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文檔簡介
1、!單元數(shù)龐大!輸入/出引腳數(shù)目有限EPROMROMROM可可擦擦除除的的可可編編程程可可編編程程掩掩膜膜RAMRAM動態(tài)動態(tài)靜態(tài)靜態(tài)A0An-1W0W(2n-1)D0Dm寫是一次性編程,不能改!編程時將不用的熔斷有出廠時,每個結(jié)點上都熔絲由易熔合金制成寫入時,要使用編程器MOSInjuctionAvlanchegateFloating:FAMOS 空穴對,提供泄放通道生電子“擦除”:通過照射產(chǎn)“寫入”:雪崩注入管疊柵注入MOS)MOSInjuctiongateStacked(SIMOS浮置柵控制柵:G:Gfc通處正常邏輯高電平下導(dǎo)上未充負電荷,則若導(dǎo)通處正常邏輯高電平下不上充以負電荷,則若工作
2、原理:cfcfGGGG年)光燈下分鐘(陽光下一周,熒紫外線照射空穴對,提供泄放通道生電子“擦除”:通過照射產(chǎn)形成注入電荷到達吸引高速電子穿過寬的正脈沖,上加同時在發(fā)生雪崩擊穿)間加高壓(“寫入”:雪崩注入33020502525202,GSiOms,VG,VSD,fc)MOS(FLOTOXUVEPROM管浮柵隧道氧化層采用點擦除慢,操作不便的缺為克服“隧道效應(yīng)”電子會穿越隧道)當場強達到一定大小(厚度之間有小的隧道區(qū),與,cm/Vm*SiODGf78210102導(dǎo)通)下,電壓(未充電荷時,正常讀出截止)下,電壓(充電荷后,正常讀出工作原理:TVGTVGGCCf33fjCiGBms,VG,W*電子
3、隧道區(qū)接的正脈沖,加充電:01020上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電加正脈沖,接放電:fjiCGB,WG*0(隧道區(qū))(隧道區(qū))區(qū)有極小的重疊區(qū)區(qū)有極小的重疊區(qū)與與)更?。ǜ。ㄅc襯底間與襯底間 SG*nmOSG*fif15102的正脈沖的正脈沖,加加接接),),加正壓(加正壓(,充電利用雪崩注入方式充電利用雪崩注入方式向向工作原理:工作原理:usVGVVSDG*cssf101206 上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電的正脈沖的正脈沖加加放電,利用隧道效應(yīng)放電,利用隧道效應(yīng)fsscfGns,VV,GG100120 ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYROM4321產(chǎn)生
4、:產(chǎn)生:用用 ),(mY),(mY),(mY),(mY15214414107676324321作存儲單元作存儲單元觸發(fā)器,觸發(fā)器,為基本為基本RSTT41相相通通、與與、導(dǎo)導(dǎo)通通,行行中中被被選選中中,時時,能能在在jjiBBQQT,TX6511 單元與緩沖器相連單元與緩沖器相連列列第第行行第第導(dǎo)通,這時導(dǎo)通,這時時,所在列被選中,時,所在列被選中,jiT,TYj871,讀操作,讀操作截止,截止,與與導(dǎo)通,導(dǎo)通,則則若若時,時,當當OIQAAA,WRCS 32110,寫寫操操作作導(dǎo)導(dǎo)通通,與與截截止止,則則若若QOIAAA,WR 3210六管N溝道增強型MOS管CSWRAAOIOI片片選選信信
5、號號:寫寫信信號號:讀讀地地址址線線:數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)線線:/70701024 x 8RAM70OI.OI9870A,A,A.AWRWRA,A,AAOIOI寫信號:寫信號:讀讀地址線:地址線:數(shù)據(jù)線:數(shù)據(jù)線:/987070):A(110025625670 個地址個地址個字,需要個字,需要每一片提供每一片提供CS,YYAAA,A分分別別接接四四片片的的譯譯成成即即將將兩兩位位代代碼碼區(qū)區(qū)分分四四片片用用308989102376876751251125625501110010007070707AA,AA,AA,AA四四片片的的地地址址分分配配就就是是:89AA4321CSCSCSCS數(shù)字系統(tǒng)A0An-1W0W(2n-1)D0Dm可編程的“或”陣列可編程的“與”陣列用途:產(chǎn)生組合邏輯電路用途:組合邏輯電路,有三態(tài)控制可實現(xiàn)總線連接可將輸出作輸入用用途:產(chǎn)生時序邏輯電路時序邏輯電路還可便于對“與-或”輸出求反時序邏輯電路可產(chǎn)生A、B的十六種算術(shù)、邏輯運算GAL16V8數(shù)據(jù)選擇器1. IOB2. CLB3. 互連資源4. SRAM可以設(shè)置為輸入/出;輸入時可設(shè)置為:同步(經(jīng)觸發(fā)器)異步(不經(jīng)觸發(fā)器)可配置邏輯塊:本身包含了組合電路和觸發(fā)器,可構(gòu)成小的時序電路,將許多CLB組合起來,可形成大系統(tǒng)數(shù)據(jù)可先放在EPROM或PC機中通電后,
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