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文檔簡介

存儲器原理與接口DSVcc位線輸出位線浮柵管行線絕緣層絕緣層浮動(dòng)?xùn)叛┍雷⑷胧礁?dòng)?xùn)叛┍雷⑷胧組OS管管n編程編程n使柵極帶電n擦除擦除nEPROM芯片上方有一個(gè)石英玻璃窗口n當(dāng)一定光強(qiáng)的紫外線透過窗口照射時(shí)，所有存儲電路中浮柵上的電荷會形成光電流泄放掉，使浮柵恢復(fù)初態(tài)。n一般照射2030分鐘后，讀出各單元的內(nèi)容均為FFH，說明EPROM中內(nèi)容已被擦除。RAM靜態(tài)RAM（SRAM）動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）ROM掩膜型ROM可編程ROM（PROM）可擦除可編程ROM（EPROM）電可擦除可編程ROM（E2PROM)地地址址線線控制線控制線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線存儲體存儲體譯譯碼碼器器輸輸入入輸輸出出控控制制單譯碼結(jié)構(gòu)單譯碼結(jié)構(gòu)一一、8086CPU的管腳及功能的管腳及功能 8086是16位CPU。它采用高性能的N溝道，耗盡型負(fù)載的硅柵工藝(HMOS)制造。由于受當(dāng)時(shí)制造工藝的限制，部分管腳采用了分時(shí)復(fù)用的方式，構(gòu)成了40條管腳的雙列直插式封裝 5.3、8086CPU總線產(chǎn)生

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