學(xué)習(xí)單元2LED制作與封裝

1、1學(xué)習(xí)單元學(xué)習(xí)單元2 LED2 LED的制造與封裝的制造與封裝2.1 LED的襯底材料的襯底材料 2.2 LED的外延工藝的外延工藝 2.3 LED的芯片技術(shù)的芯片技術(shù) 2.4 LED的封裝技術(shù)的封裝技術(shù) 2.5 白光白光LED技術(shù)技術(shù) 2.6 LED的散熱技術(shù)的散熱技術(shù) 2.1 LED的襯底材料的襯底材料 2.LED襯底材料的種類 1 LED襯底材料的選擇要求 提綱提綱1. LED襯底材料的選擇要求襯底材料的選擇要求 1)襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配：外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配：外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低；相同或相近、晶格

2、常數(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低；2)襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配：熱膨脹系數(shù)的匹配非常重襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配：熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過(guò)大不僅可能使外延膜質(zhì)要，外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過(guò)大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降，還會(huì)在器件工作過(guò)程中，由于發(fā)熱而造成器件的損壞；量下降，還會(huì)在器件工作過(guò)程中，由于發(fā)熱而造成器件的損壞；3)襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配：襯底材料要有好的化學(xué)穩(wěn)襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配：襯底材料要有好的化學(xué)穩(wěn)定性，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因?yàn)榕c外延定性，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因?yàn)榕c

3、外延膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降；膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降；4)材料制備的難易程度及成本的高低：考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需材料制備的難易程度及成本的高低：考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需要，襯底材料的制備要求簡(jiǎn)潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于要，襯底材料的制備要求簡(jiǎn)潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸。英寸。2. LED襯底材料的種類 藍(lán)寶石藍(lán)寶石 硅硅 碳化硅碳化硅藍(lán)寶石藍(lán)寶石 藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點(diǎn)：首先，藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點(diǎn)：首先，藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)技術(shù)成熟、器藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好；其次，藍(lán)寶石的穩(wěn)件質(zhì)量較好；其次，藍(lán)寶石的穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長(zhǎng)

4、定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長(zhǎng)過(guò)程中；最后，藍(lán)寶石的機(jī)械強(qiáng)過(guò)程中；最后，藍(lán)寶石的機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗。因此，度高，易于處理和清洗。因此，大多數(shù)工藝一般都以藍(lán)寶石作為大多數(shù)工藝一般都以藍(lán)寶石作為襯底。襯底。 硅襯底硅襯底 目前有部分目前有部分LED芯片采用硅襯底。硅襯底的芯片電極芯片采用硅襯底。硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式，分別是可采用兩種接觸方式，分別是L接觸和接觸和 V接觸。通過(guò)這兩接觸。通過(guò)這兩種接觸方式，種接觸方式，LED芯片內(nèi)部的電流可以是橫向流動(dòng)的，也芯片內(nèi)部的電流可以是橫向流動(dòng)的，也可以是縱向流動(dòng)的。由于電流可以縱向流動(dòng)，因此增大了可以是縱向流動(dòng)的。由于電流可以縱向流動(dòng)，

5、因此增大了LED的發(fā)光面積，從而提高了的發(fā)光面積，從而提高了LED的出光效率。因?yàn)楣枋堑某龉庑?。因?yàn)楣枋菬岬牧紝?dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延熱的良導(dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長(zhǎng)了器件的壽命。長(zhǎng)了器件的壽命。 碳化硅襯底碳化硅襯底 碳化硅襯底（美國(guó)的碳化硅襯底（美國(guó)的CREE公司專門采用公司專門采用SiC材料作為材料作為襯底）的襯底）的LED芯片電極是芯片電極是L型電極，電流是縱向流動(dòng)的。型電極，電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件利于做成面積較大的大功率

6、器件。三種襯底性能比較三種襯底性能比較三種襯底性能比較三種襯底性能比較2.2 LED外延工藝技術(shù)外延工藝技術(shù)2.幾種主要的外延材料 3.LED芯片的外延技術(shù)及外延設(shè)備 1 LED對(duì)外延材料的基本要求 提綱提綱4.外延技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì) 101. LED對(duì)外延材料的基本要求對(duì)外延材料的基本要求 方大集團(tuán)于方大集團(tuán)于2001年年9月在國(guó)內(nèi)第一個(gè)生產(chǎn)出月在國(guó)內(nèi)第一個(gè)生產(chǎn)出GaN基基LED外延片外延片對(duì)對(duì)LED芯片外延材料的基本要求及選擇考慮通常有以下幾點(diǎn)：芯片外延材料的基本要求及選擇考慮通常有以下幾點(diǎn)： 1.要求有合適的帶隙寬度要求有合適的帶隙寬度Eg 2.可獲得高電導(dǎo)率的可獲得高電導(dǎo)率的P型和型

7、和N型晶體，以制備優(yōu)良的型晶體，以制備優(yōu)良的PN結(jié)結(jié) 3.可獲得完整性好的優(yōu)良晶體可獲得完整性好的優(yōu)良晶體 4.發(fā)光復(fù)合概率大發(fā)光復(fù)合概率大2.幾種主要的外延材料幾種主要的外延材料 1）AlInGaP外延材料外延材料2）GaN外延材料外延材料3 ）AlInGaN外延材料外延材料4 ）AIGaAs外延材料外延材料5 ）其他新型外延材料其他新型外延材料3 LED芯片的外延技術(shù)及外延設(shè)備芯片的外延技術(shù)及外延設(shè)備1）VPE設(shè)備設(shè)備VPE設(shè)備工作原理設(shè)備工作原理2）MOCVD設(shè)備設(shè)備MOCVD設(shè)備設(shè)備MOCVD設(shè)備工作原理設(shè)備工作原理 外延片在光電產(chǎn)業(yè)中扮演了一個(gè)十分重要的角色，而外延片在光電產(chǎn)業(yè)中扮演

8、了一個(gè)十分重要的角色，而MOCVD外延爐是制作外延片的不可缺少的設(shè)備。有些專外延爐是制作外延片的不可缺少的設(shè)備。有些專家經(jīng)常用一個(gè)國(guó)家或地區(qū)有多少臺(tái)家經(jīng)常用一個(gè)國(guó)家或地區(qū)有多少臺(tái)MOCVD外延爐來(lái)街量外延爐來(lái)街量這個(gè)國(guó)家或地區(qū)光電行業(yè)的發(fā)展規(guī)模，這巳充分說(shuō)明了這個(gè)國(guó)家或地區(qū)光電行業(yè)的發(fā)展規(guī)模，這巳充分說(shuō)明了MOCVD外延爐的重要性。根據(jù)生長(zhǎng)的需要，外延爐的重要性。根據(jù)生長(zhǎng)的需要，MOCVD外外延爐一次可以制出延爐一次可以制出11片或片或15片外延片，有時(shí)也可以制出片外延片，有時(shí)也可以制出24片外延片。片外延片。 4.外延技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)外延技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì) 1) 外延技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)外延

9、技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì) A 選擇性外延生長(zhǎng)或側(cè)向外延生長(zhǎng)技術(shù)選擇性外延生長(zhǎng)或側(cè)向外延生長(zhǎng)技術(shù)B 懸空外延技術(shù)懸空外延技術(shù)C 多量子阱型芯片技術(shù)多量子阱型芯片技術(shù) D “光子再循環(huán)光子再循環(huán)”技術(shù)技術(shù)E 研發(fā)短波長(zhǎng)紫外研發(fā)短波長(zhǎng)紫外(UV)LED外延材料外延材料 F 氮化氫汽相外延氮化氫汽相外延(HVPE)技術(shù)技術(shù) 2) 外延設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)外延設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì) A 大型化，以提高生產(chǎn)能力大型化，以提高生產(chǎn)能力B 專用化專用化C 低成本化低成本化D 多工藝、多技術(shù)集成化多工藝、多技術(shù)集成化E 對(duì)紫外對(duì)紫外LED專用專用MOCVD設(shè)備的需求將急劇增加設(shè)備的需求將急劇增加2.3 LED的芯片技術(shù)的芯片技術(shù)2.提

10、高光引出效率的芯片技術(shù) 3.電極及電流擴(kuò)展技術(shù) 1 優(yōu)化芯片發(fā)光層能帶結(jié)構(gòu) 提綱提綱1 優(yōu)化芯片發(fā)光層能帶結(jié)構(gòu)優(yōu)化芯片發(fā)光層能帶結(jié)構(gòu)1） 雙異質(zhì)結(jié)雙異質(zhì)結(jié)雙異質(zhì)結(jié)能帶圖雙異質(zhì)結(jié)能帶圖2） 量子阱結(jié)構(gòu)量子阱結(jié)構(gòu) 量子阱結(jié)構(gòu)能帶圖量子阱結(jié)構(gòu)能帶圖高亮度高亮度LED所采用的發(fā)光層結(jié)構(gòu)及其外量子效率所采用的發(fā)光層結(jié)構(gòu)及其外量子效率 2.提高光引出效率的芯片技術(shù)提高光引出效率的芯片技術(shù)傳統(tǒng)傳統(tǒng)LED的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 1）在芯片與電極之間加入厚窗口層）在芯片與電極之間加入厚窗口層芯片與電極之間加入厚窗口層芯片與電極之間加入厚窗口層2）剝離與透明襯底技術(shù)）剝離與透明襯底技術(shù)A 在外延表面沉積鍵合金屬層在外延表面

11、沉積鍵合金屬層(例如例如lOOnm的的Pd)，再在鍵合襯底再在鍵合襯底(如如Si襯底襯底)表面積一層表面積一層1 000nm的銦；的銦；B 將外延片低溫鍵合到襯底上；將外延片低溫鍵合到襯底上；C 用用KrF脈沖準(zhǔn)分子激光器照射藍(lán)寶石襯底底面，再加熱到約脈沖準(zhǔn)分子激光器照射藍(lán)寶石襯底底面，再加熱到約40，使藍(lán)寶石與使藍(lán)寶石與GaN層脫離。層脫離。3) 雙反射雙反射(DR)和分布式布拉格反射和分布式布拉格反射(DBR)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) DBR LED的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)DR LED的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 4) 倒裝芯片倒裝芯片(Flip-chip)技術(shù)技術(shù)傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底GaN基基LED芯片的結(jié)構(gòu)芯片的結(jié)構(gòu) 倒

12、裝芯片結(jié)構(gòu)倒裝芯片結(jié)構(gòu) 5 ) 表面粗糙化紋理結(jié)構(gòu)表面粗糙化紋理結(jié)構(gòu) 芯片表面紋理結(jié)構(gòu)芯片表面紋理結(jié)構(gòu) 紋理表面的取光模式紋理表面的取光模式 6) 微芯片陣列微芯片陣列7) 異形芯片技術(shù)異形芯片技術(shù) 不同光引出結(jié)構(gòu)的異形芯片技術(shù)不同光引出結(jié)構(gòu)的異形芯片技術(shù) 3.電極及電流擴(kuò)展技術(shù)電極及電流擴(kuò)展技術(shù) 電極是電極是LED的重要部件。為降的重要部件。為降低器件的光損耗，提高光效，低器件的光損耗，提高光效，電極的設(shè)計(jì)必須滿足電極的設(shè)計(jì)必須滿足3個(gè)方面?zhèn)€方面的要求：的要求：一是要求盡可能低的接觸電阻一是要求盡可能低的接觸電阻，二是要求電流能分散到芯片，二是要求電流能分散到芯片截面積上盡可能大的區(qū)域，三截

13、面積上盡可能大的區(qū)域，三是要求電極對(duì)光遮擋的損耗最是要求電極對(duì)光遮擋的損耗最小。小。高亮度高亮度HBLED的電極圖形的電極圖形 新型高效率新型高效率LED與傳統(tǒng)與傳統(tǒng)LED的結(jié)構(gòu)比較的結(jié)構(gòu)比較 LED芯片電流的擴(kuò)展芯片電流的擴(kuò)展2.4 LED的封裝技術(shù)的封裝技術(shù) 2.功率型LED封裝技術(shù)1 LED的封裝形式與結(jié)構(gòu) 提綱提綱1 LED的封裝形式與結(jié)構(gòu)的封裝形式與結(jié)構(gòu)Lamp-LED早期出現(xiàn)的是直插早期出現(xiàn)的是直插LED，它的封裝采用灌封的形式。，它的封裝采用灌封的形式。1） Lamp-LED封裝封裝2） SMD封裝封裝表面貼裝技術(shù)表面貼裝技術(shù)(SMT)應(yīng)用于應(yīng)用于LED生產(chǎn)生產(chǎn)始于始于20世紀(jì)世

14、紀(jì)80年代，表面貼裝是年代，表面貼裝是LED一種重要的封裝形式。一種重要的封裝形式。表面貼裝表面貼裝LED與其他表面貼裝器件與其他表面貼裝器件(SMD)一樣，適合于自動(dòng)化大規(guī)模生一樣，適合于自動(dòng)化大規(guī)模生產(chǎn)，并且適應(yīng)電子整機(jī)產(chǎn)品輕薄短小產(chǎn)，并且適應(yīng)電子整機(jī)產(chǎn)品輕薄短小的發(fā)展要求。的發(fā)展要求。 表面貼裝表面貼裝LED的有關(guān)尺寸的有關(guān)尺寸 3) 多芯片集成封裝多芯片集成封裝目前大尺寸芯片還存在散熱和發(fā)光均勻目前大尺寸芯片還存在散熱和發(fā)光均勻性及發(fā)光效率下降等問(wèn)題。由于小芯片性及發(fā)光效率下降等問(wèn)題。由于小芯片工藝相對(duì)成熟，將多個(gè)小尺寸芯片高工藝相對(duì)成熟，將多個(gè)小尺寸芯片高密度地集成在一起封裝而成的功

15、率型密度地集成在一起封裝而成的功率型LED，可以獲得較高的光通量。，可以獲得較高的光通量。 2.功率型功率型LED封裝技術(shù)封裝技術(shù)功率型功率型LED功率型功率型LED封裝技術(shù)封裝技術(shù)功率功率LED的熱學(xué)計(jì)算的熱學(xué)計(jì)算 熱傳導(dǎo)理論 其中t為溫度差，P為流過(guò)介質(zhì)熱量，為熱導(dǎo)系數(shù)，為熱導(dǎo)面積，為介質(zhì)厚度APtLED芯片芯片粘接劑熱沉電路基板溫度計(jì)算溫度計(jì)算KmmmmmKWumWAPt2011/1201一顆一顆1mm*1mm*0.1mm的的LED芯片，熱功率為芯片，熱功率為1W，通過(guò)硅，通過(guò)硅膠與封裝基板連接，硅膠層厚度膠與封裝基板連接，硅膠層厚度20um，熱導(dǎo)率，熱導(dǎo)率1W/K*m，求，求硅膠上下面

16、溫度差。硅膠上下面溫度差。相同的芯片，通過(guò)銀膠與封裝基板連接，銀膠層厚度相同的芯片，通過(guò)銀膠與封裝基板連接，銀膠層厚度20um，熱導(dǎo)率熱導(dǎo)率6W/K*m，計(jì)算該上下面溫度差。，計(jì)算該上下面溫度差。KmmmmmKWumWAPt3 . 311/6201封裝基板封裝基板目前常見(jiàn)的大功率目前常見(jiàn)的大功率LED封裝基板有封裝基板有PCB、MCPCM金屬覆銅金屬覆銅板、板、Al2O3陶瓷和陶瓷和AlN陶瓷。陶瓷。各類封裝基板比較各類封裝基板比較2.5 白光白光LED技術(shù)技術(shù)2人造白光的合成 3白光LED的實(shí)現(xiàn)方法 1可見(jiàn)光光譜與白光LED的關(guān)系 提綱提綱4白光LED存在的問(wèn)題及對(duì)策 5熒光材料 6白光LE

17、D的特性 1可見(jiàn)光光譜與白光可見(jiàn)光光譜與白光LED的關(guān)系的關(guān)系 2人造白光的合成人造白光的合成白光的合成白光的合成3白光白光LED的實(shí)現(xiàn)方法的實(shí)現(xiàn)方法 1）熒光粉轉(zhuǎn)換）熒光粉轉(zhuǎn)換(PC) LED 藍(lán)光藍(lán)光InGaN LED的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) InGaN/YAG白光白光LED的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) InGaN/YAG白光白光LED制作工藝流程制作工藝流程20mA、250C時(shí)的白光時(shí)的白光LED的光譜的光譜 白光白光LED和其他可見(jiàn)光和其他可見(jiàn)光LED的色坐標(biāo)的色坐標(biāo) 藍(lán)光藍(lán)光LED芯片配合芯片配合YAG熒光粉獲得白光熒光粉獲得白光LED的方法的的方法的優(yōu)點(diǎn)是：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本較低，制作工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，而且優(yōu)點(diǎn)是：結(jié)

18、構(gòu)簡(jiǎn)單，成本較低，制作工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，而且YAG熒光粉在熒光燈中應(yīng)用了許多年，工藝比較成熟。熒光粉在熒光燈中應(yīng)用了許多年，工藝比較成熟。 該實(shí)現(xiàn)方法的缺點(diǎn)主要有：該實(shí)現(xiàn)方法的缺點(diǎn)主要有：（1）因藍(lán)光）因藍(lán)光LED的效率還不夠高，致使白光的效率還不夠高，致使白光LED的光效較低。的光效較低。（2）用短波長(zhǎng)的藍(lán)光激發(fā)）用短波長(zhǎng)的藍(lán)光激發(fā)YAG熒光粉產(chǎn)生長(zhǎng)波長(zhǎng)的黃光，存熒光粉產(chǎn)生長(zhǎng)波長(zhǎng)的黃光，存在能量損耗。在能量損耗。（3）熒光粉與封裝材料隨著時(shí)間老化，導(dǎo)致色溫漂移和壽命）熒光粉與封裝材料隨著時(shí)間老化，導(dǎo)致色溫漂移和壽命的縮短。的縮短。（4）難以實(shí)現(xiàn)低色溫（白光偏向暖色），顯色指數(shù)一般較低）難以實(shí)現(xiàn)低

19、色溫（白光偏向暖色），顯色指數(shù)一般較低(7080)。（5）光色隨電流變化，易出現(xiàn)月暈現(xiàn)象。）光色隨電流變化，易出現(xiàn)月暈現(xiàn)象。（6）功率型白光）功率型白光LED還存在空間色度均勻性等問(wèn)題。還存在空間色度均勻性等問(wèn)題。2)三基色熒光粉轉(zhuǎn)換三基色熒光粉轉(zhuǎn)換(PC) LED 三基色三基色PC LED能在較高發(fā)光效率能在較高發(fā)光效率的前提下，有效地提升的前提下，有效地提升LED的顯色的顯色性。三基色光源的最佳組合波長(zhǎng)為性。三基色光源的最佳組合波長(zhǎng)為450nm、540nm和和610nm，這一，這一組合可以通過(guò)部分被吸收的組合可以通過(guò)部分被吸收的AlInGaN芯片的藍(lán)光和適當(dāng)芯片的藍(lán)光和適當(dāng)?shù)木G光和橙黃光兩

20、種熒光粉來(lái)實(shí)現(xiàn)。的綠光和橙黃光兩種熒光粉來(lái)實(shí)現(xiàn)。 LED的發(fā)光頻與電流關(guān)系的發(fā)光頻與電流關(guān)系 兩種白光兩種白光LED的注入的注入電流與色度的依存關(guān)系電流與色度的依存關(guān)系 3）多芯片）多芯片(MC)白光白光LED（三基色（三基色RGB合成）合成） 除了利用藍(lán)光除了利用藍(lán)光LED配合紅色配合紅色、綠色熒光粉產(chǎn)生白光外，、綠色熒光粉產(chǎn)生白光外，也可以將也可以將RGB三基色三基色LED芯芯片封裝在一起來(lái)產(chǎn)生白光，片封裝在一起來(lái)產(chǎn)生白光，還可以利用紅、綠、藍(lán)、黃還可以利用紅、綠、藍(lán)、黃橙四色橙四色LED來(lái)產(chǎn)生白光，構(gòu)來(lái)產(chǎn)生白光，構(gòu)成多芯片白光成多芯片白光LED。其中，。其中，三芯片三芯片RGB三基色合成

21、白光三基色合成白光技術(shù)最具有代表性。技術(shù)最具有代表性。RGB三基色三基色LED的發(fā)光光譜的發(fā)光光譜 4白光白光LED存在的問(wèn)題及對(duì)策存在的問(wèn)題及對(duì)策 1）散熱問(wèn)題）散熱問(wèn)題A 加速器件老化，縮短使用壽命，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片燒毀。加速器件老化，縮短使用壽命，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片燒毀。B 使藍(lán)光使藍(lán)光LED的波長(zhǎng)發(fā)生紅移，并對(duì)白光的色度和色溫等的波長(zhǎng)發(fā)生紅移，并對(duì)白光的色度和色溫等產(chǎn)生重要影響。如果波長(zhǎng)偏移過(guò)多，偏離了熒光粉的吸收峰，將產(chǎn)生重要影響。如果波長(zhǎng)偏移過(guò)多，偏離了熒光粉的吸收峰，將導(dǎo)致熒光粉量子效率降低，影響出光效率。導(dǎo)致熒光粉量子效率降低，影響出光效率。C 溫度對(duì)熒光粉的輻射特性也有很大影響

22、，隨溫度的上升，溫度對(duì)熒光粉的輻射特性也有很大影響，隨溫度的上升，熒光粉量子效率降低，出光減少，輻射波長(zhǎng)也會(huì)發(fā)生改變，熒光粉量子效率降低，出光減少，輻射波長(zhǎng)也會(huì)發(fā)生改變，致使白光致使白光LED的色溫、色度發(fā)生變化。的色溫、色度發(fā)生變化。 2）發(fā)光效率還不是足夠高）發(fā)光效率還不是足夠高目前白光目前白光LED的發(fā)光效率的實(shí)驗(yàn)室水平早已超過(guò)的發(fā)光效率的實(shí)驗(yàn)室水平早已超過(guò)lOOlm/W 芯片的內(nèi)量子效率已經(jīng)接近芯片的內(nèi)量子效率已經(jīng)接近10%的極限的極限 可采用覆芯片化封裝方式，并整合芯片表面的加工工藝可采用覆芯片化封裝方式，并整合芯片表面的加工工藝 3）高質(zhì)量熒光粉的開(kāi)發(fā)及其涂敷工藝控制）高質(zhì)量熒光粉的開(kāi)發(fā)及其涂敷工藝控制對(duì)熒光粉的基本要求是：對(duì)熒光粉的基本要求是：A 能被與其相配的藍(lán)光或紫外芯片有效激發(fā)。能被與其相配的藍(lán)光或紫外芯片有效激發(fā)。B 具有較高的量子效率。具有較高的量子效率。C 化學(xué)性能穩(wěn)定，光衰小?；?/p>