腐蝕與防護-2

1、第二章 化學腐蝕一、化學腐蝕的概念一、化學腐蝕的概念 化學腐蝕：介質與金屬直接發(fā)生化學反應而引起的變質或損壞現(xiàn)象稱為金屬的化學腐蝕。 它是一種純氧化-還原反應過程，即腐蝕介質中的氧化劑直接與金屬表面上的原子相互作用而形成腐蝕產(chǎn)物。在腐蝕過程中，電子的傳遞是在介質與金屬之間直接進行的，沒有腐蝕電流產(chǎn)生，反應速度受多相化學反應動力學控制。 介質之中腐蝕粒子向金屬表面擴散介質之中腐蝕粒子向金屬表面擴散 腐蝕粒子到達金屬表面腐蝕粒子到達金屬表面 金屬表面原子失去電子金屬表面原子失去電子 金屬離子進入溶液或附著于金屬表面金屬離子進入溶液或附著于金屬表面 金屬離子與腐蝕粒子副產(chǎn)物反應生成金屬金屬離子與腐蝕

2、粒子副產(chǎn)物反應生成金屬鹽而離開金屬表面或沉積于金屬表面鹽而離開金屬表面或沉積于金屬表面多多相化學反應動力學化學反應動力學其反應可用如下反應式表示其反應可用如下反應式表示： M n/2O2 MOn腐蝕區(qū)腐蝕區(qū) 介質介質金屬金屬化學腐蝕一般發(fā)生在如下介質中：化學腐蝕一般發(fā)生在如下介質中： 在干燥氣體中：相對濕度在干燥氣體中：相對濕度70%的大氣中的大氣中 在高溫氣體中：金屬在高溫下鍛造成型過在高溫氣體中：金屬在高溫下鍛造成型過程中產(chǎn)生大量的氧化皮，相當于被加工材程中產(chǎn)生大量的氧化皮，相當于被加工材料的料的1/5。 氧化劑（除氧之外）的腐蝕：含硫、鹵素氧化劑（除氧之外）的腐蝕：含硫、鹵素等氣體等氣體

3、; 在非電解質溶液中的腐蝕：在非電解質溶液中的腐蝕：二、化學腐蝕的特點：二、化學腐蝕的特點：1、在不電離、不導電的介質環(huán)境下。、在不電離、不導電的介質環(huán)境下。2、反應中沒有電流產(chǎn)生，直接完成氧化還原、反應中沒有電流產(chǎn)生，直接完成氧化還原 反應。反應。3、腐蝕速度與程度與外界電位變化無關，不、腐蝕速度與程度與外界電位變化無關，不 能用電化學保護方法予以控制。能用電化學保護方法予以控制。三、金屬氧化熱力學判據(jù)三、金屬氧化熱力學判據(jù) 對于反應對于反應 G0 反應自發(fā)進行反應自發(fā)進行 G = 0 反應達到平衡反應達到平衡 G 0 反應不能自發(fā)進行反應不能自發(fā)進行 對于對于 Mn/2O2 = MOn 有

4、有 G = G 0 RTln MOn/M(O2)n/2常見金屬的G 生成物生成物 G 生成物生成物 G Ag2O -5.1 ZnO -152.4Cu2O -69.2 Cr2O3 -157.8PbO -90.0 SnO 2 -197.1NiO -102.8 Al2O3 -252FeO -109.2 MgO -273 由公式和金屬氧化的由公式和金屬氧化的G 得到結論：溫度足夠得到結論：溫度足夠高時，反應向相反方向進行。高時，反應向相反方向進行。冶煉原理冶煉原理 結論一：結論一： 在常態(tài)大氣壓下，大多數(shù)金屬都有自發(fā)氧在常態(tài)大氣壓下，大多數(shù)金屬都有自發(fā)氧化傾向，即氧化物是穩(wěn)定的，金屬本身不化傾向，即氧

5、化物是穩(wěn)定的，金屬本身不穩(wěn)定。穩(wěn)定。 在常壓下，氧化反應的吉布斯自由能隨著在常壓下，氧化反應的吉布斯自由能隨著溫度的升高而變大（由負變正），即金屬溫度的升高而變大（由負變正），即金屬的氧化趨勢隨溫度的升高而變小，直至逆的氧化趨勢隨溫度的升高而變小，直至逆向進行。向進行。討論一下氧氣的濃度影響討論一下氧氣的濃度影響 對于對于 2M(s)O2 (g) 2MO (s)設上述反應達平衡時，金屬氧化物設上述反應達平衡時，金屬氧化物MO 分解產(chǎn)分解產(chǎn)生氧的分壓生氧的分壓PO2；氣相中氧氣的分壓為氣相中氧氣的分壓為PO2；K= 2MO/( 2M O2)=1/ O2 = 1/ PO2 ( MO、 M = 1）

6、代入代入G 公式公式:G = G 0 + RT ln (1/ PO2 ) = RT ln ( 1 / PO2) + RT ln(1 / PO2) = RT ln(PO2/PO2)PO2 PO2 G趨向于正，正反應難以進行，氧趨向于正，正反應難以進行，氧化受到抑制，還原可能發(fā)生；化受到抑制，還原可能發(fā)生； PO2 PO2 G趨向于負，正反應可以自發(fā)進行趨向于負，正反應可以自發(fā)進行。結論二：結論二：1、常溫下，絕大多數(shù)金屬氧化物的分解壓小于大氣、常溫下，絕大多數(shù)金屬氧化物的分解壓小于大氣的氧的分壓，故大多數(shù)金屬都具有自發(fā)氧化的傾向。的氧的分壓，故大多數(shù)金屬都具有自發(fā)氧化的傾向。2、金屬氧化物的分解

7、壓隨著溫度的升高而增大，金、金屬氧化物的分解壓隨著溫度的升高而增大，金屬自發(fā)氧化傾向下降。屬自發(fā)氧化傾向下降。3、調節(jié)控制體系氧的分壓，能夠影響乃至改變金屬、調節(jié)控制體系氧的分壓，能夠影響乃至改變金屬的自發(fā)氧化傾向。的自發(fā)氧化傾向。四、金屬氧化膜及其性質四、金屬氧化膜及其性質 化學氧化腐蝕的現(xiàn)象就是在金屬的表面同化學氧化腐蝕的現(xiàn)象就是在金屬的表面同時進行并形成氧化膜。時進行并形成氧化膜。 問題：為什么會形成？問題：為什么會形成？ 怎樣形成？怎樣形成？ 形成條件？形成條件？ 有什么作用？有什么作用？ 1、金屬氧化膜的形成、金屬氧化膜的形成 金屬表面吸附介質中的氧分子金屬表面吸附介質中的氧分子 ，

8、氧分子解，氧分子解離離 (物理吸附熱物理吸附熱209kJ/mol) 氧原子首先與金屬表面點陣缺陷原子作用氧原子首先與金屬表面點陣缺陷原子作用生成氧化物并在此成核生成氧化物并在此成核 成核的氧化物進一步誘發(fā)氧化反應，直至成核的氧化物進一步誘發(fā)氧化反應，直至氧化膜覆蓋金屬表面氧化膜覆蓋金屬表面2、金屬氧化膜的作用、金屬氧化膜的作用（1）金屬氧化膜的保護作用：）金屬氧化膜的保護作用： 一定程度上阻滯了金屬與介質的接觸，一定程度上阻滯了金屬與介質的接觸，阻礙了金屬與介質之間的物質傳遞，減緩阻礙了金屬與介質之間的物質傳遞，減緩了金屬繼續(xù)氧化的速度。了金屬繼續(xù)氧化的速度。（2）氧化膜保護作用條件：）氧化膜

9、保護作用條件： a、氧化膜致密完整程度；、氧化膜致密完整程度； b、氧化膜本身化學與物理穩(wěn)定性質；、氧化膜本身化學與物理穩(wěn)定性質； c、氧化膜與基體結合能力；、氧化膜與基體結合能力； d、氧化膜有足夠的強度、氧化膜有足夠的強度（3）氧化膜完整性的必要條件：）氧化膜完整性的必要條件： PB原理：原理：生成的氧化物的體積大于消耗掉生成的氧化物的體積大于消耗掉的金屬的體積，是形成致密氧化膜的前提。的金屬的體積，是形成致密氧化膜的前提。 PB原理的數(shù)學表示：原理的數(shù)學表示： 反應的金屬體積：反應的金屬體積：VM = m/ m-摩爾質量摩爾質量 氧化物的體積：氧化物的體積： VMO = m/ 用用 =

10、VMO/ VM = m /（ m ） 當當 1 金屬氧化膜具備完整性條件。金屬氧化膜具備完整性條件。部分金屬的 值值氧化物氧化物 氧化物氧化物 氧化物氧化物 MoO3 3.4 WO3 3.4 V2O5 3.2Nb2O5 2.7 Sb2O5 2.4 Bi2O5 2.3Cr2O3 2.0 TiO2 1.9 MnO 1.8FeO 1.8 Cu2O 1.7 ZnO 1.6Ag2O 1.6 NiO 1.5 PbO2 1.4SnO2 1.3 Al2O3 1.3 CdO 1.2MgO 1.0 CaO 0.7MoO3 WO3 V2O5 這三種氧化物在高溫下易揮發(fā)，在常溫下由于 值太大會使體積膨脹，值太大會使體

11、積膨脹，當超過金屬膜的本身強度、塑性時，會發(fā)生當超過金屬膜的本身強度、塑性時，會發(fā)生氧化膜鼓泡、破裂、剝離、脫落。氧化膜鼓泡、破裂、剝離、脫落。 Cr2O3 TiO2 MnO FeO Cu2O ZnO Ag2O NiO PbO2 SnO2 Al2O3 這些氧化物在一定這些氧化物在一定溫度范圍內穩(wěn)定存在，溫度范圍內穩(wěn)定存在， 值適中。這些金屬的值適中。這些金屬的氧化膜致密、穩(wěn)定，有較好的保護作用。氧化膜致密、穩(wěn)定，有較好的保護作用。MgO CaO 值較小，值較小，氧化膜不致密，不起保氧化膜不致密，不起保護作用。護作用。一般選擇：一般選擇： 值在值在1 1 3 3之間之間 膜具有保護性的其它條件膜

12、具有保護性的其它條件 （1 1）膜有良好的化學穩(wěn)定性。致密、缺陷少。膜有良好的化學穩(wěn)定性。致密、缺陷少。（2 2）膜有一定的強度和塑性，與基體結合牢固。膜有一定的強度和塑性，與基體結合牢固。 （3 3）膜與基體金屬的熱膨脹系數(shù)差異小。膜與基體金屬的熱膨脹系數(shù)差異小。 氧化膜成長的實驗規(guī)律氧化膜成長的實驗規(guī)律 膜的成長可以用單位面積上的增重膜的成長可以用單位面積上的增重 W W+ +/S/S表示表示，也可以用，也可以用膜厚膜厚y y表示表示。在膜。在膜的密度均勻時，兩種表示方法是等價的。的密度均勻時，兩種表示方法是等價的。 5 4 3 2 10 10 20 30 40 50 60 70 時間（小

13、時）時間（小時）增量（增量（2 2米厘米厘/ /毫克）毫克）純鎂在氧氣中氧化的直線規(guī)律純鎂在氧氣中氧化的直線規(guī)律575551526503（2 2）( (簡單簡單) )拋物線規(guī)律拋物線規(guī)律 y y2 2 = kt = kt 多數(shù)金屬多數(shù)金屬( (如如FeFe、NiNi、CuCu、Ti)Ti)在中等在中等溫度范圍內的氧化都符合簡單拋物線規(guī)律。溫度范圍內的氧化都符合簡單拋物線規(guī)律。 當氧化符合簡單拋物線規(guī)律時，氧化當氧化符合簡單拋物線規(guī)律時，氧化速率速率dy/dtdy/dt與膜厚與膜厚y y成反比，這表明氧化受成反比，這表明氧化受離子擴散通過表面氧化膜的速度所控制。離子擴散通過表面氧化膜的速度所控制

14、。 300250200150100 50 0 100 500 1000增重（2米厘/克毫）1100900 700 時間（分）時間（分）鐵在空氣中氧化的拋物線規(guī)律 （直角坐標） 金屬的高溫氧化金屬的高溫氧化幾種典型的氧化動力學曲線 （3 3）混合拋物線規(guī)律）混合拋物線規(guī)律 ayay2 2 + by = kt + by = kt Fe Fe、CuCu在低氧分壓氣氛中的氧化符合混合拋在低氧分壓氣氛中的氧化符合混合拋物線規(guī)律。物線規(guī)律。（4 4）對數(shù)規(guī)律）對數(shù)規(guī)律 y = ky = k1 1 lg t + klg t + k2 2 (t t(t t0 0) ) 在溫度比較低時，金屬表面上形成極薄的氧在

15、溫度比較低時，金屬表面上形成極薄的氧化膜，就足以對氧化過程產(chǎn)生很大的阻滯作用，化膜，就足以對氧化過程產(chǎn)生很大的阻滯作用，使膜厚的增長速度變慢，在時間不太長時膜厚實使膜厚的增長速度變慢，在時間不太長時膜厚實際上已不再增加。這種膜的成長符合對數(shù)規(guī)律際上已不再增加。這種膜的成長符合對數(shù)規(guī)律 表面膜的破壞表面膜的破壞 表面膜中的應力表面膜中的應力 表面氧化膜中存在內應力表面氧化膜中存在內應力。形成應力的原因。形成應力的原因是多方面的，包括氧化膜成長產(chǎn)生的應力，相變是多方面的，包括氧化膜成長產(chǎn)生的應力，相變應力和熱應力。內應力達到一定程度時，可以由應力和熱應力。內應力達到一定程度時，可以由膜的塑性變形、

16、金屬基體塑性變形，氧化膜與基膜的塑性變形、金屬基體塑性變形，氧化膜與基體分離，氧化膜破裂等途徑而得到部分或全部松體分離，氧化膜破裂等途徑而得到部分或全部松弛。弛。Me（a）未破裂的空泡）未破裂的空泡 Me（d) 剝落剝落Me（f）在角和棱邊）在角和棱邊上裂開上裂開膜破裂的幾種形式膜破裂的幾種形式Me（b）破裂的空泡）破裂的空泡 Me（c）氣體不能透過的微泡）氣體不能透過的微泡Me（e e）切口裂開）切口裂開增量（2米厘/毫克） 1。0 0。8 0。6 0。4 0。2 0 0。5 1 1。5 2。0時間（小時）時間（小時）銅的氧化曲線銅的氧化曲線虛線虛線-假想膜被破壞情況下的拋物線。假想膜被破壞

17、情況下的拋物線。 500500厚膜成長規(guī)律的簡單推導（自學）厚膜成長規(guī)律的簡單推導（自學） 氧化與溫度的關系氧化與溫度的關系 溫度是金屬高溫氧化的一個重要因溫度是金屬高溫氧化的一個重要因素。在溫度恒定時，金屬的氧化服從一素。在溫度恒定時，金屬的氧化服從一定的動力學公式，反映出氧化過程的機定的動力學公式，反映出氧化過程的機制和控制因素。除直線規(guī)律外，氧化速制和控制因素。除直線規(guī)律外，氧化速度隨試驗時間延長而下降，表明度隨試驗時間延長而下降，表明氧化膜氧化膜形成后對金屬起到了保護作用形成后對金屬起到了保護作用。 氧化膜的電化學性質氧化膜的電化學性質 氧化物具有晶體結構，而且大多數(shù)金氧化物具有晶體結

18、構，而且大多數(shù)金屬氧化物是非當量化合的。因此，屬氧化物是非當量化合的。因此，氧化物氧化物晶體中存在缺陷；為保持電中性，還有數(shù)晶體中存在缺陷；為保持電中性，還有數(shù)目相當?shù)淖杂呻娮踊螂娮涌瘴?。目相當?shù)淖杂呻娮踊螂娮涌瘴?。金屬氧化金屬氧化物膜不僅有離子導電性，而且有電子導電物膜不僅有離子導電性，而且有電子導電性。即性。即氧化膜具有半導體性質氧化膜具有半導體性質。 3、金屬氧化膜半導體性質、金屬氧化膜半導體性質兩類氧化膜兩類氧化膜 （1 1）金屬過剩型，如）金屬過剩型，如ZnOZnO 氧化膜的缺陷為間隙鋅離子和自由電子氧化膜的缺陷為間隙鋅離子和自由電子。膜的。膜的導電性主要靠自由電子，故導電性主要靠自

19、由電子，故ZnOZnO稱為稱為n n型半導體型半導體。 ZnZni i2+2+2e+2ei i+1/2O+1/2O2 2=ZnO=ZnO 金屬過剩型金屬過剩型(n(n型型) )氧化物的缺陷也可能是氧陰氧化物的缺陷也可能是氧陰離子空位和自由電子，如離子空位和自由電子，如AlAl2 2O O3 3、FeFe2 2O O3 3。 eeZn2+加入Al3+的影響氧化速率減小eeeeeeZn2+金屬高溫氧化說明氧化物金屬氧化影響的示意圖 Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- O2-

20、 Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+eeZnZn2+2+Zno:金屬過剩型半導體Zn2+ O2- Li+ O2- Zn2+ O2-O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+Li+ O2- Zn2+ O2- Li+ O2-O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+加入Li+的影響氧化速率增加Zn2+ O2- Al3+ O2- Zn2+ O2-O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+Al3+ O2- Zn2+ O2- Al3+ O2-O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+eeZn2+ZnZn2+2+Zn2+兩類氧化膜兩類氧化膜 (2) (2)

21、 金屬不足型，如金屬不足型，如NiONiO 由于存在過剩的氧，在生成由于存在過剩的氧，在生成NiONiO的過程中產(chǎn)的過程中產(chǎn)生鎳陽離子空位，分別用符號生鎳陽離子空位，分別用符號和和e e表示。電子表示。電子空位又叫空位又叫正孔正孔，帶正電荷，可以想象為，帶正電荷，可以想象為NiNi3+3+。氧氧化膜導電性主要靠電子空位，故稱為化膜導電性主要靠電子空位，故稱為p p型半導體型半導體。 1/2O1/2O2 2=NiO+=NiO+NiNi2+2+ +e e 電子遷移比離子遷移快得多，故電子遷移比離子遷移快得多，故n n型或者型或者p p型型氧化膜，離子遷移都是氧化速度的控制因素。氧化膜，離子遷移都是

22、氧化速度的控制因素。 金屬高溫氧化金屬高溫氧化說明說明HauffeHauffe原子價原子價 定律定律的的 Ni3+ O2- Ni2+ O2- O2- O2- Ni2+ O2- Ni3+ O2- Ni2+ O2- Ni2+ O2- Ni2+ O2- O2- Ni3+ O2- Ni2+ O2- Ni3+NiO:金屬不足型半導體金屬不足型半導體Ni3+ O2- Li+ O2- O2-O2- Ni2+ O2- Ni3+ O2- Ni3+Ni2+ O2- Li+ O2- Ni2+ O2-O2- Ni3+ O2- Li+ O2- Ni3+加入加入Li+的影響的影響氧化速率減小Cr3+ O2- Ni2+ O

23、2- O2-O2- Ni2+ O2- Ni3+ O2- Cr3+ O2- Cr3+ O2- Ni22+ O2-O2- Ni3+ O2- O2- Ni3+加入加入Cr3+的影響的影響氧化速率增加合金元素的影響合金元素的影響 (1)(1)形成形成n n型氧化膜的金屬型氧化膜的金屬( (如如ZnZn) ) 加入低價金屬加入低價金屬( (如如Li)Li) ，e ei i減少使膜的導電減少使膜的導電性降低，性降低，ZnZn增多使氧化速度增大。增多使氧化速度增大。 加入高價金屬加入高價金屬( (如如Al)Al)，則自由電子，則自由電子e ei i增多，增多，間隙鋅離子減少，因而導電性提高，氧化速度間隙鋅離

24、子減少，因而導電性提高，氧化速度下降。下降。 對于對于P型氧化物：型氧化物：如果加入少量的更高價的如果加入少量的更高價的Cr3+離子，為了維持電荷離子，為了維持電荷的平衡，在的平衡，在NiO的晶格中將有更多的的晶格中將有更多的“空穴空穴”存在，存在，因而可使因而可使Ni2+更容易和更快地向氧化物表面移動，更容易和更快地向氧化物表面移動，促進它更快的氧化。相反，若加入較低價金屬促進它更快的氧化。相反，若加入較低價金屬Li+ ，則為維持電荷的平衡，就要相應地減少晶格中空穴則為維持電荷的平衡，就要相應地減少晶格中空穴的數(shù)目，其結果將使的數(shù)目，其結果將使Ni2+的擴散速率減小，降低氧的擴散速率減小，降

25、低氧化速率。化速率。對于對于N型氧化物：型氧化物： 如果加入高價的金屬離子，正好同上面的情況如果加入高價的金屬離子，正好同上面的情況相反相反 ,會降低氧化速率，而加入較低價的金屬離子，會降低氧化速率，而加入較低價的金屬離子，則會增加其氧化速率。則會增加其氧化速率。半導體氧半導體氧化物類型化物類型典型氧化典型氧化物物相對于基體相對于基體金屬的合金金屬的合金元素的原子元素的原子價價電子導電電子導電率的變化率的變化離子導電離子導電率和氧化率和氧化率的變化率的變化 N型半導體型半導體（金屬過剩）（金屬過剩） 1.間隙陽離子間隙陽離子 2.陰離子空位陰離子空位ZnO,CdOAl2O3.TiO2Fe2O3

26、,ZrO2 較低較低 較高較高 減小減小 增加增加 P型半導體型半導體（金屬不足）（金屬不足）1.陽離子空位陽離子空位2.間隙陰離子間隙陰離子NiO,FeO,Cu2OCr2O3,Fe3O4 未知未知 較低較低 較高較高 減小減小 增加增加合金元素的原子價對基體金屬氧化率的影合金元素的原子價對基體金屬氧化率的影 響響增加減小增加減小五、金屬的高溫腐蝕五、金屬的高溫腐蝕1、高溫氣體腐蝕、高溫氣體腐蝕（1）氧化：）氧化：當高溫氣體中含有足夠當高溫氣體中含有足夠O2時，鋼鐵發(fā)時，鋼鐵發(fā)生高溫氧化，由外及里依次生成生高溫氧化，由外及里依次生成Fe2O3、 Fe3O4 、FeO。當生成。當生成FeO后，由

27、于后，由于FeO結構疏松保護作結構疏松保護作用較弱，使用較弱，使Fe2+易于擴散，氧化速率大大增加。易于擴散，氧化速率大大增加。（2）脫碳：）脫碳：當高溫氣體中含有足夠當高溫氣體中含有足夠O2時，會與時，會與Fe3C作用，使作用，使Fe3C還原成還原成Fe，同時生成，同時生成CO、CO2 、 CH4等，使鋼鐵含碳降低，破壞了表面膜等，使鋼鐵含碳降低，破壞了表面膜的完整性和結合力，加速了氧化過程。的完整性和結合力，加速了氧化過程。（3）氫蝕：）氫蝕：在高溫高壓下，體積小的氫原子在高溫高壓下，體積小的氫原子便于沿著晶界或其它缺陷向材料的內部擴散，并便于沿著晶界或其它缺陷向材料的內部擴散，并且與且與

28、Fe3C發(fā)生脫碳反應，生成發(fā)生脫碳反應，生成CH4氣體使材料氣體使材料內局部高壓和應力集中，而引起晶體結構的破壞；內局部高壓和應力集中，而引起晶體結構的破壞；又由于又由于Fe比比Fe3C體積小，整體體積縮小，使材體積小，整體體積縮小，使材料的結構疏松性能惡化。氫蝕特別容易引發(fā)材料料的結構疏松性能惡化。氫蝕特別容易引發(fā)材料的脆性開裂，又稱氫脆。的脆性開裂，又稱氫脆。合成氨、石油裂解加氫和脫氫，合成氨、石油裂解加氫和脫氫， Cr 、Ti、V、W（4）內氧化：）內氧化：當鋼鐵中的雜質或合金元素對氧的親當鋼鐵中的雜質或合金元素對氧的親合力大于鐵時，而且氧向鋼鐵內部擴散速度大于這些合力大于鐵時，而且氧向鋼鐵內部擴散速度大于這些活潑元素向外擴散速度時，就會在這些鋼鐵內部形成活潑元素向外擴散速度時，就會在這些鋼鐵內部形成活潑元素的氧化物。不能形成氧化膜，無保護作用?；顫娫氐难趸?。不能形成氧化膜，無保護作用。合金的氧化順序為：合金的氧化順序為：Al、Ti、Si、Mn、Cr等。等。（5）含硫氣體的腐蝕（危害更大）：）含硫氣體的腐蝕（危害更大）：a、硫化物的、硫化物的PB大于氧化物，膜厚，內應力大易破裂。大于氧化物，膜厚，內應力大易破裂。b、硫化物膜晶體結構缺陷濃度大，擴散速度快。、硫化物膜晶體結構缺陷濃度大，擴散速度快。c、硫化物熔點較低