模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)習(xí)題解答

1、第1章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用 幺”和“遙示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為 P型半導(dǎo)體。(V)(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。(X )(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。(V)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。(X )(5)結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其Rgs大的特點(diǎn)。(V)(6)若耗盡型N溝道MOS管的Ugs大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。(x )二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(l) PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將A 。A.變

2、窄B.基本不變C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C 。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿(3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為B 。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏(4) Ugs=0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有A、C 。A.結(jié)型管B.增強(qiáng)型MOS管C耗盡型MOS管三、寫出圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓Ud=o解：Uo1=,UO2=0V, Uo3=,Uo4=2V, Uo5=, Uo6=-2V。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 Uz=6V,穩(wěn)定電流的最小值Izmin=5mA。求圖 所示電路中Uoi 和Uo2各為多少伏。解：左圖中穩(wěn)

3、壓管工作在擊穿狀態(tài)，故Uoi=6Vo右圖中穩(wěn)壓管沒有擊穿，故Uo2=5V。五、電路如 圖所不，Vcc=15V, =100, 試問：(1)Rb=50k 時(shí)，Uo=(2)若T臨界飽和，則Rb=解：(1)Ib VBB UBE 26 A, RbIc IB 2.6mA,Uo Vcc IcRc 2VoUbe=o圖(2) . I csVCCU BE 2.86mA , IBs Ics /Rc28.6 ARbVBBU BE1 BS45.5k六、測得某放大電路中三個(gè)MOS管的三個(gè)電極的電位如 表 所示，它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)（截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)），并填入表內(nèi)。呂勺UGS(th)/VU

4、s/VUg/VUd/V工作狀態(tài)Ti4-513恒流區(qū)T2-43310截止區(qū)T3-4605引變電阻區(qū)表解：因?yàn)槿还茏泳虚_啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如表最后一欄所示。習(xí)題選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A )元素可形成N型半導(dǎo)體，加入(C譏素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將(A)。A.增大B不變C減小工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)Ib從12 uA增大到22 uA時(shí)，Ic從lmA變?yōu)?mA ,那么它的3約為(C )。(4)當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流Id從2mA變?yōu)?mA時(shí),它

5、的低頻跨導(dǎo)gm( A )。A.增大；B.不變；C減小電路如圖 所示，已知ui 10sint (V),試畫出U與U。的波形。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計(jì)。oIr n%oXo解：Ui與Uo的波形如解圖所示。電路如圖所示，已知Ui 5sin t (V),二極管導(dǎo)通電壓 Ud=。試畫出Ui與U。的波形圖，并標(biāo)出幅值。圖解圖解：波形如解圖所示。電路如圖所示，二極管導(dǎo)通電壓Ud=,常溫下Ut 26mV ,電容C對(duì)交流信號(hào)可視為短路；Ui為正弦波，有效值為 10mV。試問二極管中流過的交流電流的有效值為多 少解：二極管的直流電流ID (V Ud)/R 2.6mA其動(dòng)態(tài)電阻：rD U"ID 10故動(dòng)態(tài)

6、電流的有效值：1d Ui/rD1mA現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值分別是6V和8V,正向?qū)妷簽?。試?(1)若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值各為多少(2)若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值各為多少解：(1)串聯(lián)相接可得4種：；14V;。(2)并聯(lián)相接可得2種：；6V。已知圖 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Uz 6V,最小穩(wěn)定電流Izmin 5mA,最大穩(wěn)定電流 Izmax 25mA。(1)分別計(jì)算Ui為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓 U。的值;(2)若Ui 35V時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象為什么解：(1)只有當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的 電壓大于其穩(wěn)壓值時(shí)，輸出電壓才為6V。 .Ui 10V

7、 時(shí)，Uo3.3V ；Ui 15V 時(shí)，UoRL - UiRRL5V ；Ui 35V 時(shí)，UORL U I 11.7V UZ,Uo Uz 6V。R RL(2)當(dāng)負(fù)載開路時(shí)，IzRUZ 29mA Izmax 25mA ,故穩(wěn)壓管將被燒毀。在圖 所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓Ud =,正向電流在 515 mA時(shí)才能正常工作。試問：(1)開關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光(2)R的取值范圍是多少解：(1)S閉合。(2) R的范圍為：Rmin (V UD)/IDmax 233Rmax (V UD)/IDmin 7。0圖1.01 mAIGI uA(a)(b)(a)(b)現(xiàn)測得放大電路中兩只管子兩個(gè)電極

8、的電流如圖所示。分別求另一電極的電流,標(biāo)出其方向，并在圓圈中畫出管子，且分別求出它們的電流放大系數(shù)解圖解：答案如解圖所示。放大倍數(shù)分別為 a 1mA/10100 和 b 5mA/100 A 50測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子， 并說明它們是硅管還是錯(cuò)管。電路如圖所示，晶體管導(dǎo)通時(shí) UBE0.7V ,戶50。試分析 Vbb 為 0V、IV、3V 三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓 UO的值。解：當(dāng)Vbb 0時(shí)，T截止,(2)當(dāng)Vbb1V時(shí)，因?yàn)? BQVBB U BEQ60RbI CQIbq 3 mAUoUoVcc IcqRc 9V所以T處于放大狀態(tài)。(3)當(dāng) Vbb

9、3V 時(shí),因?yàn)镮bqVbbU BEQRb460 A,ICQ I BQ 23mA ? I csVCC UCES 11.3mA, Rc所以T處于飽和狀態(tài)。電路如圖所示，晶體管的3=50 , UBE 0.2V ,飽和管壓降UCES 0.1V；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Uz 5V ,正向?qū)妷篣d 0.5V。試問：當(dāng)Ui 0V時(shí)” ；uI5V 時(shí) uO解：當(dāng)Ui 0V時(shí)，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿,Uo Uz 5V o當(dāng)Ui5V時(shí)，晶體管飽和，Uo0.1V。因?yàn)椋簣DUi U beRb480 A, ICJ CIb 24mA, Uec VCCIC R. 0分別判斷圖 所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。(a)

10、(b)(c)(d)(e)圖解：（a）可能；（b）可能；（c）不能；（d）不能，T的發(fā)射結(jié)會(huì)因電流過大而損壞。（e）可能。已知放大電路中一只 N溝道場效應(yīng)管三個(gè)極 、 的電位分別為4V、8V、12V ,管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子（結(jié)型管、MOS管、增強(qiáng)型、耗盡型），并說明、 與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系。解：管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管，三個(gè)極 、與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系如解圖所示。解：在場效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線（如解圖（a）所示），讀出其與各條曲線交 點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及Ugs值，建立iD f（UGs）坐標(biāo)系，描點(diǎn)，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性 曲線，如解圖（b）所示。電路如圖所示，T

11、的輸出特性如 圖所示，分析當(dāng)UI =4V、8V、12V三種情況下場效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。解：根據(jù)圖 所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為5V ,根據(jù)圖所示電路可知UGSUI 。當(dāng)UI=4V時(shí)，Ugs小于開啟電壓，故 T截止。當(dāng)Ui=8V時(shí)，設(shè)T工作在恒流區(qū)，根據(jù)輸出特性可知iD 0.6mA,管壓降Uds Vdd ipR 10V ,因此，UgdUGS UDS 2V，小于開啟電壓，說明假設(shè)成立，即 T工作在恒流區(qū)。圖當(dāng)U1=12V時(shí)，由于Vdd 12V ,必然使T工作在可變電阻區(qū)。分別判斷圖所示各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。(a)(b)(c)(d)圖解：(a)可能,(b)不能，不能,

12、(d)可能。補(bǔ)充1.電路如補(bǔ)圖P1(a)、(b)所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ 3V , R的取值合適,Ui的波形如圖(c)所示。試分別畫出Uoi和UO2的波形。解：波形如下圖所示補(bǔ)充2.在溫度20oC時(shí)某晶體管的Icbo 2 A,試問溫度是60oC時(shí)的Icbo解：ICBO60CBO 20242 2432 A。補(bǔ)充3.有兩只晶體管，一只的3=200 , ICEO 200 A；另一只的3=100Iceo 10 A,其它參數(shù)大致相同。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子為什么解：選用3=100 , Iceo 10 A的管子，因其3適中，Iceo較小，因而溫度穩(wěn)定 性較另一只管子好。補(bǔ)充4.電路如補(bǔ)圖P4所示，試問3

13、大于多少時(shí)晶體管飽和解：取Uces Ube,若管子飽和，VccU beRbVccU beRc即Rb所以，100時(shí)，管子飽和。Rc補(bǔ)圖P4第2早基本放大電路自測題一.在括號(hào)內(nèi)用 “避口 “然明下列說法是否正確。1 .只有電路既放大電流又放大電壓 ，才稱其有放大作用。（X）2 .可以說任何放大電路都有功率放大作用。（43 .放大電路中輸出的電流和電壓都是有源元件提供的。（X ）4 .電路中各電量的交流成分是交流信號(hào)源提供的。（X ）5 .放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。（J6 .由于放大的對(duì)象是變化量，所以當(dāng)輸入直流信號(hào)時(shí)，任何放大電路的輸出都毫無 變化。（X）7 .只要是共射放大電路

14、，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（X ）二.試分析 圖各電路是否能放大正弦交流信號(hào)，簡述理由。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信 號(hào)均可視為短路。(a)(b)(c)(d)(e)解：圖(a)不能。Vbb將輸入信號(hào)短路。圖(b)可以。圖(c)不能。輸入信號(hào)與基極偏置是并聯(lián)關(guān)系而非串聯(lián)關(guān)系。圖(d)不能。晶體管基極回路因無限流電阻而燒毀。圖(e)不能。輸入信號(hào)被電容 C2短路。圖不能。輸出始終為零。圖(g)可能。圖(h)不合理。因?yàn)镚-S間電壓將大于零。圖(i)不能。因?yàn)門截止。三.在圖 所示電路中，已知 VCC 12V,晶體管3=100, Rb 100k 。填空：要求 先填文字表達(dá)式后填得數(shù)。當(dāng)U&

15、 0V時(shí)，測得Ubeq 0.7V ,若要基極電流Ibq 20 A,則Rb和R之和Rb =( (VCC U BEQ)/I BQ )k-(565 )k ;而若測得 U ceq 6V ,圖則 Rc = ( (VcC u ceq ) / I BQ 片(3 ) k O(2)若測得輸入電壓有效值 Ui 5mV時(shí)， ,輸出電壓有效值 Uo 0.6V ,則電壓放大倍數(shù)Au ( uo/ui片(-120 )。若負(fù)載電阻Rl值與Rc相等，則帶上負(fù)載后輸出電壓有效值 Uo ( RL Uo )=( )V。 Rl Rc四、已知圖 所示電路中VCC 12V, Rc 3k ,靜態(tài)管壓降Uceq 6V,并在輸出端加負(fù)載電阻 R

16、,其阻值為3 k 。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom ( A );(2)當(dāng) U& 1mV時(shí)，若在不失真的條件下，減小Rw ,則輸出電壓的幅值將(C )；A.減小B.不變C增大(3)在U& 1mV時(shí)，將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將(B )；A.頂部失真B.底部失真C.為正弦波(4)若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將 (B )。減小B.Rc減小C. Vcc減小五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下:A.共射電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E共漏電路它們的電路分別如圖(a)、和.9(a)所示；

17、設(shè)圖中Re& ,且ICQ 、 IDQ 均相等。選擇正確答案填入空內(nèi)，只需填(l)輸入電阻最小的電路是( (2)輸出電阻最小的電路是( (3)有電壓放大作用的電路是 (4)有電流放大作用的電路是 (5)高頻特性最好的電路是(C B ( (CA、B、),最大的是(D、E );)；A、A、)；C、D );B、H E );(6)輸入電壓與輸出電壓同相的電路是 (B C、E );反相的電路是(A、D )。六、未畫完的場效應(yīng)管放大電路如 圖所示，試將合適的場效應(yīng)管接入電路，使之能夠 正常放大。要求給出兩種方案。解：根據(jù)電路接法，可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOS管，如解圖 所示。E, -IE&#

18、39;解圖習(xí)題分別改正圖 所示各電路中的錯(cuò)誤， 使它們有可能放大正弦波信號(hào)。要求保留電路原來的共射接法和耦合方式。解：(a)將-Vcc 改為 +Vcco(b)在+Vcc與基極之間加Rbo(c)將Vbb反接，且在輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻。(d)在Vbb支路加Rb,在-Vcc與集電極之間加 Rc。畫出圖所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。(a)(b)(c)(d)圖解：將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路，圖略。 圖所示各電路的交流通路如 解圖所示；(c)(d)分別判斷圖(a)、 (b)所示兩電路各屬哪種放大電路，并寫出Q、扁、Ri和Ro的表 達(dá)式。VCC U BEQ解：圖

19、(a): I BQ , ICQ IBQ,RR2 (1)R3U CEQ VCC(1 HbqRc。A&R-R3, R%eRi, RoR2 / R3be圖(b):R2IBQ(RVCC Ubeq)/ R2/R3 (1R2R3U CEQVccI CQ R4I EQ Ri。A&-,RiR1 / be ,Ro,R4 0be1電路如圖（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí) Ubeq 0.7V。利用圖解法分別求出 Rl和Rl 3k 時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom （有效解：空載時(shí)：IBQ 20rt Hl i2(1 |J.A101iAin 12 a最大不失真輸出電壓峰值約為(b)

20、A，I CQ2mA,UCEQ 6V ;,有效值約為帶載時(shí)：IBQ 20 A,Icq 2mA,UCEQ 3V；最大不失真輸出電壓峰值約為，有效值約為。如解圖 所示。在圖所示電路中，已知晶體管的3=80, %e=1k"Ui 20mV ,靜態(tài)時(shí)U BEQ 0.7V ,UcEQ4V ,Ibq 20 A。判斷下列結(jié)論是否正確，在括號(hào)內(nèi)打示。片420 10 380 5200 (X)(2) Au40.75.71 (x)1 20k 201k3k(X)Ro5k(11)US400 (X)(4)點(diǎn)(x)(6)R80 2.510.02200 (v)35k(x)20mV ( x )(8) Ri1k(4(10)

21、 Ro 2.5k(x)(12)1&S 60mV (J電路如圖所示，已知晶體管3=120, Ube=,飽和管壓降Uces=o在下列情況下，用直流電壓表測量晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少（1）正常情況；（2）Rb1短路；（3）Rb1開路；（4）Rb2開路；（5）Rb2短路；（6）Rc短路；解：(1)IB VCC U BE UBE 174 163 11 A,IC IB 1.32mA, Rb2Rb1(1) UC VccIcRc 8.3V o(2) Rb1 短路，IcIB 0,-UC 15V o(3) Rb1開路，臨界飽和基極電流IBsVCC UCES 23.7 A,Rc實(shí)際基極電流IB VC

22、C UBE 174 AoRb2由于 I B IBs，管子飽和，. Uc Uces 0.5V。(4) Rb2開路，無基極電流,Uc Vcc15V °(5) Rb2短路，發(fā)射結(jié)將燒毀，U c可能為15V。(6) Rc短路，UcVcc15V。電路如圖所示，晶體管的3=80，聯(lián),100 。分別計(jì)算RL的Q點(diǎn)、& R和Ro。解：在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、rbe均相等，它們分別為:BQVCCU BEQ22 AU BEQIcq Ibq 1.76mAbe展(1)26mVI EQ1.3k空載時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為:Uceq VccIcqRc6.2V;

23、Rcrbe308Rb / rberbe 1.3k；AusrberbeRsAu93RoRc 5kRl 3k 時(shí),靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為:U CEQ VCCI CQ (Rc / RL )RLRc2.3VAu(Rc/RL)115rberbeRs感 34.7RRb / rberbe1.3kRoRc 5k 。若將圖所示電路中的NPN管換成PNP管，其它參數(shù)不變，則為使電路正常放大電源應(yīng)作如何變化 Q點(diǎn)、& R和&變化嗎如變化，則如何變化若輸出電壓波形底部失真，則說明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除解：由正電源改為負(fù)電源;Q點(diǎn)、懇、R和Ro不會(huì)變化；輸出電壓波形底部失真對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)正半

24、周失真，對(duì) 減小Rb。PNP管而言，管子進(jìn)入截止區(qū)，即產(chǎn)生了截止失真;已知圖所示電路中，晶體管3=100,公=0。(1)現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降UCECF6V,估算Rb；(2)若測得U i和Uo的有效值分別為1mV和100mV,則負(fù)載電阻RL為多少解：(1)IcVcc U CERcVcc U be2mA, Ib Ic /20A,565k 。(2)由息 金U i(Rc/Rl)100,可得：RL 2.625k試問:在圖所示電路中，設(shè)靜態(tài)時(shí)Icq 2mA,晶體管飽和管壓降 UCES 0.6V當(dāng)負(fù)載電阻RL和 凡 3k 時(shí)，電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏解：由于 Icq 2mA,所以 Uceq Vcc

25、小尺 6V?？蛰d時(shí)，輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。故Uom UCEQ UCES 3.82V,2Rl 3k 時(shí)，當(dāng)輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故UomI CQ RL2.12V電路如圖所示，晶體管 3=100, rbb =100 Qo求電路的Q點(diǎn)、Au、R和R。;(2)若改用 戶200的晶體管，則 Q點(diǎn)如何變化(3)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化如何變化 解：(1)靜態(tài)分析：U BQVCC2VI EQU BQ U BEQRf1mAI BQI EQ10 AUceq、ccI eq(R Rf Re)5.7V動(dòng)態(tài)分析：%e聯(lián),(126mVI EQ2.7

26、3k(R/R)7.7be(1)RfRb1 / Rb2/be(1)Rf3.7kRc5k(2) (=200 時(shí),U BQ%Rb1Rb2VCC2V（不變）；I U BQIEQU BEQRT1mA（不變）；1 BQIeq 一 “-EQ-5 A (減小)；1U CEQ VCCIeq(Rc RfRe) 5.7V（不變）。Ce開路時(shí),(RcR)(RRf)RiRb1 / Rb2 /be (1)(ReRf)Ro Rc 5k（不變）。電路如圖所示，晶體管的 3=80,rbe =1k Qo求出Q點(diǎn)；（2）分別求出R_=8和R=3kQ時(shí)電路的解：（1）求解Q點(diǎn):1 BQVCC UBEQ 32.3Rb (1)ReI E

27、Q(1 )Ibq 2.61mAU CEQVccIEQRe7.17V（2）求解放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻:R/RlReRf1.92 （減?。?；4.1k（增大）；尾、Ri和Ro。圖Rl=oo 時(shí)；AU (1)R-0.996be (1 )ReRiRb/rbe (1)Re 110kf時(shí)；Au梟 0.992RRb / rbe (1)(RRl) 76k輸出電阻：RoRe / Rbrbe 37電路如圖所示，晶體管的3=60，聯(lián)100(1)求解Q點(diǎn)、入、R和R(2)設(shè) Us = 10mV (有效值)，問 Uj ?,U若C3開路，則Ui ?,Uo ?解：(1) Q點(diǎn)：I BQI CQVcc U BEQ 31 AR

28、 (1)ReI BQ 1.86mA圖U CEQ VCC 1 EQ(Rc Re) 4.56VAu、R和Ro的分析:rberbb,(1A95rbeR Rb/ rbe 952,(2)設(shè)Us = 10mV (有效值)，則RUi - U s 3.2mV ;Rs R若C3開路,則：Ro Rc 3k oUo 網(wǎng) Ui 304mVRRb / rbe (1)Re51.3k, 京Rc/RlRe1.5RUi- Us 9.6mV ，RsRUoA Ui 14.4mV。改正圖 所示各電路中的錯(cuò)誤， 使它們有可能放大正弦波電壓。 共漏接法。要求保留電路的(b)(a)(c)(d)解：(a)源極加電阻RS ；(c)輸入端加耦合

29、電容;(b)漏極加電阻Rd;(d)在Rg支路加 Vgg, +Vdd改為 Vdd改正電路如解圖所示。(a)(b)解圖已知圖（a）所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖（b）、（c）所示。（1）利用圖解法求解Q點(diǎn)；（2）利用等效電路法求解A、R和Ro。(a)(b)解：（1）在轉(zhuǎn)移特性中作直線 UgsipRs,與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出I dq 1mA,U gsq2V 。如解圖（a）所示。解圖在輸出特性中作直流負(fù)載線uDS VDD iD(Rd Rs),與Ugsq 2V的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為 Q點(diǎn)，Udsq 3V o如解圖(b)所示。(2)首先畫出交流等效電路(圖略)，然后

30、進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。gmU dsI： I DSS I DQ1mV /VUGSU GS(off)AgmRd5； RRg 1M ； RoRd5k已知圖(a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖(b)所示。求解電路的Q點(diǎn)和A。解：(1)求Q點(diǎn)：根據(jù)電路圖可知，Ugsq Vgg 3V。從轉(zhuǎn)移特性查得，當(dāng) Ugsq 3V時(shí)的漏極電流：Idq 1mA因此管壓降U DSQ VDD 1 DQ Rd 5V。(2)求電壓放大倍數(shù)： gm 2I dqIdo 2mA/V ,AgmRd20U GS(th)電路如圖 所示。(1)若輸出電壓波形底部失真，則可采取哪些措施若輸出電壓波形頂部失真，則可采取哪些措施(2)若想增大Au，則可

31、采取哪些措施解：(1)輸出電壓波形底部失真， 類似于NPN型三極管的飽和失真， 應(yīng)降低Q, 故可減小 &或增大R、Rs;若輸出電壓波形頂部失真，則與上述相反，故可增大R>或減小Ri、Rs。(2)若想增大Au,就要增大漏極靜態(tài)電流以增大 gm,故可增大R2或減小Ri、Rs。圖中的哪些接法可以構(gòu)成復(fù)合管標(biāo)出它們等效管的類型(如NPN型、PNP型、N溝道結(jié)型)及管腳(b、e、c、d、g、s )。圖解：(a)不能。(b)不能。(c)構(gòu)成NPN型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。(d)不能。(e)不能。構(gòu)成PNP型管，上端為發(fā)射極，中端為基極，下端為集電極。(g)構(gòu)成NPN型管，

32、上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。第3章多級(jí)放大電路自測題一、現(xiàn)有基本放大電路：A.共射電路B.共集電路C.共基電路D.共源電路E.共漏電路根據(jù)要求選擇合適電路組成兩級(jí)放大電路。要求輸入電阻為1k 至2kQ,電壓放大彳數(shù)大于 3000 ,第一級(jí)應(yīng)采用（A ）,第二 級(jí)應(yīng)采用（A ）。（2）要求輸入電阻大于10MQ,電壓放大倍數(shù)大于 300 ,第一級(jí)應(yīng)采用（D ）,第二級(jí)應(yīng) 采用（A ）。要求輸入電阻為100k >200kQ,電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100 ,第一級(jí)應(yīng)采用（B ）,第二級(jí)應(yīng)采用（A ）。（4）要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于10 ,輸入電阻大于10MQ ,輸出電阻小于100 第

33、一級(jí)應(yīng)采用（D ）,第二級(jí)應(yīng)采用（B卜Uo&設(shè)信號(hào)源為內(nèi)阻很大的電壓源，要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓，且1000,輸出電阻 RV100 ,第一級(jí)應(yīng)采用采用（C ）,第二級(jí)應(yīng)（B ）。二、選擇合適答案填入空內(nèi)。（1）直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是（C、D ）。A.電阻阻值有誤差B.晶體管參數(shù)的分散性C.晶體管參數(shù)受溫度影響D.電源電壓不穩(wěn)（2）集成放大電路采用直接耦合方式的原因是（C卜A.便于設(shè)計(jì)B.放大交流信號(hào)C.不易制作大容量電容（3）選用差動(dòng)放大電路的原因是（A ）。A.克服溫漂B.提高輸入電阻C.穩(wěn)定放大倍數(shù)（4）差動(dòng)放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的（A ）,共模信號(hào)是

34、兩個(gè)輸入端信號(hào)的（C ）。A.差B.和C.平均值（5）用恒流源取代長尾式差動(dòng)放大電路中的發(fā)射極電阻，將使單端電路的（B卜A.差模放大倍數(shù)數(shù)值增大B.抑制共模信號(hào)能力增強(qiáng)C.差模輸入電阻增大（6）互補(bǔ)輸出級(jí)采用共集形式是為了使（C卜A.放大倍數(shù)的數(shù)值大B.最大不失真輸出電壓大C帶負(fù)載能力強(qiáng)、電路如圖T3 3所示，所有晶體管均為硅管，3均為200, rbb 200 ,靜態(tài)時(shí)Ubeq 0.7V。試求:靜態(tài)時(shí)T管和T2管的發(fā)射極電流。(2)若靜態(tài)時(shí)Uo0,則應(yīng)如何調(diào)節(jié) R2的值才能使Uo 0若靜態(tài)Uo0V,則Rc2 =,電壓放大倍數(shù)為多少解：(1)T3管的集電極電流 Ic3 (Uz Ubeq3)/Re

35、3 0.3mA靜態(tài)時(shí)T1管和T2管的發(fā)射極電流Iei Ie2 0.15mA(2)若靜態(tài)時(shí)Uo 0 ,則應(yīng)減小RC2O當(dāng)Ui 0時(shí)Uo0, T4管的集電極電流Icq4 Vee / Rc4 0.6mA。rbe4rbb'(1)26mV1 EQ48.9kRc2be4(1)Re4庫1 18.32 rbe2AU2c4 18.3rbe4 (1)Re4A A1A2335習(xí)題判斷圖所示各兩級(jí)放大電路中 Ti和T2管分別組成哪種基本接法的放大電路。設(shè) 圖中所有電容對(duì)于交流信號(hào)均可視為短路。(a)(b)(c)(d)(e)解：(a)共射，共基 (d)共集，共基(f)圖(b)共射，共射(c)共射,共射(e)共源

36、，共集共基，共集設(shè)圖所示各電路的靜態(tài)工作點(diǎn)均合適，分別畫出它們的交流等效電路，并寫出Au、R和Ro的表達(dá)式。解：(1)圖示各電路的交流等效電路如 解圖所示。(2)各電路的 入、R和Ro的表達(dá)式分別為：(a) ： A1 R2 rbe2(12)R3(12) R；Rrbelrbe2 (12) R3R R %e1 ；%e2R2RoR3212(13T)rbe1(11 )( R2 / R3 / rbe2)rbe2RiR%e1(11)(R2R3%e2) ；RoR4(c)： AU1 R2 / rbe2(12) rd rbe1R12 R3rbe2(12)rdR R %e1 ；RoR3(d)： A gmER/fb

37、ez)(力)rbe2RiRR2R3；RoR(c)（d）解圖基本放大電路如 圖（a）、（b）所示，圖（a）虛線框內(nèi)為電路I,圖（b）虛線框內(nèi)為電路 n。由電路I、n組成的多級(jí)放大電路如圖（c）、（d）、（e）所示，它們均正常工作。試說明圖（c）、（d）、（e）所示電路中（1）哪些電路的輸入電阻較大；（2）哪些電路的輸出電阻較??；（3）哪個(gè)電路的電壓放大倍數(shù)最大。(e)圖解：(1)圖(d)、(e)所示電路的輸入電阻比較大;(2)圖(c)、(e)所示電路的輸出電阻比較小;(3)圖(e)所示電路的電壓放大倍數(shù)最大。電路如圖(a) (b)所示，晶體管的3均為150 ,%均為2k , Q點(diǎn)合適。求解Au、

38、Ri 和 Ro。解：在圖（a）所示電路中rbe2用1-1 ；甌-2R3225 ；rbe1rbe2 A & Au2225R R/R2rbe11.35k ；&R33k在圖(b)所示電路中. .Ai1 (Ri/rbe2)136； A2_JR475rbelrbe2 AAu1 Au2 10200Ri (Rs R2 / R3)/ rbel2k ；RoR41k電路如圖(c)、(e)所示，晶體管的3均為200 , rbe均為3k。場效應(yīng)管的gm為15mS ; Q點(diǎn)合適。求解& R和Ro。解：在圖（c）所示電路中A11 出3"%2)125； Au2-R4133.3rbelrbe

39、2Au啟1 虜2 16666.7； R R/由 3k ;R。 R42k在圖(e)所示電路中AgmR2%e (1)RgmR230(1)R4rbe (1)R4AuAU1A230 ; RR110M；RoR4 /rbeR2251圖所示電路參數(shù)理想對(duì)稱,晶體管的 3均為 100, rbb'100 , UBEQ 0.7V o試求Rw的滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí) T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流I eq以及動(dòng)態(tài)參數(shù) Ad和Rio解：Rw滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí)管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流I EQ分析如下:- U BEQ I EQ 2IEQRe Vee0.517mA, VEE U BEQ, I EQ RRW 2Re 2動(dòng)態(tài)參數(shù)

40、Ad和Ri分析如下:26mVrberbb(1)5.18kI EQRc 98 rbe (1)Rw/2R2rbe (1)Rw 20.5k電路如圖所示，Ti和T2兩管的3均為140, rbe均為4k Qo試問：若輸入直流信號(hào)uI120mV , uI2 10mV ,則電路的共模輸入電壓 uIc?差模輸入電壓uId輸出動(dòng)態(tài)電壓 uo ?解：電路的共模輸入電壓 5c、差模輸入電壓uId、差模放大倍數(shù) Ad和動(dòng)態(tài)電壓Uli Ul2uO 分別為：uIC 15mV ; uIduI1 uI2 10mV2A 175;UoAdUId1.75V2 rbe電路如圖所示，T1和T2的低頻跨導(dǎo)gm均為10mS。試求解差模放大

41、倍數(shù)和輸入電阻。AgmRd200 ； R 。試寫出圖 所示電路Ad和R的近似表達(dá)式。設(shè) Ti和T2的電流放大系數(shù)分別為3和32, b-e間動(dòng)態(tài)電阻分別為rbe1和%2。解：Ad和R的近似表達(dá)式分別為1 2(RcRL)Ad-=；R 2% (11%rbe1 (11)rbe2電路如圖 所示，Ti T5的電流放大系數(shù)分別為31 , b-e間動(dòng)態(tài)電阻分別為rbe1rbe5,寫出 Au、R和Ro的表達(dá)式。解：Au、Ri和R的表達(dá)式分析如下:UO1l R2 / rbe4(14)&1 cUi2rbeiU024R/%e5(15網(wǎng)2Ui 2%e4(14) R5UO3(15)R73 二 TZ-UI3rbe5

42、(15)R7一 AuUoUiAi1 AU2 Au3 ;Rirbe1rbe2 ；RR7/e5R615電路如圖 所示。已知電壓放大倍數(shù)為 的飽和壓降Uces=1V。試問：-100 ,輸入電壓UI為正弦波，T2和T3管（1）在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值（2）若Ui= 10mV （有效值），則Uo =若此時(shí)Uimax為多少伏R3開路，則以=若R3短路，則Uo =解：（1）最大不失真輸出電壓有效值為:UomVCCU ces，27.78V故在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值:Uimax U7177.8mVA(2)Ui= 10mV ,則 Uo = 1V (有效值)。若R3開路，則Tl和T3組成復(fù)合

43、管，等效1 3, T3可能飽和，使得Uo 11V （直流）若R短路，則UO11.3V （直流）。第4章集成運(yùn)算放大電路自測題一、選擇合適答案填入空內(nèi)。（1）集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)椋– ）。A.可獲得很大的放大倍數(shù)B.可使溫漂小C.集成工藝難于制造大容量電容（2）通用型集成運(yùn)放適用于放大（B ）。A.高頻信號(hào)B低頻信號(hào)C任何頻率信號(hào)（3）集成運(yùn)放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的（C ）。A.指標(biāo)參數(shù)準(zhǔn)確B.參數(shù)不受溫度影響C.參數(shù)一直性好（4）集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路是因?yàn)榭梢裕ˋ ）。A.減小溫漂B增大放大倍數(shù)C提高輸入電阻為增大電壓放大倍數(shù)，集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用（A ）。A.

44、共射放大電路B.共集放大電路C.共基放大電路二、判斷下列說法是否正確，用 “谷口 “紙示判斷結(jié)果。（1）運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓 Uio是兩輸入端電位之差。（X ）（2）運(yùn)放的輸入失調(diào)電流Iio是兩輸入端電流之差。（V），Ad，運(yùn)放的共模抑制比 Kcmr o （ V）Ac有源負(fù)載可以增大放大電路的輸出電流。（V）（5）在輸入信號(hào)作用時(shí)，偏置電路改變了各放大管的動(dòng)態(tài)電流。（X ）三、電路如圖所示，已知解：分析估算如下：VcC UbE2 UbE1RR21 B0 I B0 2I B2112I R I B0 I B2 ("1圖1 = 22. = ,= 100 。各管的Ube均為，試求IC2的值。1

45、00 AI B0 ；)I B0I C2I B2IB0。比較上兩式，得I C2(22)_(1)IR IR 100 A四、電路如圖所示。圖（1）說明電路是幾級(jí)放大電路，各級(jí)分別是哪種形式的放大電路（共射、共集、差 放）；（2）分別說明各級(jí)采用了哪些措施來改善其性能指標(biāo)（如增大放大倍數(shù)、輸入電 阻）。解：（1）三級(jí)放大電路，第一級(jí)為共集共基雙端輸入單端輸出差分放大電路，第二級(jí)是共射放大電路，第三級(jí)是互補(bǔ)輸出級(jí)。（2）第一級(jí)采用共集共基形式，增大輸入電阻，改善高頻特性；利用有源負(fù)載（T5、T6 ）增大差模放大倍數(shù)， 使單端輸出電路的差模放大倍數(shù)近似等于雙端輸出電路 的差模放大倍數(shù)，同時(shí)減小共模放大倍數(shù)

46、。第二級(jí)為共射放大電路，以丁7、T8構(gòu)成的復(fù)合管為放大管、以恒流源作集電極負(fù)載，增大放大倍數(shù)。第三級(jí)為互補(bǔ)輸出級(jí)，加 了偏置電路，利用 Di、D2的導(dǎo)通壓降使T9和T10在靜態(tài)時(shí)處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，從而消 除交越失真。習(xí)題根據(jù)下列要求，將應(yīng)優(yōu)先考慮使用的集成運(yùn)放填入空內(nèi)。已知現(xiàn)有集成運(yùn)放的類型是：通用型高阻型高速型低功耗型 高壓型大功率型 高 精度型(1)作低頻放大器，應(yīng)選用()。(2)作寬頻帶放大器，應(yīng)選用()。(3)作幅值為1 V以下微弱信號(hào)的量測放大器，應(yīng)選用 ()。(4)作內(nèi)阻為I00ka。信號(hào)源的放大器，應(yīng)選用 ()。(5)負(fù)載需5A電流驅(qū)動(dòng)的放大器，應(yīng)選用 ()。(6)要求輸出電壓幅

47、值為土 80V的放大器，應(yīng)選用()。(7)宇航儀器中所用的放大器，應(yīng)選用()。4. 2已知幾個(gè)集成運(yùn)放的參數(shù)如表所示，試分別說明它們各屬于哪種類型的運(yùn) 放。表特性指標(biāo)AodridUioIioIib-3dBfHKdmrSR增益帶寬單位dBM QmVnAnAHzdBV/VMHzAi10 025200600786A213 022407120A310010005865A410 022201509665解：Ai為通用型運(yùn)放，A 2為高精度型運(yùn)放，A3為高阻型運(yùn)放，A4為高速型運(yùn)放。多路電流源電路如 圖所示，已知所有晶體管的特性均相同，UBE均為。試求IC1、IC2 各為多少。解：因?yàn)門1、T2、T3的特

48、性均相同，且 Ube均相同，所以它們的基極、集電極電 流均相等，設(shè)集電極電流為Ic。先求出R中電流，再求解IC1、IC2。IcVCCUBE4 UBE0RI C0 I B3 I C0當(dāng)(1)3時(shí)，IC1 IC2 IR100 A3IB1100ICAo3Ic(1 )電路如圖 所示，T1管的低頻跨導(dǎo)為 gm , T1和T2管d-s間的動(dòng)態(tài)電阻分別為rds1和rds2o試求解電壓放大倍數(shù) AuUo / UI的表達(dá)式。解：由于T2和T3所組成的鏡像電流源是以Tl為放大管的共射放大電路的有源負(fù)載，Tl和T2管d -s間的動(dòng)態(tài)電阻分別為rds1和rds2,所以電壓放大倍數(shù)Au的表達(dá)式* AUOi D (rds1 / rds2)為：Augm(ds1 ds2)。uIuI電路如圖所示，T與T2管特性相同，它們的低頻跨導(dǎo)為gm ; T3與T4管特性對(duì)稱；T2與 T4管d-s間的動(dòng)態(tài)電阻分別為rds2和rds4。試求出電壓放大倍數(shù)AuuO / (uI1uI2)的表達(dá)式。iD1 i D2 iD3 i D4 ；iD2i