標準解讀

《GB/T 20229-2022 磷化鎵單晶》相比《GB/T 20229-2006 磷化鎵單晶》, 主要體現在以下幾個方面的更新與調整:

  1. 技術指標的優(yōu)化:新版標準對磷化鎵單晶的純度、晶體結構、位錯密度等關鍵性能指標進行了重新定義和優(yōu)化,以適應近年來半導體材料技術進步和應用需求的提升。這些調整旨在提高材料的綜合性能和適用范圍。

  2. 檢測方法的改進:隨著分析技術和儀器的進步,新標準引入了更精確、更高效的檢測手段和評估方法,用于評價磷化鎵單晶的質量。這包括但不限于更先進的光譜分析、顯微技術及物理性能測試方法,確保測試結果的準確性和可靠性。

  3. 生產規(guī)范的細化:為保證單晶生長過程的穩(wěn)定性和一致性,新標準細化了生產過程中的控制參數和操作規(guī)程,如溫度控制、氣氛控制、提拉速度等,進一步提升了產品質量控制水平。

  4. 環(huán)保和安全要求的增強:考慮到環(huán)境保護和生產安全的重要性,新標準加入了更多關于原材料使用、生產過程管理及廢棄物處理的環(huán)保與安全規(guī)定,符合當前社會對可持續(xù)發(fā)展的要求。

  5. 標準適用范圍的明確:對標準的適用范圍進行了明確界定,可能包括不同尺寸、用途的磷化鎵單晶,以及在特定電子器件或光電子領域的應用指導,使得標準的指導意義更為明確和實用。

  6. 術語和定義的更新:為了與國際標準接軌并反映技術發(fā)展,新標準對一些專業(yè)術語和定義進行了修訂或增補,提高了標準的通用性和理解度。


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....

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  • 2022-03-09 頒布
  • 2022-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標準

GB/T20229—2022

代替GB/T20229—2006

磷化鎵單晶

Galliumphosphidesinglecrystal

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T20229—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替磷化鎵單晶與相比除結構調整和編輯性

GB/T20229—2006《》,GB/T20229—2006,

改動外主要技術變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了術語和定義一章見第章

b)“”(3);

更改了牌號的表示方法見第章年版的

c)(4,20063.1);

更改了摻雜型磷化鎵單晶錠的載流子濃度電阻率要求見年版的

d)n、(5.1.1,20063.2.2);

增加了型半絕緣型磷化鎵單晶錠的電學性能要求見

e)p、(5.1.1);

刪除了磷化鎵單晶錠直徑的要求見年版的

f)(20063.2.4);

增加了磷化鎵單晶錠的位錯密度要求見

g)(5.1.3);

刪除了磷化鎵單晶錠無孿晶線的要求見年版的

h)(20063.2.5);

更改了磷化鎵單晶研磨片位錯密度的要求見年版的

i)(5.2.1,20063.3.2);

增加了磷化鎵單晶研磨片表面取向的要求見

j)(5.2.2);

更改了直徑磷化鎵單晶研磨片的厚度及允許偏差要求見年版的

k)50.8mm(5.2.3,20063.3.4);

增加了磷化鎵單晶研磨片幾何參數中翹曲度總厚度變化總指示讀數的要求見

l)、、(5.2.3);

增加了直徑磷化鎵單晶研磨片的幾何參數要求見

m)63.5mm、76.2mm(5.2.3);

更改了磷化鎵單晶研磨片表面質量的要求見年版的

n)(5.2.4,20063.3.3);

更改了試驗方法見第章年版的第章

o)(6,20064);

更改了組批檢驗項目取樣及檢驗結果的判定見第章年版的第章

p)、、(7,20065);

更改了標志的要求見年版的

q)(8.1,20066.1);

更改了包裝的要求見年版的

r)(8.2,20066.2、6.3);

更改了隨行文件的要求見年版的

s)(8.5,20066.5);

增加了訂貨單內容見第章

t)(9);

增加了規(guī)范性附錄磷化鎵單晶位錯密度的測試方法見附錄

u)“”(A)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所有研國晶輝新材料有限公司有色金屬技

:、、

術經濟研究院有限責任公司

本文件主要起草人孫聶楓王陽李曉嵐劉惠生李素青王書杰邵會民史艷磊張路許興

:、、、、、、、、、、

付莉杰張曉丹姜劍

、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2006,。

GB/T20229—2022

磷化鎵單晶

1范圍

本文件規(guī)定了磷化鎵單晶的牌號技術要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存和隨行文

、、、、、、、

件及訂貨單內容

。

本文件適用于制作光電微電及聲光器件用的磷化鎵單晶錠及磷化鎵單晶研磨片

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

GB/T4326

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

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