(LY-QS-8.2.4-021A1)CP晶圓檢驗規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)

1、廣東利揚芯片測試哪有限公司廣東利揚芯片測試哪有限公司GuangdongLeadyoICTestingCo.Ltd.文件名稱：CP晶圓檢驗標(biāo)準(zhǔn)文件編號：LY-QS-8.2.4-021制定單位：品經(jīng)部修訂履歷生效日期版次修訂人2016-8-20A0黃良漢2016-10-20A1王濤2016-12-22畢明明修訂內(nèi)容首版發(fā)行1.追加第4條標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容：針對XW的產(chǎn)品邊緣晶圓外4圈區(qū)域（不完整DIE不算一圈）的PAD變色，不做管控，做允收判定2.變更公司LOGO增加HD護(hù)層不良、線路不良管控要求LY-R-4.2.3-009A2ThecopyrightisreservedbyLeadyo版權(quán)所有，翻印必究-

2、/1.目的為CP外觀檢驗提供依據(jù)。2.適用范圍本公司內(nèi)晶圓的檢驗。3.職責(zé)品經(jīng)部：負(fù)責(zé)檢驗標(biāo)準(zhǔn)之制定及修改，并依本標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品進(jìn)行抽檢其他部門：依本標(biāo)準(zhǔn)對晶圓產(chǎn)品進(jìn)行品質(zhì)判定。4.標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容晶背不可有目視可見污染，如果存在高低差（即凹凸不平）且無法去除時，拒收檢驗項目參考圖形污染不可移動的異物不得存在PAD上。晶粒上不允許有水珠和油污及光阻殘留。-/PAD化、 腐蝕或變黃色、 咖啡色、 黑褐色或有七彩色；針對XW的廣品邊緣晶圓外4圈區(qū)域（不完整DIE不算一圈）的護(hù)層不良除PADFF窗外，所有護(hù)層不可有破損護(hù)層上有龜裂-拒收光阻剝落或顯影不良造成圖形異常或呈現(xiàn)鋸齒HD如右圖護(hù)層不良，檢驗不管控HD如

3、右圖線路不良，檢驗不管控氧化/鋁腐蝕/焊變-/PAD變色，不做管控，做允收判定。-/在50倍的目鏡，鋁路不可發(fā)生氧化，鋁變色腐蝕，焊變。顯微鏡下觀察pad上有荷葉狀或蝴蝶狀圖案， 觀察其顏色偏黃或偏灰且邊界明顯，線路表面不允許有。針痕和因針痕造成的鋁屑都不允許超出PAD勺邊框。針痕不應(yīng)該造成PAD外側(cè)產(chǎn)生裂痕，破損或變形，需確保邊框的完好。A,PAD#痕數(shù)目：1)普通產(chǎn)品3次2)OTP產(chǎn)品：CPK2次，CPM3次3)CP奚4次B,在50倍的目鏡PAD上之探針痕露底材的面積:1)普通產(chǎn)品不得大于針痕的1/52)OTP產(chǎn)品不得大于針痕的1/4C,所有產(chǎn)品針痕面積1/4PAD面積針痕不良-/1,針痕

4、偏移突出焊墊橋接鋁路或鄰近焊墊，拒收；2,當(dāng)WAFE的PADW雙框現(xiàn)象時，針痕扎偏不可覆蓋到PAC#圍線。圖一為拒收；圖二可允收，但需改善。鋁路上刮/壓傷有以下兩種情況：A）造成鋁路或焊墊間短路及橋接-拒收B）有曝露底部氧化層-拒收C）刮壓傷造成鋁路路間隙減少1/2或鋁路寬度（線寬）減少1/2拒收背面刮痕： 背面呈白色條狀， 為背面刮痕， 不能傷及電性和露底層，可接受，但需在流程卡及檢驗報表上記錄。刮痕呈黑色條形狀（裂痕），拒受。PAD上刮/壓傷不得位于中央焊線區(qū)，總面積不得大于20%刮壓傷圖略圖-/1、PAD開窗位移橋接鄰近焊墊，開窗面積未超過1/4者允收，造成橋接拒收（如圖一：PAD已向左

5、邊偏移）2、PAD上護(hù)層開窗不良而蓋住PAD面積1/4以PAD開窗上者-拒收（且不得位丁中央焊線區(qū)）不良3、因開窗蝕刻錯位，使其超過PAC#圍上的N、P擴(kuò)散線-拒收4、開窗不足：開窗面積PAD3/4-接收PAD不良PAD損超過原來面積的10%*”HHMMHiiMSHrB*卜牛十=-*， *， *p!*m圖-/1、 護(hù)層CVDK積不良造成之麻點或紋路， 麻點或紋路密度足以影響底層判定者-拒收2、二次蝕刻不完全者造成晶粒上稀疏之斑點和紋路異常一允收QSAW1699系列型號發(fā)現(xiàn)有麻點都需要反饋客戶，其他型號產(chǎn)品按照右圖標(biāo)準(zhǔn)判定，后續(xù)如果發(fā)現(xiàn)有與標(biāo)準(zhǔn)圖片不一致的無法抉擇判定的可與客戶溝通后添加到標(biāo)準(zhǔn)中

6、。以上麻點不可接受INK1、INK大小訂為約46個PADSize之間或按的大小管控標(biāo)準(zhǔn)（最小要肉眼可見）A、2.0mm2以下標(biāo)準(zhǔn)為350mL100mB2.0-4.0mm2標(biāo)準(zhǔn)為400n150mC4.0mm標(biāo)準(zhǔn)為400ii2150pm2、INK高度在20pm以下目視有異常時請測量。Dieiim以下CVDK積不良-/墨跡INK中空區(qū)域不可超過INK包圍面積的50%1)2)墨跡（點）覆蓋丁晶粒表面上呈分散狀，不可崩散殘留在良品晶粒上超過1個PAE積（以總濺墨點合計,不含PAD區(qū)域）。晶粒表面上之墨點（跡），且有規(guī)則之外形，類似圓型或橢圓型狀總面積大丁1/4PAD面積一拒收（不含PAD區(qū)域）。墨跡殘留在PADff窗區(qū)域內(nèi)不可超過域的25%!不得位丁中央焊線區(qū)。PADff窗區(qū)PA%鋁路上不得有氣泡和突起物。1,、,2.空洞（破了3損）4,5,6,線路空洞（破損）空洞（破損）1/2線寬，拒收空洞（破損）1/2線寬，接收PADS洞（破損）空洞（破損）1/10PAD面積，拒收空洞