《半導(dǎo)體英語》word版

1、一些半導(dǎo)體詞匯admin：半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless ,_7Q6n1G#f:y/|m2OhD&C#t2w5c9q9半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,packa

2、ge,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fablessv8*vj4R5m;s半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless半導(dǎo)體詞匯 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,

3、process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless6r%s-n,1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) %L,?7y7;l半導(dǎo)體技術(shù)天地2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子 54t&y!s:j5xA3. ACCESS：一個(gè)EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng) 半導(dǎo)體技術(shù)天地-&r$S%o:x Z#Sk4. Acid：酸 9l9r/L1Z.C*U+

4、K5. Active device：有源器件，如MOS FET（非線性，可以對(duì)信號(hào)放大） (a6s#(R01X;Y) P半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless6. Align mark(key)：對(duì)位標(biāo)記 (Q7:R;l:Z半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,desig

5、n,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless7. Alloy：合金 .J0Q5B/k5E$+Z6M4w8. Aluminum：鋁 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless90R+%f9V

6、 I r-O9. Ammonia：氨水 半導(dǎo)體技術(shù)天地;R9d5b4S*V-c0/10. Ammonium fluoride：NH4F 0p4J%Zu;F)Z5n+H半導(dǎo)體技術(shù)天地11. Ammonium hydroxide：NH4OH 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless0h2AY+#?6d-b+XG12.

7、 Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） 7t%4U:J*C2U8z8EE1E.y)m.Z13. Analog：模擬的 f4I#z:q3d#s2M14. Angstrom：A（1E-10m）埃 #_1J$r3r0m15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH） 1y(w&6R+j6j7B8V半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lit

8、hography,fab,fabless16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率） &X-V%g5T$_17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻） 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diff

9、ustion,lithography,fab,fabless&W2m9w*m3L6O:h!F18. Antimony(Sb)銻 &f s/b2y)V#v7W5Y19. Argon(Ar)氬 &T)l-n$d3 s,d半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless20. Arsenic(As)砷 ,R)?.M(74k$M8r,q21. Ars

10、enic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) u1J%|$v:u D23. Asher：去膠機(jī) 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless#Oh:R#/N$nq4J5c7H24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比） 25. Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃

11、度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?6(1j4|4U9h-o26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM測(cè)試前） 9k/*8U1a;b27. Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程 #d1A8W7|,s)_/c半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless28. Benchmark：基準(zhǔn) b1A($d+*in6I.?)v-h

12、8Q7B半導(dǎo)體技術(shù)天地29. Bipolar：雙極 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless( n4r)r2r57I*-D30. Boat：擴(kuò)散用（石英）舟 31. CD： （Critical Dimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLY CD 為多晶條寬。 1!b$T0I5x半導(dǎo)體技術(shù)

13、天地32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。 :d,Z4R&D65R!S!n8d2N E33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。 :a/ P4Ri0U半導(dǎo)體技術(shù)天地34. Chemical vapor deposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layou

14、t,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless9P4J9W9+u9(G)I0N35. Chip：碎片或芯片。 :R:k/0o)(F8:?l36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。 :O0F5p8#O O+E8q37. Circuit design ：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,

15、ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless.Y%l.!t$_38. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography

16、,fab,fabless2J.!P2J M:V-m39. Compensation doping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。 /e(h:O$S-t!S2S-I半導(dǎo)體技術(shù)天地40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,et

17、ch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless/d te+p,t(H:s#7l:T5_41. Computer-aided design（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。 ,f1aZ)_42. Conductivity type：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。 !)W1/S$43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。 o0m#k6?.E944. Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。 4z+k f.Q45. Correlati

18、on：相關(guān)性。 %m M?+R4t5)D46. Cp：工藝能力，詳見process capability。 Q8v$a1q.b半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。 (s)p9Z(s5D$y0D$U,E半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,

19、工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless48. Cycle time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來衡量流通速度的快慢。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,

20、photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless(I.k8t!k*?49. Damage：損傷。對(duì)于單晶體來說，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。 2C;q:j9Ht8w6N5J s,n50. Defect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。 51. Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。） 0E;L7C3d)R:V!u#Q!$A,V52. Depletion layer：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)

21、低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。 半導(dǎo)體技術(shù)天地!z8l/o7l.u5E#Z(? t%r53. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。 54. Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。 1k q(I2X:G/m1H;U$?55. Depth of focus（DOF）：焦深。 -8%2S:b:A4,L u)R;f半導(dǎo)體技術(shù)天地56. design of experiments (DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。 -B3R

22、)ZY!n%H U4L57. develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程） ,l(4g a6y5Z0Y8k半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless58. developer：）顯影設(shè)備； ）顯影液 *w;Y%K:R-a4P1f,bj#A半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造

23、,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。 8n4P,q9N?1WN3Z;t$h61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，

24、有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長(zhǎng)，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。 )7I,F(I0N0oj半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless62. die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。 #C%D9q(B)B4g

25、2V7U1E!W&t半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless63. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。 半導(dǎo)體技術(shù)天地/z+,7P-o,q&v64. diffused layer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層

26、。 半導(dǎo)體技術(shù)天地!c5*&e8m!O65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless#x%#n:V#P,m-Q66. drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中

27、分布擴(kuò)散。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless*W.i4U r4d-E67. dry etch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。 68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的

28、硅錠前端的深度。 !U4y:+r(V)v*F%o)O/S&W半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。 70. epitaxial layer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長(zhǎng)一層單晶半導(dǎo)

29、 體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。 k6P-E&E0X/Q;Q&c.M71. equipment downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間。 :U&zp,Q,|%p MP-w$w半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless72. etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。 & K,v-|,PT y,O7

30、C73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。 74. fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。 75. feature size：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。 8N+o.c,P7W#L%z-?5Q3l半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless76. field-effect transistor（FET

31、）：場(chǎng)效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場(chǎng)控制。 %d4/N#P8w9H;I-g/r77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。 4f h)Hu7v)V,n9O;e78. flat：平邊 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless*/H2.q,j+Z#Z9v8K;Z%o979.

32、 flatband capacitanse：平帶電容 80. flatband voltage：平帶電壓 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless- 4f0P)C2D+u1S81. flow coefficicent：流動(dòng)系數(shù) !b4F%H#GP4E38l*D82. flow velocity：流速計(jì) 6J1M2G9pS)半導(dǎo)體,芯片

33、,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless83. flow volume：流量計(jì) 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,litho

34、graphy,fab,fabless:c$g+m6f4/B*/|1o84. flux：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù) 3j0%97x4c7W$-L1o85. forbidden energy gap：禁帶 )h/k+j:)(w86. four-point probe：四點(diǎn)探針臺(tái) /y2(ls,NR4L87. functional area：功能區(qū) )7u)Gc t3h)i76j88. gate oxide：柵氧 89. glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度 !Q-I4Uc0w+P9g,90. gowning：凈化服 /J-2q4|/x;K4i91. gray

35、 area：灰區(qū) %i(Q/J5_d9半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀 68J(P9D3x.c93. hard bake：后烘 )J-.z61W半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,w

36、afer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless94. heteroepitaxy：?jiǎn)尉чL(zhǎng)在不同材料的襯底上的外延方法 95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn) 4V:T$I7-Q)K09au半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,pr

37、ocess,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒 ;D%7G8a8U3T8xn半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,et

38、ch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless97. host：主機(jī) 4G#O!S(i3T半導(dǎo)體技術(shù)天地98. hot carriers：熱載流子 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless4 $)G4z*k+m3d2F99. hydrophilic：親水性 %B*O+p(B5W半導(dǎo)體,芯片,

39、集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless100. hydrophobic：疏水性 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,litho

40、graphy,fab,fabless1p!y7h0m&W*m64X!n)2101. impurity：雜質(zhì) 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless38j(h8w9R/_*102. inductive coupled plasma(ICP)：感應(yīng)等離子體 %z9a&A R+N64e6C103. inert gas：惰性氣體 55h;y

41、5j+i!;a104. initial oxide：一氧 H.t,d/_1Ff4Z5L5v105. insulator：絕緣 半導(dǎo)體技術(shù)天地*k;K7G8R6C#E)B*M106. isolated line：隔離線 107. implant : 注入 $M8k:Z6T4e-g半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fable

42、ss108. impurity n : 摻雜 ,e1_ n:j-)Q2T9z E109. junction : 結(jié) $D:W8S5g-B半導(dǎo)體技術(shù)天地110. junction spiking n :鋁穿刺 111. kerf :劃片槽 W+y.w)E?1k半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless112. landing pad n

43、AD &T7m0B7_1*f#I5i113. lithography n 制版 114. maintainability, equipment : 設(shè)備產(chǎn)能 !p#K/I+E8半導(dǎo)體技術(shù)天地115. maintenance n :保養(yǎng) 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless2z)U)m!r%O%H116. ma

44、jority carrier n :多數(shù)載流子 2f8Y+_1,E(l-z-z8I8117. masks, device series of n : 一成套光刻版 7e%l1H;H;g,A uS1M118. material n :原料 -5e7A2%D3P+y:Z1o9g)L半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless119. matr

45、ix n 1 :矩陣 半導(dǎo)體技術(shù)天地+D%b3W0S&F:z)J120. mean n : 平均值 ,G7P2y8A:b(U6Z9|121. measured leak rate n :測(cè)得漏率 %S8/H7)N-/4M-X122. median n :中間值 &X!X3U+(a G9(F7t半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,f

46、ab,fabless123. memory n : 記憶體 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless.d)/W8%124. metal n :金屬 半導(dǎo)體技術(shù)天地._(v1w+$E7I5125. nanometer (nm) n ：納米 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wa

47、fer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fablessF*k3i w4s8V2e126. nanosecond (ns) n ：納秒 %e(I r #G3O#l;P127. nitride etch n ：氮化物刻蝕 128. nitrogen (N2 ) n： 氮?dú)?，一種雙原子氣體 半導(dǎo)體技術(shù)天地*L$L;o8l7x&T._%#M129. n-type adj ：n型 4$L4 v/.g5C(H13

48、0. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless/0:E,V#B7Z/O/q&p!b4F131. orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向 7X+L)tF*X.S$l132. overlap n ： 交迭區(qū) 133. oxidation n

49、：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng) 2M83W;6d9%c7z 134. phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless9L)f!l5_%e3E!T135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版 :|.n+_8s,o半導(dǎo)體技術(shù)天地136

50、. photomask, negative n：反刻 5I8_!o#Y2g#ae(_137. images：去掉圖形區(qū)域的版 ,y A!U5JG2?半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless138. photomask, positive n：正刻 139. pilot n ：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片

51、子 -S;R.t2t%F0Dt3a6o.z140. plasma n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體 1g%+q,5_W6I3_.W半導(dǎo)體技術(shù)天地141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝 *vqK9y&W% T1_3K142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,ed

52、a,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless0m)n+y v(!V&U143. pn junction n：pn結(jié) ;H!a7_2A8UF2t8J6T%L半導(dǎo)體技術(shù)天地144. pocked bead n：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠 半導(dǎo)體技術(shù)天地2b;X$p+St+R*f145. polarization n：偏振，描述電磁波下電場(chǎng)矢量方向的術(shù)語 半導(dǎo)體技術(shù)天地+j3h5S4N#E2_51m%B%?T9m146.

53、 polycide n：多晶硅 /金屬硅化物， 解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體技術(shù)天地2w2k.G!x%g!Z x398-E,?147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（5E19）的硅，能導(dǎo)電。 5B:K,u18J半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless148.

54、 polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象 *a2u6M$7 L,i149. prober n :探針。在集成電路的電流測(cè)試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測(cè)設(shè)備。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless8G)EX-z90D,%F+a7K150. process

55、 control n :過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless0d4s3U*q-w1L7M151. proximity X-ray n :近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工

56、藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless!y3S.U,D&H0a152. pure water n : 純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。 (K$z,7O9R&v半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch

57、,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless153. quantum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。 1v!Q8E%B8A4d(h/F半導(dǎo)體技術(shù)天地154. quartz carrier n :石英舟。 8;_$n6%o*?2W&Y半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffusti

58、on,lithography,fab,fabless155. random access memory (RAM) n :隨機(jī)存儲(chǔ)器。 156. random logic device n :隨機(jī)邏輯器件。 2,a.s.P,4u157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。 158. reactive ion etch (RIE) n : 反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,晶圓,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,p

59、ackage,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless&R-d!Bc159. reactor n :反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。 *e:V,E*半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless160. recipe n :菜單。生產(chǎn)過程中對(duì)圓片所做

60、的每一步處理規(guī)范。 半導(dǎo)體技術(shù)天地:G#A%w#f4n161. resist n :光刻膠。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝,測(cè)試,wafer,chip,ic,design,eda,process,layout,package,FA,QA,diffusion,etch,photo,implant,metal,cmp,lithography,fab,fabless/j3K6n#u-v!Q6Z162. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。 半導(dǎo)體,芯片,集成電路,設(shè)計(jì),版圖,芯片,制造,工藝,制程,封裝