǎng)和容量均不符合存儲(chǔ)器系統(tǒng)的要求,這時(shí)就需要用多片這樣的芯片同時(shí)進(jìn)行位擴(kuò)充和字?jǐn)U充，以滿足系統(tǒng)的要求。例3用1KX4的2114芯片組成2KX8的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。分析：由于芯片的字長(zhǎng)為4位，因此首先需用采用位擴(kuò)充的方法，用兩片芯片組成1KX8的存儲(chǔ)器。再采用字?jǐn)U充的方法來(lái)擴(kuò)充容量，使用兩組經(jīng)過(guò)上述位擴(kuò)充的芯片組來(lái)完成。設(shè)計(jì)要點(diǎn):每個(gè)芯片的10根地址信號(hào)引腳宜接接至系統(tǒng)地址總線的低10位，每組兩個(gè)芯片的4位數(shù)據(jù)線分別接至系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的高/低四位。地址碼的A10、A11經(jīng)譯碼后的輸出，分別作為兩組芯片的片選信號(hào)，每個(gè)芯片的WE控制端直接接到

22、CPU的讀/寫(xiě)控制端上，以實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的讀/寫(xiě)控制。硬件連線如圖4-18圖4-18用2114組成2KX8的存儲(chǔ)器連線當(dāng)存儲(chǔ)器工作時(shí)，根據(jù)高位地址的不同，系統(tǒng)通過(guò)譯碼器分別選中不同的芯片組，低位地址碼則同時(shí)到達(dá)每一個(gè)芯片組，選中它們的相應(yīng)單元。在讀/寫(xiě)信號(hào)的作用下，選中芯片組的數(shù)據(jù)被讀出，送上系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線，產(chǎn)生一個(gè)字節(jié)的輸出，或者將來(lái)自數(shù)據(jù)總線上的字節(jié)數(shù)據(jù)寫(xiě)入芯片組。同樣，根據(jù)硬件連線圖，我們也可以進(jìn)一步分析出該存儲(chǔ)器的地址分配范圍如下：（假設(shè)只考地址碼芯片組的地址范圍對(duì)應(yīng)芯片組編號(hào)A15.A13A12A11A10A9.A0XXX:00000000H:2114-1XXX001103FFHXXX:

23、01000400H:2114-2XXX011107FFHx表示可以任選值，在這里我們均選0思考：從以上地址分析可知,此存儲(chǔ)器的地址范圍是0000H-07FFH。如果系統(tǒng)規(guī)定存儲(chǔ)器的地址范圍從0800H開(kāi)始，并要連續(xù)存放，對(duì)以上硬件連線圖該如何改動(dòng)呢？由丁低位地址仍從0開(kāi)始，因此低位地址仍直接接至芯片組。丁是，要改動(dòng)的是譯碼器和高位地址的連接。我們可以將兩個(gè)芯片組的片選輸入端分別接至譯碼器的Y2和丫3輸出端，即當(dāng)Aii、A10為10時(shí)，選中2114-1，則該芯片組的地址范圍為0800H-0BFFH，而當(dāng)A11、A10為11時(shí)，選中2114-2，則該芯片組的地址范圍為0C00H-0FFFH。同時(shí)，

24、保證高位地址為0（即A15-A12為0）。這樣，此存儲(chǔ)器的地址范圍就是A10.匚）去后一頁(yè)0800H-0FFFH了。（具體連線自己考慮）以上例子所采用的片選控制的譯碼方式稱為全譯碼方式,L_to去前一頁(yè)這種譯碼電路較復(fù)雜，但是，由此選中的每一組的地址是確定MREQ1且唯一的。有時(shí)，為方便起見(jiàn)，也可以直接用高位地址（如A10一A15中的任一位）來(lái)控制片選端。例如用A10來(lái)控制，如圖所示。粗看起來(lái)，這兩組的地址分配與全譯碼時(shí)相同，但是當(dāng)用A10這一個(gè)信號(hào)作為片選控制時(shí)，只要A10=0,A11A15可為任意值都選中第一組；而只要A10=1,AllA15可為任意值都選中第二組。這種選片控制方式稱為線選法。線選法節(jié)省譯碼電路，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，但必須注意此時(shí)芯片的地址分布以及各自的地址重疊區(qū)，以免出現(xiàn)錯(cuò)誤。例4一個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括2KRAM和8KROM，分別用1KX4的2114芯片和2KX8的2716芯片組成。要求ROM的