用表面活性劑改性的二氧化硅

1、用表面活性劑改性的二氧化硅一種用表面活性荊改姓的二氧化涯，它包括用表面活性劑 材料處理過的氣相法二氧化硅。根據(jù)權(quán)利要求：的用表面活性劑改4生的二氧化珪，其中所述 的二氧化硅是一種氣相法二氧化硅，其BET表面枳為50 m7g-400其松密度為10 ibs/ft3或更低炯13.根據(jù)披利要求1的用表面活性削改性的二軟化硅，其中所述 的表面活性劑選自非離子表面活性荊.陽離子表面活性劑和兩性表 面活性札根據(jù)權(quán)利要求1的用表面活性劑改性的二氧化硅，其中所述 的氣相法二筑化旌具有的50/9一如廿/g的BET表面釵和10 lbs/ftJ或更低的松密度，所述的表面活性剖選自非離子表面活性 劑，陰籬子表面活柱劑和

2、兩性彖面活性劑.5、根據(jù)權(quán)利要求3的用表面活性劑改性的二釵化硅，其中所迷 的表面活性劑是高分子量的表面活性虬 選自：歡官能的EQ-PQ嵌 段共聚物；四官能的E0-P。嵌段共聚物；季鉉鹽；乙氧基化的季錠 鹽；乙氧基化的線挫醇；慌基酚乙氧基化物；伯.仲和叔垸基胺史 其鹽衍生物：或胺乙布基化物及其鹽桁生物6、根據(jù)權(quán)利要求3的用表面活性劑改柱的二氧化硅,其中所述 的季鹽是用下列通式表市的二烷基二甲表鉉虻RIch3-n*-ch3 XR式中R是至少合有6個(gè)C原子的坑基；X是選自鹵索、嘛酸根、碳酸根、 磷酸根、氫氧根、彼酸根、烷基硫酸根、垸基或芳基磺酸根、磷酸 根或臃酸根的離子。7、根據(jù)權(quán)利要求5的用表面活

3、性劑改性的二缸化硅，其中所述 的聚乙氧基化的季鹽是用下列通式表示的單烷基單甲基二乙氧基化 的鎊鹽： r-n*-(ch2ch2o)xh X (CH2CH2O)yH. 式中R是至少含有6個(gè)C原子的炕基；(X+Y)的平均值為2-15; X是選 自鹵素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氫氧根、技酸根、烷基硫酸根、 烷基或芳基璜酸根、麟酸根或臃酸根的離子。8、根據(jù)權(quán)利要求5的用表面活性劑改姓的二氧化硅，其中所述 的胺乙氧基化物是用下列通式表示的：(CH2CH2O)xH/R-N(CH2CH2O)yH式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基；(X+Y)的平均值為2-50o9、根據(jù)權(quán)利要求5的用表面活，性劑改性的二氧化硅，其

4、中所迷 的胺乙氧基化物是用下列通式表示的鹽衍生物：(CH2CH2O)xH/r-nFx(CH2CH2O)yH式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基；(X+Y)的平均數(shù)為2-50; X是選 自鹵素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氫氧根、莪酸根、烷基疏酸根、 院基或芳基磺酸根、磷酸根或麟酸根的離子。10、根據(jù)權(quán)利要求5的用表面活性劑改性的二氧化硅，其中所 迷的叔烷基胺是用下列通式表示的單烷基二甲基胺：/ R-NCH3式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基。11、根據(jù)權(quán)利要求5的用表面活性劑改，性的二氧化玨，其中所 述的衣垸基胺基是用下列通式表示的單烷基二甲基胺鹽：昏RN-H X-式中R是至少合有6個(gè)C原子的烷基；X是

5、選自鹵素、硝酸根、碳酸根、 磷酸根、氧氧根、菽酸根、烷基硫酸根、烷基或芳基碰酸根、磷酸 根或麟酸根的離子。12、根據(jù)權(quán)利要求5的用表面活性劑改性的二氧化硅，其中所 述的烷基酚乙氧基化物是用下列通式表示的：r-0)-o-ch2ch2o)xh式中R是CC”烷基，X為1-70。13、根據(jù)權(quán)利要求5的用表面活性削改性的二氧化硅，其中所 述的乙氧基化的季鹽是用下列通式表示的二季二胺：R1 R1 I IR-N+-C3H6-N+-Ri2X-R1 R1式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基；R是烷必、羥基烷基或烷氧基 烷基；X是選自鹵素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氫氧根、菠酸根、 烷基硫酸根、烷基或芳基磺酸根、磷酸根

6、或臃酸根的離子。14、根據(jù)權(quán)利要求1的用表面活性劑改性的二氧化硅，其中所 述的處理是熱處理。15、制造用表面活性劑改性的二氧化硅的方法，它包括下列步 驟：將氣相法二氧化硅與表面活性劑材料混合；以及在足以用所述的表面活性劑材料處理所述的氣相法二氮化硅表 面的溫度下加熱，并達(dá)一定時(shí)間。16、根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述的氣相法二氧化硅的 BET表面積為約50 m7g- 400 m/g,松密度為10 lbs/ft?或更低。17、根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述的表面活性劑材料選 自非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑和兩性表面活性劑。18、根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述的氣相法二氧化硅具有 約5

7、0 m/g- 400 k/g的BET表面積和10 lbs/ft3或更低的松密度，所述的表面活性劑選自非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑和兩 性表面活性劑。19、根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述的表面活性劑是高分子 量表面活性劑，它選自雙官能的EO-PO嵌段共聚物；四官能的EO-PO 嵌段共聚物；季候鹽；乙氧基化的季候鹽；乙氧基化的線性醇；烷 基酚乙氧基化物；伯、仲和叔烷菸胺及其鹽衍生物；或胺乙氧基化 物及其鹽衍生物。20、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述季鹽是用下列通式表示 的二烷基二甲基住鹽：式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基；X是選自鹵素、硝酸根、碳酸根、 磷酸根、氧氧根、技酸根、烷基硫酸根

8、、烷基或芳基磺酸根、磷酸 根或臃酸根的離子。21、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述的聚乙氧基化的季鹽是 用下列通式表示的單烷基單甲基二乙氧基化的鉉鹽：R-N*-(CH2CH2O)xH X(CH2CH2O)yH .式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基；(X+Y)的平均值為2 - 15; X是選 自鹵素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氮氧根、技酸根、烷基硫酸根、 烷基或芳基磺酸根、磷酸根或臃酸根的離子。22、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述的膠乙氧基化物由下列 通式表示：(CH2CH2O)xH /R-N(CH2CH2O)yH式中R代表至少含有6個(gè)C原子的烷法；(X+Y)的平均值為2 - 50。23、根據(jù)權(quán)利

9、要求19的方法，其中所述的胺乙氧基化物是用下 列通式表示的鹽衍生物： .(CH2CH2O)xH/R-NHX-(CH2CH2O)yH式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基；(X+Y)的平均教為2-50; X是選 自鹵素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氫氧根、菠酸根、烷基琉酸根、 烷基或芳基磺酸根、磷酸根或騰酸根的離子。24、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述的叔烷基胺是由下列通 式表示的單烷基二甲基胺：ch3/R-NCH3式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基。25、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述的叔烷基胺鹽是用下列 通式表示的單烷基二甲基胺鹽：. 產(chǎn)R-N*-H X- I CH 3式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷

10、基；X是選自鹵素、硝酸根、碳酸根, 磷酸根、氫氧根、莪酸根、烷基硫酸根、烷基或芳基磺酸根、磷酸 根或脾酸根的離子。26、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述的垸基酚乙氧基化物由 下列通式表示：R ch2ch2o)xh式中R是CC烷基，X是1-70。27、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述的乙氧基化的季鹽是由 下列通式表示的二季二胺：R-N+-C3H6-N*-R12X-R】 R1式中R是至少含有6個(gè)C原子的烷基；R是烷基、羥基烷基或烷氧基 烷基；X是選自鹵素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氨氧根、蔑酸根、 烷基硫酸根、烷菸或芳基磺酸根、磷酸根或瞬酸根的離子。28、根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中所述的氣相法二缸

11、化硅和表 面活性劑材料是在約80C - 240-C的某一溫度下加熱約30分鐘至60 分鐘的一段時(shí)間。29、報(bào)據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中所述的加熱是在非氧化環(huán)境 下在一個(gè)封閉的容器中進(jìn)行的。30、使水性體系增利的方法，它包括向其中加入有效數(shù)量的用 表面活性劑材料處理過的氣相法二氧化硅。31、根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述的氣相法二氧化硅其 BET表面積為約50 m2/g - 400虻/g,松密度為10 lbs/ft3或更低。32、根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述的表面活性劑材料選自 非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑和兩性表面活性劑。33、根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述的氣相法二氧化硅其 BET表面積為約50 m7g- 400 m/g,松密度為10 lbs/ft或更