車間電池工藝.

1、襯 底：透明導電層：非晶硅層：背電極層： 襯 底： 3.1mm 玻璃透明導電層： SnO2、 Zno、 ITO非 晶 硅 層： P、I、N背 電 極 層： AZO、Al、 N i、SS雙結(jié)芯片單結(jié)芯片(限于芯片段)ETCH INSPECTION刻劃檢查EDGEGRINDING磨邊1st CLEANING一次清洗1st LASER激光一PREHEATING預(yù)熱爐DEPOSITION沉積COOLING-1冷卻-12nd LASER激光二8 CHAMBER PVD8室PVD3rd LASER激光三VAPORDEPOSITION蒸鍍PV CELL TESTING電池測試RWK: RE-PRESS返工：

2、反壓HI-TEMP anneal退火B(yǎng)&C GRADE + SCRAPB級級, C級級 和和 報廢產(chǎn)品報廢產(chǎn)品SPOT WELDING點焊EDGING邊緣處理PV CELL WASH芯片清洗LAYOUT敷設(shè)LAMINATION (Front)層壓COOLING-2冷卻-2TRIM EDGE刮膠JUNCTION BOX裝接線盒MODULE TESTING組件測試EDGE PROTECTION邊緣保護SURFACE CLEAN外觀清潔WELD JUNCTION BOX焊接接線盒PACK包裝STACK裝柜SHIP發(fā)貨發(fā)貨PECVDBACK PLATE WASH背板玻璃清洗RWK: ABNOR

3、MAL ALUM返工：鋁帶異常SCRAP報廢產(chǎn)品報廢產(chǎn)品2nd CLEANING二次清洗POUR SEAL灌封SCRAP報廢產(chǎn)品報廢產(chǎn)品RWK 返工腐蝕返工抽檢RWK: Corrosion (Renew)返工返工：腐蝕(再生)PV CELLPV電池電池PV MODULE電電 池池 組組 件件RWK: Etch返工：刻劃 1、流程圖 磨邊一次清洗1次激光2次清洗PECVD2次激光PVD3次激光測試退火邊緣處理+使用清洗液+去除表面油脂、粉塵等+基片表面第一次潔凈+要求水質(zhì)干凈殘留離子較少+利于1次激光刻劃源水(自來水)石英沙活性炭反滲透膜濃水(排出)純凈水EDI去離子水1 / 3反滲透原理EDI

4、原理激光刻劃的基本原理（激光刻劃的基本原理（laser 1laser 1）+波長1064 nm紅外激光 將導電層刻劃成一條條等面積的長條（前電極正極）玻璃透明導電層1064激光側(cè)視圖俯視圖+超聲波清洗+沒有使用清洗劑+清洗之后芯片直接裝入反應(yīng)箱+使用去離子水沖洗+風刀烘干基片1、工序：預(yù)熱、PECVD、冷卻2、在導電層上沉積多層不同摻雜的非晶硅 薄膜，構(gòu)成有一定結(jié)構(gòu)的電池3、控制點： 溫度、本底真空度、沉積壓力、氣體流量、電源功率、輝光時間、輝光穩(wěn)定性4、清洗玻璃透明導電層非晶硅AlNIPTCOAnodeCathode+532nm波長 可見綠色+使用綠光原因：因為非晶硅在0.5um波長的光吸收

5、系數(shù)比較高+將硅刻劃掉而沒有傷到導電層，將導電層保留用于電池電極之間的連接用+與一次激光之間的距離和刻劃線寬是一個重要的管控點+已激光一為基準線向右偏移50-80um，刻劃激光刻線二激光刻劃的基本原理（激光刻劃的基本原理（laser 2laser 2）玻璃透明導電層非晶硅532nm綠激光+做一層或多層結(jié)構(gòu)的金屬材料做電池收集電荷+使用鋁材料做一層高放射層，將第一次通過硅層而為被吸收的光放射回硅層，二次吸收+將二次激光刻劃的溝道填充，做成內(nèi)聯(lián)電極，形成集成電路玻璃導電層非晶硅鋁背電極入射光鋁背電極的鏡面反射作用+532nm波長的綠激光器+刻劃背電極的鋁膜,形成內(nèi)部串聯(lián)集成電路+不能劃傷透明導電層

6、+鋁膜必須完全刻斷+線距和刻劃效果c玻璃導電層非晶硅鋁背電極532nm綠激光+降低薄膜制備過程中的材料內(nèi)應(yīng)力,提高材料的品質(zhì)+改善薄膜成膜結(jié)構(gòu)狀態(tài),降低材料缺陷+提高薄膜穩(wěn)定性,從而提高電池輸出的穩(wěn)定+通過熱處理方式改善材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)1、光源 2、標準光強3、電池參數(shù) 4、測試機基本原理和設(shè)備結(jié)構(gòu)1 1、短路電流、短路電流Isc - 在一定的光照下通常取AM1.5=100mw/cm輸出端短路時，太陽電池的輸出電流。2 2、開路電流、開路電流Voc-在一定的光照下(AM1.5)輸出端開路時，太陽電池的兩端的電壓。3 3、最大輸出功率、最大輸出功率Pm-“峰值功率”在一定光 照下（AM1.5）太陽

7、電池能夠輸出的最大功率。Pm= Im Vm4、填充因數(shù) FF: 定義為：FF=Pm / ( Isc*Voc) Pm=Ipm*Vpm 即最大輸出功率與短路電流和開路電壓乘積的比(有時也 把Isc*Voc稱作太陽電池的極限功率)，填充因數(shù)是太陽電池質(zhì)量好壞的一個重要標志，F(xiàn)F越大，說明電池的最大輸出功率越接近極限輸出的功率。5、轉(zhuǎn)換效率 -在一定光照下（Am1.5(1000nw)/cm），太陽電池的最大輸出功率Pm與入射光能之比。 =Vm*Im / Pin =pm / pin 轉(zhuǎn)換效率是一個太陽電池性能好壞的最主要的標志，顯然轉(zhuǎn)換效率越高太陽電池把太陽能轉(zhuǎn)換變成電能越強，太陽能的利用越高，在相同的條件下，輸出的電能越大。 目前單晶硅電池，實驗室可排到18%，批量生產(chǎn)可達到14%。 非晶硅電池，實驗室可達到13.2%，批量生產(chǎn)可達到6-10%6、溫度系數(shù)電壓、電流，