單片機(jī)招聘經(jīng)典筆試題(致遠(yuǎn)公司,附講解)

1、周立功：看了我們歷年來的部分招聘試題，大家一定會(huì)覺得太容易了，但大多數(shù)學(xué)生還是做不出來，包括研究生在內(nèi)，比例達(dá)到98%以上，所以我不得不投入到創(chuàng)新教育實(shí)踐活動(dòng)之中去。我們每次出題之前都要翻看各種版本的教材與實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書，如果只有一本書上有類似的題目，我們絕對不考，大多數(shù)單片機(jī)編程與C語言程序設(shè)計(jì)一定來自例題，但有時(shí)會(huì)稍作修改，重在考察學(xué)生的基礎(chǔ)和實(shí)踐動(dòng)手能力。答題分析：題1對80C51單片機(jī)內(nèi)部RAM低128字節(jié)存儲(chǔ)單元清零，請用匯編語言編程題1：這是一道非?；A(chǔ)的題目，具有良好習(xí)慣的程序員編寫的第一段程序就是對單片機(jī)上電進(jìn)行初始化。單片機(jī)內(nèi)部低128字節(jié)即就是0127，轉(zhuǎn)換為16進(jìn)制數(shù)值則表示

2、為07FH。如果用循環(huán)語句的話，那么計(jì)數(shù)器的初始值應(yīng)該為7FH，假設(shè)R0=7FH。程序設(shè)計(jì)如下：TOC o 1-5 h zORG0000HAJMPMAINORG0030HMAIN:MOVR0,#7FHCLRALOOP:MOVR0,ADJNZR0,LOOPAJMP$7ENDR0在此既作為循環(huán)程序計(jì)數(shù)器，又作為內(nèi)部存儲(chǔ)單元的動(dòng)態(tài)地址指針(計(jì)數(shù)器)。當(dāng)計(jì)數(shù)器R0為7FH時(shí)，那么R0所對應(yīng)的存儲(chǔ)單元的地址為7FH；當(dāng)計(jì)數(shù)器R0減1時(shí)，則R0所對應(yīng)的存儲(chǔ)單元地址相應(yīng)地減1；當(dāng)計(jì)數(shù)器R0減為0時(shí)，則R0所對應(yīng)的存儲(chǔ)單元地址也減為0，即就是00H單元。如果選用R1作為計(jì)數(shù)器的話，即便將R1減為0,也不能將0

3、0H單元清0,因?yàn)镽1在內(nèi)部存儲(chǔ)器的實(shí)際地址為01H，那么最后還需要單獨(dú)對00H單元進(jìn)行清0才能完成初始化。題4：繼電器驅(qū)動(dòng)電路，回答下列問題：完整地畫出用一個(gè)PNP三極管驅(qū)動(dòng)一個(gè)5V繼電器的電路，說明各個(gè)元器件的作用；若繼電器的內(nèi)阻為100歐姆，三極管的放大倍數(shù)為100倍，試計(jì)算出在滿足什么樣的條件下，繼電器能可靠地吸合？題4：答：電路如圖1所示，三極管Q為PNP驅(qū)動(dòng)三極管，工作在開關(guān)狀態(tài)；二極管D為繼電器線圈在由吸合變?yōu)閿嚅_時(shí)提供續(xù)流，以免產(chǎn)生高壓，從而保護(hù)三極管Q。+5Vdrv妣B=100圖1繼電器驅(qū)動(dòng)電路當(dāng)V=0V時(shí)，Rb取值計(jì)算如下：drvI二Vcc/Rj=5/100=50(mA)c

4、I=1/=50/100=0.5(mA)bcR=(VV)/Ib=(50.7)/0.5=8.6(K)bccbe當(dāng)R=8.6K時(shí)，繼電器能可靠吸合。b這是一道理論與實(shí)踐相結(jié)合重點(diǎn)考查學(xué)生動(dòng)手能力的試題，不少參加過電子大賽的同學(xué)，雖然曾在實(shí)踐中用過這個(gè)電路，但還是考不出來，原因何在？作者調(diào)查發(fā)現(xiàn)，很多學(xué)生在使用書本上的經(jīng)典電路時(shí)，并沒有用理論去分析和驗(yàn)證，達(dá)到學(xué)會(huì)設(shè)計(jì)電路的目的。因?yàn)楹苌僮约簞?dòng)手設(shè)計(jì)電路，于是“抄”電路就成了一種習(xí)慣，事實(shí)上產(chǎn)品的設(shè)計(jì)是抄不出來的。其實(shí)僅僅是看懂了、會(huì)用了那是沒有用的，一定要?jiǎng)邮肿龀鰜聿⒏闱宄睚埲ッ}那才是自己的，所以同學(xué)們一定要養(yǎng)成良好的習(xí)慣，保持高中時(shí)候的熱情，相信

5、自己是一流的，獨(dú)立完成本書所安排的所有任務(wù)，而不是去抄別人的答案。題5：單片機(jī)上電復(fù)位電路如圖3所示，請回答下列問題:C(CPCURSTGND該復(fù)位電路適用于高電平復(fù)位還是低電平復(fù)位？試述復(fù)位原理，畫出上電時(shí)Vc的波形；試述二極管D的作用。題5：低電平復(fù)位。在圖3中，CPU上電時(shí)，但由于電容C兩端的電壓V不能突變，因此V保持低電平。但隨著電容C的充電，V不斷上升，上升曲線如圖4所示。只要選擇合適的R和C，V就可以在CPU復(fù)位電壓以下持續(xù)足夠的時(shí)間使CPU復(fù)位。復(fù)位之后，V上升至電源電壓，CPU開始正C常工作。相當(dāng)于在CPU上電時(shí)，自動(dòng)產(chǎn)生了一個(gè)一定寬度的低電平脈沖信號(hào)，使CPU復(fù)位。圖4RC充

6、放電曲線(3)當(dāng)電源電壓消失時(shí)，二極管D為電容C提供一個(gè)迅速放電的回路，使/RESET端迅速回零，以便下次上電時(shí)CPU能可靠復(fù)位。這是一個(gè)非常重要的知識(shí)點(diǎn)，如果CPU的復(fù)位電路設(shè)計(jì)得不合理將會(huì)導(dǎo)致CPU嚴(yán)重死機(jī)，并且影響與CPU有關(guān)的外圍器件的穩(wěn)定性，比如存儲(chǔ)器上電丟失數(shù)據(jù)。因此我們在學(xué)習(xí)的過程中，一定要善于將前后的知識(shí)連貫起來。千萬不要隨意放過哪怕一個(gè)細(xì)小的問題，只有這樣才能做到融會(huì)貫通。在管理新產(chǎn)品的開發(fā)過程中，作者發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)質(zhì)量事故的產(chǎn)品都是由一些看起來并不起眼的小問題所引起的，最終給企業(yè)帶來的損失卻是巨大的，甚至是毀滅性的打擊。題6：用C語言編程，編寫一個(gè)函數(shù)實(shí)現(xiàn)查找功能，給定一個(gè)數(shù)N,

7、在已排序的數(shù)組A中查找，若找到則函數(shù)返回1,否則返回0函數(shù)參數(shù)的輸入輸出如下：輸入：要找的數(shù)數(shù)組的首址數(shù)組的長度輸出：數(shù)組中匹配數(shù)的下標(biāo)一一若返回值為1則有效，否則無效返回值：1一一已找到匹配數(shù)0一一未找到匹配數(shù)題6：答案：charfind(charN,char*a,charlen,char*snr)/len=127charlow,high,middle;low=0;high=len-1;while(low1;if(N=amiddle)*snr=middle;return1;elseif(Namiddle)low=middle+1;elsehigh=middle-1;return0;我們在面試電類專業(yè)的學(xué)生時(shí)發(fā)現(xiàn)，很多學(xué)生對課程之間的關(guān)聯(lián)知之不深，一味采取從頭到尾按部就班的學(xué)習(xí)方法，且平均使用力量對重點(diǎn)課程的價(jià)值缺乏特別的關(guān)注和了解，久而久之對電類專業(yè)的學(xué)習(xí)自然感到枯燥乏味，進(jìn)而從一個(gè)富有激情的大一學(xué)生演變?yōu)橐粋€(gè)茫然無知的