模擬電路晶體三極管及其基本放大電路

1、信息技術(shù)學(xué)院模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第四章 晶體三極管及其基本放大電路信息技術(shù)學(xué)院第四章 晶體三極管及其基本放大電路4.1 4.1 晶體三極管晶體三極管4.2 4.2 放大電路的組成原則放大電路的組成原則4.3 4.3 放大電路的分析方法放大電路的分析方法4.4 4.4 晶體管放大電路的三種接法晶體管放大電路的三種接法4.5 4.5 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) （調(diào)到調(diào)到8.3.58.3.5后面）后面）信息技術(shù)學(xué)院4.1 4.1 晶體三極管一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號二、晶體管的放大原理二、晶體管的放大原理三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性

2、四、溫度對晶體管特性的影響四、溫度對晶體管特性的影響五、主要參數(shù)五、主要參數(shù)信息技術(shù)學(xué)院一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號多子濃度高多子濃度高多子濃度很多子濃度很低，且很薄低，且很薄面積大面積大晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個PN結(jié)。結(jié)。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管為什么有孔？為什么有孔？信息技術(shù)學(xué)院 一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號箭頭表示發(fā)射結(jié)加正向偏壓時，箭頭表示發(fā)射結(jié)加正向偏壓時，發(fā)射極電流的實際方向發(fā)射極電流的實際方向 硅管，發(fā)射結(jié)電壓硅管，發(fā)射結(jié)電壓0.60.7V鍺管，發(fā)射結(jié)電壓鍺管，發(fā)射結(jié)電壓0.20.3V信息技術(shù)學(xué)院二、晶體管的放大原理（集電結(jié)反偏），即（

3、發(fā)射結(jié)正偏）放大的條件BECECBonBE0uuuUu e區(qū)：摻雜濃度高區(qū)：摻雜濃度高 b區(qū)：很薄且多子濃度很低區(qū)：很薄且多子濃度很低 c區(qū)：面積大區(qū)：面積大外部條件外部條件內(nèi)部條件內(nèi)部條件信息技術(shù)學(xué)院二、晶體管的放大原理（集電結(jié)反偏），即（發(fā)射結(jié)正偏）放大的條件BECECBonBE0uuuUu 擴(kuò)散運動形成發(fā)射極電流擴(kuò)散運動形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運動形成基極，復(fù)合運動形成基極電流電流IB，漂移運動形成集電極電流，漂移運動形成集電極電流IC。少數(shù)載流少數(shù)載流子的運動子的運動因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使擴(kuò)散

4、到基因基區(qū)薄且多子濃度低，使擴(kuò)散到基區(qū)的電子（非平衡少子）中的極少數(shù)區(qū)的電子（非平衡少子）中的極少數(shù)與空穴復(fù)合與空穴復(fù)合因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴基區(qū)空穴的擴(kuò)散的擴(kuò)散信息技術(shù)學(xué)院()CNBNII常 數(shù)CCBOCNIIIBBNCBOIIIECNBNIII(1)(2)(3)(4)(2)+(3):(2)+(3):CBEIII由由(1)(1)得得: :CNBNII上式代入（上式代入（2 2）式：）式：CCBOBNIII由由(3)(3)得得: :BNBCBOIII代入上式：代入上式：(1)CBC

5、BOIIICBOBII CBIII ICNCN: :發(fā)射區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)到基區(qū)( (沒被復(fù)沒被復(fù)合合) )的自由電子的自由電子形成的電流形成的電流I IBNBN: :發(fā)射區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)到基區(qū)( (被復(fù)合被復(fù)合) )的自由電子形成的自由電子形成的電流的電流大量實驗證明大量實驗證明信息技術(shù)學(xué)院電流分配：電流分配：I IE EI IB BI IC CCBOCEOBCBC)(1 IIiiII穿透電流穿透電流集電結(jié)反向電流集電結(jié)反向電流直流電流直流電流放大系數(shù)放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)為什么基極開路集電極回路為什么基極開路集電極回路會有穿透電流？會有穿透電流？共共發(fā)射極發(fā)射極

6、放大電路，基極輸入，集電極輸出放大電路，基極輸入，集電極輸出CBEB,(1)IIII 大，表示只要基極電流有很小的變化，就可以控制集電極電流產(chǎn)生大的大，表示只要基極電流有很小的變化，就可以控制集電極電流產(chǎn)生大的變化，即電流放大作用好。變化，即電流放大作用好。3個電極的電流關(guān)系個電極的電流關(guān)系IEICIB 在近似分析時可認(rèn)為在近似分析時可認(rèn)為iBiCiE0;(1)BBNCBOBNCBOCNBNCEOCBOCNCBOBNCBOIIIIIIIIIIIII信息技術(shù)學(xué)院 BCII共共基極基極放大電路，發(fā)射極輸入，集電極輸出放大電路，發(fā)射極輸入，集電極輸出在近似分析時可認(rèn)為在近似分析時可認(rèn)為 ECECii

7、II，電流分配：電流分配：I IE EI IB BI IC C共基共基交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)共基共基直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)1 )1 ( BBECIIII信息技術(shù)學(xué)院放大的條件：放大的條件：發(fā)射結(jié)正向偏置發(fā)射結(jié)正向偏置集電結(jié)反向偏置集電結(jié)反向偏置NPN型：型：UCUBUEPNP型：型：UEUBUCPNP管管IE流進(jìn)流進(jìn)PNP管管IC流出流出PNP管管IB流出流出共共發(fā)射極發(fā)射極 PNP管管信息技術(shù)學(xué)院三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性CE)(BEBUufi 為什么為什么UCE增大曲線右移？增大曲線右移？ 對于小功率晶體管，對于小功率晶體管，UCE大于大于1V的一條輸入特性曲線

8、的一條輸入特性曲線可以取代可以取代UCE大于大于1V的所有輸入特性曲線。的所有輸入特性曲線。為什么像為什么像PN結(jié)的伏安特性？結(jié)的伏安特性？為什么為什么UCE增大到一定值曲線增大到一定值曲線右移就不明顯了？右移就不明顯了？1. 輸入特性信息技術(shù)學(xué)院2. 輸出特性B)(CECIufi 是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ?對應(yīng)于一個對應(yīng)于一個IB就有一條就有一條iC隨隨uCE變化的曲線。變化的曲線。 為什么為什么uCE較小時較小時iC隨隨uCE變變化很大？為什么進(jìn)入放大狀態(tài)化很大？為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？曲線幾乎是橫軸的平行線？飽和區(qū)飽

9、和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)BiCi常量CEBCUii不是不是 iB做等差變化做等差變化,iC也等差變化也等差變化 理想晶體管理想晶體管ICEO信息技術(shù)學(xué)院截止區(qū)：截止區(qū)：i iB B=0=0的曲線下方。的曲線下方。i iC C=I=ICEO CEO u uBEBE小于死區(qū)電壓小于死區(qū)電壓, , 為了可靠截止為了可靠截止，常使得常使得發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏。發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏。 輸出特性曲線的三個區(qū)域輸出特性曲線的三個區(qū)域:飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)放大區(qū)：放大區(qū)：i iC C平行于平行于u uCECE軸的區(qū)域，曲線軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時，基本平行等距。此時，發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)

10、射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。集電結(jié)反偏。飽和區(qū)：飽和區(qū)：i iC C明顯受明顯受u uCECE控制的區(qū)域，該控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，區(qū)域內(nèi)，u uCECEUces (Uces (飽和壓降飽和壓降) )。此。此時，時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。Uces硅管Uces0.3V,鍺管Uces0.1VI ICEOCEO穿透電流，當(dāng)基極開路（穿透電流，當(dāng)基極開路（I IB B=0=0）時，）時，c c極與極與e e極間形成的電流極間形成的電流I ICBOCBO是是e e極開路時，極開路時，c c極的反向飽和電流極的反向飽和電流信息技術(shù)學(xué)院晶體管的三個工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路

11、的電流晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅幾乎僅僅決定于輸入回路的電流決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為受電流，即可將輸出回路等效為受電流 iB 控制的電流源控制的電流源iC 。狀態(tài)狀態(tài)uBEiCuCE截止截止UonICEOVCC放大放大 UoniB uBE飽和飽和 UoniB uBE信息技術(shù)學(xué)院例例1 1：測量三極管三個電極對地電位如圖所示，：測量三極管三個電極對地電位如圖所示，試判斷三極管的工作狀態(tài)。試判斷三極管的工作狀態(tài)。 放大截止飽和信息技術(shù)學(xué)院例例2 2：用數(shù)字電壓表測得：用數(shù)字電壓表測得U UB B=4.5V=4.5V、U UE E=3.8V=3.8V

12、、U UC C=8V=8V，試判斷三極管的工作狀態(tài)。試判斷三極管的工作狀態(tài)。信息技術(shù)學(xué)院四、溫度對晶體管特性的影響B(tài)EBBBECEO )(uiiuIT不變時，即不變時信息技術(shù)學(xué)院1 1、溫度對、溫度對影響影響溫度升高，載流子運動速度加快，復(fù)合的電子減少，電流溫度升高，載流子運動速度加快，復(fù)合的電子減少，電流放大系數(shù)放大系數(shù)增大，輸出特性曲線上曲線間隔變寬，增大，輸出特性曲線上曲線間隔變寬，I IC C增大。增大。2 2、溫度對、溫度對I ICBOCBO影響影響溫度升高，少子數(shù)量增加，反向電流溫度升高，少子數(shù)量增加，反向電流I ICBOCBO增加，增加，I ICBOCBO增加使增加使I ICEO

13、CEO增加，增加，I IC C增大。增大。3 3、溫度對、溫度對U UBEBE影響影響溫度升高，載流子運動速度加快，外電場更容易克服內(nèi)電溫度升高，載流子運動速度加快，外電場更容易克服內(nèi)電場阻力，使開啟電壓降低。場阻力，使開啟電壓降低。對于相同對于相同I IB B，U UBEBE減小，使輸入特性曲線左移；減小，使輸入特性曲線左移；對于相同對于相同U UBEBE，I IB B增大，使增大，使I IC C增大。增大。(1)CEOCBOII信息技術(shù)學(xué)院五、主要參數(shù) 直流參數(shù)直流參數(shù)： 、 、ICBO、ICEOc-e間擊穿電壓間擊穿電壓最大集電最大集電極電流極電流最大集電極耗散功最大集電極耗散功率，率，

14、PCMiCuCE安全工作區(qū)安全工作區(qū) 交流參數(shù)：交流參數(shù)：、fT（使1的信號頻率：特征頻率） 極限參數(shù)極限參數(shù)：ICM、PCM、U(BR)CEOECII1ECii信息技術(shù)學(xué)院 ( (1)1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) UCECBII常數(shù)1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) 與與iC的關(guān)系曲線的關(guān)系曲線 信息技術(shù)學(xué)院(2)(2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) |CECUBii常數(shù)信息技術(shù)學(xué)院 (3) (3) 共基極直流電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù)CEII ( (4) 4) 共基極交流電流放大系數(shù)共基極交流電流放大系數(shù) 當(dāng)當(dāng)ICBO和和ICEO很小時，很小

15、時， 、 ，可以不加，可以不加區(qū)分。區(qū)分。CBCEUii常數(shù)信息技術(shù)學(xué)院 (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 極間反向電流極間反向電流ICEO (1) 集電極基極間反向飽和電流集電極基極間反向飽和電流ICBO 發(fā)射極開發(fā)射極開路時，集電結(jié)的反向飽和電流。路時，集電結(jié)的反向飽和電流。 即輸出特性曲線即輸出特性曲線IB=0那條曲線所對那條曲線所對應(yīng)的應(yīng)的Y坐標(biāo)的數(shù)值。坐標(biāo)的數(shù)值。 ICEO也稱為集電極也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。發(fā)射極間穿透電流。+bce-uAIe=0VCCICBO+bce-VCCICEOuA信息技術(shù)學(xué)院(

16、1) 集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICM(2) 集電極最大允許功率損耗集電極最大允許功率損耗PCMPCM= iCuCE 3. 極限參數(shù)極限參數(shù)確定型號晶體管，確定型號晶體管，PCM= ICUCE是一個常數(shù)，在輸出特性坐標(biāo)平面是一個常數(shù)，在輸出特性坐標(biāo)平面中為雙曲線中的一條中為雙曲線中的一條使使值明顯減小的值明顯減小的IC，即為，即為ICM信息技術(shù)學(xué)院(3) 反向擊穿電壓反向擊穿電壓 U(BR)CBO-發(fā)射極開路時的集電結(jié)的反向發(fā)射極開路時的集電結(jié)的反向擊穿電壓。擊穿電壓。 U(BR) EBO-集電極開路時發(fā)射結(jié)的反向集電極開路時發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓。擊穿電壓。 U(BR)CEO-基極開

17、路時集電極和發(fā)射極間基極開路時集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。的擊穿電壓。幾個擊穿電壓有如下關(guān)系幾個擊穿電壓有如下關(guān)系 U(BR)CBOU(BR)CEOU(BR) EBO信息技術(shù)學(xué)院討論一由圖示特性求出由圖示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、。CECCMuiP2.7CEBCUii小功率管小功率管uCE=1V時的時的iC就是就是ICMU(BR)CEO信息技術(shù)學(xué)院4.2 放大電路的組成原則一、基本共射放大電路的工作原理一、基本共射放大電路的工作原理二、如何組成放大電路二、如何組成放大電路信息技術(shù)學(xué)院一、基本共射放大電路的工作原理VBB、Rb：使：使UBE Uon，且有，且有合適的合適的IB

18、。VCC：使：使UCEUBE，同時作為負(fù)，同時作為負(fù)載的能源。載的能源。Rc：將：將iC轉(zhuǎn)換成轉(zhuǎn)換成uCE(uO) 。)( oCECBIcuuuiiuR動態(tài)信號作用時：動態(tài)信號作用時： 輸入電壓輸入電壓ui為零時，晶體管各極的電流、為零時，晶體管各極的電流、b-e間的電壓、管間的電壓、管壓降稱為靜態(tài)工作點壓降稱為靜態(tài)工作點Q，記作，記作IBQ、ICQ(IEQ)、UBEQ、 UCEQ。共射共射1. 電路的組成及各元件的作用近似分析中近似分析中 UBEQ已知，硅管已知，硅管0.6 0.8取取0.7V，鍺管，鍺管0.1 0.3取取0.2V信息技術(shù)學(xué)院2. 設(shè)置靜態(tài)工作點的必要性 輸出電壓必然失真！輸

19、出電壓必然失真！ 設(shè)置合適的靜態(tài)工作點，使設(shè)置合適的靜態(tài)工作點，使ui整個周期內(nèi)均工作在放大狀整個周期內(nèi)均工作在放大狀態(tài)，輸出不產(chǎn)生失真。態(tài)，輸出不產(chǎn)生失真。Q點幾乎影響著所有的動態(tài)參數(shù)！點幾乎影響著所有的動態(tài)參數(shù)！ 為什么放大的對象是動態(tài)信號，卻要晶體管在信號為零為什么放大的對象是動態(tài)信號，卻要晶體管在信號為零時有合適的直流電流和極間電壓？時有合適的直流電流和極間電壓？ 假設(shè)假設(shè)VBB=0，則，則ui=0時，時，IBQ=0，ICQ=0故故UCEQ=VCC，輸入信號輸入信號ui將直接加將直接加在在T的輸入回路。當(dāng)?shù)妮斎牖芈?。?dāng)ui峰值峰值UBEQ時，時，bCCBQRVI已知：已知：VCC12V

20、，Rc3k Rb600k，100。 Q？阻容耦合共射放大電路阻容耦合共射放大電路信息技術(shù)學(xué)院等效電路法：等效電路法：半導(dǎo)體器件的非線性特性使放大電路的分析復(fù)半導(dǎo)體器件的非線性特性使放大電路的分析復(fù)雜化。利用線性元件建立模型，來描述非線性器件的特性。雜化。利用線性元件建立模型，來描述非線性器件的特性。Q點的分析：點的分析：直流等效模型理想二極管理想二極管利用估算法求解靜態(tài)工作點，實質(zhì)上利用了直流等效模型利用估算法求解靜態(tài)工作點，實質(zhì)上利用了直流等效模型cCQCEQBQCQbBEQBBBQ RIVUIIRUVICC輸入回路等效為輸入回路等效為恒壓源恒壓源輸出回路等效為電流控制的電流源輸出回路等效為

21、電流控制的電流源晶體管輸入特性折線化晶體管輸入特性折線化基本共射放大電路基本共射放大電路三極管三極管b-e、c-e間的非線性特性用間的非線性特性用線性元件等效。線性元件等效。信息技術(shù)學(xué)院2.用圖解法確定靜態(tài)值(1/2) (1)(1)列輸入回路方程列輸入回路方程首先，畫出直流通路首先，畫出直流通路在輸入回路確定在輸入回路確定IBQ，UBEQBEBBBbuVi RbBBBBEBEB 0 0 RViuVuiBB時，當(dāng)時，當(dāng)輸入回路輸入回路負(fù)載線負(fù)載線QIBQUBEQ(2)(2)確定兩個特殊點，畫輸入回路確定兩個特殊點，畫輸入回路負(fù)載線，與輸入特性曲線交點為負(fù)載線，與輸入特性曲線交點為Q點點方法：方法

22、：信息技術(shù)學(xué)院cCCCCERiVuIBQQICQUCEQ直流負(fù)載線直流負(fù)載線2.用圖解法確定靜態(tài)值(2/2)(1)(1)列輸出回路方程（直流負(fù)載線）列輸出回路方程（直流負(fù)載線）在輸出回路確定在輸出回路確定 ICQ，UCEQcCCCCECCCEC 0 0 RViuVui時，當(dāng)時，當(dāng)斜率斜率-1/Rc(2)(2)確定兩個特殊點，畫輸出回路直確定兩個特殊點，畫輸出回路直流負(fù)載線，與輸出特性流負(fù)載線，與輸出特性IBQ對應(yīng)曲線交對應(yīng)曲線交點為點為Q點點方法：方法：信息技術(shù)學(xué)院1. Rc 對對Q點的影響點的影響減小減小R Rc c阻值，阻值，R Rc c1/1/R Rc cV VCCCC/ /R Rc c

23、負(fù)載線負(fù)載線與曲線的交點右移。與曲線的交點右移。iC (mA)QuCE (V)MVCC(L)0IB = 60AIB = 50AIB = 40AIB = 30AIB = 20AIB = 10AQ1CCCVR電路參數(shù)對輸出特性上Q點的影響cCCCCERiVu信息技術(shù)學(xué)院 2. Rb對對Q點的影響點的影響 1 1）R Rb b1/1/R Rb bV VBBBB/ /R Rb b靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點上移（飽和區(qū)）。上移（飽和區(qū)）。 2 2）R Rb b靜態(tài)工作點下移（截止區(qū)）。靜態(tài)工作點下移（截止區(qū)）。uBE (V)iB (A)0QVBBQ2VBB/ RbBEBBBbuVi R電路參數(shù)對輸出特性上Q點

24、的影響信息技術(shù)學(xué)院3. VCC對靜態(tài)工作點對靜態(tài)工作點Q的影響的影響VCC1減小為減小為VCC2，靜態(tài)工作點由，靜態(tài)工作點由Q1左偏下移至左偏下移至Q21CCCVRBI2Q1QCiCEu2CCCVR2CCV1CCV電路參數(shù)對輸出特性上Q點的影響cCCCCERiVu信息技術(shù)學(xué)院 晶體管在小信號晶體管在小信號( (微變量微變量) )情況下工作時，可以在靜態(tài)工作情況下工作時，可以在靜態(tài)工作點點（Q Q點）點）附近的小范圍內(nèi)用直線段近似地代替三極管的特附近的小范圍內(nèi)用直線段近似地代替三極管的特性曲線，三極管就可以等效為一個線性元件。這樣就可以將性曲線，三極管就可以等效為一個線性元件。這樣就可以將非線性

25、元件晶體管所組成的放大電路等效為一個線性電路。非線性元件晶體管所組成的放大電路等效為一個線性電路。晶體管晶體管微變微變等效條件等效條件研究的對象僅僅是研究的對象僅僅是變化量變化量信號的信號的變化范圍很小變化范圍很小 三、動態(tài)分析在靜態(tài)工作點在靜態(tài)工作點（Q點）附近點）附近三極管三極管放大電路放大電路線性化線性化微變等微變等效（線性化）效（線性化）1. 微變等效電路法信息技術(shù)學(xué)院晶體管的晶體管的h參數(shù)等效模型（參數(shù)等效模型（交流等效模型） 在交流通路中可將晶體管看成為一個在交流通路中可將晶體管看成為一個二端口網(wǎng)絡(luò)，輸入回路、輸出回路各為二端口網(wǎng)絡(luò)，輸入回路、輸出回路各為一個端口。用網(wǎng)絡(luò)的一個端口

26、。用網(wǎng)絡(luò)的h h參數(shù)來描述輸入、參數(shù)來描述輸入、輸出的相互關(guān)系，得到的電路稱為交流輸出的相互關(guān)系，得到的電路稱為交流等效模型，只適用于小信號變化量作用等效模型，只適用于小信號變化量作用時，故又稱為微變等效電路。時，故又稱為微變等效電路。)()(CEBCCEBBEuifiuifu，低頻小信號模型低頻小信號模型信息技術(shù)學(xué)院ce22b21cce12b11be UhIhIUhIhU在低頻、小信號作用下在低頻、小信號作用下uBE和和iC的變化部分就是全微分形式：的變化部分就是全微分形式：CECECBBCCCECEBEBBBEBEddddddBCEBCEuuiiiiiuuuiiuuIUIU交流等效模型（按

27、式子畫模型）交流等效模型（按式子畫模型）電阻電阻無量綱無量綱無量綱無量綱電導(dǎo)電導(dǎo)三極管三極管b-e、c-e間的非間的非線性特性用線性元件進(jìn)線性特性用線性元件進(jìn)行等效。行等效。信息技術(shù)學(xué)院h參數(shù)的物理意義：參數(shù)的物理意義：beBBE11CEriuhUBCEBE12IuuhCEBC21Uiihb-e間的間的動態(tài)電阻動態(tài)電阻內(nèi)反饋內(nèi)反饋系數(shù)系數(shù)電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)分清主次，合理近似！什么情況下分清主次，合理近似！什么情況下h12和和h22的作用可忽略不計？的作用可忽略不計？輸出回路電壓輸出回路電壓對輸入回路電對輸入回路電壓的影響壓的影響c-e間動態(tài)間動態(tài)電阻電阻rceBC22CE1Iceihur

28、c-e間的電導(dǎo)間的電導(dǎo)信息技術(shù)學(xué)院簡化的簡化的h h參數(shù)等效電路參數(shù)等效電路 交流等效模型b be eT Tb be eb bb bb be eb bb bE EQ Qb b (1)UUrrrrII查閱手冊查閱手冊基區(qū)體電阻基區(qū)體電阻發(fā)射結(jié)電阻發(fā)射結(jié)電阻發(fā)射區(qū)體電阻發(fā)射區(qū)體電阻數(shù)值小可忽略數(shù)值小可忽略利用利用PN結(jié)的電流方程可求得結(jié)的電流方程可求得由由IEQ算出算出在輸入特性曲線上，在輸入特性曲線上，Q點越高，點越高，rbe越??！越小！ 晶體管工作在放大區(qū)時，內(nèi)反饋晶體管工作在放大區(qū)時，內(nèi)反饋h12可忽略不計，可忽略不計，rce通常在幾百幾千歐以上通常在幾百幾千歐以上，h22的作用忽略不計。的

29、作用忽略不計。信息技術(shù)學(xué)院a.a.晶體管的微變等效電路晶體管的微變等效電路當(dāng)輸入信號比較小時，當(dāng)輸入信號比較小時，b-eb-e可以進(jìn)可以進(jìn)一步用它的小信號電路模型代替，一步用它的小信號電路模型代替，其微變電阻其微變電阻為為r rbebe1. 微變等效電路法bebbebbEQ(1)(1)TUrrrrIbeEQ26(mV)300(1)(mA)rI當(dāng) 0.1mA IEQ 5mA時IEQ為靜態(tài)時的發(fā)射極電流為靜態(tài)時的發(fā)射極電流mA，UT稱為溫度稱為溫度 電壓當(dāng)量，常溫下取值電壓當(dāng)量，常溫下取值26(mV)rbb稱為晶體管的基區(qū)體電阻，可查手冊得到，近似取值稱為晶體管的基區(qū)體電阻，可查手冊得到，近似取值

30、200或或300歐歐與與Q點點有關(guān)有關(guān)信息技術(shù)學(xué)院基本共射基本共射放大電路放大電路微變等效電路微變等效電路b. 放大電路的微變等效電路放大電路的微變等效電路(交流等效電路交流等效電路)(1/2)放大電路微變等效電路放大電路微變等效電路-由放大電路的交流通路由放大電路的交流通路+晶體管的微變等效電路得出晶體管的微變等效電路得出畫交流通路的原則畫交流通路的原則：（1）對一定頻率范圍內(nèi)的交流信號，大容量電容（如耦合電容）對一定頻率范圍內(nèi)的交流信號，大容量電容（如耦合電容）可視為短路；可視為短路；（2）內(nèi)阻很小的直流電壓源（如）內(nèi)阻很小的直流電壓源（如Vcc）可認(rèn)為短路，內(nèi)阻很大的）可認(rèn)為短路，內(nèi)阻很

31、大的電流源視為開路。電流源視為開路。 信息技術(shù)學(xué)院交流通路交流通路b. 放大電路的微變等效電路放大電路的微變等效電路(2/2)阻容耦合共射阻容耦合共射放大放大電路微變等效電路電路微變等效電路信息技術(shù)學(xué)院根據(jù)根據(jù)則電壓增益為則電壓增益為bibeUI rcocLbcLbL(/)(/)UIRRIRRI R oLubeiURArU LcL/RRR輸出電壓與輸入電壓相位相反輸出電壓與輸入電壓相位相反求電壓放大倍數(shù)求電壓放大倍數(shù)（電壓增益）電壓增益）c. 放大電路交流性能指標(biāo)計算放大電路交流性能指標(biāo)計算-動態(tài)分析動態(tài)分析(Au、Ri、Ro)阻容耦合共射放大電路阻容耦合共射放大電路信息技術(shù)學(xué)院 求輸入電阻求

32、輸入電阻Ri是放大電路的輸入電阻，也是信是放大電路的輸入電阻，也是信號源的負(fù)載電阻，也就是從放大電號源的負(fù)載電阻，也就是從放大電路輸入端看進(jìn)去的交流等效電阻。路輸入端看進(jìn)去的交流等效電阻。如果如果Ri小，則：小，則：1.放大電路將從信號源取用較大電流，增加信號源的負(fù)擔(dān)；放大電路將從信號源取用較大電流，增加信號源的負(fù)擔(dān)；2.經(jīng)過信號源內(nèi)阻經(jīng)過信號源內(nèi)阻Rs和和Ri分壓，實際加到分壓，實際加到Ri上的電壓上的電壓ui減小減小,從而減小了從而減小了uo通常希望通常希望Ri高一些高一些iibbei/URRrI輸入電阻輸入電阻中不應(yīng)含中不應(yīng)含有有Rs!信息技術(shù)學(xué)院 求輸出電阻求輸出電阻0b I0b I

33、Ro = Rc 所以所以SLo0URURIRo是放大電路的輸出電阻，求是放大電路的輸出電阻，求等效輸出電阻時，用外加電源等效輸出電阻時，用外加電源法：獨立電源置法：獨立電源置0，負(fù)載斷開，負(fù)載斷開放大電路對負(fù)載（或后級放大電路）來說，相當(dāng)于一信號源，放大電路對負(fù)載（或后級放大電路）來說，相當(dāng)于一信號源，其內(nèi)阻即為放大電路的輸出電阻其內(nèi)阻即為放大電路的輸出電阻RoS0U通常希望通常希望Ro低一些低一些因為如果因為如果Ro較大（相當(dāng)于信號源內(nèi)阻大），當(dāng)負(fù)載變化時，輸出電壓的較大（相當(dāng)于信號源內(nèi)阻大），當(dāng)負(fù)載變化時，輸出電壓的變化就大，即放大電路帶負(fù)載能力較差。變化就大，即放大電路帶負(fù)載能力較差。輸

34、出電阻中輸出電阻中不應(yīng)含有不應(yīng)含有RL!信息技術(shù)學(xué)院ooLoLoURRRUv 當(dāng)RoRL的條件，則輸出信號的條件，則輸出信號電流電流 。當(dāng)。當(dāng)RL在較大范圍內(nèi)變化時，就可維持輸在較大范圍內(nèi)變化時，就可維持輸出信號電流出信號電流 的恒定。的恒定。oooo/ RUIoI帶負(fù)載能力：帶負(fù)載能力：放大器在不同負(fù)載條件下維持輸出信號電壓放大器在不同負(fù)載條件下維持輸出信號電壓（或電流）恒定的能力。（或電流）恒定的能力。關(guān)于輸出電阻關(guān)于輸出電阻Ro (看做一信號源內(nèi)阻看做一信號源內(nèi)阻)：設(shè)設(shè)UOO為信號源空載電壓為信號源空載電壓信息技術(shù)學(xué)院交流通路交流通路)()(bebbbebiirRIrRIUo oc c

35、c cb bc cUI RI R bebcio rRRUUAui iibbeibbei iURRrIcoRR 放大電路的放大電路的微變等效電路微變等效電路基本共射放大電路：基本共射放大電路：c. 放大電路交流性能指標(biāo)計算放大電路交流性能指標(biāo)計算-動態(tài)分析動態(tài)分析(Au、Ri、Ro)T Tb be eb bb bE EQ Q(1)UrrI信息技術(shù)學(xué)院 微變等效電路法的步驟微變等效電路法的步驟( (歸納歸納) )1. 首先利用近似估算法或圖解法確定放大電路的靜態(tài)首先利用近似估算法或圖解法確定放大電路的靜態(tài)工作點工作點 Q 。2. 求出靜態(tài)工作點處的微變等效電路參數(shù)求出靜態(tài)工作點處的微變等效電路參數(shù)

36、rbe， 已知已知。3. 畫出放大電路的微變等效電路?？上犬嫵龇糯箅娐樊嫵龇糯箅娐返奈⒆兊刃щ娐??？上犬嫵龇糯箅娐返慕涣魍?，然后將三極管換成其微變等效電路即可。的交流通路，然后將三極管換成其微變等效電路即可。4. 列出電路方程，求解動態(tài)參數(shù)列出電路方程，求解動態(tài)參數(shù)Au、Ri、Ro。信息技術(shù)學(xué)院C CE EC CC CC CcuVi RouiuAua. 電壓放大倍數(shù)的分析電壓放大倍數(shù)的分析符號為“”。反相，與給定uuAuuuuAuuiiuIOIOOCECBI)(B BE EB BB BB Bb buVi RIuBBQBiIICiCEu斜率不變斜率不變2. 圖解法bBIBBBERiuVu圖解法

37、作圖精度低，過程復(fù)雜，定性分析。圖解法作圖精度低，過程復(fù)雜，定性分析。基本共射放大電路空載：交流負(fù)載線與直流負(fù)載線重合基本共射放大電路空載：交流負(fù)載線與直流負(fù)載線重合信息技術(shù)學(xué)院tb. 失真分析失真分析截止失真：截止失真：截止失真是在輸入回路首先產(chǎn)生失真截止失真是在輸入回路首先產(chǎn)生失真消除方法：增大消除方法：增大VBB，即向上平移輸入回路負(fù)載線。，即向上平移輸入回路負(fù)載線。減小減小Rb能消除截止失真嗎？能消除截止失真嗎？可以。可以。 RbIBQQQ點過低，因點過低，因晶體管截止而晶體管截止而產(chǎn)生的失真產(chǎn)生的失真信息技術(shù)學(xué)院最大不失真輸出電壓：不失真的情況下能夠輸出的最大電壓，通常用有效值最大不

38、失真輸出電壓：不失真的情況下能夠輸出的最大電壓，通常用有效值Uom來表示。來表示。飽和失真：飽和失真是輸出回路產(chǎn)生失真飽和失真：飽和失真是輸出回路產(chǎn)生失真消除方法：消除方法：增大增大Rb，減小，減小Rc，減小，減小，減小，減小VBB，增大，增大VCC。 Q QRb或或或或VBB Rc或或VCC這可不是這可不是好辦法！好辦法！Q點過高，因點過高，因晶體管飽和而晶體管飽和而產(chǎn)生的失真產(chǎn)生的失真UCES信息技術(shù)學(xué)院iC 、 uCE ( (uo ) )波形失真總結(jié)：波形失真總結(jié)：1、共射電路輸出波形共射電路輸出波形頂頂部失真時：部失真時： 對對NPN管，是截止失真；對管，是截止失真；對PNP管，是飽和

39、失真管，是飽和失真2、共射電路共射電路輸出波形輸出波形底底部失真時：部失真時： 對對NPN管，是飽和失真；對管，是飽和失真；對PNP管，是截止失真管，是截止失真波形失真在頂部還是底部，與是什么放大電路也有關(guān)。波形失真在頂部還是底部，與是什么放大電路也有關(guān)。比如：比如：NPN管，同是削底，共射電路是飽和失真，共集電極電路則是截止失管，同是削底，共射電路是飽和失真，共集電極電路則是截止失真。真。若若(UCEQUCES) (VCCUCEQ)：輸入信號增大時先出現(xiàn)截止失真；：輸入信號增大時先出現(xiàn)截止失真；若若(UCEQUCES) = (VCCUCEQ)：電路的最大不失真輸出電壓最大。：電路的最大不失真

40、輸出電壓最大。不產(chǎn)生飽和失真輸出電壓最大幅值：不產(chǎn)生飽和失真輸出電壓最大幅值：(UCEQUCES)不產(chǎn)生截止失真輸出電壓最大幅值：不產(chǎn)生截止失真輸出電壓最大幅值：(VCCUCEQ)最大不失真輸出電壓最大不失真輸出電壓Uom(有效值有效值)：比較：比較(UCEQUCES)與與(VCCUCEQ)，取其小，取其小者，除以者，除以 。2信息技術(shù)學(xué)院討論一：基本共射基本共射放大電路帶負(fù)載情況下的靜態(tài)分析和動態(tài)分析放大電路帶負(fù)載情況下的靜態(tài)分析和動態(tài)分析S S81.5occLScLUUVR RRkRR負(fù)載負(fù)載R RL L上有直流電流，對靜態(tài)工作點有影響上有直流電流，對靜態(tài)工作點有影響戴維南等效電路戴維南等

41、效電路直流通路直流通路討論：負(fù)載對放大電路靜態(tài)分析和動態(tài)分析的影響：負(fù)載對放大電路靜態(tài)分析和動態(tài)分析的影響信息技術(shù)學(xué)院討論一：基本共射基本共射放大電路帶負(fù)載情況下的靜態(tài)分析和動態(tài)分析放大電路帶負(fù)載情況下的靜態(tài)分析和動態(tài)分析20080bbrQIBQ35AUBEQ0.65VCQBQCQBQCEQCQCEQCQmAmAV V2.83.8CCcIIUVIRB BE EB BB BB BbuVi R信息技術(shù)學(xué)院討論一：基本共射基本共射放大電路帶負(fù)載情況下的靜態(tài)分析和動態(tài)分析放大電路帶負(fù)載情況下的靜態(tài)分析和動態(tài)分析k3coRRc cL Lb bb be e()11uRRARr 952)1 (EQTbbbe

42、IUrr20080bbrk11bebirRR微變等效電路微變等效電路bebcio rRRUUAu空載空載信息技術(shù)學(xué)院討論二：阻容耦合阻容耦合共射放大電路共射放大電路直流負(fù)載線和交流負(fù)載線直流負(fù)載線和交流負(fù)載線c cc cL Lc cL L(/)ceouui RRi R 動態(tài)分析時，負(fù)載動態(tài)分析時，負(fù)載R RL L對輸出對輸出電壓有影響，輸出回路負(fù)載電壓有影響，輸出回路負(fù)載線斜率改變線斜率改變交流負(fù)載線是實際輸入交流信號作用下，集電交流負(fù)載線是實際輸入交流信號作用下，集電極電路極電路iC變化引起變化引起uCE變化的軌跡，實際工作點變化的軌跡，實際工作點的運動軌跡。的運動軌跡。交流負(fù)載方程交流負(fù)載

43、方程疊加直流后實際交流負(fù)載線方程疊加直流后實際交流負(fù)載線方程()/CECEQCCQcLuUiIRR 信息技術(shù)學(xué)院交流負(fù)載線應(yīng)過交流負(fù)載線應(yīng)過Q點，且點，且斜率為斜率為-1/(RcRL)。BRILCQcCCCCERiVu()/CECEQCCQcLuUiIRR 當(dāng)電路空載，當(dāng)電路空載，RL=時，交流負(fù)載時，交流負(fù)載線才與直流負(fù)載線重合線才與直流負(fù)載線重合討論二：阻容耦合阻容耦合共射放大電路直流負(fù)載線和交流負(fù)載線共射放大電路直流負(fù)載線和交流負(fù)載線信息技術(shù)學(xué)院直流負(fù)載線和交流負(fù)載線不重合直流負(fù)載線和交流負(fù)載線不重合Uom=? Q點在什么位置點在什么位置Uom最大？最大？UR=UCEQ-UCES 對于小

44、功率硅管，對于小功率硅管，UCES一一般取般取0.51V。(a)受飽和失真限制受飽和失真限制 求求UR(b)受截止失真限制受截止失真限制 求求UFCQFCQLL1/IUIRR/1tanLQMMFRCQLCEQCESFRommin,min,22IR UUU UU信息技術(shù)學(xué)院放大電路的分析放大電放大電路分析路分析靜態(tài)分析靜態(tài)分析動態(tài)分析動態(tài)分析確定靜態(tài)工作點確定靜態(tài)工作點Q(IBQ、ICQ、UCEQ)確定電壓放大倍數(shù)確定電壓放大倍數(shù)Au、輸入電阻、輸入電阻Ri、輸、輸出電阻出電阻Ro等等放大電路放大電路工作狀態(tài)工作狀態(tài)靜態(tài)靜態(tài)動態(tài)動態(tài)沒有輸入沒有輸入信號時的信號時的有輸入信有輸入信號號ui時的時的

45、1.估算法估算法2.圖解法圖解法1.微變等效微變等效電路法電路法2.圖解法圖解法信息技術(shù)學(xué)院解解（1 1）求）求Q Q點，作直流通路點，作直流通路VRIVUmAIIuAKRUVI424124)40(10040300)7 . 0(12cCCCCEBCbBECCB（1 1）試求該電路的靜態(tài)工作點；試求該電路的靜態(tài)工作點；（2 2）畫出簡化的小信號等效電路；）畫出簡化的小信號等效電路；（3 3）求該電路的電壓增益）求該電路的電壓增益A Au u，輸入輸入電阻電阻R Ri i、輸出電阻輸出電阻R Ro o。例例 如圖，已知如圖，已知BJTBJT的的=100=100，U UBEBE=-0.7V=-0.7

46、V。信息技術(shù)學(xué)院（2 2）畫出小信號等效電路）畫出小信號等效電路信息技術(shù)學(xué)院（3 3）求電壓增益求電壓增益b be eE EQ Qm mV Vm mA A26()200(1)()26200 (1 100)8654rIo oc cc cL Lb bb be eb bc cL Lc cL Lb bb be eb be e(/)(/)(/)155.6uiUIRRAUIrIRRRRIrr RbviRcRLiVbIcIOVbIU Ui iU Uo o信息技術(shù)學(xué)院（4 4）求輸入電阻求輸入電阻（5 5）求輸出電阻）求輸出電阻i ii ib bb be ei i/865URRrI2ocRRk信息技術(shù)學(xué)院源電

47、壓放大倍數(shù)（信號源有內(nèi)阻時）源電壓放大倍數(shù)（信號源有內(nèi)阻時）Ri為放大電路的輸入電阻為放大電路的輸入電阻放大電路對信號源放大電路對信號源(或前級放或前級放大電路大電路)來說是一負(fù)載，可用來說是一負(fù)載，可用一電阻一電阻Ri等效代替等效代替uuARRRUUUUUUAisiiosisosi ii is ss si iRUURRo oi iuUAUo os ss suUAU求求信息技術(shù)學(xué)院4.4 晶體管放大電路的三種接法一、靜態(tài)工作點穩(wěn)定的共射放大電路一、靜態(tài)工作點穩(wěn)定的共射放大電路二、基本共集放大電路二、基本共集放大電路三、基本共基放大電路三、基本共基放大電路四、三種接法的比較四、三種接法的比較信息

48、技術(shù)學(xué)院一、靜態(tài)工作點穩(wěn)定的共射放大電路 所謂所謂Q點穩(wěn)定，是指點穩(wěn)定，是指ICQ和和UCEQ在溫度變化時基本不變，在溫度變化時基本不變，這是靠這是靠IBQ的變化得來的。的變化得來的。 若溫度升高時要若溫度升高時要Q回到回到Q，則只有減小則只有減小IBQ。T（ ）ICQQICEO若若UBEQ不變不變IBQQ1.溫度對靜態(tài)工作點的影響信息技術(shù)學(xué)院2.靜態(tài)工作點穩(wěn)定的典型電路 直流通路？直流通路？（1 1）電路組成）電路組成分壓式射極偏置電路分壓式射極偏置電路偏置電阻偏置電阻Rb1、Rb2 分壓電阻，保證分壓電阻，保證UB恒定。恒定。射極電阻射極電阻Re 把輸出端把輸出端IC的變的變化引回輸入端，

49、與化引回輸入端，與UB比較，使比較，使IB產(chǎn)生相應(yīng)的變化。產(chǎn)生相應(yīng)的變化。Ce為為射極射極旁路電容，在交流通路中可視為旁路電容，在交流通路中可視為短路短路 保證保證Re不影響交流參數(shù)。不影響交流參數(shù)。信息技術(shù)學(xué)院CCb21b1bBQVRRRU（2 2）穩(wěn)定原理）穩(wěn)定原理 為了穩(wěn)定為了穩(wěn)定Q點，通常點，通常I1 IB，即，即I1 I2；因此；因此基本不隨溫度變化。基本不隨溫度變化。 一般對硅管，取一般對硅管，取I1=(510)IBQ UBQ=(510)UBEQT()ICQ IEQ UEQ (IEQRe)UBEQ(UB基本不變基本不變) IBQ ICQ 這種電路穩(wěn)定工作點的過程：這種電路穩(wěn)定工作點

50、的過程：信息技術(shù)學(xué)院Re 的的作用：作用：T()ICUE UBE（UB基本不變）基本不變） IB IC Re起直流負(fù)反饋作用，其值越大，反饋越強(qiáng)，起直流負(fù)反饋作用，其值越大，反饋越強(qiáng)，Q點越穩(wěn)定。點越穩(wěn)定。關(guān)于反饋的一些概念：關(guān)于反饋的一些概念： 將輸出量通過一定的方式引回輸入回路影響輸入量的措將輸出量通過一定的方式引回輸入回路影響輸入量的措施稱為反饋。施稱為反饋。 直流通路中的反饋稱為直流反饋。直流通路中的反饋稱為直流反饋。 反饋的結(jié)果使輸出量的變化減小的稱為負(fù)反饋，反之稱反饋的結(jié)果使輸出量的變化減小的稱為負(fù)反饋，反之稱為正反饋。為正反饋。IC通過通過Re轉(zhuǎn)換為轉(zhuǎn)換為UE影響影響UBE溫度升

51、高溫度升高IC增大，反饋的結(jié)果使之減小增大，反饋的結(jié)果使之減小信息技術(shù)學(xué)院（3 3）Q 點分析點分析eEQBEQbBQBBRIURIV方法方法1 1：戴維南等效電路法：戴維南等效電路法- -從基極和從基極和地之間用戴維南定理等效。地之間用戴維南定理等效。12/bbbRRR112bBBCCbbRVVRR(1)BBBEQBQbeVUIRRCQBQIIC CC CC CQ Qc cE EQ Qe e()CEQCCCQceUVIRIRVIRR信息技術(shù)學(xué)院方法方法2：估算法：估算法-由于電路設(shè)計時，由于電路設(shè)計時，應(yīng)保證應(yīng)保證I1 IBQ，即，即I1 I2即即Rb1和和Rb2近似串聯(lián)，則近似串聯(lián)，則eB

52、EQBQEQCCb21b1bBQRUUIVRRRU)( ecEQCCeEQcCQCCCEQRRIVRIRIVU1EQBQII信息技術(shù)學(xué)院比較方法比較方法1和方法和方法2的結(jié)果，你能得出什么結(jié)論？的結(jié)果，你能得出什么結(jié)論？(1)BQBEQBQeUUIR12/(1)BBBEQBQbbeVUIRRR方法方法1方法方法2 當(dāng)當(dāng)(1+)ReRb時，兩式相同，估算法是戴維南等效電路法時，兩式相同，估算法是戴維南等效電路法的一種近似，估算法較簡便，但必須滿足近似條件的一種近似，估算法較簡便，但必須滿足近似條件（IRb1IBQ）方可使用。）方可使用。BBBQVU信息技術(shù)學(xué)院（4 4）動態(tài)分析）動態(tài)分析o oi

53、beibebebe( ()cLuLURRAUrRr beb2b1irRRRcoRR 有有旁旁路路電電容容Ce時時信息技術(shù)學(xué)院ee)1 ( )( beLebebLcbioRrRRIrIRRIUUAu利利?弊弊?eLbee)1 (RRArRu，則若無無旁旁路路電電容容Ce時時雖雖Re使使Au減小，但減小，但Au僅取決于電阻值，僅取決于電阻值，不受溫度影響，溫度穩(wěn)定性好不受溫度影響，溫度穩(wěn)定性好o oL Li ib be e uURAUr 比較比較（4 4）動態(tài)分析）動態(tài)分析信息技術(shù)學(xué)院i ib b1 1b b2 2b be ee ei12r R R(1)bbRRRrR（4 4）動態(tài)分析）動態(tài)分析r

54、iiuii+-i(1) r(1)ibeebibbeeurR iiirRcoRR 輸入電阻、輸出電阻輸入電阻、輸出電阻信息技術(shù)學(xué)院3.穩(wěn)定靜態(tài)工作點的方法 引入直流負(fù)反饋引入直流負(fù)反饋 溫度補(bǔ)償：利用對溫度敏溫度補(bǔ)償：利用對溫度敏感的元件，在溫度變化時感的元件，在溫度變化時直接影響輸入回路。直接影響輸入回路。 例如，例如，Rb1或或Rb2采用熱采用熱敏電阻。敏電阻。 它們的溫度系它們的溫度系數(shù)？數(shù)？(負(fù)負(fù))Bb1CBBEEC )(URIIUUIT 信息技術(shù)學(xué)院二、基本共集放大電路eEQCEQCCeEQBEQbBQBBRIUVRIURIVeEQCCCEQBQEQebBEQBBBQ)1 ()1 (R

55、IVUIIRRUVI1.靜態(tài)分析直流通路直流通路信息技術(shù)學(xué)院2.動態(tài)分析：電壓放大倍數(shù)：電壓放大倍數(shù)ebebeeebebbeeio)1 ()1 ( )(RrRRRIrRIRIUUAu。，即，則）若（ 1 1iobebeUUArRRu故稱之為射故稱之為射極跟隨器極跟隨器Uo Ui微變等效電路微變等效電路信息技術(shù)學(xué)院2.動態(tài)分析：輸入電阻的分析：輸入電阻的分析b bb bb be eb be ei ii ii ii ib bb bb bb be ee e()(1)(1)IRrI RUURIIIRrRRi與負(fù)載有關(guān)！與負(fù)載有關(guān)！RL)/)(1 (LebebiRRrRR帶負(fù)載電阻后帶負(fù)載電阻后從基極看

56、從基極看Re，被增，被增大到（大到（1+）倍）倍信息技術(shù)學(xué)院2.動態(tài)分析：輸出電阻的分析（：輸出電阻的分析（“加壓求流法加壓求流法”）1 )1 (bebebeboeooeooooerRRrRURUUIIUIURRRo與信號源內(nèi)阻有關(guān)！與信號源內(nèi)阻有關(guān)！oU令令Us為零，保留為零，保留Rs，在輸出端加，在輸出端加Uo，產(chǎn)生，產(chǎn)生Io, 。o oo oo oRUI從射極看基極回路電阻，被減從射極看基極回路電阻，被減小到（小到（1+）倍）倍信息技術(shù)學(xué)院1)1)電壓增益小于電壓增益小于1 1但接近于但接近于1(1(只放大電流，不放大電壓只放大電流，不放大電壓) )，u uo o與與u ui i同相；在一定條件下有電壓跟隨作用。同相；在一定條件下有電壓跟隨作用。2)2)輸入電阻大，對電壓信號源衰減小。輸入電阻大，對電壓信號源衰減小。3)3)輸出電阻小，帶負(fù)載能力強(qiáng)。輸出電阻小，帶負(fù)載能力強(qiáng)。3.基本共集電極放大電路的特點信息技術(shù)學(xué)院三、基本共基放大電路eBEQBBEQRUVI1EQBQIIBEQcEQCCCEQURIVUB BB BB BE EQ QE EQ Qe eVUIR1.靜態(tài)分析CEQCCCQcEQeBBCEQCCCQcEQeBBCCCQcBEQCCCQcBEQUVIRI