電子技術基礎模擬部分(第六版康華光)第4章 場效應三極管及其放大電路

1、華中科技華中科技大學大學 張林張林2華中科技大學 張林電子技術電子技術基礎模擬部分基礎模擬部分1 1 緒論緒論2 2 運算放大器運算放大器3 3 二極管及其基本電路二極管及其基本電路4 4 場效應三極管及其放大電路場效應三極管及其放大電路5 5 雙極結型三極管及其放大電路雙極結型三極管及其放大電路6 6 頻率響應頻率響應7 7 模擬集成電路模擬集成電路8 8 反饋放大電路反饋放大電路9 9 功率放大電路功率放大電路10 10 信號處理與信號產(chǎn)生電路信號處理與信號產(chǎn)生電路11 11 直流穩(wěn)壓電源直流穩(wěn)壓電源華中科技大學 張林34 4 場效應三極管及放大場效應三極管及放大電路電路4.1 4.1 金

2、屬金屬- -氧化物氧化物- -半導體（半導體（MOSMOS）場效應三極管）場效應三極管4.2 MOSFET4.2 MOSFET基本共源極放大電路基本共源極放大電路4.3 4.3 圖解分析法圖解分析法4.4 4.4 小信號模型分析法小信號模型分析法4.5 4.5 共漏極和共柵極放大電路共漏極和共柵極放大電路4.6 4.6 集成電路單級集成電路單級MOSFETMOSFET放大電路放大電路4.7 4.7 多級放大電路多級放大電路4.8 4.8 結型場效應管（結型場效應管（JFETJFET）及其放大電路）及其放大電路* *4.9 4.9 砷化鎵金屬砷化鎵金屬- -半導體場效應管半導體場效應管4.10

3、4.10 各種各種FETFET的特性及使用注意事項的特性及使用注意事項4華中科技大學 張林場效應管的分類：場效應管的分類：P P溝道溝道耗盡型耗盡型P P溝道溝道P P溝道溝道N N溝道溝道增強型增強型N N溝道溝道N N溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FETFET場效應管場效應管JFETJFET結型結型MOSFETMOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)(IGFET)耗盡型耗盡型：場效應管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在：場效應管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在增強型增強型：場效應管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道：場效應管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道華中科技大學 張林54.1 金屬金屬-

4、氧化物氧化物-半導體（半導體（MOS）場效應場效應三極管三極管4.1.1 N溝道增強型溝道增強型MOSFET4.1.2 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET4.1.3 P溝道溝道MOSFET4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應溝道長度調(diào)制等幾種效應4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)6華中科技大學 張林4.1.1 N溝道增強型溝道增強型MOSFET1. 1. 結構結構L ：溝道長度：溝道長度W ：溝道寬度：溝道寬度tox ：絕緣層厚度：絕緣層厚度通常通常 W L 絕緣體 溝道 柵極 g 鋁電極 （Al） 二氧化硅絕緣層 （SiO2） 源極 s 漏極 d L W N N P 型襯底 tox

5、7華中科技大學 張林4.1.1 N溝道增強型溝道增強型MOSFET剖面圖剖面圖 d g s B 襯底 符號符號 鋁鋁 源極源極 s SiO2絕緣層絕緣層 柵極柵極 g 漏極漏極 d 鋁鋁 鋁鋁 耗盡層耗盡層 P 型硅襯底型硅襯底 B 襯底引線襯底引線 N N 1. 1. 結構結構8華中科技大學 張林4.1.1 N溝道增強型溝道增強型MOSFET（1）VGS對溝道的控制作用對溝道的控制作用當當V VGSGS00時時 無導電溝道，無導電溝道， d、s間加間加電壓時，也無電流產(chǎn)生。電壓時，也無電流產(chǎn)生。 s g d B 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層 P 當當0 0 V VGS GS

6、 V VTN TN 時時 在電場作用下產(chǎn)生導電溝在電場作用下產(chǎn)生導電溝道，道，d、s間加電壓后，將有間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。電流產(chǎn)生。 s g d B 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層 P V VGSGS越大，導電溝道越厚越大，導電溝道越厚 s g d B 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層 P （1）VGS對溝道的控制作用對溝道的控制作用2. 2. 工作原理工作原理 必須依靠柵極外加電壓才能產(chǎn)生反必須依靠柵極外加電壓才能產(chǎn)生反型層的型層的MOSFET稱為增強型器件稱為增強型器件10華中科技大學 張林2. 2. 工作原理工作原理（2）VDS對溝道的控制作用對溝道的控

7、制作用靠近漏極靠近漏極d d處的電位升高處的電位升高 s g d B 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層 P VDD s g d B 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層 P 電場強度減小電場強度減小 溝道變薄溝道變薄當當V VGSGS一定（一定（V VGS GS V VTN TN ）時，）時，V VDSDS I ID D 溝道電位梯度溝道電位梯度 iD O vDS 整個溝道呈整個溝道呈楔形分布楔形分布 VDD 11華中科技大學 張林 s g d B 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層 P VDD s g d B 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層

8、 P VDD 當當V VDSDS增加到使增加到使V VGDGD= =V VTN TN 時，時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預夾斷。在緊靠漏極處出現(xiàn)預夾斷。 iD O vDS 預夾斷點預夾斷點 A 在預夾斷處：在預夾斷處：V VGDGD= =V VGSGS- -V VDS DS = =V VTNTN（2）VDS對溝道的控制作用對溝道的控制作用當當V VGSGS一定（一定（V VGS GS V VTN TN ）時，）時，V VDSDS I ID D 溝道電位梯度溝道電位梯度 2. 2. 工作原理工作原理12華中科技大學 張林 iD O vDS 截止區(qū) vGSVTN 可變 電阻區(qū) vDS VTN時，增強型時，增

9、強型MOSFET的的d、s間才能導通。間才能導通。15華中科技大學 張林3. 3. I-VI-V 特性曲線及大信號特性方程特性曲線及大信號特性方程（1）輸出特性及大信號特性方程）輸出特性及大信號特性方程const.DSDGS)( vvfi 截止區(qū)截止區(qū)當當vGSVTN時，導電溝道時，導電溝道尚未形成，尚未形成，iD0，為截，為截止工作狀態(tài)。止工作狀態(tài)。16華中科技大學 張林 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) vDS V VTNTN ，且，且vDSDS（vGSGSV VTNTN）2TNGSnD)(VKi v2TNGS2TNn)1( VVKv2TNGSDO)1( VIv2TNnDOVKI 是是vGSGS2 2

10、V VTNTN時的時的iD D I I- -V V 特性：特性：（1）輸出特性及大信號特性方程）輸出特性及大信號特性方程 必須讓必須讓FET工作在飽和區(qū)工作在飽和區(qū)（放大區(qū)）才有放大作用。（放大區(qū)）才有放大作用。3. 3. I-VI-V 特性曲線及大信號特性方程特性曲線及大信號特性方程19華中科技大學 張林（2）轉(zhuǎn)移特性）轉(zhuǎn)移特性const.GSDDS)( vvfi2TNGSDOD)1( VIiv# 為什么不談輸入特性？為什么不談輸入特性？ABCD在飽和區(qū)，在飽和區(qū)，iD受受vGS控制控制3. 3. I-VI-V 特性曲線及大信號特性方程特性曲線及大信號特性方程20華中科技大學 張林4.1.2

11、 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET1. 1. 結構和工作原理結構和工作原理 s g d 二氧化硅 摻雜后具有正 離子的絕緣層 N N 耗盡層 N 型溝道 P B 襯底引線 d g s B 襯底 二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子，已存在導電溝道二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子，已存在導電溝道 可以在正或負的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流可以在正或負的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流21華中科技大學 張林4.1.2 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET2PNGSDSSD)1(VIiv 2TNGSDOD)1( VIiv（N N溝道增強型）溝道增強型）IDSS 2. 2. I-VI-V 特性曲線及大

12、信號特性方程特性曲線及大信號特性方程22華中科技大學 張林4.1.3 P溝道溝道MOSFET d g s B d g s B # 襯底是什么類型的半導體材料？襯底是什么類型的半導體材料？# 哪個符號是增強型的？哪個符號是增強型的？# 在增強型的在增強型的P溝道溝道MOSFET 中，中，vGS應加什么極性的電壓才應加什么極性的電壓才能工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？能工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？23華中科技大學 張林4.1.3 P溝道溝道MOSFET# 是增強型還是耗盡型特性曲線？是增強型還是耗盡型特性曲線？# 耗盡型特性曲線是怎樣的？耗盡型特性曲線是怎樣的？vGS加什么極性的電壓能使管子加什么極性

13、的電壓能使管子工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？電流均以流入漏極的方向為正！電流均以流入漏極的方向為正！24華中科技大學 張林4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應溝道長度調(diào)制等幾種效應實際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的（實際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的（N N溝道為例）溝道為例）)1()(DS2TNGSnDvv VKi)1()1(DS2TNGSDOvv VIL的單位為的單位為 m110 VL . 當不考慮溝道調(diào)制效應時，當不考慮溝道調(diào)制效應時， 0 0，曲線是平坦的。，曲線是平坦的。 修正后修正后VA稱為厄雷（稱為厄雷（Early）電壓）電壓1. 1. 溝道長度調(diào)制效應溝道長度調(diào)

14、制效應25華中科技大學 張林4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應溝道長度調(diào)制等幾種效應 襯底未與源極并接時，襯底與源極間的偏壓襯底未與源極并接時，襯底與源極間的偏壓vBS將影響實際的開將影響實際的開啟（夾斷）電壓和轉(zhuǎn)移特性。啟（夾斷）電壓和轉(zhuǎn)移特性。VTNO表示表示vBS = 0時時的開啟電壓的開啟電壓2. 2. 襯底調(diào)制效應（體效應）襯底調(diào)制效應（體效應）N N溝道增強型溝道增強型對耗盡型器件的夾斷電壓有類似的影響對耗盡型器件的夾斷電壓有類似的影響26華中科技大學 張林4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應溝道長度調(diào)制等幾種效應2. 2. 襯底調(diào)制效應（體效應）襯底調(diào)制效應（體效應） 通常，通常，

15、N溝道器件的襯底接電路的最低電位，溝道器件的襯底接電路的最低電位，P溝道器件的溝道器件的襯底接電路的最高電位。襯底接電路的最高電位。 為保證為保證導電溝道與襯底之導電溝道與襯底之間的間的PN結反結反偏偏，要求：要求： N溝道溝道: : vBS 0 P溝道溝道: : vBS 027華中科技大學 張林4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應溝道長度調(diào)制等幾種效應3. 3. 溫度效應溫度效應 VTN和電導常數(shù)和電導常數(shù)Kn隨溫度升高而下降，且隨溫度升高而下降，且Kn受溫度的受溫度的影響大于影響大于VTN受溫度的影響受溫度的影響。 當溫度升高時，對于給定的當溫度升高時，對于給定的VGS，總的效果是漏極電，總

16、的效果是漏極電流減小。流減小。 )(2 2DSDSTNGSnDvvv VKi可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) 2TNGSnD)(VKi v飽和區(qū)飽和區(qū)28華中科技大學 張林4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應溝道長度調(diào)制等幾種效應4. 4. 擊穿效應擊穿效應（1）漏襯擊穿）漏襯擊穿 外加的漏源電壓過高，將外加的漏源電壓過高，將導致漏極到襯底的導致漏極到襯底的PN結擊穿。結擊穿。 若絕緣層厚度若絕緣層厚度tox= 50 納米納米時，時，只要約只要約30V的柵極電壓就的柵極電壓就可將可將絕緣層絕緣層擊穿，若取安全系擊穿，若取安全系數(shù)為數(shù)為3，則最大柵極安全電壓，則最大柵極安全電壓只有只有10V。 s g d B

17、 襯底引線襯底引線 N N VGG 耗盡層耗盡層 P VDD （2 2）柵極擊穿）柵極擊穿 通常在通常在MOS管的柵源間接管的柵源間接入雙向穩(wěn)壓管入雙向穩(wěn)壓管，限制柵極電壓限制柵極電壓以保護器件。以保護器件。29華中科技大學 張林4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)一、直流參數(shù)一、直流參數(shù)1. 開啟電壓開啟電壓VT （增強型參數(shù)）（增強型參數(shù)）2. 夾斷電壓夾斷電壓VP （耗盡型參數(shù)）（耗盡型參數(shù)）30華中科技大學 張林4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)一、直流參數(shù)一、直流參數(shù)3. 飽和漏電流飽和漏電流IDSS （耗盡型參數(shù)）（耗盡型參數(shù)）4. 直流輸入電阻直流輸入電阻RGS

18、 （1091015 ）31華中科技大學 張林4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)所以所以1. 輸出電阻輸出電阻rds GSDDSdsVir vDAD12TNGSnds1)(iViVKr v當不考慮溝道調(diào)制效應時，當不考慮溝道調(diào)制效應時， 0 0，rdsds 實際中實際中，rds一般在幾十千歐到幾百千歐之間一般在幾十千歐到幾百千歐之間。二、交流參數(shù)二、交流參數(shù) )1()(DS2TNGSnDvv VKi對于增強型對于增強型NMOS管管 1)(2TNGSnDDS VKivv有有32華中科技大學 張林4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)DS GSDmVigv 2. 2. 低頻互導低頻互

19、導gm 二、交流參數(shù)二、交流參數(shù) 2TNGSnD)(VKi v則則DSDSGS2TNGSnGSDm)(VVVKigvvv )(2TNGSnVK vDn2iK LWK 2Coxnn其中其中又因為又因為 2TNGSnD)(VKi vnDTNGS)(KiV v所以所以 )(2TNGSnmVKg vNMOSNMOS增強型增強型33華中科技大學 張林4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)的主要參數(shù)三、極限參數(shù)三、極限參數(shù) 1. 最大漏極電流最大漏極電流IDM 2. 最大耗散功率最大耗散功率PDM 3. 最大漏源電壓最大漏源電壓V（BR）DS 4. 最大柵源電壓最大柵源電壓V（BR）GS 華中科技大學 張林3

20、44.2 MOSFET基本共源極放大電路基本共源極放大電路4.2.1 基本共源極放大電路的組成基本共源極放大電路的組成4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原理4.2.3 放大電路的習慣畫法和主要分析法放大電路的習慣畫法和主要分析法35華中科技大學 張林4.2.1 基本共源極放大電路的組成基本共源極放大電路的組成1. 1. 如何讓如何讓MOS管工作在飽和區(qū)？管工作在飽和區(qū)？元件作用元件作用VGG：提供柵源電壓使提供柵源電壓使 vGS VTNVDD和和Rd ： 提供合適的漏源電壓，使提供合適的漏源電壓，使 vDS vGS - - VTNRd 還兼有將電流轉(zhuǎn)換成電壓的作用還兼

21、有將電流轉(zhuǎn)換成電壓的作用（VGG vi）通常稱通常稱VGG和和VDD為三極管的工作電源，為三極管的工作電源，vi為信號。為信號。36華中科技大學 張林4.2.1 基本共源極放大電路的組成基本共源極放大電路的組成2. 2. 信號如何通過信號如何通過MOS管傳遞？管傳遞？vi 信號由柵源回路輸入、漏信號由柵源回路輸入、漏源回路輸出，即源極是公共端，源回路輸出，即源極是公共端，所以稱此電路為所以稱此電路為共源電路共源電路。 也可看作信號由柵極輸入、也可看作信號由柵極輸入、漏極輸出。漏極輸出。 vGS iD vDS (= vo)飽和區(qū)飽和區(qū)2TNGSnD)(VKi v由由MOS管的控管的控制關系決定制

22、關系決定由由 iDSiovvvv 可獲得信號電壓增益可獲得信號電壓增益 （VGG vi）37華中科技大學 張林4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原理1. 1. 放大電路的靜態(tài)和動態(tài)放大電路的靜態(tài)和動態(tài) 靜態(tài)：靜態(tài)：輸入信號為零（輸入信號為零（vi= 0 或或 ii= 0）時，放大電路的）時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱工作狀態(tài)，也稱直流工作狀態(tài)直流工作狀態(tài)。 動態(tài)：動態(tài)：輸入信號不為零時，放大電路的工作狀態(tài)，也輸入信號不為零時，放大電路的工作狀態(tài)，也稱稱交流工作狀態(tài)交流工作狀態(tài)。 此時，此時，F(xiàn)ET的直流量的直流量ID、VGS、VDS，在輸出特性曲線，在輸出特性曲線上表示

23、為一個確定的點，習慣上稱該點為靜態(tài)工作點上表示為一個確定的點，習慣上稱該點為靜態(tài)工作點Q。常將上述三個電量寫成常將上述三個電量寫成IDQ、VGSQ和和VDSQ。38華中科技大學 張林4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原理2. 2. 放大電路的直流通路和交流通路放大電路的直流通路和交流通路僅有直流電流流經(jīng)的通路為直流通路僅有直流電流流經(jīng)的通路為直流通路39華中科技大學 張林4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原理2. 2. 放大電路的直流通路和交流通路放大電路的直流通路和交流通路直流電壓源內(nèi)阻為零，交直流電壓源內(nèi)阻為零，交流電流流經(jīng)直流電壓源時流

24、電流流經(jīng)直流電壓源時不產(chǎn)生任何交流壓降，不產(chǎn)生任何交流壓降，故故直流電壓源對交流相當于短路直流電壓源對交流相當于短路僅有直流電流流經(jīng)的通路為直流通路僅有直流電流流經(jīng)的通路為直流通路40華中科技大學 張林4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原理2. 2. 放大電路的直流通路和交流通路放大電路的直流通路和交流通路僅有交流電流流經(jīng)的通路為交流通路僅有交流電流流經(jīng)的通路為交流通路直流電壓源對交流相當于短路直流電壓源對交流相當于短路41華中科技大學 張林4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原理3. 3. 放大電路的靜態(tài)工作點估算放大電路的靜態(tài)工作點估算直流

25、通路直流通路假設假設NMOS管工作于飽和區(qū)，則管工作于飽和區(qū)，則2TNGSQnDQ)(VVKI VGSQ = VGGVDSQ = VDD - - IDQ Rd 當已知當已知VGG、VDD、VTN、Kn、和、和Rd 時，便可求得時，便可求得Q點（點（VGSQ、IDQ、VDSQ）。必須檢驗是否滿足飽和區(qū)工作條件：）。必須檢驗是否滿足飽和區(qū)工作條件：VDSQ VGSQ - - VTN 0。若不滿足，則說明工作在可變電阻區(qū)，此時漏極電流為若不滿足，則說明工作在可變電阻區(qū)，此時漏極電流為DSTNGSnD )(2vvVKi 注意：電路結構不同，除注意：電路結構不同，除FET特性方程外，其它電路方程將有差別

26、特性方程外，其它電路方程將有差別42華中科技大學 張林例例4.2.1假設假設NMOS管工作于飽和區(qū)，根據(jù)管工作于飽和區(qū)，根據(jù)2TNGSQnDQ)(VVKI VGSQ = VGGVDSQ = VDD - - IDQ Rd已知已知VGG=2V，VDD=5V，VTN=1V，Kn=0.2mA/V2，Rd =12k ，求，求Q點。點。求得：求得： VGSQ=2V，IDQ=0.2mA，VDSQ=2.6V滿足飽和區(qū)工作條件：滿足飽和區(qū)工作條件： VDSQ VGSQ - - VTN 0 ，結果即為所求。，結果即為所求。解：解：43華中科技大學 張林4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原

27、理3. 3. 放大電路的靜態(tài)工作點估算放大電路的靜態(tài)工作點估算飽和區(qū)的條件：飽和區(qū)的條件：VGSQ VTN , , IDQ 0 ， VDSQ VGSQ - - VTN 增強型增強型NMOS管管假設假設NMOS管工作于飽和區(qū)，利用管工作于飽和區(qū)，利用2TNGSQnDQ)(VVKI 計算計算Q點。點。若：若：VGSQ VTN , , NMOS管截止。管截止。若：若： VDSQ VGSQ - - VTN ，NMOS管可能工作在可變電阻區(qū)。管可能工作在可變電阻區(qū)。如果初始假設是錯誤的，則必須作出新的假設，同時重新分析電路。如果初始假設是錯誤的，則必須作出新的假設，同時重新分析電路。# 請歸納其它管型靜

28、態(tài)工作點的計算方法請歸納其它管型靜態(tài)工作點的計算方法44華中科技大學 張林4.2.2 基本共源放大電路的工作原理基本共源放大電路的工作原理4. 4. 放大電路的動態(tài)工作情況放大電路的動態(tài)工作情況在靜態(tài)基礎上加入小信號在靜態(tài)基礎上加入小信號vi此時電路中的總電壓和電流為此時電路中的總電壓和電流為vGS = = VGSQ + + vi iD = = IDQ + + idvDS = = vDSQ + + vds 其中其中id和和vds為為交流量交流量2TNGSnD)(VKi vvDS = = VDD - - iDRd 45華中科技大學 張林4.2.3 放大電路的習慣畫法和主要分析法放大電路的習慣畫法

29、和主要分析法 省略工作電源的直流電壓符號，僅保留電壓源非接省略工作電源的直流電壓符號，僅保留電壓源非接“地地”端子，并標注電壓源名稱。端子，并標注電壓源名稱。習慣畫法習慣畫法1. 1. 習慣畫法習慣畫法46華中科技大學 張林4.2.3 放大電路的習慣畫法和主要分析法放大電路的習慣畫法和主要分析法1. 1. 習慣畫法習慣畫法47華中科技大學 張林4.2.3 放大電路的習慣畫法和主要分析法放大電路的習慣畫法和主要分析法2. 2. 主要分析法主要分析法圖解法圖解法小信號模型分析法小信號模型分析法華中科技大學 張林484.3 圖解分析法圖解分析法4.3.1 用圖解方法確定靜態(tài)工作點用圖解方法確定靜態(tài)工

30、作點Q4.3.2 動態(tài)工作情況的圖解分析動態(tài)工作情況的圖解分析4.3.3 圖解分析法的適用范圍圖解分析法的適用范圍49華中科技大學 張林4.3.1 用圖解方法確定靜態(tài)工作點用圖解方法確定靜態(tài)工作點Q 采用圖解法分析靜態(tài)工作點，必須已知采用圖解法分析靜態(tài)工作點，必須已知FET的輸出特性的輸出特性曲線。曲線。靜態(tài)：靜態(tài)：vi = 0 輸入回路輸入回路vGS = VGG = VGSQ 輸出回路輸出回路vCE = VCCiCRc （直流負載線）（直流負載線）輸出回路左側的輸出回路左側的FET端口可用輸出特性曲線描述端口可用輸出特性曲線描述 共源放大電路共源放大電路50華中科技大學 張林4.3.1 用圖

31、解方法確定靜態(tài)工作點用圖解方法確定靜態(tài)工作點Q得到靜態(tài)工作點：得到靜態(tài)工作點：VGSQ、 IDQ、 VDSQvGS = VGG = VGSQ直流負載線：直流負載線： vCE = VCCiCRc 共源放大電路共源放大電路51華中科技大學 張林4.3.2 動態(tài)工作情況的圖解分析動態(tài)工作情況的圖解分析 共源放大電路共源放大電路vGS = VGSQ + vi 工作點沿負載線移動工作點沿負載線移動1. 1. 正常工作情況正常工作情況52華中科技大學 張林4.3.2 動態(tài)工作情況的圖解分析動態(tài)工作情況的圖解分析圖解分析可得如下結論：圖解分析可得如下結論： 1. vi vGS iD vDS |vds (vo

32、)| (vi正半周時正半周時) 2. vds與與vi相位相反；相位相反； 3. 可以測量出放大電路的可以測量出放大電路的電壓放大倍數(shù)；電壓放大倍數(shù)； 4. 可以確定最大不失真輸可以確定最大不失真輸出幅度出幅度。1. 1. 正常工作情況正常工作情況53華中科技大學 張林4.3.2 動態(tài)工作情況的圖解分析動態(tài)工作情況的圖解分析2. 2. 靜態(tài)工作點對波形失真的影響靜態(tài)工作點對波形失真的影響截止失真截止失真（NMOS）54華中科技大學 張林4.3.2 動態(tài)工作情況的圖解分析動態(tài)工作情況的圖解分析飽和失真飽和失真（NMOS）2. 2. 靜態(tài)工作點對波形失真的影響靜態(tài)工作點對波形失真的影響55華中科技大

33、學 張林4.3.3 圖解分析法的適用范圍圖解分析法的適用范圍幅度較大而工作頻率不太高的情況幅度較大而工作頻率不太高的情況優(yōu)點：優(yōu)點： 直觀、形象。有助于建立和理解交、直流共存，靜態(tài)和直觀、形象。有助于建立和理解交、直流共存，靜態(tài)和動態(tài)等重要概念；有助于理解正確選擇電路參數(shù)、合理設置動態(tài)等重要概念；有助于理解正確選擇電路參數(shù)、合理設置靜態(tài)工作點的重要性。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)靜態(tài)工作點的重要性。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)工作情況。工作情況。缺點：缺點： 不能分析工作頻率較高時的電路工作狀態(tài)，也不能用來不能分析工作頻率較高時的電路工作狀態(tài)，也不能用來分析放大電路的輸入電阻、輸出電阻

34、等動態(tài)性能指標。分析放大電路的輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)性能指標。華中科技大學 張林564.4 小信號模型分析法小信號模型分析法4.4.1 MOSFET的小信號模型的小信號模型4.4.2 用小信號模型分析共源放大電路用小信號模型分析共源放大電路4.4.3 帶源極電阻的共源極放大電路分析帶源極電阻的共源極放大電路分析4.4.4 小信號模型分析法的適用范圍小信號模型分析法的適用范圍57華中科技大學 張林4.4 小信號模型分析法小信號模型分析法建立小信號模型的意義建立小信號模型的意義建立小信號模型的思路建立小信號模型的思路 當放大電路的輸入信號幅值較小時，就可以把三極當放大電路的輸入信號幅值較小時，就

35、可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來代替，從而可以管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來代替，從而可以把三極管這個非線性器件所組成的電路當作線性電路來把三極管這個非線性器件所組成的電路當作線性電路來處理。處理。 由于場效應管是非線性器件，所以分析起來非常復由于場效應管是非線性器件，所以分析起來非常復雜。建立小信號模型，就是在特定條件下將非線性器件雜。建立小信號模型，就是在特定條件下將非線性器件做線性化近似處理，從而簡化由其構成的放大電路的分做線性化近似處理，從而簡化由其構成的放大電路的分析和設計。析和設計。58華中科技大學 張林4.4.1 MOSFET的小信號模型的小信號模型1. 1. =

36、0=0時時在飽和區(qū)內(nèi)有在飽和區(qū)內(nèi)有（以增強型（以增強型NMOS管為例）管為例）FET雙口網(wǎng)絡雙口網(wǎng)絡2TGSnD)(VKi v2TgsGSQn)(VVK v2gsTGSQn)(v VVK2gsngsTGSQn2TGSQn)(2)(vvKVVKVVK DQI gsmvg 2gsnvK 靜態(tài)值靜態(tài)值（直流）（直流）動態(tài)值動態(tài)值（交流）（交流）非線性失非線性失真項真項 當當，vgs 2( (VGSQ- -VTN) )時，時，DQDIi gsmvg dDQiI 其中其中)(2TNGSQnmVVKg 59華中科技大學 張林4.4.1 MOSFET的小信號模型的小信號模型FET雙口網(wǎng)絡雙口網(wǎng)絡DQDIi

37、gsmvg dDQiI gsmdvgi 純交流純交流電路模型電路模型1. 1. =0=0時時 gmvgs 是受控源是受控源 ，且為電，且為電壓控制電流源壓控制電流源(VCCS)。 電流方向與電流方向與vgs的極性是關的極性是關聯(lián)的。聯(lián)的。 60華中科技大學 張林4.4.1 MOSFET的小信號模型的小信號模型FET雙口網(wǎng)絡雙口網(wǎng)絡d、s端口看入有一電阻端口看入有一電阻rds電路模型電路模型2. 2. 0 0時時GSQDDSdsVir vDQADQ2TNGSQn1)(1IVIVVK 61華中科技大學 張林4.4.1 MOSFET的小信號模型的小信號模型gm 低頻互導低頻互導 轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性

38、曲線Q點上點上切線的斜率切線的斜率3. 3. 參數(shù)的物理意義參數(shù)的物理意義)(2TNGSQnVVK DSQGSDmVigv 62華中科技大學 張林4.4.1 MOSFET的小信號模型的小信號模型3. 3. 參數(shù)的物理意義參數(shù)的物理意義GSQDDSdsVir v2TNGSQn)(1VVK rds 輸出電阻輸出電阻DQADQ1IVI 輸出特性曲線輸出特性曲線Q點上切線斜率的倒數(shù)點上切線斜率的倒數(shù)63華中科技大學 張林4.4.1 MOSFET的小信號模型的小信號模型4. 4. 模型應用的前提條件模型應用的前提條件)(2TNGSQnmVVKg =0=0 0 0 參數(shù)都是小信號參數(shù)，即微變參數(shù)或交參數(shù)都

39、是小信號參數(shù)，即微變參數(shù)或交流參數(shù)。流參數(shù)。 與靜態(tài)工作點有關，在放大區(qū)基本不變。與靜態(tài)工作點有關，在放大區(qū)基本不變。 只適合對交流信號（變化量）的分析。只適合對交流信號（變化量）的分析。 未包含結電容的影響，不能用于分析高未包含結電容的影響，不能用于分析高頻情況。頻情況。vgs rds 為便于分析，先考慮為便于分析，先考慮 0時的情況時的情況oR dsmsdsdto11rgRriRv所以當所以當 =0時，時， oRddoo|RRRR 當當 0時，若時，若rds Rd ，則，則78華中科技大學 張林4.4.3 帶源極電阻的共源極放大電路分析帶源極電阻的共源極放大電路分析smdmio1RgRgA

40、 vvv電壓增益電壓增益1 . 7 例例4.4.279華中科技大學 張林4.4.3 帶源極電阻的共源極放大電路分析帶源極電阻的共源極放大電路分析例例4.4.3 雙電源供電，電流源偏置雙電源供電，電流源偏置靜態(tài)時，靜態(tài)時，vI0 0，VG 0，IDQ I又又 VSVGVGSQ dDQDDDRIVV SDDSQVVV 根據(jù)根據(jù)可求得可求得 VGSQ則則2TNGSQnDQ)(VVKI （飽和區(qū)）（飽和區(qū)） 動態(tài)時動態(tài)時80華中科技大學 張林4.4.4 小信號模型分析法的適用范圍小信號模型分析法的適用范圍 放大電路的輸入信號幅度較小，放大電路的輸入信號幅度較小，F(xiàn)ET工作在其工作在其I-V 特性特性曲

41、線的飽和區(qū)（即近似線性范圍）內(nèi)。模型參數(shù)的值是在靜曲線的飽和區(qū)（即近似線性范圍）內(nèi)。模型參數(shù)的值是在靜態(tài)工作點上求得的。所以，放大電路的動態(tài)性能與靜態(tài)工作態(tài)工作點上求得的。所以，放大電路的動態(tài)性能與靜態(tài)工作點位置及穩(wěn)定性密切相關。點位置及穩(wěn)定性密切相關。優(yōu)點優(yōu)點： 分析放大電路的動態(tài)性能指標分析放大電路的動態(tài)性能指標(Av 、Ri和和Ro等等)非常方便，非常方便，且適用于頻率較高時（用高頻模型）的分析。且適用于頻率較高時（用高頻模型）的分析。缺點缺點： 在放大電路的小信號等效電路中，電壓、電流等電量及在放大電路的小信號等效電路中，電壓、電流等電量及模型參數(shù)均是針對變化量模型參數(shù)均是針對變化量(

42、交流量交流量)而言的，不能用來分析計而言的，不能用來分析計算靜態(tài)工作點。算靜態(tài)工作點。華中科技大學 張林814.5 共漏極和共柵極放大電路共漏極和共柵極放大電路4.5.1 共共漏極（源極跟隨器）放大電路漏極（源極跟隨器）放大電路4.5.2 共共柵極放大電路柵極放大電路4.5.3 MOSFET放大電路三種組態(tài)的總結放大電路三種組態(tài)的總結和和比較比較82華中科技大學 張林4.5.1 共漏極（源極跟隨器）放大電路共漏極（源極跟隨器）放大電路1. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析設設MOSMOS管工作于飽和區(qū)管工作于飽和區(qū)2TNGSQnDQ)(VVKI sDQDDg2g1g2GSQRIVRRRV sDQDDDSQRI

43、VV 需驗證是否工作在飽和區(qū)需驗證是否工作在飽和區(qū)83華中科技大學 張林4.5.1 共漏極（源極跟隨器）放大電路共漏極（源極跟隨器）放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析根據(jù)靜態(tài)工作點可求得根據(jù)靜態(tài)工作點可求得 gm小信號等效電路小信號等效電路)(2TNGSQnmVVKg )|(dssgsmorRg vv )|(1 )|(dssmgsdssgsmgsogsirRgrRg vvvvvv電壓增益電壓增益)|(1 )|(dssmgsdssgsmiorRgrRgA vvvvv1)|(1)|(dssmdssm rRgrRg輸出與輸入同相，且增益小于等于輸出與輸入同相，且增益小于等于1 184華中科技大學 張林4

44、.5.1 共漏極（源極跟隨器）放大電路共漏極（源極跟隨器）放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析源電壓增益源電壓增益輸入電阻輸入電阻)()|(1)|( siiidsdmdsdmsiiososRRRrRgrRgA vvvvvvvg2g1i| | RRR 受靜態(tài)偏置電路的影響，受靜態(tài)偏置電路的影響，柵極絕緣的特性并未充分表現(xiàn)柵極絕緣的特性并未充分表現(xiàn)出來出來85華中科技大學 張林4.5.1 共漏極（源極跟隨器）放大電路共漏極（源極跟隨器）放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析輸出電阻輸出電阻gsmdsTsTTvvvgrRi mdssmdssTTo1| |111grRgrRiR vTgsvv 輸出電阻較小輸出電阻較

45、小86華中科技大學 張林4.5.2 共柵極放大電路共柵極放大電路1. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析根據(jù)直流通路有根據(jù)直流通路有II DQdDQDDDRIVV 2TNGSQnDQ)(VVKI 由由可得可得 VGSQ又又 VS = - -VGSQ所以所以VDSQ = VD - - VS = VDD - -IDQ Rd + + VGSQ需驗證是否工作在飽和區(qū)需驗證是否工作在飽和區(qū)87華中科技大學 張林4.5.2 共柵極放大電路共柵極放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析)|(LdgsmoRRg vv gsivv 電壓增益電壓增益)|(LdmioRRgA vvv輸出與輸入同相輸出與輸入同相設設 =0=0sigsmgssi

46、iisRgRivvvv 源電壓增益源電壓增益simLdmso1)|(RgRRgA vvv88華中科技大學 張林4.5.2 共柵極放大電路共柵極放大電路2. 動態(tài)分析動態(tài)分析輸入電阻輸入電阻mgsmgsiii1ggR vviv與共源電路同相與共源電路同相輸出電阻輸出電阻輸入電阻遠小于其它兩種組態(tài)輸入電阻遠小于其它兩種組態(tài)當當rds Rd 和和 rds Rsi時時Ro Rd89華中科技大學 張林4.5.3 MOSFET放大電路三種組態(tài)的總結和比較放大電路三種組態(tài)的總結和比較1. 三種組態(tài)的判斷三種組態(tài)的判斷 較好的方法并不是試圖尋找接地的電極，而是尋找信號較好的方法并不是試圖尋找接地的電極，而是尋

47、找信號的輸入電極和輸出電極。的輸入電極和輸出電極。 即觀察輸入信號加在哪個電極，輸出信號從哪個電極取即觀察輸入信號加在哪個電極，輸出信號從哪個電極取出，剩下的那個電極便是共同電極。如出，剩下的那個電極便是共同電極。如 共源極放大電路，信號由柵極輸入，漏極輸出；共源極放大電路，信號由柵極輸入，漏極輸出； 共漏極放大電路，信號由柵極輸入，源極輸出；共漏極放大電路，信號由柵極輸入，源極輸出； 共柵極放大電路，信號由源極輸入，漏極輸出。共柵極放大電路，信號由源極輸入，漏極輸出。 柵極始終不能做輸出電極柵極始終不能做輸出電極90華中科技大學 張林4.5.3 MOSFET放大電路三種組態(tài)的總結和比較放大電

48、路三種組態(tài)的總結和比較2. 三種組態(tài)的動態(tài)指標比較三種組態(tài)的動態(tài)指標比較共源共源共漏共漏共柵共柵電壓增益電壓增益輸入電阻輸入電阻輸出電阻輸出電阻)|(ddsmRrgA v1)|(1)|(dssmdssm rRgrRgAv)|(LdmRRgA vmi1gR 很高很高很高很高Ro RdRo Rdmdsso1| |grRR 華中科技大學 張林914.6 集成電路單級集成電路單級MOSFET放大電路放大電路4.6.1 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路4.6.2 帶耗盡型負載的帶耗盡型負載的NMOS放大電路放大電路4.6.3 帶帶PMOS負載的負載的NMOS放大電路放大電路 （CMO

49、S共源放大電路）共源放大電路）92華中科技大學 張林4.6.1 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路1. 負載線復習負載線復習 兩橫軸兩橫軸的映射關系的映射關系導致負載線導致負載線水平翻轉(zhuǎn)水平翻轉(zhuǎn)DSDDRvv VDDRV v0DS vRDDDSvv V93華中科技大學 張林4.6.1 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路2. 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路TNGSGSDSV vvv2TNDSn2TNGSnD)()(VKVKi vvN溝道增強型負載器件的溝道增強型負載器件的I-V 特性特性始終成立，所以管子一定工作在飽和區(qū)。有始終成立，所以

50、管子一定工作在飽和區(qū)。有94華中科技大學 張林4.6.1 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路2. 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路帶負載時的圖解分析帶負載時的圖解分析DS2DDDS1vv V95華中科技大學 張林4.6.1 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路2. 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路帶負載時的圖解分析帶負載時的圖解分析電壓傳輸特性曲線電壓傳輸特性曲線96華中科技大學 張林4.6.1 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路2. 帶增強型負載的帶增強型負載的NMOS放大電路放大電路電壓增益電壓增益

51、由由T2源極看進去的電阻為源極看進去的電阻為m2ds21| |gr小信號等效電路小信號等效電路)1|(m2ds2ds1m1iogrrgA vvv若若ds2m2ds1m11 ,1rgrg21)/()/(LWLWA v則則（參考共漏（參考共漏極放大電路極放大電路的輸出電阻）的輸出電阻）97華中科技大學 張林4.6.2 帶耗盡型負載的帶耗盡型負載的NMOS放大電路放大電路1. N溝道耗盡型負載器件的溝道耗盡型負載器件的I-V特性特性對應于對應于 vGS= 0 的那根輸出特性曲線的那根輸出特性曲線始終有始終有0GS v飽和區(qū)線段的等效電阻就是飽和區(qū)線段的等效電阻就是rds98華中科技大學 張林4.6.

52、2 帶耗盡型負載的帶耗盡型負載的NMOS放大電路放大電路2. 用用小信號模型分析法求電壓小信號模型分析法求電壓增益增益 當當vGS為恒定值時，源極看進去的為恒定值時，源極看進去的電阻與電阻與 gm無關，所以由無關，所以由T2源極看進去源極看進去的電阻為的電阻為rds小信號等效電路小信號等效電路)|(ds2ds1m1iorrgA vvv99華中科技大學 張林4.6.3 帶帶PMOS負載的負載的NMOS放大電路放大電路(CMOS共源放大電路共源放大電路)1. 增強型增強型PMOS負載管的負載管的I-V特性特性vGS為定值，輸出特性曲線中的一根為定值，輸出特性曲線中的一根100華中科技大學 張林4.

53、6.3 帶帶PMOS負載的負載的NMOS放大電路放大電路(CMOS共源放大電路共源放大電路)2. 用用小信號模型分析法求電壓小信號模型分析法求電壓增益增益 類似地，當類似地，當vGS為恒定值時，為恒定值時，漏極看進去的電阻也是漏極看進去的電阻也是rds小信號等效電路小信號等效電路)|(ds2ds1m1iorrgA vvv華中科技大學 張林1014.7 多級放大電路多級放大電路4.7.1 共源共源共漏放大電路共漏放大電路4.7.2 共源共源共柵放大電路共柵放大電路102華中科技大學 張林4.7.1 共源共源共漏放大電路共漏放大電路1. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析直流通路直流通路例例4.7.1103華中科技

54、大學 張林 例例4.7.11. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析兩管柵極均無電流，假設工作在飽和區(qū)兩管柵極均無電流，假設工作在飽和區(qū)2TN1GSQ1n1DQ1)(VVKI s1DQ1SSDDg2g1g2GSQ1)(RIVVRRRV )(s1d1DQ1SSDDDSQ1RRIVVV 需驗證是否工作在飽和區(qū)需驗證是否工作在飽和區(qū)s2DQ2d1DQ1SSDDGSQ2RIRIVVV 2TN2GSQ2n2DQ2)(VVKI s2DQ2SSDDDSQ2RIVVV 已知管子參數(shù)和電路參數(shù)，已知管子參數(shù)和電路參數(shù)，便可解出兩管靜態(tài)工作點便可解出兩管靜態(tài)工作點104華中科技大學 張林1. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析將具體參數(shù)值代入，計算得

55、將具體參數(shù)值代入，計算得可驗證兩管均工作在飽和區(qū)可驗證兩管均工作在飽和區(qū)VGSQ1 = 1.84 VIDQ1 = 0.2 mAVDSQ1 = 6.02 VIDQ2 0.49 mAVGSQ2 = 2.78 VVDSQ2 = 5.98 V由于由于VTN1 = VTN2 = 1.2 V 例例4.7.1105華中科技大學 張林 例例4.7.12. 動態(tài)分析動態(tài)分析根據(jù)根據(jù)小信號等效電路小信號等效電路)(2TNGSQnmVVKg )|(Ls2gs2m2oRRgvv gs1ivv 電壓增益電壓增益)|(1)|( Ls2m2Ls2d1m2m1ioRRgRRRggA vvvgs2od1gs1m1vvv Rg可

56、求得可求得 gm106華中科技大學 張林2. 動態(tài)分析動態(tài)分析源電壓增益源電壓增益輸入電阻輸入電阻)()|(1)|(siiiLs2m2Ls2d1m2m1siiososRRRRRgRRRggA vvvvvvvg2g1i| | RRR 輸出電阻就是后一級共輸出電阻就是后一級共漏電路的輸出電阻漏電路的輸出電阻m2ds2s2o1| |grRR m2s21|gR ( 2 = 0) 例例4.7.1107華中科技大學 張林4.7.2 共源共源共柵放大電路共柵放大電路華中科技大學電信系 張林例例4.7.21. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析直流通路直流通路108華中科技大學 張林需驗證是否工作在飽和區(qū)需驗證是否工作在飽和區(qū)

57、1. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析假設工作在飽和區(qū)假設工作在飽和區(qū)2TN1GSQ1n1DQ1)(VVKI SSs1DQ1DDg3g2g1g3GSQ1VRIVRRRRV DQ2DQ1II 2TN2GSQ2n2DQ2)(VVKI s1DQ1DSQ1DSQ2d2DQ2SSDDRIVVRIVV 例例4.7.2SSs1DQ1DSQ1DDg3g2g1g3g2GSQ2)(VRIVVRRRRRV 109華中科技大學 張林 例例4.7.22. 動態(tài)分析動態(tài)分析小信號等效電路小信號等效電路d2gs1m1d2gs2m2oRgRgvvv gs1ivv 電壓增益電壓增益d2m1ioRgA vvv110華中科技大學 張林2. 動態(tài)分

58、析動態(tài)分析輸入電阻輸入電阻輸出電阻輸出電阻Ro Rd2g3g2i| | RRR ( 2 = 0) 例例4.7.2華中科技大學 張林1114.8 結型場效應管（結型場效應管（JFET）及其放大電路及其放大電路4.8.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理4.8.2 JFET的特性曲線及參數(shù)的特性曲線及參數(shù) 4.8.3 JFET放大電路的小信號模型分放大電路的小信號模型分析法析法 112華中科技大學 張林4.8.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理1. 結構結構 113華中科技大學 張林4.8.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理2. 工作原理工作原理 vGS對溝道的控制作用

59、對溝道的控制作用當當vGS0時時（以（以N N溝道溝道JFETJFET為例）為例） 當溝道夾斷時，對應的柵源當溝道夾斷時，對應的柵源電壓電壓vGS稱為稱為夾斷電壓夾斷電壓VP （ 或或VGS(off) ）。）。對于對于N溝道的溝道的JFET，VP 0。PN結反偏結反偏耗盡層加厚耗盡層加厚溝道變窄。溝道變窄。 vGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄。變窄。114華中科技大學 張林4.8.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理 vDS對溝道的控制作用對溝道的控制作用當當vGSGS=0=0時，時， vDS iD g g、d d間間PNPN結的反向電結的反向電壓增加，使靠近漏極處的壓增加

60、，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。從上至下呈楔形分布。 當當vDSDS增加到使增加到使vGDGD= =V VP P 時，在緊靠漏極處出現(xiàn)時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預夾斷。預夾斷。此時此時vDS 夾斷區(qū)延長夾斷區(qū)延長溝道電阻溝道電阻 iD基本不變基本不變2. 工作原理工作原理（以（以N N溝道溝道JFETJFET為例）為例）115華中科技大學 張林4.8.1 JFET的結構和工作原理的結構和工作原理 vGS和和vDS同時作用時同時作用時當當VP vGS0 時，導電溝道更容易夾斷，時，導電溝道更容易夾斷，對于同樣的對于同樣的vDS ， iD的值比的值比vGS