普通可控硅及雙向可控硅的應(yīng)用

1、普通可控硅與雙向可控硅的應(yīng)用 20目錄前言3第一章 普通可控硅 4第一節(jié) 可控硅概述4第二節(jié) 普通可控硅工作原理5第三節(jié) 普通可控硅的主要參數(shù)8第二章 雙向可控硅 9第一節(jié) 雙向可控硅特點(diǎn)9第二節(jié) 雙向可控硅應(yīng)用12第三節(jié) 雙向可控硅的安裝17參考文獻(xiàn) 19前言1958年，從美國通用電氣公司研制成功第一個(gè)工業(yè)用可控硅開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組、靜止的離子變流器進(jìn)入以電力半導(dǎo)體器件組成的變流器時(shí)代。至今可控硅及其派生器件廣泛應(yīng)用于各種變流器，并且還在發(fā)展中。由于其具有體積小、重量輕功耗小、效率高、響應(yīng)快等特點(diǎn)，用它構(gòu)成的變流裝置具有可靠性高、壽命長、容易維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)，特別是它可節(jié)約能源

2、、成本低廉，所以得到飛速的發(fā)展，成為目前工業(yè)中實(shí)現(xiàn)大容量功率變換和控制的主要電力電子器件。雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流開關(guān)器件，所以，一直為家電行業(yè)中主要的功率控制器件。下面對(duì)可控硅尤其是廣泛應(yīng)用于家電行業(yè)的雙向可控硅的應(yīng)用作以研究。第一章 普通可控硅第一節(jié) 可控硅概述可控硅，一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管(Thyristor)，簡稱晶閘管。又由于晶閘管最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅(SCR)

3、。它具有硅整流器件的特性，是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以毫安級(jí)電流控制，被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是目前工業(yè)中實(shí)現(xiàn)大容量功率變換和控制的主要電力電子器件?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等?？煽毓栌卸喾N分類方法。1按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。2按引腳和

4、極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。3按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。4按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。5按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。可控硅這一名稱，既代表其族系的總稱，亦代表大量廣泛使用的普通可控硅。第二節(jié) 普通型可控硅工作原

5、理一、結(jié)構(gòu)及工作原理可控硅（后面提到的可控硅指普通型可控硅）是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管，如圖1-1。圖1-1可控硅結(jié)構(gòu)示意圖當(dāng)可控硅承受正向陽極電壓時(shí)，為使可控硅導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖1-1中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a

6、1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0。晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）（11）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖1-2所示。圖1-2硅晶體管電流放大倍數(shù)曲線當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（11）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流IaIc0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀

7、態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的集電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的集電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖1-2，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）1時(shí)，式（11）中的分母1-（a1+a2）0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（11）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極

8、電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。二、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性見圖1-3圖1-3 可控硅基本伏安特性 1反向特性當(dāng)控制極開路，陽極加上反向電壓時(shí)，J2結(jié)正偏，但J1、J3結(jié)反偏。此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接著J3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會(huì)發(fā)生永久性反向擊穿。2正向

9、特性當(dāng)控制極開路，陽極上加上正向電壓時(shí)，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，圖3的特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓 由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子進(jìn)入N1區(qū)，空穴進(jìn)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使

10、P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性，見圖3的虛線AB段。這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)-通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似，見圖2中的BC段3觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ妶D2）的基礎(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。第三節(jié) 普通可控硅的主要參數(shù)IT(AV)-通態(tài)平均電流 VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDSM斷態(tài)不重復(fù)

11、峰值電壓VRRM-反向重復(fù)峰值電壓VRSM-反向不重復(fù)峰值電壓IRRM反向重復(fù)峰值電流IDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電流 ITSM-通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM-通態(tài)峰值電壓IGT-門極觸發(fā)電流 VGT-門極觸發(fā)電壓IH-維持電流 IL-擎住電流dv/dt-斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt-通態(tài)電流臨界上升率 Rthjc-結(jié)殼熱阻 VISO-模塊絕緣電壓 Tjm-額定結(jié)溫 VDRM-通態(tài)重復(fù)峰值電壓 IF(AV)-正向平均電流值第二章 雙向可控硅第一節(jié) 雙向可控硅特點(diǎn)雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同，不再贅述。圖2-1為它的的基本結(jié)構(gòu)、等效電路，圖2-

12、2為它的伏安特性。它有兩個(gè)主電極T1和T2，一個(gè)門極G。門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。圖2-1雙向可控硅結(jié)構(gòu)及等效電路圖2-2雙向可控硅伏安特性雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式，如圖2-3。圖2-3雙向可控硅四觸發(fā)象限圖2-4雙向可控硅四象限觸發(fā)電路例子當(dāng)工況在1+和3-象限時(shí)，這里雙向可控硅的切換參數(shù)相同。這導(dǎo)致對(duì)稱的雙向可控硅切換，門極此時(shí)最靈敏。在負(fù)載電流過零時(shí)，門極用直流或單極脈沖觸發(fā)，優(yōu)先采用負(fù)的門極電流，理由如下：若運(yùn)行在3+象限，由于雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，門極離主載流區(qū)域較遠(yuǎn)，導(dǎo)致

13、下列后果：1高IGT 需要高峰值觸發(fā)電流IG。2. 由IG 觸發(fā)到負(fù)載電流開始流動(dòng)，兩者之間遲后時(shí)間較長 要求IG 維持較長時(shí)間。3. 低得多的dIT/dt 承受能力 若控制負(fù)載具有高dI/dt 值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發(fā)生強(qiáng)烈退化。若在3+象限觸發(fā)，局部的機(jī)理進(jìn)一步降低dIT/dt的許可值。初始的、急劇的電流上升率可立即使門極進(jìn)入反向雪崩擊穿狀態(tài)。這可能不會(huì)立即導(dǎo)致破壞。反復(fù)作用下，G-T1 結(jié)將逐步地?zé)龤А?. 高IL 值（1-工況亦如此）對(duì)于很小的負(fù)載，若在電源半周起始點(diǎn)導(dǎo)通，可能需要較長時(shí)間的IG，才能讓負(fù)載電流達(dá)到較高的IL。，因此要避免雙向可控硅工作在3+象限。第二節(jié) 雙

14、向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅，要定量的掌握其主要參數(shù)對(duì)雙向可控硅進(jìn)行選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。1耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM（斷態(tài)重復(fù)峰值電壓）和VRRM（反向重復(fù)峰值電壓）中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。選用時(shí)，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的23倍，作為允許的操作過電壓裕量。見如圖2-5：圖2-5雙向可控硅伏安特性耐壓注解上圖介紹了可控硅在控制過程中會(huì)出現(xiàn)的不同電壓參數(shù)的關(guān)系，一共出現(xiàn)了三個(gè)電壓值（在同一個(gè)電壓方向上）：VDRM、VDSM、Dreakdown Voltage。通常VDRM是VDSM（斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓）的90%，但是前提條件是VDSM加在T1、T2兩端的時(shí)間

15、不能超過10mS，超過就會(huì)損壞！是不可逆的過程！陰影部分是絕對(duì)禁止越過的！2電流的確定：由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的23倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。3通態(tài)（峰值）電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。4維持電流：IH是維持可控硅維持通態(tài)所必需的最小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小

16、。要斷開可控硅的電流，需把負(fù)載電流降到維持電流IH 之下，并歷經(jīng)必要時(shí)間，讓所有的載流子撤出結(jié)。在直流電路中可用“強(qiáng)迫換向”，而在交流電路中則在導(dǎo)通半周終點(diǎn)實(shí)現(xiàn)。（負(fù)載電路使負(fù)載電流降到零，導(dǎo)致可控硅斷開，稱作強(qiáng)迫換向。）然后，可控硅將回復(fù)至完全截止的狀態(tài)。假如負(fù)載電流不能維持在IH 之下足夠長的時(shí)間，在陽極和陰極之間電壓再度上升之前，可控硅不能回復(fù)至完全截止的狀態(tài)。它可能在沒有外部門極電流作用的情況下，回到導(dǎo)通狀態(tài)。注意，IH 亦在室溫下定義，溫度高時(shí)其值減小。所以，為保證成功的切換，電路應(yīng)充許有足夠時(shí)間，讓負(fù)載電流降到IH 之下，并考慮可能遇到的最高運(yùn)行溫度。5電壓上升率的抵制：dv/dt

17、指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了T2與G之間會(huì)存在寄生電容，如圖2-6。我們知道dv/dt的變化在電容的兩端會(huì)出現(xiàn)等效電流，這個(gè)電流就會(huì)成為Ig，也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流，導(dǎo)致的結(jié)果是誤觸發(fā)。圖2-6雙向可控硅等效示意圖1）切換電壓上升率dVCOM/dt。驅(qū)動(dòng)高電抗性的負(fù)載時(shí)，負(fù)載電壓和電流的波形間通常發(fā)生實(shí)質(zhì)性的相位移動(dòng)。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)雙向可控硅發(fā)生切換，由于相位差電壓并不為零。這時(shí)雙向可控硅須立即阻斷該電壓。產(chǎn)生的切換電壓上升率(dVCOM/dt)若超過允許值，會(huì)迫使雙向可控硅回復(fù)導(dǎo)通狀態(tài)，見

18、圖2-7。因?yàn)檩d流子沒有充分的時(shí)間自結(jié)上撤出。圖2-7切換時(shí)的電流及電壓變化高dVCOM/dt 承受能力受二個(gè)條件影響：（1）dICOM/dt 切換時(shí)負(fù)載電流下降率。dICOM/dt 高，則dVCOM/dt 承受能力下降。（2） 結(jié)面溫度Tj 越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。假如雙向可控硅的dVCOM/dt 的允許值有可能被超過，為避免發(fā)生假觸發(fā)，可在T1 和T2 間裝置RC緩沖電路，以此限制電壓上升率。通常選用47100的能承受浪涌電流的碳膜電阻，0.01uF0.47uF的電容，晶閘管關(guān)斷過程中主電流過零反向后迅速由反向峰值恢復(fù)至零電流，此過程可在元件兩端產(chǎn)生達(dá)正常工作峰值電壓5-6

19、倍的尖峰電壓。一般建議在盡可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。2）斷開狀態(tài)下電壓變化率dvD/dt。若截止的雙向可控硅上（或門極靈敏的閘流管）作用很高的電壓變化率，盡管不超過VDRM，電容性內(nèi)部電流能產(chǎn)生足夠大的門極電流，并觸發(fā)器件導(dǎo)通，如圖2-8。門極靈敏度隨溫度而升高。假如發(fā)生這樣的問題，T1 和T2 間（或陽極和陰極間）應(yīng)該加上RC 緩沖電路，以限制dvD/dt。圖2-8信號(hào)超出dvD/dt導(dǎo)通雙向可控硅6電流上升率的抑制：電流上升率的影響主要有下面二個(gè)方面：（1）dIT/dt（導(dǎo)通時(shí)的電流上升率）當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發(fā)下導(dǎo)通 ，門極臨近處立即導(dǎo)通，然后迅速擴(kuò)展至整個(gè)有效

20、面積。這遲后的時(shí)間有一個(gè)極限，即負(fù)載電流上升率的許可值。過高的dIT/dt可能導(dǎo)致局部燒毀，并使T1-T2 短路。假如過程中限制dIT/dt 到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或?qū)〞r(shí)的dIT/dt有可能被超出，可在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾H的不飽和（空心）電感。（2）dICOM/dt(切換電流變化率)導(dǎo)致高dICOM/dt 值的因素是:高負(fù)載電流、高電網(wǎng)頻率（假設(shè)正弦波電流）或者非正弦波負(fù)載電流,它們引起的切換電流變化率超出最大的允許值，使雙向可控硅甚至不能支持50Hz 波形由零上升時(shí)不大的dV/dt，加入一幾mH 的電感

21、和負(fù)載串聯(lián)，可以限制dICOM/dt。7為了解決高dv/dt及di/dt引起的問題，還可以使用Hi-Com 雙向可控硅，它和傳統(tǒng)的雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有差別。差別之一是內(nèi)部的二個(gè)“閘流管”分隔得更好，減少了互相的影響。這帶來下列好處：（1） 高dVCOM/dt。能控制電抗性負(fù)載，在很多場合下不需要緩沖電路，保證無故障切換。這降低了元器件數(shù)量、底板尺寸和成本，還免去了緩沖電路的功率耗散。（2） 高dICOM/dt。切換高頻電流或非正弦波電流的性能大為改善，而不需要在負(fù)載上串聯(lián)電感，以限制dICOM/dt。（3） 高dvD/dt（斷開狀態(tài)下電壓變化率）。雙向可控硅在高溫下更為靈敏。高溫下，處于截止

22、狀態(tài)時(shí)，容易因高dV/dt 下的假觸發(fā)而導(dǎo)通。Hi-Com 雙向可控硅減少了這種傾向。從而可以用在高溫電器，控制電阻性負(fù)載，例如廚房和取暖電器，而傳統(tǒng)的雙向可控硅則不能用。8門極參數(shù)的選用：（1）門極觸發(fā)電流為了使可控硅可靠觸發(fā)，觸發(fā)電流Igt選擇25度時(shí)max值的倍，為門極觸發(fā)電流結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中最低工作溫度時(shí)的系數(shù)，如圖2-9為SM2LZ47型號(hào)雙向可控硅的特性曲線。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無特殊需要，通常取大于1.5倍即可。圖2-9門極觸發(fā)電流-結(jié)溫關(guān)系（2）門極壓降可以選擇Vgt 25度時(shí)max值的倍。為門極觸發(fā)電壓結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中最低工

23、作溫度時(shí)的系數(shù)，如圖2-10為SM2LZ47型號(hào)雙向可控硅的特性曲線。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無特殊需要，通常取11.2倍即可。圖2-10門極壓降-結(jié)溫關(guān)系（3）觸發(fā)電阻Rg=（Vcc-Vgt）/Igt（4）觸發(fā)脈沖寬度為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），除了要門極電流IGT ，還要使負(fù)載電流達(dá)到IL（擎住電流），并按可能遇到的最低溫度考慮。因此，可取25度下可靠觸發(fā)可控硅的脈沖寬度Tgw的2倍以上。（5）在電子噪聲充斥的環(huán)境中，若干擾電壓超過觸發(fā)電壓VGT，并有足夠的門極電流，就會(huì)發(fā)生假觸發(fā)，導(dǎo)致雙向可控硅切換。第一條防線是降低臨近空間的雜波。門極接線越短越好，并確保門極驅(qū)動(dòng)電路的共用返回線直接連接

24、到TI 管腳（對(duì)閘流管是陰極）。若門極接線是硬線，可采用螺旋雙線，或干脆用屏蔽線，這些必要的措施都是為了降低雜波的吸收。為增加對(duì)電子噪聲的抵抗力，可在門極和T1 之間串入1k或更小的電阻，以此降低門極的靈敏度。假如已采用高頻旁路電容，建議在該電容和門極間加入電阻，以降低通過門極的電容電流的峰值，減少雙向可控硅門極區(qū)域?yàn)檫^電流燒毀的可能。9）結(jié)溫Tj的控制：為了長期可靠工作，應(yīng)保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于80%Tjmax , 如圖2-11，其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。圖2-11結(jié)溫-電流關(guān)系第三節(jié) 雙向可控硅的安裝對(duì)負(fù)載小，或電流持續(xù)時(shí)間短（小于1 秒鐘）的雙向可控硅，可在自由空間工作。但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，