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文檔簡介

1、會計學1圖設計圖設計(shj)中的設計中的設計(shj)規(guī)則規(guī)則第一頁,共55頁。2第1頁/共54頁第二頁,共55頁。3第2頁/共54頁第三頁,共55頁。4第3頁/共54頁第四頁,共55頁。5第4頁/共54頁第五頁,共55頁。6第5頁/共54頁第六頁,共55頁。7第6頁/共54頁第七頁,共55頁。8對獨立地選擇,可以把每個尺寸定得更合對獨立地選擇,可以把每個尺寸定得更合理,所以電路性能好,芯片尺寸小。缺點理,所以電路性能好,芯片尺寸小。缺點是對于一個設計級別,就要有一整套數(shù)字,是對于一個設計級別,就要有一整套數(shù)字,而不能按比例放大、縮小。而不能按比例放大、縮小。第7頁/共54頁第八頁,共55頁

2、。9 設計規(guī)則或規(guī)整格式設計規(guī)則設計規(guī)則或規(guī)整格式設計規(guī)則 70年代末,年代末,Meed和和Conway倡導倡導以無量綱的以無量綱的“ ”為單位表示所有的幾何為單位表示所有的幾何尺寸限制,把大多數(shù)尺寸(覆蓋,出頭尺寸限制,把大多數(shù)尺寸(覆蓋,出頭等等)約定等等)約定(yudng)為為 的倍數(shù)。通常的倍數(shù)。通常 取柵長度取柵長度L的一半,又稱等比例設計規(guī)的一半,又稱等比例設計規(guī)則。由于其規(guī)則簡單,主要適合于芯片則。由于其規(guī)則簡單,主要適合于芯片設計新手使用,或不要求芯片面積最小設計新手使用,或不要求芯片面積最小,電路特性最佳的應用場合。在這類規(guī),電路特性最佳的應用場合。在這類規(guī)則中,把絕大多數(shù)尺

3、寸規(guī)定為某一特征則中,把絕大多數(shù)尺寸規(guī)定為某一特征尺寸尺寸“ ”的某個倍數(shù)。與工藝線所具有的某個倍數(shù)。與工藝線所具有的工藝分辨率有關,線寬偏離理想特征的工藝分辨率有關,線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準偏差。偏差。 優(yōu)點:版圖設計獨立于工藝和實際優(yōu)點:版圖設計獨立于工藝和實際尺寸。尺寸。第8頁/共54頁第九頁,共55頁。10第9頁/共54頁第十頁,共55頁。11 1. 設計規(guī)則或規(guī)整格式設計規(guī)則設計規(guī)則或規(guī)整格式設計規(guī)則 70年代末,年代末,Meed和和Conway倡導以無量綱的倡導以無量綱的“”為單位表示所有為單位表示所有(suyu)的幾何尺

4、寸限制,把的幾何尺寸限制,把大多數(shù)尺寸(覆蓋,出頭等等)約定為大多數(shù)尺寸(覆蓋,出頭等等)約定為的倍數(shù)。通的倍數(shù)。通常常取柵長度取柵長度L的一半,又稱等比例設計規(guī)則。由于的一半,又稱等比例設計規(guī)則。由于其規(guī)則簡單,主要適合于芯片設計新手使用,或不要其規(guī)則簡單,主要適合于芯片設計新手使用,或不要求芯片面積最小,電路特性最佳的應用場合。在這類求芯片面積最小,電路特性最佳的應用場合。在這類規(guī)則中,把絕大多數(shù)尺寸規(guī)定為某一特征尺寸規(guī)則中,把絕大多數(shù)尺寸規(guī)定為某一特征尺寸“”的的某個倍數(shù)。與工藝線所具有的工藝分辨率有關,線寬某個倍數(shù)。與工藝線所具有的工藝分辨率有關,線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之

5、間的最大套準偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準偏差。偏差。 優(yōu)點:版圖設計獨立于工藝和實際尺寸。優(yōu)點:版圖設計獨立于工藝和實際尺寸。第10頁/共54頁第十一頁,共55頁。12第11頁/共54頁第十二頁,共55頁。13層次表示 含義 標示圖 NWELL N阱層 Locos N+或P+有源區(qū)層 Poly 多晶硅層 Contact 接觸孔層 Metal 金屬層 Pad 焊盤鈍化層 NWELL硅柵的層次(cngc)標示 第12頁/共54頁第十三頁,共55頁。14編 號描 述尺 寸目的與作用1.1N阱最小寬度10.0保證光刻精度和器件尺寸1.2N阱最小間距10.0防止不同電位阱間干擾1.3N

6、阱內(nèi)N阱覆蓋P+2.0保證N阱四周的場注N區(qū)環(huán)的尺寸1.4N阱外N阱到N+距離8.0減少閂鎖效應第13頁/共54頁第十四頁,共55頁。15第14頁/共54頁第十五頁,共55頁。16編 號描 述尺 寸目的與作用2.1P+、N+有源區(qū)寬度3.5保證器件尺寸,減少窄溝道效應2.2P+、N+有源區(qū)間距3.5減少寄生效應第15頁/共54頁第十六頁,共55頁。17第16頁/共54頁第十七頁,共55頁。18編 號描 述尺 寸目的與作用3.1多晶硅最小寬度3.0保證多晶硅線的必要電導3.2多晶硅間距2.0防止多晶硅聯(lián)條3.3與有源區(qū)最小外間距1.0保證溝道區(qū)尺寸3.4多晶硅伸出有源區(qū)1.5保證柵長及源、漏區(qū)的

7、截斷3.5與有源區(qū)最小內(nèi)間距3.0保證電流在整個柵寬范圍內(nèi)均勻流動第17頁/共54頁第十八頁,共55頁。19第18頁/共54頁第十九頁,共55頁。20編 號描 述尺 寸目的與作用4.1接觸孔大小2.0 x2.0保證與鋁布線的良好接觸4.2接觸孔間距2.0保證良好接觸4.3多晶硅覆蓋孔1.0防止漏電和短路4.4有源區(qū)覆蓋孔1.5防止PN結漏電和短路4.5有源區(qū)孔到柵距離1.5防止源、漏區(qū)與柵短路4.6多晶硅孔到有源區(qū)距離1.5防止源、漏區(qū)與柵短路4.7金屬覆蓋孔1.0保證接觸,防止斷條第19頁/共54頁第二十頁,共55頁。21第20頁/共54頁第二十一頁,共55頁。22編 號描 述尺 寸目的與作

8、用5.1金屬寬度2.5保證鋁線的良好電導5.2金屬間距2.0防止鋁條聯(lián)條第21頁/共54頁第二十二頁,共55頁。23第22頁/共54頁第二十三頁,共55頁。24編 號描 述尺 寸目的與作用6.1最小焊盤大小90封裝、邦定需要6.2最小焊盤邊間距80防止信號之間串繞6.3最小金屬覆蓋焊盤6.0保證良好接觸6.4焊盤外到有源區(qū)最小距離25.0提高可靠性需要第23頁/共54頁第二十四頁,共55頁。25第24頁/共54頁第二十五頁,共55頁。26第25頁/共54頁第二十六頁,共55頁。27第26頁/共54頁第二十七頁,共55頁。28第27頁/共54頁第二十八頁,共55頁。29第28頁/共54頁第二十九

9、頁,共55頁。30第29頁/共54頁第三十頁,共55頁。31第30頁/共54頁第三十一頁,共55頁。32第31頁/共54頁第三十二頁,共55頁。33第32頁/共54頁第三十三頁,共55頁。34芯片面積,所以在布局時就要留下必要的布線通道。第33頁/共54頁第三十四頁,共55頁。35下平行走過另一條用多晶硅或擴散區(qū)走線的長信號線。第34頁/共54頁第三十五頁,共55頁。36第35頁/共54頁第三十六頁,共55頁。37第36頁/共54頁第三十七頁,共55頁。38第37頁/共54頁第三十八頁,共55頁。39第38頁/共54頁第三十九頁,共55頁。40第39頁/共54頁第四十頁,共55頁。41第40頁

10、/共54頁第四十一頁,共55頁。42第41頁/共54頁第四十二頁,共55頁。43第42頁/共54頁第四十三頁,共55頁。44第43頁/共54頁第四十四頁,共55頁。45第44頁/共54頁第四十五頁,共55頁。46第45頁/共54頁第四十六頁,共55頁。47見相關軟件使用說明)。第46頁/共54頁第四十七頁,共55頁。48第47頁/共54頁第四十八頁,共55頁。49第48頁/共54頁第四十九頁,共55頁。50第49頁/共54頁第五十頁,共55頁。51第50頁/共54頁第五十一頁,共55頁。52第51頁/共54頁第五十二頁,共55頁。53第52頁/共54頁第五十三頁,共55頁。54第53頁/共54頁第五十四頁,共55頁。NoImage內(nèi)容(nirng)總結會計學。規(guī)則越保守,能工作的電路就越多(即成品率越高)。(1)決定幾何特征和圖形的幾何規(guī)。以微米分辨率來規(guī)定的微米規(guī)則。N

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