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文檔簡(jiǎn)介
1、3 溫度丈量及儀表3.1 溫度、溫標(biāo)的概念及丈量方法溫度的概念 (1) 溫度是一個(gè)根本獨(dú)立量,是ISO七個(gè)根本單位之一 (2) 直觀上看,溫度是表征冷熱程度的參數(shù) (3) 從熱力過(guò)程看,溫度是決議一個(gè)系統(tǒng)能否與其它系統(tǒng)處于熱平衡形狀的宏觀性質(zhì) (4) 從微觀上看,溫度是物體內(nèi)部分子無(wú)規(guī)那么運(yùn)動(dòng)猛烈程度的標(biāo)志測(cè)溫原理 選擇以適宜的物體作為敏感元件,其某一物理性質(zhì)隨溫度而變換的特性知。 敏感元件與被測(cè)物體發(fā)生熱交換 當(dāng)熱交換到達(dá)平衡時(shí),敏感元件反映出被測(cè)物體的溫度特征 根據(jù)熱交換的方式,可以劃分為接觸溫度丈量與非接觸溫度丈量?jī)纱箢?lèi)。接觸測(cè)溫 敏感元件直接與被測(cè)對(duì)象接觸,依托傳熱和對(duì)流進(jìn)展熱交換,直
2、觀可靠。 必需與對(duì)象接觸,容易引起被測(cè)溫場(chǎng)的分布,破壞對(duì)象熱平衡,存在置入誤差。 接觸不充分時(shí),易出現(xiàn)誤差 丈量環(huán)境對(duì)元件的壽命有影響接觸測(cè)溫儀器 熱脹冷縮原理:玻璃溫度計(jì)、壓力式溫度計(jì)、雙金屬溫度計(jì) 熱電效應(yīng):熱電偶 電阻效應(yīng):鉑、銅熱電阻,熱敏電阻 半導(dǎo)體性能:集成溫度傳感器 晶體頻率:石英晶體溫度計(jì) 光纖:光纖溫度傳感器非接觸測(cè)溫儀器 光纖:光纖輻射溫度計(jì) 輻射能量的大?。狠椛錅囟扔?jì) 單色亮度與溫度的關(guān)系:亮度溫度計(jì) 兩個(gè)波長(zhǎng)亮度隨溫度變化的關(guān)系:比色溫度計(jì)非接觸測(cè)溫 敏感元件與被測(cè)對(duì)象不接觸,依托對(duì)流或輻射方式進(jìn)展熱交換 呼應(yīng)快,不破壞溫度場(chǎng),對(duì)被測(cè)對(duì)象干擾小 便于對(duì)運(yùn)動(dòng)物體進(jìn)展丈量和
3、強(qiáng)電磁干擾、強(qiáng)腐蝕的場(chǎng)所 可以用掃描方式丈量溫度場(chǎng)分布溫標(biāo) 不同的敏感元件、不同的溫度范圍,物理特性隨溫度的變換是不一樣的。 溫標(biāo)就是建立一個(gè)衡量溫度的規(guī)范,規(guī)定溫度的起點(diǎn)及其根本單位。 溫標(biāo)包含實(shí)現(xiàn)方法、運(yùn)用元件、特性曲線等內(nèi)容。國(guó)際適用溫標(biāo) 華氏:冰32F,水沸點(diǎn)212F,中間分180份 攝氏:冰0C,水沸點(diǎn)100C,中間分100份 國(guó)際適用溫標(biāo):協(xié)議溫標(biāo),由固定點(diǎn)、內(nèi)插規(guī)范儀器和內(nèi)插公式三部分組成 (1) 水的三相點(diǎn)為熱力學(xué)溫度的1/273.16 (2) 每一攝氏度與每一開(kāi)爾文的量值一樣,t90=T90-273.15溫標(biāo)的傳送 (1) 各國(guó)根據(jù)國(guó)際溫標(biāo)的規(guī)定,建立本人的國(guó)家基準(zhǔn) (2)
4、各地域保管次級(jí)規(guī)范,定期到國(guó)家基準(zhǔn)檢定 (3) 給企業(yè)、部分對(duì)本人的產(chǎn)品建立溫度標(biāo)定方法,定期與計(jì)量部門(mén)核準(zhǔn) (4) 在進(jìn)展計(jì)量鑒定時(shí),往往采用比較法3.2 熱電偶溫度計(jì) 3.2.1 熱電偶測(cè)溫原理 (1) Peltier效應(yīng) 兩種不同電子密度的導(dǎo)體接觸在一同時(shí),接點(diǎn)出會(huì)發(fā)生電子分散,電子密度大的導(dǎo)體因失去電子而帶正電,電子密度小的導(dǎo)體因得到電子而帶負(fù)電。分散穩(wěn)定后構(gòu)成的電勢(shì)除與資料有關(guān)外,還與接點(diǎn)溫度有關(guān)。Peltier效應(yīng)ABT0Tk玻爾茲曼常數(shù)(1.3810-23J/K)e電子電荷(1.60210-19C)(2) Thomson效應(yīng) 同一金屬,當(dāng)兩端溫度不同時(shí),溫度高的一端因電子動(dòng)能高會(huì)
5、向溫度低的一端分散而帶正電。熱電效應(yīng)結(jié)論 (1) 產(chǎn)生熱電勢(shì)的條件是兩種不同的導(dǎo)體資料構(gòu)成回路,兩端接點(diǎn)處溫度不同 (2) 熱電勢(shì)大小只與資料、溫度有關(guān) (3) 當(dāng)資料確定以后,熱電勢(shì)只與溫度有關(guān)。當(dāng)T0恆定時(shí),只與丈量點(diǎn)的溫度有關(guān)。3.2.2 熱電偶的運(yùn)用定律 (1) 均質(zhì)導(dǎo)體定律 (2) 中間導(dǎo)體定律 在熱電偶回路中接入中間導(dǎo)體后,只需中間導(dǎo)體兩端的溫度一樣,對(duì)熱電偶回路的總電勢(shì)值沒(méi)有影響。 (3) 中間溫度定律3.3 常用熱電偶對(duì)熱電極資料的要求 (1) 熱電性能穩(wěn)定,不隨時(shí)間和被測(cè)對(duì)象而變化 (2) 物理化學(xué)性能穩(wěn)定,不易氧化和腐蝕,耐輻射 (3) 有足夠的靈敏度 (4) 熱電特性接近
6、單值線性或近似線性 (5) 電導(dǎo)率高,電阻溫度系數(shù)小 (6) 機(jī)械性能好,價(jià)錢(qián)廉價(jià)工業(yè)熱電偶分類(lèi)及性能高溫?zé)犭娕笺K、鉑銠系列 測(cè)溫范圍寬、特性穩(wěn)定。 丈量精度高,可用于精細(xì)丈量 在高溫時(shí)性能穩(wěn)定,可以長(zhǎng)期任務(wù)在高溫環(huán)境 熱電勢(shì)小,非線性大 價(jià)錢(qián)貴低溫?zé)犭娕笺~-康銅 溫度范圍-200 400 丈量精度高、溫度性好 低溫時(shí)有較高靈敏度 0以上時(shí)銅為正,0以下時(shí)康銅為正 0 100 為二等規(guī)范熱電偶,用來(lái)檢定其它低溫?zé)犭娕嫉蜏責(zé)犭娕兼囥t-金鐵、銅-金鐵 低溫時(shí)靈敏度高 性能穩(wěn)定 主要用于超導(dǎo)、宇航、受控核反響等廉價(jià)熱電偶鎳基系列 性能穩(wěn)定、熱電勢(shì)大 熱電特性好、復(fù)現(xiàn)性好 高溫下抗氧化才干強(qiáng) 耐輻射
7、運(yùn)用范圍寬、運(yùn)用廣泛。熱電偶的構(gòu)造方式 普通熱電偶:為裝配式構(gòu)造,由熱電極、絕緣管、維護(hù)套和接線盒組成。熱容大,對(duì)溫度的呼應(yīng)慢 鎧裝熱電偶:將熱電偶絲、絕緣資料、維護(hù)管組合裝配后,經(jīng)拉伸加工而成。熱容小,反映快,撓性好,可彎曲,可安裝在擔(dān)任構(gòu)造的丈量場(chǎng)所。冷端溫度處置 (1) 補(bǔ)償導(dǎo)線法 選用與熱電偶具有一樣熱電勢(shì)-溫度特性的導(dǎo)線與熱電偶配套運(yùn)用。 (2) 參比端溫度丈量計(jì)算法 用補(bǔ)償導(dǎo)線將冷端溫度移到室外常溫環(huán)境,丈量環(huán)境溫度進(jìn)展補(bǔ)償 (3) 冷端恒溫 (4) 補(bǔ)償電橋法。3.4 熱電阻測(cè)溫 原理:金屬或?qū)w的電阻隨溫度變化而變化(溫度每升高1度,金屬電阻添加0.40.6%,半導(dǎo)體電阻減小2
8、6%) 優(yōu)點(diǎn): 丈量精度高,溫度性能穩(wěn)定,復(fù)現(xiàn)性好 丈量范圍大,尤其在低溫丈量方面 信號(hào)可以遠(yuǎn)傳、靈敏度高 無(wú)需參比溫度熱電阻資料選擇 有盡能夠大、穩(wěn)定的溫度系數(shù) 電阻率要大,以便在同樣靈敏度下,可以制成小尺寸的元件,減小測(cè)溫?zé)釕T性 在測(cè)溫范圍內(nèi)物理化學(xué)性能穩(wěn)定 復(fù)現(xiàn)性好 與溫度為單值延續(xù)關(guān)系,最好是線性或平滑特性鉑電阻 性能極為穩(wěn)定,耐氧化才干強(qiáng) 易于提純,復(fù)現(xiàn)性好 電阻率高,工藝性好,可以制成極細(xì)的鉑絲或極薄的鉑箔 測(cè)溫范圍寬(-200850) 價(jià)錢(qián)貴 溫度系數(shù)小 真空和復(fù)原氣氛會(huì)導(dǎo)致電阻值飄移鉑電阻 有10和100 兩種規(guī)格(Pt10、Pt100) t0時(shí) R(t)=R0(1+At+Bt
9、2) t0時(shí) R(t)= R0(1+At+Bt2 +Ct3(t-100) A=3.908310-3/ B=-5.77510-7/2 C=-4.18310-12/4 銅電阻 溫度范圍:-50150 線性溫度系數(shù):Rt=R0(1+at) 溫度系數(shù)比鉑高: 4.25 4.28 10-3/ 易得到純態(tài),加工性能好 價(jià)錢(qián)低 電阻率低、體積大,熱呼應(yīng)慢 銅電阻 有50和100 兩種規(guī)格(Cu50、Cu100) R(t)=R0(1+At+Bt2 +Ct3) A=4.2889910-3/ B=-2.13310-7/2 C=1.233310-9/3熱電阻的構(gòu)造 普通型:感溫元件、內(nèi)引線、絕緣套管、接線盒。電阻線
10、要用無(wú)感繞法 鎧裝:鎧裝電纜作為維護(hù)管、絕緣物、內(nèi)引線,前端與感溫元件銜接,外部焊接維護(hù)管熱電阻的引線方式熱敏電阻的特性熱敏電阻的特點(diǎn) 電阻溫度系數(shù)大,為金屬的幾十倍 電阻值高,引線電阻對(duì)測(cè)溫沒(méi)有影響 體積小、熱呼應(yīng)快 構(gòu)造簡(jiǎn)單可靠,價(jià)錢(qián)低廉 化學(xué)性能穩(wěn)定、壽命長(zhǎng) 互換性差3.5 集成溫度傳感器DS18B20 DS18B20是美國(guó)達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司消費(fèi)的新型溫度檢測(cè)器件 單一總線接口,只需一條通訊/控制線 可以經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)線供電 測(cè)溫范圍-55+125,在-10+85時(shí)分辨率達(dá)0.5 溫度值可在912Bit之間選擇,轉(zhuǎn)換12Bit最多需求750ms 可設(shè)置高低溫報(bào)警 片內(nèi)固化著不同的地址序列號(hào),可多
11、片共用一條通訊線 DS18B20的封裝DS18B20的構(gòu)造DS18B20的供電DS18B20溫度丈量操作 分辨率:可經(jīng)過(guò)程序配置為9、 10、 11、12 (默許)bits,分別對(duì)應(yīng)溫度為 0.5C、 0.25C、0.125C、 0.0625C. 溫度丈量:在發(fā)送轉(zhuǎn)換 T 44h 命令后開(kāi)場(chǎng)溫度丈量,丈量結(jié)果存放在緩沖區(qū)內(nèi),為帶符號(hào)的16bit數(shù)據(jù)。丈量終了后可以經(jīng)過(guò)1-Wire 總線設(shè)置讀緩沖區(qū)命令BEh 讀取丈量結(jié)果。 數(shù)據(jù)格式:經(jīng)過(guò) 1-Wire 總線讀溫度數(shù)據(jù)時(shí),低位在前、高位在后,符號(hào)在高位。DS18B20溫度數(shù)據(jù)的格式DS18B20的地址控制每個(gè) DS18B20包含了一個(gè)獨(dú)一的64
12、-bits ROM 代碼,其中前 8 bits 是 1-Wire系列的產(chǎn)品代碼 (DS18B20 的代碼為 28h). 接下來(lái)的 48 bits 是一個(gè)獨(dú)一的序列號(hào),最后8 bits是前 的CRC64-bit ROM 及ROM 功能控制代碼 使DS18B20 可以實(shí)現(xiàn) 1-Wire 功能。只需滿(mǎn)足ROM功能協(xié)議的DS18B20才可以相應(yīng)操作。 任務(wù)時(shí),1-Wire 主機(jī)必需先發(fā)送以下命令之一: 1) Read ROM, 2) Match ROM, 3) Search ROM, 4) Skip ROM, or 5) Alarm Search. 在ROM命令終了后,命令制定的DS18B20可以呼應(yīng)
13、控制主機(jī)的操作,主機(jī)可以進(jìn)展常見(jiàn)的存儲(chǔ)器控制操作ROM功能操作流程DS18B20的存儲(chǔ)器DS18B20的配置存儲(chǔ)器DS18B20的硬件配置主機(jī)要能驅(qū)動(dòng)總線上的一切DS18B20DS18B20的數(shù)據(jù)線為集電極開(kāi)路輸出DS18B20的數(shù)據(jù)線平常應(yīng)為高電平,當(dāng)為低電平的時(shí)間超越480us時(shí),DS18B20會(huì)自動(dòng)復(fù)位DS18B20的溫度丈量流程 初始化 ROM命令 MEMORY命令 數(shù)據(jù)傳輸DS18B20的初始化 一切的操作必需以初始化開(kāi)頭 初始化過(guò)程由主機(jī)發(fā)送復(fù)位脈沖開(kāi)場(chǎng),初始化后從時(shí)機(jī)發(fā)出呼應(yīng)信號(hào) 銜接的DS18B20經(jīng)過(guò)呼應(yīng)信號(hào)通知DS18B20已預(yù)備好,可以開(kāi)場(chǎng)任務(wù)DS18B20的ROM功能
14、主機(jī)機(jī)檢測(cè)到有DS18B20從機(jī)時(shí),隨時(shí)可以發(fā)送ROM命令。一個(gè)ROM命令為1個(gè)字節(jié)。 讀ROM命令33h 讀64bit產(chǎn)品號(hào)、序列號(hào)、CRC,只能在總線只需一個(gè)DS18B20時(shí)運(yùn)用DS18B20的ROM匹配命令 命令字為55h 主機(jī)經(jīng)過(guò)發(fā)送64bit的數(shù)據(jù)選擇需求控制的DS18B20,只需ROM數(shù)據(jù)完全與發(fā)送的數(shù)據(jù)一樣的DS18B20才干呼應(yīng)后續(xù)的命令 與64bit數(shù)據(jù)不匹配的DS18B20必需等待下一個(gè)復(fù)位脈沖到來(lái)后才干再次任務(wù)DS18B20的忽略ROM命令 命令字為CCh 主機(jī)經(jīng)過(guò)發(fā)送該命令后,總線上的一切DS18B20都可以呼應(yīng)后面的存儲(chǔ)器指令,對(duì)只需一個(gè)DS18B20的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),可以
15、節(jié)省時(shí)間 當(dāng)有多個(gè)DS18B20時(shí),忽略ROM后的讀操作會(huì)發(fā)生總線干涉DS18B20的ROM搜索命令 命令字為F0h 新裝系統(tǒng)時(shí),主機(jī)不知道有多少個(gè)DS18B20,也不知道它們的ROM地址,必需經(jīng)過(guò)ROM搜索命令來(lái)獲取。 例:有四個(gè)DS18B20,地址分別為: ROM1 00110101. ROM2 10101010. ROM3 11110101. ROM4 00010001.DS18B20的ROM搜索過(guò)程(1) 主機(jī)發(fā)送復(fù)位脈沖,從機(jī)呼應(yīng),主機(jī)知道有DS18B20在總線上(2) 主機(jī)發(fā)送ROM搜索命令,啟動(dòng)搜索過(guò)程(3) 主機(jī)讀數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù),這時(shí)候一切的從時(shí)機(jī)回應(yīng),都把第1位數(shù)據(jù)放到數(shù)據(jù)
16、總線上。主機(jī)讀到的是一切從機(jī)的第1位數(shù)據(jù)“與0。主機(jī)再讀數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù),這時(shí)候,一切的從時(shí)機(jī)把第1位數(shù)據(jù)求反后放到數(shù)據(jù)總線上。主機(jī)讀到的數(shù)據(jù)有以下情況:00 本位為0和1的從機(jī)都有01 一切的從機(jī)本位為010 一切的從機(jī)本位為011 沒(méi)有從機(jī)在總線上DS18B20的ROM搜索過(guò)程 (4) 主機(jī)寫(xiě)“0,表示只需本位為0(ROM1/4)的從機(jī)繼續(xù)呼應(yīng)下面的搜索 (5) 主機(jī)再延續(xù)讀兩次,得到“0和“1,闡明ROM1/4的第2位都是0 (6) 主機(jī)寫(xiě)“0,繼續(xù)堅(jiān)持對(duì)(ROM1/4)的搜索 (7)主機(jī)再延續(xù)讀兩次,得到“0和“0,闡明總線上的從機(jī)地址的第3位有的為0,有的為1 (8) 主機(jī)寫(xiě)“0,只
17、保管ROM4繼續(xù)呼應(yīng)下面的搜索 (9) 主機(jī)繼續(xù)讀ROM4的后續(xù)位,完成義務(wù)第1遍的搜索,找到總線上的一個(gè)DS18B20的ROM地址DS18B20的ROM搜索過(guò)程(10) 主機(jī)主機(jī)啟動(dòng)一次新的搜索,從步驟1做到7(11) 主機(jī)寫(xiě)“1,只保管ROM1繼續(xù)呼應(yīng)下面的搜索(12) 主機(jī)繼續(xù)讀ROM1的后續(xù)位,完成義務(wù)第2遍的搜索,找到總線上的又一個(gè)DS18B20的ROM地址(13) 主機(jī)主機(jī)啟動(dòng)一次新的搜索,從步驟1做到3(14) 主機(jī)寫(xiě)“1,繼續(xù)堅(jiān)持對(duì)(ROM2/3)的搜索(15)主機(jī)再延續(xù)讀兩次,得到“0和“0,闡明總線上的從機(jī)地址的第2位有的為0,有的為1(16) 主機(jī)寫(xiě)“0,只保管ROM2繼
18、續(xù)呼應(yīng)下面的搜索(17) 主機(jī)繼續(xù)讀ROM2的后續(xù)位,完成義務(wù)第3遍的搜索,找到總線上的又一個(gè)DS18B20的ROM地址DS18B20的ROM搜索過(guò)程 (18) 主機(jī)主機(jī)啟動(dòng)一次新的搜索,從步驟1做到15 (19) 主機(jī)寫(xiě)“1,只保管ROM3繼續(xù)呼應(yīng)下面的搜索 (20) 主機(jī)繼續(xù)讀ROM3的后續(xù)位,完成義務(wù)第4遍的搜索,找到總線上的最后一個(gè)DS18B20的ROM地址DS18B20的信號(hào)時(shí)序 DS18B20需求嚴(yán)厲的信號(hào)通訊協(xié)議,以確保數(shù)據(jù)的完好性 信號(hào)時(shí)序包括:復(fù)位脈沖、確認(rèn)存在脈沖、寫(xiě)1、寫(xiě)0、讀1、讀0 任何通訊過(guò)程必需以初始化時(shí)序開(kāi)場(chǎng),復(fù)位脈沖后出現(xiàn)確實(shí)認(rèn)存在脈沖闡明DS18B20曾經(jīng)做
19、好預(yù)備,可以開(kāi)場(chǎng)通訊。DS18B20復(fù)位時(shí)序圖DS18B20寫(xiě)時(shí)序圖DS18B20讀時(shí)序圖DS18B20的讀、寫(xiě)緩沖區(qū)命令 命令字為:寫(xiě)4Eh,讀BEH 寫(xiě)命令用來(lái)寫(xiě)TH、TL和CONFIG,三個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)緊跟在命令字后 讀命令用來(lái)用緩沖區(qū)的9字節(jié)數(shù)據(jù),讀的時(shí)候應(yīng)延續(xù)把9個(gè)單元的內(nèi)容依此讀完,假設(shè)中途退出,必需在退出后發(fā)送一個(gè)復(fù)位信號(hào)DS18B20的緩沖區(qū)復(fù)制命令 命令字為48H 該命令把TH、TL寫(xiě)到EEPROM中 在寫(xiě)的過(guò)程中假設(shè)主機(jī)讀總線,將一致是0,復(fù)制終了后才回到1。 假設(shè)采用數(shù)據(jù)線供電,在發(fā)送完本命令后,數(shù)據(jù)總線應(yīng)立刻堅(jiān)持高電平10ms以上DS18B20的溫度丈量命令 命令字為44
20、H 該命令發(fā)送后不需求其它信息,DS18B20開(kāi)場(chǎng)溫度丈量 在丈量過(guò)程中假設(shè)主機(jī)讀溫度,數(shù)據(jù)總線將一致是0,丈量終了后才回到1。 假設(shè)采用數(shù)據(jù)線供電,在發(fā)送完本命令后,數(shù)據(jù)總線應(yīng)立刻堅(jiān)持高電平,其時(shí)間不得小于不同分辨率丈量需求的時(shí)間DS18B20的溫度丈量過(guò)程 發(fā)送ROM命令,選擇需求丈量的點(diǎn) 啟動(dòng)溫度丈量 讀緩沖區(qū),獲取溫度信息DS18B20復(fù)位控制程序rstDS3: JNB DS18B20,rstDS4 ;1T(0.5us) DJNZ B,rstDS3 ;2T(1us) SETB C SJMP rstDS_End ;300us內(nèi)無(wú)反響闡明無(wú)DS18B20 rstDS4: MOV B,#15
21、0 CLR CrstDS5: JB DS18B20_IN,rstDS_End ;2T(1us) DJNZ B,rstDS5 ;2T(1us) SETB C ;300us內(nèi)總線未釋放那么有缺點(diǎn) SJMP rstDS_EndrstDS_End: SETB EA POP ACC POP B RET;復(fù)位DS1820B ;24MHz晶振 ;出口 C=0:勝利, C=1:失敗RESET_DS18B20: PUSH B PUSH ACC CLR DS18B20 ;產(chǎn)生DS18B20復(fù)位低電平 CLR EA MOV B,#100 DJNZ B,$ MOV B,#250 DJNZ B,$ MOV B,#250
22、 DJNZ B,$ ;低電平堅(jiān)持600us SETB DS18B20 ;釋放DS18B20總線 MOV B,#40rstDS1: JB DS18B20,rstDS2 ;2T(1us) DJNZ B,rstDS1 ;2T(1us) SETB C ;假設(shè)80us內(nèi)總線未變高那么復(fù)位失敗 SJMP rstDS_EndrstDS2: MOV B,#200DS18B20寫(xiě)數(shù)據(jù)位程序 ;寫(xiě)DS18B20數(shù)據(jù)位程序 ; C 要寫(xiě)的數(shù)據(jù)位WRBIT_DS18B20: PUSH B CLR EA CLR DS18B20 MOV B,#5 DJNZ B,$ ;數(shù)據(jù)總線先堅(jiān)持低電平5us MOV DS18B20,C
23、 ;送出數(shù)據(jù) MOV B,#60 DJNZ B,$ ;數(shù)據(jù)總線堅(jiān)持60us SETB DS18B20_IN ;釋放數(shù)據(jù)總線 SETB EA POP B RETDS18B20寫(xiě)數(shù)據(jù)字節(jié)程序 ;寫(xiě)DS18B20數(shù)據(jù)字節(jié)程序; A 要寫(xiě)的數(shù)據(jù)WRBYTE_DS18B20: PUSH B MOV B,#8wrByteDS1: RRC A LCALL WRBIT_DS18B20 DJNZ B,wrByteDS1 POP B RETDS18B20讀數(shù)據(jù)位程序 ;讀DS18B20數(shù)據(jù)位程序 ;出口:C 讀到的數(shù)據(jù)位RDBIT_DS18B20: PUSH B CLR EA CLR DS18B20 MOV B,
24、#4 DJNZ B,$ ;數(shù)據(jù)總線先堅(jiān)持低電平4us SETB DS18B20_IN ;釋放數(shù)據(jù)總線 NOP NOP NOP NOP MOV C,DS18B20_IN ;讀取數(shù)據(jù) MOV B,#60 DJNZ B,$ ;延時(shí)60us SETB EA POP B RETDS18B20讀數(shù)據(jù)字節(jié)程序 ;讀DS18B20數(shù)據(jù)字節(jié)程序 ;入口:PSW.1=0: 從DS18B20_IN讀DS18B20 ;出口:A 讀到的數(shù)據(jù)RDBYTE_DS18B20: PUSH B MOV B,#8rdByteDS1: LCALL RDBIT_DS18B20 RRC A DJNZ B,rdByteDS1 POP B
25、RETDS18B20初始化程序 ;初始化DS18B20_InitDS18B20:MOV B,#2init18B20_1: LCALL RESET_DS18B20 ;復(fù)位DS18B20 MOV A,#0CCH LCALL WRBYTE_DS18B20 ;忽略DS18B20 ROM地址 MOV A,#4EH LCALL WRBYTE_DS18B20 ;預(yù)備寫(xiě)DS18B20存放器 MOV A,#0 LCALL WRBYTE_DS18B20 ;寫(xiě)TH MOV A,#0 LCALL WRBYTE_DS18B20 ;寫(xiě)TL MOV A,#1FH LCALL WRBYTE_DS18B20 ;選擇9Bit數(shù)據(jù)格式 LCALL RESET_DS18B20 ;復(fù)位DS18B20DJNZ B,init18B20_1 RETDS18B20讀溫度程序;讀DS18B20溫度程序;出口:A 讀到的溫度RD_DS18B20: LCALL RESET_DS1
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