半導體材料·電子氣體投資寶典

1、半導體行業(yè)報告日期：2020 年 3 月 24 日題專半導體材料電子氣體投資寶典電子氣體深度報告：孫芳芳 執(zhí)業(yè)證書編號： S1230517100001行： HYPERLINK mailto:sunfangfang sunfangfang公司報告導讀研疫情放大供需矛盾+晶圓廠密集投產(chǎn)=電子特氣國產(chǎn)代替速度超預期。究投資要點半疫情是催化劑，放大電子特氣供需矛盾導1、 國內(nèi)供給端減少：疫情導致國外電子特氣制造、物流、運輸?shù)鹊拳h(huán)節(jié)受限。體造成電子氣體在供給端減少。行2、 國內(nèi)需求端復蘇：國內(nèi)疫情控制效果明顯，各個晶圓廠已經(jīng)進入全面復工業(yè)復產(chǎn)期，需求端全面復蘇。3、 供需矛盾

2、被放大：疫情是催化劑，放大國內(nèi)電子特氣供需矛盾。國內(nèi)需求增加，國外供給減少，電子特氣迎來代替窗口期.新工廠是機會，電子特氣迎來代替窗口1、 新建晶圓廠投產(chǎn)：2020 年2022 年是中國大陸晶圓廠投產(chǎn)高峰期，以長江存儲，長鑫存儲等新星晶圓廠和以中芯國際，華虹為代表的老牌晶圓廠正處于產(chǎn)能擴張期，未來 3 年將迎來密集投產(chǎn)。2、 特氣代替窗口期：根據(jù)電子特氣的特性來推斷，新建晶圓廠將是電子特氣國產(chǎn)代替的主要發(fā)展企業(yè)。國內(nèi)新建晶圓廠的密集投產(chǎn)為電子特氣打開了最佳代替窗口。部分完成代替，將迎來三百億市場空間1、 部分產(chǎn)品完成代替：國內(nèi)少數(shù)電子氣體已經(jīng)完成突破，業(yè)績爆發(fā)即將到來國內(nèi)電子特氣代替主要有四種

3、方式。第一，產(chǎn)能優(yōu)勢來降低成本進入國際主流晶圓廠。第二，通過收購國際知名公司直接打入核心供應鏈。第三，通過特定氣體進入核心供應商。第四，業(yè)務擴展進入供應商名單。2、 三百億空間已到來：根據(jù)國內(nèi)晶圓廠的建設速度和規(guī)劃，預計 2022 年國內(nèi)電子氣體市場是 2019 年的兩倍，電子氣體市場迎來高速發(fā)展期。根據(jù)2019 年的 20 億美元的市場空間，預計 2022 年，中國大陸電子氣體市場空間將會接近 300 億元大關。關注電子氣體標的部分實現(xiàn)國產(chǎn)替代代表廠商有華特氣體（ASML 供應商），雅克科技（科美特）、昊華科技（黎明院、光明院）、南大光電（飛源氣體）；以空分氣體或者大化工進入半導體領域，代表

4、企業(yè)有巨化股份（中巨芯）、三孚股份、金宏氣體、凱美特氣、和遠氣體等。風險提示：1）客戶進展較慢；2）價格下降；3）景氣度下行證 行業(yè)催化劑： 1）晶圓廠建設超預期；2）國產(chǎn)替代率超預期券研究報告行業(yè)評級半導體看好相關報告1半導體設備/材料迎來國產(chǎn)代替窗口期2020.03.122【浙商電子行業(yè)點評】GaN（氮化鎵市場的爆發(fā)前夜2020.02.163智能醫(yī)療：疫情過后的物聯(lián)網(wǎng)新機會2020.02.054半導體行業(yè)處于上升軌道，各環(huán)節(jié)國產(chǎn)替代有序進行2018.02.065 一 周 行 業(yè) 要 聞 及 觀 點 傳 遞8.21-8.272017.08.28報告撰寫人： 孫芳芳數(shù)據(jù)支持人： 蔣鵬、胡碩秋正

5、文目錄 HYPERLINK l _TOC_250044 電子氣體是半導體制造的“血液” 7 HYPERLINK l _TOC_250043 集成電路是電子氣體主要應用領域 7 HYPERLINK l _TOC_250042 電子氣體是電子制造的“血液” 9 HYPERLINK l _TOC_250041 刻蝕電子氣體 11 HYPERLINK l _TOC_250040 化學沉積氣體 12 HYPERLINK l _TOC_250039 離子注入氣體 12 HYPERLINK l _TOC_250038 外延沉積氣體 13 HYPERLINK l _TOC_250037 光刻鐳射氣體 13 H

6、YPERLINK l _TOC_250036 惰性保護氣體 14 HYPERLINK l _TOC_250035 半導體材料市場空間廣泛 15 HYPERLINK l _TOC_250034 中國半導體材料市場穩(wěn)步增長 15 HYPERLINK l _TOC_250033 電子氣體是半導體制造材料的第二大耗材 16 HYPERLINK l _TOC_250032 政策引導，半導體材料將重點發(fā)展 17 HYPERLINK l _TOC_250031 中國電子氣體市場空間巨大 18 HYPERLINK l _TOC_250030 中國大陸晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)擴張 18 HYPERLINK l _TOC_

7、250029 產(chǎn)能擴張推動氣體市場規(guī)模增長 20 HYPERLINK l _TOC_250028 電子氣體制備壁壘高 21 HYPERLINK l _TOC_250027 技術壁壘 21 HYPERLINK l _TOC_250026 氣體純度壁壘 21 HYPERLINK l _TOC_250025 氣體精度壁壘 22 HYPERLINK l _TOC_250024 黏性壁壘 22 HYPERLINK l _TOC_250023 資質(zhì)壁壘 22 HYPERLINK l _TOC_250022 電子氣體國產(chǎn)替代勢在必行 23 HYPERLINK l _TOC_250021 國內(nèi)企業(yè)奮起直追 2

8、3 HYPERLINK l _TOC_250020 歐美企業(yè)寡頭壟斷 24 HYPERLINK l _TOC_250019 美國空氣化工產(chǎn)品 24 HYPERLINK l _TOC_250018 林德集團 26 HYPERLINK l _TOC_250017 法國液空集團 27 HYPERLINK l _TOC_250016 日本電子特氣 28 HYPERLINK l _TOC_250015 昭和電工 28 HYPERLINK l _TOC_250014 太陽日酸 30 HYPERLINK l _TOC_250013 關東電化工 32 HYPERLINK l _TOC_250012 艾迪科 3

9、3 HYPERLINK l _TOC_250011 中國電子特氣公司 35 HYPERLINK l _TOC_250010 4.4.1. 中航重工（718 所） 37 HYPERLINK l _TOC_250009 昊華科技 37 HYPERLINK l _TOC_250008 華特氣體 40 HYPERLINK l _TOC_250007 雅克科技 44 HYPERLINK l _TOC_250006 南大光電 47 HYPERLINK l _TOC_250005 金宏氣體 49 HYPERLINK l _TOC_250004 巨化股份 52 HYPERLINK l _TOC_250003

10、凱美特氣 53 HYPERLINK l _TOC_250002 三孚股份 54 HYPERLINK l _TOC_250001 和遠氣體 56 HYPERLINK l _TOC_250000 A 股相關電子氣體上市公司 58圖表目錄圖 1：2018 年中國特種氣體下游細分領域占比 8圖 2：2017 年中國高純電子氣體下游細分領域占比 8圖 3：特種氣體分類 8圖 4：各種電子氣體在半導體制造種的作用 11圖 5：刻蝕氣體的在刻蝕中的作用 11圖 6：化學沉積氣體的反應過程。 12圖 7：離子注入氣體的反應過程。 12圖 8：外延氣體的反應過程。 13圖 9：光刻氣體反應過程 14圖 10：氮

11、氣作為清洗氣體和保護氣體 14圖 11：全球半導體材料銷售額及增速（單位：十億美元） 15圖 12：各個國家和地區(qū)歷年半導體材料銷售額（單位：十億美元） 15圖 13：2018 年各個國家和地區(qū)的銷售占比 15圖 14：半導體材料銷售額和中國大陸占比(單位:十億美元) 15圖 15：2018 年半導體材料消耗占比 16圖 16：2018 年半導體制造和封裝材料占比 16圖 17：2018 年全球半導體前道各材料市場比重 16圖 18：全球半導體前道材料市場預測 16圖 19：20102024 年全球晶圓廠產(chǎn)能增加量（單位：百萬片/年，等效 8 寸晶圓） 18圖 20：2010-2020 中國半

12、導體晶圓廠投資額（單位：億美元） 18圖 21：國家大基金一期投資比例 18圖 22：集成電路用電子特體市場規(guī)模 20圖 23：中國電子氣體市場規(guī)模和增速 20圖 34：氣體合成流程 21圖 25：氣體混配流程 21圖 26：中國大陸電子氣體市場占比 23圖 27：公司營收持續(xù)增長 25圖 28：公司凈利潤情況 25圖 29：法國液空集團銷售毛利率及凈利率情況 26圖 30：公司營收持續(xù)增長 27圖 31：公司凈利潤情況 27圖 32：法國液空集團銷售毛利率及凈利率情況 28圖 33：公司營收持續(xù)增長 29圖 34：公司凈利潤情況 29圖 35：昭和電工銷售毛利率及凈利率情況 30圖 36：日

13、本太陽日酸 110 年發(fā)展歷史 30圖 37：公司營收持續(xù)增長 31圖 38：公司凈利潤情況 31圖 39：日本太陽日酸銷售毛利率及凈利率情況 32圖 40：公司營收持續(xù)增長 33圖 41：公司凈利潤情況 33圖 42：關東電化工銷售毛利率及凈利率情況 33圖 43：公司營收持續(xù)增長 34圖 44：公司凈利潤情況 34圖 45：ADEKA 銷售毛利率及凈利率情況 35圖 46：2019-2021 年全球 NF3 市場供需結構 36圖 47：黎明院營業(yè)收入、毛利率、凈利率情況 40圖 48：黎明院板塊構成收入占比 40圖 49：光明院營業(yè)收入、毛利率、凈利率情況 40圖 50：光明院板塊構成收入

14、占比 40圖 51：公司營收持續(xù)增長 40圖 52：公司凈利潤情況 40圖 53：公司營收持續(xù)增長 44圖 54：公司凈利潤情況 44圖 55：公司主營業(yè)務構成 44圖 56：公司銷售毛利率與凈利率情況 44圖 57：科美特歷史營收和凈利潤情況（億元） 45圖 58：六氟化硫、四氟化碳、三氟化氮單價（萬元/噸） 45圖 59：公司營收持續(xù)增長 47圖 60：公司凈利潤情況 47圖 61：公司主營業(yè)務構成 47圖 62：公司銷售毛利率與凈利率情況 47圖 63：公司營收持續(xù)增長 49圖 64：公司凈利潤情況 49圖 65：公司主營業(yè)務構成 49圖 65：公司銷售毛利率與凈利率情況 49圖 66：

15、公司營收持續(xù)增長 51圖 67：公司凈利潤情況 51圖 68：公司主營業(yè)務構成 51圖 69：公司銷售毛利率與凈利率情況 51圖 70：公司營收持續(xù)增長 53圖 71：公司凈利潤情況 53圖 72：公司主營業(yè)務構成 53圖 73：公司銷售毛利率與凈利率情況 53圖 74：公司營收持續(xù)增長 54圖 75：公司凈利潤情況 54圖 76：公司主營業(yè)務構成 54圖 77：公司銷售毛利率與凈利率情況 54圖 78：公司營收持續(xù)增長 56圖 79：公司凈利潤情況 56圖 80：公司主營業(yè)務構成 56圖 81：公司銷售毛利率與凈利率情況 56圖 82：公司營收持續(xù)增長 57圖 83：公司凈利潤情況 57圖

16、84：公司主營業(yè)務構成 57圖 85：公司銷售毛利率與凈利率情況 57表 1：電子氣體分類 7表 2：電子特種氣體及電子大宗氣體占比 7表 3：集成電路線寬與電子氣體純度 9表 4：不同氣體在半導體制造中的作用 10表 5：2019 年部分地區(qū)相關布局 17表 6：中國地區(qū)新增晶圓廠情況 19表 7：光刻氣體種類 22表 8：中國電子氣體代表產(chǎn)品 24表 9：美國空氣化工產(chǎn)品氣體種類及應用領域 25表 10：林德集團氣體種類及應用領域 26表 11：法國液空電子材料種類及應用領域 27表 12：昭和電工半導體材料種類及應用領域 29表 13：日本太陽日酸氣體種類及應用領域 31表 14：關東化

17、工氣體種類及應用領域 32表 15：艾迪科半導體材料種類及應用領域 34表 16：中航重工（718 所）氣體種類及應用領域 37表 17：昊華科技電子特氣產(chǎn)能及應用領域 39表 18：昊華科技電子特氣對應的收入 39表 19：華特氣體電子氣體情況 41表 20：華特氣體產(chǎn)品實現(xiàn)進口替代的具體過程和表現(xiàn) 42表 21：華特氣體光刻氣體銷售情況 42表 22：華特氣體下游客戶及在手訂單銷售情況 43表 23：華特氣體特種氣體銷售情況 43表 24：科美特營收收入、成本預測 46表 25：科美特營收收入、成本預測 46表 26：公司的特氣種類及產(chǎn)能情況 48表 27：飛源氣體產(chǎn)品客戶進展 48表 2

18、8：電子特種氣體與電子大宗氣體在不同應用領域占比 50表 29：金宏氣體特氣收入主要來源 50表 30：公司的儲備、在研產(chǎn)品/技術情況 51表 31：巨化股份（中巨芯）電子氣體情況 52表 32：凱美特氣電子氣體情況 54表 33：三孚股份電子氣體情況 56表 34：和遠氣體特種氣體產(chǎn)品構成情況 57表 35：A 股相關電子氣體上市公司整理表 58電子氣體是半導體制造的“血液”集成電路是電子氣體主要應用領域近年來，隨著電子工業(yè)的快速發(fā)展，電子氣體在半導體行業(yè)中的地位日益凸 顯。廣義的“電子氣體”指電子工業(yè)生產(chǎn)中使用的氣體，是最重要原材料之一， 狹義的“電子氣體”特指電子半導體行業(yè)用的特種氣體。

19、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)分類 （2018）在電子專用材料制造的重點產(chǎn)品部分將電子氣體分為了電子特種氣體和電子大宗氣體。電子特氣是集成電路、平板顯示、發(fā)光二極管、太陽能電池等半導體行業(yè)生產(chǎn)制造過程中不可或缺的關鍵性化工材料，被廣泛的應用于清洗、刻蝕、成膜、摻雜等工藝。在半導體工藝中，從芯片生長到最后器件的封裝，幾乎每一步、每 一個環(huán)節(jié)都離不開電子特氣，因此電子氣體被稱為半導體材料的“糧食”和“源”。表 1：電子氣體分類電子氣體分類類別用途產(chǎn)品電子特種氣體化學氣相沉積（CVD）氨氣、氦氣、氧化亞氮、TEOS（正硅酸乙酯）、 TEB（硼酸三乙酯）、TEPO（磷酸三乙酯）、磷化氫、三氟化氯、二氯硅烷、氟化氮、硅

20、烷、六 氟化鎢、六氟乙烷、四氯化鈦、甲烷等離子注入氟化砷、三氟化磷、磷化氫、三氟化硼、三氯化硼、四氟化硅、六氟化硫、氙氣等光刻膠印刷氟氣、氦氣、氪氣、氖氣等擴散氫氣、三氯氧磷等刻蝕氦氣、四氟化碳、八氟環(huán)丁烷、八氟環(huán)戊烯、三氟甲烷、二氟甲烷、氯氣、溴化氫、三氯化硼、六氟化硫、一氧化碳等摻雜含硼、磷、砷等三族及五族原子之氣體，如三氯 化硼、乙硼烷、三氟化硼、磷化氫、砷化氫等電子大宗氣體環(huán)境氣、保護氣、載 體氮氣、氧氣、氬氣、二氧化碳等資料來源：金宏氣體、浙商證券研究所表 2：電子特種氣體及電子大宗氣體占比領域電子特種氣體電子大宗氣體液晶面板30%-40%60%-70%集成電路約 50%約 50%L

21、ED、光伏50%-60%40%-50%資料來源：金宏氣體、浙商證券研究所平面顯示行業(yè)；電子氣體主要以硅烷等硅族氣體、PH3 等摻雜氣體和 SF6 等蝕刻氣體為主。在薄膜工序中，通過化學氣相沉積在玻璃基板上沉積 SiO2、SiNx 等薄膜，使用的特種氣體有 SiH4、PH3、NH3、NF3 等。在干法刻蝕工藝中,在等離子氣態(tài)氛圍中選擇性腐蝕基材。通常采用 SF6、HCl、Cl2 等氣體。太陽能電池行業(yè)；在晶體硅電池片生產(chǎn)中，擴散工藝用到 POCl3 和 O2，減反射層等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）工藝用到 SiH4、NH3，刻蝕工藝用到 CF4。薄膜太陽能電池則在沉積透明導電膜工序中用到

22、二乙基鋅（DEZn）、B2H6，在非晶/微晶硅沉積工序中用到硅烷等。集成電路制造行業(yè)；與平面先是行業(yè)類似，通常應用在 CVD，刻蝕等制造環(huán)節(jié)中，但是由于集成電路制造和平面顯示的要求不同，復雜度不同，所以集成電路制造中需要的電子氣體純度更高，種類更多。集成電路領域是電子氣體的主要應用領域。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，我國特種氣體的銷售額中，電子行業(yè)約占 41%，石油化工約占 39%，醫(yī)療環(huán)保約占 10%，其他領域約占 10%。在單純電子氣體領域，集成電路領域占比為42%，是最大的電子氣體消耗領域。其次是顯示面板領域，占比約為 37%。最后是太陽能領域和 LED 領域，分別占比為 13%和 8%。圖

23、 1：2018 年中國特種氣體下游細分領域占比圖 2：2017 年中國高純電子氣體下游細分領域占比醫(yī)療環(huán)保, 10%其他, 10%太陽能, 13%LED,8%電子行業(yè), 41%集成電路, 42%石油化工, 39%顯示面板, 37%資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、浙商證券研究所資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、浙商證券研究所在集成電路產(chǎn)業(yè)使用的電子氣體中可分為大宗氣體（常用氣體）和特殊氣體兩類。大宗氣體一般是以氮氣（N2）、氧氣（O2）、氬氣（Ar）、氦氣（He）、氫氣（H2）等純凈氣體為主。大宗氣體在半導體制造中主要有兩種功能，一種是作為反應氣體參與到化學反應中，比如氫氣，氧氣等等。另外一種是作為保護氣體使

24、用的惰性氣體，經(jīng)常用在高溫烘烤或清洗過程，這些氣體一般是以惰性氣體為主，比如氮氣，氬氣，氦氣等等。特殊氣體以化合物氣體為主，主要是集成電路制造中的反應氣體。比如硅烷（SiH4）、磷化三氫（PH3）、一氧化二氮（N2O）、氨氣（NH3），四氟甲烷（CF4）等等，這些氣體主要是參與到芯片制造過程中的一些物質(zhì)生成等等。比如利用硅烷反應成成二氧化硅介質(zhì)，利用四氟甲烷主要在干法刻蝕中，與被刻蝕物發(fā)生反應，從而達到刻蝕的目的。圖 3：特種氣體分類資料來源：浙商證券研究所電子特種氣體廣泛用于集成電路、顯示面板、光伏能源、新能源汽車等領域，近年來下游產(chǎn)業(yè)技術快速更迭。特別是在集成電路制造領域，隨著制程節(jié)點的不

25、斷減小，從 28nm 制程到 7nm 制程。在晶圓尺寸方面，從 8 寸晶圓到 12寸晶圓。特種氣體作為集成電路制造的關鍵材料，伴隨著下游產(chǎn)業(yè)技術的快速迭代，特種氣體的精細化程度持續(xù)提高，特別是在純度和精度方面，對特氣的要求持續(xù)提高。比如在純度方面，普通工業(yè)氣體要求在 99.99%左右，但是在先進制程的集成電路制造過程中，氣體純度要求在 6N（99.9999%）以上。表 3：集成電路線寬與電子氣體純度年份199920032006200920122014線寬/nm18013090654028臨界顆粒尺寸/nm906545322014氣體雜質(zhì)含量大宗氣體（N2、O2、H2、 稀有氣體）H2O/10-

26、121000100100100100100O2/10-121000100100100100100CO2/10-121000100100100100100CH4/10-121000100100100100100大于臨界尺寸顆粒（個/L）0.10.10.10.10.10.1腐蝕性氣體（HCl、HBr 等）金屬總量/10-12100010001000200200200O2/10-9100-50050-10050-100505050H2O/10-9500100-50050-10050-1005050大于臨界尺寸顆粒（個/L）222222非腐蝕性氣體金屬總量/10-1250050050010010010

27、0O2/10-91000500-1000500100-500100100H2O/10-9500-1000500100-500100100SiO2+2H2 生成 SiO2，3SiH2Cl2+4NH3-Si3N4+6HCl+6H2 生成 Si3N4。然后生成的目標介質(zhì)沉積到下面的晶圓上，形成介質(zhì)膜。由于晶圓制造過程中所涉及到的沉積薄膜種類較多，每層要求不同，所以 CVD 需要的電子氣體種類是最多的。圖 6：化學沉積氣體的反應過程。資料來源：互聯(lián)網(wǎng)、浙商證券研究所離子注入氣體離子注入氣體是在作為參雜氣體注入到晶圓表面。集成電路的最微觀結構是由 PN 結構成的，分別為 P 型區(qū)和 N型區(qū)。而形成 P

28、型區(qū)和 N 型區(qū)的主要制造步驟就是離子注入。在 P 型區(qū)，主要離子注入元素為硼（B），銦（In）。氣體主要為三氟化硼（BF3），乙硼烷（B2H6），磷化銦（InP）等等。在 N 型區(qū)，主要離子注入元素為砷（As），磷（P）等等。氣體主要為砷化氫（AsH3），磷化氫（PH3）等等。離子注入的方法是在真空中，將氣體電離并加速，然后通過較大動能，直接進入到硅半導體中。但是由于這樣的轟擊是純粹的物理撞擊，所以很容易引起硅晶格產(chǎn)生缺陷。為了解決硅晶格缺陷問題，往往在離子注入過后進行，退火過程，來修復缺陷。在退火過程中，也需要惰性氣體進行保護。部分離子注入氣體具有很強的毒性，比如 AsH3 等氣體，所以在

29、制造和使用過程中具有很強的壁壘。圖 7：離子注入氣體的反應過程。資料來源：電子發(fā)燒友、浙商證券研究所外延沉積氣體外延沉積氣體是在硅晶圓表面生成外延層；外延層生長一般具有以下幾種特性，低（高）阻襯底上外延生長高（低）阻外延層，P（N）型襯底上外延生長 N（P）型外延層，與掩膜技術結合，在指定的區(qū)域進行選擇外延生長，外延生長過程中根據(jù)需要改變摻雜的種類及濃度。正是由于這些優(yōu)點的存在，所以在一些制程中使用外延層來代替原有硅襯底。起到提高芯片性能的目的。在化合物半導體中，用外延層技術生長如 GaAs 等異質(zhì)結構層。與 CVD 類似，外延沉積也是通過多種氣體化學反應的方式，將反應生成物沉積到晶圓表面的過

30、程。由于硅外延層一般沉積硅原子層，所以所用到的氣體種類與 CVD 相比會相對較少。常常用到四氯化硅（SiCl4），二氯二氫硅（SiH2Cl2），三氯氫硅（SiHCl3）作為硅源發(fā)生化學反應后生成硅，最后沉積到晶圓表面。新生成的外延層硅與晶圓襯底硅，雖然元素相同，但是在電阻率，參雜濃度等方面，外延層是可控的，所以在一些制程中，要使用外延層作為芯片制造區(qū)域。在 GaN，GaAs 和 SiC 等化合物半導體中，會沉積 GaN，GaAs 和 SiC 薄膜層。會使用 TMGa，NH3， AsH4，CH3SiCl3，H2 等氣體作為外延沉積氣體。圖 8：外延氣體的反應過程。資料來源：集賢網(wǎng)、浙商證券研究所

31、光刻鐳射氣體光刻過程是半導體制造中最重要的過程，光刻直接決定了芯片線寬與可靠性。其中光刻用電子氣體（鐳射氣體）是用來產(chǎn)生光刻機光源的電子氣體。光刻氣大多為混合氣，用不同比例的不同氣體混合在一起的電子氣體混合物。光刻氣根據(jù)光刻光源波長的不同而不同。常見光刻氣包含 Ar/F/Ne 混合氣，、Kr/Ne 混合氣、Ar/Ne 混合氣、Kr/F/Ne 混合氣，Ar/Xe/Ne 混合氣等等。光刻氣大部分為稀有氣體，或稀有氣體和氟的混合物，這種混合氣體在高壓受激發(fā)后，就會形成等離子體，在這個過程中，由于電子躍遷，會產(chǎn)生固定波長的光線。光線的波長與混合器的比例，電壓高低直接相關。激發(fā)出來的光線經(jīng)過聚合，濾波等

32、過程就會產(chǎn)生光刻機的光源。再經(jīng)過復雜的光路對硅晶圓進行光刻。圖 9：光刻氣體反應過程資料來源：集賢網(wǎng)、浙商證券研究所惰性保護氣體惰性保護氣體不是嚴格意義上的化學惰性氣體，元素周期表中的惰性氣體特指氖氣，氬氣等等稀有氣體。但是由于稀有氣體價格較貴，保護氣體用量又很大，所以通常用氮氣（N2）來代替稀有氣體作為半導體制造中的保護氣體。惰性保護氣體按照用途可以分為三類，保護作用，清洗作用和載氣作用。這三個作用都是利用氮氣較穩(wěn)定，不易與其他物質(zhì)發(fā)生反應。比如保護作用，在晶圓制造中，兩個制造步驟之間的等待時間，需要用氮氣保護晶圓。在清洗作用中，在酸堿處理完畢后，需要清洗晶圓上遺留的雜質(zhì)，這時候需要用超純水

33、和氮氣對晶圓進行沖洗。所以晶圓廠保護氣體主要以氮氣為主。圖 10：氮氣作為清洗氣體和保護氣體資料來源：浙商證券研究所半導體材料市場空間廣泛中國半導體材料市場穩(wěn)步增長中國半導體材料市場穩(wěn)步增長。2018 年全球半導體材料銷售額達到 519.4 億美元，同比增長 10.7%。其中中國銷售額為 84.4 億美元。與全球市場不同的是，中國半導體材料銷售額從 2010 年開始都是正增長，2016 年至 2018 年連續(xù)3 年超過 10%的增速增長。而全球半導體材料市場受周期性影響較大，特別是中國臺灣，韓國兩地波動較大。北美和歐洲市場幾乎處于零增長狀態(tài)。而日本的半導體材料長期處于負增長狀態(tài)。全球范圍看，只

34、有中國大陸半導體材料市場處于長期增長窗臺。中國半導體材料市場與全球市場形成鮮明對比。圖 11：全球半導體材料銷售額及增速（單位：十億美元）圖 12：各個國家和地區(qū)歷年半導體材料銷售額（單位：十億美60504030201002000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018全球半導體材料銷售額（單位：十億美元）增長率14中國臺灣，韓國波動性較大日本負增長中國大陸持續(xù)增長北美、歐洲零增長一枝獨秀中國臺灣韓國日本北美歐洲中國大陸其他30%1220%1010%80%

35、6-10%4-20%2-30%02006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018資料來源：Wind、浙商證券研究所資料來源：Wind、浙商證券研究所全球半導體材料逐步向中國大陸市場轉移。從各個國家和地區(qū)的銷售占比來看，2018 年排名前三位的三個國家或地區(qū)占比達到 55%，區(qū)域集中效應顯現(xiàn)。其中，中國臺灣約占全球晶圓的 23%的產(chǎn)能，是全球產(chǎn)能最大的地區(qū)，半導體材料銷售額為 114 億美元，全球占比為 22%，位列第一，并且連續(xù)九年成為全球最大半導體材料消費地區(qū)。韓國約占全球晶圓的 20%的產(chǎn)能，半導體材料銷售額為

36、 87.2 億美元，占比為 17%，位列第二名。中國大陸約占全球 13%的產(chǎn)能，半導體材料銷售額為 84.4 億美元，約占全球的 16%，位列第三名。但是長期來看，中國大陸半導體材料市場占比逐年增加，從 2007 年的占比 7.5%，到 2018 年占比為 16.2%。全球半導體材料逐步向中國大陸市場轉移。圖 13：2018 年各個國家和地區(qū)的銷售占比圖 14：半導體材料銷售額和中國大陸占比(單位:十億美元)6018%中國大陸, 16%其他, 50中國臺灣, 22%12%403016%14%12%10%8%歐洲, 7%北美, 11%韓國, 17%日本, 15%20100200620072008

37、2009 201020112012201320142015201620176%4%2%0%2018中國臺灣日本北美歐洲韓國中國大陸其他中國大陸占比資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、浙商證券研究所資料來源：Wind、浙商證券研究所電子氣體是半導體制造材料的第二大耗材半導體制造材料占比逐年增加。半導體材料可分為封裝材料和制造材料（包含硅片和各種化學品等等）。從長期看，半導體制造材料和封裝材料處于同趨勢狀態(tài)。但是從 2011 年之后，隨著先進制程的不斷發(fā)展，半導體制造材料的消耗量逐漸增加，制造材料和封裝材料的差距逐漸增加。2018 年，制造材料銷售額為 322 億美元，封裝材料銷售額為197 億美元，制造材

38、料約為封裝材料的 1.6 倍。圖 15：2018 年半導體材料消耗占比圖 16：2018 年半導體制造和封裝材料占比差額逐年增加3530封裝材料,38%晶圓制造材料, 62%25201510502000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018晶圓制造材料(十億美元)封裝材料(十億美元)資料來源：wind、浙商證券研究所資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、浙商證券研究所氣體是晶圓制造中第二大耗材。根據(jù) 2018 年銷售數(shù)據(jù)，制造材料中，硅晶圓作為半導體的原材料，占比最

39、大，達到 37%，銷售額為 121 億美元。電子氣體由于在制造過程中使用的步驟較多，所以消耗量遠遠高于其他材料，占比為 13%，銷售額達到 43 億美元。氣體（包含高純和混合氣體）是晶圓制造中最常用的制造材料，做為半導體材料中的核心原料，消耗金額是除硅晶圓之外的第一大材料。常常使用在光刻，刻蝕，CVD/PVD 等等步驟。特別是在集成電路制造環(huán)節(jié)，高純大宗氣體如 N2、H2、O2、Ar、He 等，常常使用在高溫熱退火，保護氣體，清洗氣體等等環(huán)節(jié)。高純電子特種氣體在制造環(huán)節(jié)使用較多，也是常說的電子氣體，比如離子注進、氣相沉積、洗滌、遮掩膜形成過程中使用到一些化學氣體，常見的有 SiH4、PH3、A

40、sH3、B2H6、N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2等，在 IC 生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，使用的電子氣體有差不多有 100 多種， 核心工段常見的在 40-50 種左右。隨著半導體集成電路技術的發(fā)展，對電子氣體的純度和質(zhì)量也提出了越來越高的要求。電子氣體的純度每提升一個數(shù)量級，對下游集成電路行業(yè)都會產(chǎn)生巨大影響。2014 年國家發(fā)布了國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要并設立了集成 電路產(chǎn)業(yè)投資基金，根據(jù)規(guī)劃，我國集成電路銷售額年均增速將保持在 20%左右，預計 2020 年將達到 8,700 億元。若半導體用電子氣體保持同樣穩(wěn)定的增速，國內(nèi)半導體用電子氣體市場將在 2020

41、 年翻番。圖 17：2018 年全球半導體前道各材料市場比重圖 18：全球半導體前道材料市場預測其他材料, 10%CMP材料, 7%靶材, 2%電子氣體, 13%晶圓, 37%40,00035,00030,00025,00020,00015,00010,0005,00002013 2014 2015 2016 2017 2018 2019F 2020F20%百萬美元15%10%5%0%-5%化學試劑, 7%光刻膠輔材,7%光刻膠, 5%光罩,12%晶圓光罩光刻膠光刻膠輔材化學試劑電子氣體靶材CMP材料 其他材料增長率（%）資料來源：SEMI、浙商證券研究所整理及預測資料來源：SEMI、浙商證券

42、研究所整理及預測政策引導，半導體材料將重點發(fā)展自中美貿(mào)易摩擦以來，中國大陸大力發(fā)展半導體，集成電路產(chǎn)業(yè)，并成立大基金投資半導體相關公司。同時，國家出臺相關政策，積極刺激半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。先后頒布了國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要、集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃等政策。各地方政府為培育增長新動能，積極搶抓集成電路新一輪發(fā)展機遇，促進地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)跨越式發(fā)展，也不斷出臺相關政策支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。國家政策密集頒布：2014 年工業(yè)和信息部、發(fā)展改革委、科技部、財政部等多部門聯(lián)合發(fā)布的國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要中，明確了我國集成電路的發(fā)展目標；在 2015 年發(fā)布的中國制造 2025中提出中國

43、芯片自給率要在 2020 年達到 40%，2025 年達到 70%；在 2018 年政府工作報告中，更是明確提出要推動集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。地方推進政策落地；全國多地在政府工作報告中紛紛提及集成電路產(chǎn)業(yè)，可見集成電路產(chǎn)業(yè)將成為近期地方政府工作重點。具體措施主要包括：加快重大項目落地與建設，集中力量實現(xiàn)現(xiàn)有項目突破，完善相關產(chǎn)業(yè)平臺、產(chǎn)業(yè)基金等。地方政府扶持首先有利于重點集成電路項目開展，其次有利于各地方集成電路企業(yè)經(jīng)營。表 5：2019 年部分地區(qū)相關布局地區(qū)相關布局安徽省加快發(fā)展人工智能產(chǎn)業(yè)和數(shù)字經(jīng)濟。建設超級計算中心。擴大 4G 網(wǎng)絡覆蓋面，加快 4G 商用步伐。打牢資源型數(shù)字經(jīng)濟基礎，推動

44、大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展，支持云計算大數(shù)據(jù)生產(chǎn)應用中心、大數(shù)據(jù)存儲基地建設湖北省確保華星光電 T4，京東方 10.5 代線等一批重大項目如期建成。集中力量推進武漢新芯二期，天馬柔性屏等重大產(chǎn)業(yè)項目陜西省要發(fā)展壯大新一代信息技術產(chǎn)業(yè)集群，抓好三星二期，華天集成電路封裝測測，等重大項目建設四川省加快推進紫光程度集成電路、中國電子 8.6 代液晶面板生產(chǎn)線、眉山信利高端顯示等項目建設廣東省扎實抓好富士康廣州 10.5 代線、廣州樂金 OLED、深圳華星光電 11 代線等項目建設，支持珠海集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈項目、東莞紫光芯云產(chǎn)業(yè)城、佛山“機器人谷”等建設北京市不斷壯大高精尖產(chǎn)業(yè)。加快 5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新型基

45、礎設施建設，繼續(xù)大力拓展各類創(chuàng)新技術的應用場景建設。推動新能源汽車、超高清顯示設備、集成電路生產(chǎn)線、第三代半導體、“無人機小鎮(zhèn)”等重大項目落地上海市鞏固提升實體經(jīng)濟能級。加快落實集成電路、人工智能、生物醫(yī)藥等產(chǎn)業(yè)政策，深入實施智能網(wǎng)聯(lián)汽車等一批產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新工程，推動中芯國際，和輝二期等重大產(chǎn)業(yè)項目加快量產(chǎn)，實現(xiàn)集成電路 14nm 生產(chǎn)工藝量產(chǎn)。天津市大力實施項目帶動戰(zhàn)略，發(fā)揮濱海新區(qū)及開發(fā)區(qū)、保稅區(qū)、高新區(qū)等功能區(qū)項目建設主戰(zhàn)場作用，加快中環(huán)高端半導體產(chǎn)業(yè)園、中芯國際擴建等重大項目建設。重慶市構建“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈。“芯”就是要完善集成電路設計。制造，封裝測試，材料等上下游全鏈條，培育高端功率

46、半導體芯片和存儲芯片等項目，抓好聯(lián)合微電子中心，櫻桃特人 FPGA 中國創(chuàng)新中心等項目珠海市緊抓集成電路設計換機，集中力量引進集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈項目，建設集成電路高端設計與制造基地資料來源：浙商證券研究所半導體材料領域投資較少；雖然在半導體集成電路領域投資較多，但是在基礎科學，特別是在半導體材料領域投資較少，再加上國內(nèi)半導體材料大多集中于面板制造材料，在要求更高的半導體制造材料領域研究較少。所以相對于集成電路設計，制造和封測產(chǎn)業(yè)，中國大陸半導體材料領域底子薄，發(fā)展慢。半導體材料迎來重大利好；2020 年 3 月 3 日，國家科技部等五部委發(fā)布加強“從 0 到 1”基礎研究工作方案。方案指出國家科

47、技計劃突出支持關鍵核心技術中的重大科學問題。面向國家重大需求，對關鍵核心技術中的重大科學問題給予長期支持。重點支持人工智能、網(wǎng)絡協(xié)同制造、3D 打印和激光制造、重點基礎材料，先進電子材料、結構與功能材料、制造技術與關鍵部件、集成電路和微波器件，高端醫(yī)療器械、重大科學儀器設備等重大領域，推動關鍵核心技術突破。中國電子氣體市場空間巨大中國大陸晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)擴張全球晶圓產(chǎn)能將迎來爆發(fā)式增長。根據(jù) IC Insight 統(tǒng)計，由于 2019 年上半年，中美貿(mào)易戰(zhàn)的不確定性，全球各大晶圓廠都推遲了產(chǎn)能增加計劃，但是并沒有取消。隨著 2019 年下半年中美貿(mào)易的復蘇和 5G 市場的爆發(fā)，2019 年全年全

48、球晶圓產(chǎn)能還是維持了 720 萬片的增加。但是隨著 5G 市場的換機潮來領，全球晶圓產(chǎn)能將在 2020 年至 2022 年迎來增加高峰期，三年增加量分別為 1790 萬片，2080 萬片和 1440 萬片，在 2021 年將創(chuàng)下歷史新高。這些晶圓產(chǎn)能將會在韓國（三星，海力士），中國臺灣（臺積電）和中國大陸（長江存儲，長鑫存儲，中芯國際，華虹半導體等等）。其中中國大陸將占產(chǎn)能增加量的 50%。圖 19：20102024 年全球晶圓廠產(chǎn)能增加量（單位：百萬片/年，等效 8 寸晶圓）25201510502010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019

49、 2020F 2021F 2022F 2023F 2024F資料來源：IC Insights、浙商證券研究所中國大陸晶圓廠建設將迎來高速增長期。從 2016 年開始，中國大陸開始積極投資建設晶圓廠，陸續(xù)掀起建廠熱潮，根據(jù) SEMI 預測，2017-2020 年全球?qū)⒔ǔ赏懂a(chǎn) 62 座晶圓廠，其中中國有 26 座，占總數(shù)的 42%。2018 年建造數(shù)量為 13 座，占到了擴產(chǎn)的 50%。擴產(chǎn)的結果勢必導致晶圓廠的資本支出和設備支出的增加。據(jù) SEMI 預計，到 2020年，中國大陸晶圓廠裝機產(chǎn)能達到每月 400 萬片 8 寸等效晶圓，與 2015 年的 230 萬相比，年復合增長率為 12%，增

50、長速度遠遠高過其他地區(qū)。同時，國家大基金也對半導體制造業(yè)大力投入，在大基金一期投資中，其中制造業(yè)占比高達 67%，遠遠高于設計業(yè)和封測業(yè)。圖 20：2010-2020 中國半導體晶圓廠投資額（單位：億美元） 圖 21：國家大基金一期投資比例1801601401201008060402002010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020F120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%裝備材料, 6%封測類, 10%設計類,17%制造類, 67%中國半導體晶圓廠投資（億美元）YOY（%）資料來源：SEMI、浙商證券研

51、究所資料來源：浙商證券研究所表 6：中國地區(qū)新增晶圓廠情況公司地區(qū)投資金額月產(chǎn)能（萬片）制程節(jié)點進展中芯國際北京50.18um55nm運行中中芯國際（多數(shù)控股）北京3.565nm28nm運行中中芯國際 S2A上海1FinFET研發(fā)中中芯國際 SN1上海102 億美元3.514-10nm FinFet擴產(chǎn)中中芯國際 SN2上海3.528nm-14nmCMOS設備已搬入中芯國際深圳106 億美元0.590-10nmCMOS運行中華虹宏力（華虹 Fab7)無錫100 億美元490-65 特色工藝試生產(chǎn)華力微電子（華虹 Fab5）上海219 億元3.555-28nmCMOS運行中華力微電子（華虹 Fa

52、b6）上海387 億元420nm-14nmCMOS開工紫光集團南京300 億美元10DRAM/NAND建設中紫光集團成都300 億美元10DRAM/NAND建設中武漢新芯武漢7Nor Flash擴產(chǎn)中長江存儲武漢240 億美元1214-20nm運行中武漢弘芯武漢1465nm，成熟工藝和 RF設備搬入晉華集成泉州370 億元632-20nm DRAM建設中合肥長鑫合肥72 億美元12.519nm DRAM良率提升及量產(chǎn)準備中晶合集成合肥128 億元665nm LCD 驅(qū)動運行中聯(lián)芯集成廈門62 億美元540-28nm CMOS運行中臺積電南京70 億美元1216nm運行中三星（一期）西安100

53、億美元1020-10nm NAND運行中三星（二期擴建）西安70 億美元1020-10nm NAND在建中格芯程度2+60.18-0.13 及 22nmFD-SOI停工海力士無錫1090-40DRAM運行中海力士無錫45-25nm DRAM擴建中AOS重慶10 億美元7功率器件試生產(chǎn)粵芯廣州70 億元30.18-0.13CMOS已投片積塔半導體上海6建設中江蘇時代淮安130 億元1相變存儲器運行中德淮半導體淮安25 億美元2cis，CMOS運行停擺中士蘭微廈門170 億元890-65nm 特色工藝在建中英特爾大連1260-40nm Nand擴建中芯恩集成青島150 億元512 英寸 DSP，A

54、DC等等2019.10 一期完成封頂矽力杰青島180 億元4模擬 IC在建中資料來源：IC Insights、各大公司官網(wǎng)、網(wǎng)絡公開信息、浙商證券研究所截至到 2019 年底，中國仍有 9 座 8 寸晶圓廠和 10 座 12 寸晶圓廠處于在建或者規(guī)劃狀態(tài)。另外，由于目前中國大多數(shù) 12 寸晶圓廠處于試量產(chǎn)或者小批量量產(chǎn)狀態(tài)，處于產(chǎn)能底部。在得到客戶的產(chǎn)品驗證和市場驗證之后，將會迎來產(chǎn)能爬坡階段，將會對上游原材料出現(xiàn)巨大需求。2.4.2. 產(chǎn)能擴張推動氣體市場規(guī)模增長中國大陸電子氣體市場規(guī)模占比不斷提升。據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，中國電子特氣的市場規(guī)模在不斷增加，從 2014 年的 13.40 億

55、美元增長到了 2018 年的 20.04 億美元，占全球的比重從 38.5%提升到 44.4%。未來隨著產(chǎn)能的不斷提升，比重也會隨之增加。圖 22：集成電路用電子特體市場規(guī)模圖 23：中國電子氣體市場規(guī)模和增速504030201002014201520162017中國電子特氣市場規(guī)模（億美元）201846%44%42%40%38%36%34%450400350300250200150100500201720182019E2020E2021E2022E25%20%15%10%5%0%其他國家和地區(qū)電子特氣市場規(guī)模（億美元）中國大陸所占比重（%）中國電子氣體市場規(guī)模（億元）YOY（%）資料來源：S

56、EMI、浙商證券研究所資料來源：卓創(chuàng)資訊、浙商證券研究所2020 年2022 年是中國大陸晶圓廠投產(chǎn)高峰期，以長江存儲，長鑫存儲等新星晶圓廠和以中芯國際，華虹為代表的老牌晶圓廠正處于產(chǎn)能擴張期，未來 3 年將迎來密集投產(chǎn)。以 12 寸等效產(chǎn)能計算，2019 年中國的大陸產(chǎn)能為 105萬片/月，我們預計至 2022 年大陸晶圓廠產(chǎn)能增至 201 萬片/月。據(jù)國內(nèi)晶圓廠的建設速度和規(guī)劃，預計 2022 年國內(nèi)電子氣體市場是 2019 年的兩倍，電子氣體市場迎來高速發(fā)展期。根據(jù) 2019 年的 20 億美元的市場空間，預計 2022 年，中國大陸電子氣體市場空間將會接近 40 億美元，將會接近 30

57、0 億元大關。電子氣體制備壁壘高技術壁壘氣體純度壁壘特種氣體制造工藝復雜；特種氣體的主要生產(chǎn)流程包括氣體合成，氣體純化，氣體混配和氣瓶處理。氣體合成是指將原料氣體在特定壓力，溫度和催化劑的條件下，發(fā)生化學反應，生成目標氣體，此時的目標氣體是氣體粗產(chǎn)品，純度不能達到下游要求，所以不能直接使用。得到氣體粗產(chǎn)品之后，再將粗產(chǎn)品進行純化，得到高純氣體。主要純化的方式就是通過精餾，吸附等方式將粗產(chǎn)品精制成更高純度的產(chǎn)品，氣體混配是將兩種或兩種以上有效組分氣體按照特定比例混合，得到多組分布的混合氣體。氣瓶處理是根據(jù)載氣性質(zhì)及需求的不同對氣瓶內(nèi)部、內(nèi)壁表面及外觀進行處理的過程，以保證氣體存儲、運輸過程中產(chǎn)品

58、的穩(wěn)定。圖 24：氣體合成流程圖 25：氣體混配流程資料來源：華特氣體招股書、浙商證券研究所資料來源：華特氣體招股書、浙商證券研究所特種氣體純化是氣體制造的主要技術壁壘。在普通工業(yè)領域中，對于特種氣體的純度要求在 99.99%以內(nèi)。但是在電子級，特別是在半導體芯片制造領域，由于芯片制造技術已經(jīng)發(fā)展到納米級別，所以氣體純度也必須在 ppt 級別以上。氣體中的雜質(zhì)含量過多，就會嚴重影響芯片良率和可靠性。電子氣體的純度要求也越來越高，經(jīng)常需要 6N 級 (99.9999%)甚至更高的純度，并且對電子氣體質(zhì)量的穩(wěn)定性要求也越來越苛刻。10 納米以下的先進制程對于雜質(zhì)過濾的要求也越來越高，晶圓廠生產(chǎn)環(huán)境

59、純凈度必得再度提升，才能確保半導體晶圓不受污染，提升生產(chǎn)良率。從 28 納米走到 7 納米，產(chǎn)品的金屬雜質(zhì)要求須下降 100 倍，污染粒子的體積也必須要縮小 4 倍，而隨著制程走到 10 納米以下，對于潔凈度要求只會愈來愈嚴格，例如 28 納米晶圓可能可以有 10 個污染粒子，但 7 納米晶圓上只能有 1 個。采用先進制程的晶圓，其薄膜層非常薄，對氧氣十分敏感，很容易被氧化，因此對晶圓制作的特種氣體需求更大，未來的 3/5納米已經(jīng)進入原子等級的尺度。所以，特種氣體供應商能否提供更高純度的氣體是能否打入國際主流晶圓廠的關鍵條件。氣體精度壁壘準確控制不同氣體的配比精度是另一壁壘；對于混配氣體而言，

60、配比的精度是核心參數(shù)。氣體混配是指根據(jù)不同需求，運用重量法、分壓法、動態(tài)體積法等方法，將兩種或兩種以上組分的氣體按照特定比例混合，對配制過程的累計誤差控制、配制精度、配制過程的雜質(zhì)控制等均有極高要求。隨著產(chǎn)品組分的增加、配比精度的上升，常要求氣體供應商能夠?qū)Χ喾N ppm 乃至 ppb 級濃度的氣體組分進行精細操作，其配臵過程難度與復雜程度也顯著增大。特別是對于光刻氣體而言，混合氣體的精度控制更加重要。光刻氣包含 Ar/F/Ne 混合氣，、Kr/Ne 混合氣、Ar/Ne 混合氣、Kr/F/Ne混合氣等等產(chǎn)品。表 7：光刻氣體種類光刻氣種類對應氣體應用機理Ar/F/Ne 混合氣氬氣/氟氣/氖氣光刻