硬件開發(fā)工具spmc75f2413a evm板配套例子

1、V1.0 Mar 27, 200619, InnovationRoad Science Park Hsin-Chu 300 R.O.C.: 886-3-578-6005 Fax: 886-3-578-4418 Web:SPMC75 基礎例程FLASH 操作保留對此文件修改之權利且不另行通知?？煽恐畔?，但并不保證本文件中絕無錯誤。請于向所提供之信息相信為正確且提出訂單前，自行確定所使用之相關技術文件及規(guī)格為之版本。若因貴公司使用本公司之文件或產(chǎn)品，而涉及第三人之專利或著作權等智能權之應用及配合時，則應由貴公司負責取得同意及，本公司僅單純販售產(chǎn)品，上述關于同意及，非屬本公司應為保證之責任。又系統(tǒng)

2、及飛航等相關設備。之正式，本公司之所有產(chǎn)品不得使用于醫(yī)療器材，維持生命 Sunplus Technology Co.,.PAGE 1V1.0 Mar 27, 2006頁概述4例子介紹4 硬件連接5 程序設計5 1.2.3.4. Sunplus Technology Co.,.PAGE 2V1.0 Mar 27, 2006目錄修訂 Sunplus Technology Co.,.PAGE 3V1.0 Mar 27, 2006版本日期作者修訂內(nèi)容V1.02006/3/27Peixing初始版本概述1.SPMC75 系列單片機內(nèi)嵌 32K FLASH器。32K 的 FLASH 共分為 16 頁，每頁

3、2K 字，每頁可再分為 8 塊，每塊 256 字。其中只有位于 0 xF0000XFF7F 區(qū)域內(nèi)的頁在運行模式下可設置為只讀或可讀可寫，其他頁不能設置為寫模式。本例通過 C 語言和匯編語言兩種方式讓大家了解如何對 SPMC75 單片機的 FLASH 進行擦除、單字寫入、多字寫入等操作。例子介紹2.定義一個錯誤標志單元，并將錯誤標志單元初始化為 0 x00ff。將 FLASH 位于0 xF0000XFF7F 區(qū)域內(nèi)的 FLASH 中的一塊（256 個字的空間）擦除（實現(xiàn) FLASH 的擦除功能），然后對擦除的塊進行校驗，看是否有擦除錯誤的單元，若有擦除錯誤的單元，則錯誤標志單元第 0 位被清

4、0；然后利用單字寫入方式向剛擦除完的 FLASH塊里寫入 10 個數(shù)（實現(xiàn)單字寫入功能），而后寫入的 10 個數(shù)據(jù)進行校驗，若 10 個數(shù)據(jù)中有寫入錯誤的，則錯誤標志單元第 1 位被清 0；然后通過多字寫入模式向剛擦除完的 FLASH 塊里寫入 30 個數(shù)據(jù)（實現(xiàn)多字寫入功能），而后對寫入的 30 個數(shù)據(jù)進行校驗，若 30 個數(shù)據(jù)中有寫入錯誤的，則錯誤標志單元第 2 位被清 0。最后將錯誤標志單元送到 IOD 口，通過 IOD07口的 LED 顯示出來，通過查看 LED 的點亮情況，就可以看出各功能的實現(xiàn)情況。 Sunplus Technology Co.,.PAGE 4V1.0 Mar 27

5、, 2006FLASH 操作硬件連接3.如圖 1，將 JP8 短接。圖 1：LED 顯示原理圖程序設計4.（1）實現(xiàn)方法：IOD 初始化為非反向輸出，設一個型數(shù)組 i_str_W40，將其初始化。定義一個錯誤標志單元 ui_Err 并將其初始化為 0 x00ff 。將 FLASH 位于0 xF0000XFF7F 區(qū)域內(nèi)的 FLASH 中的第一塊（256 個字的空間）擦除（實現(xiàn) FLASH的擦除功能），然后對擦除的塊進行校驗，看是否有擦除錯誤的單元，若有擦除錯誤的單元，則錯誤標志單元第 0 位被清 0（將錯誤標志單元 ui_Err 與 0 x e 相與）；然后利用單字寫入方式向剛擦除完的 FLA

6、SH 塊里寫入 10 個數(shù)據(jù)（i_str_W09，實現(xiàn)單字寫入功能），而后寫入的 10 個數(shù)據(jù)進行校驗，若 10 個數(shù)據(jù)中有寫入錯誤的，則錯誤標志單元第 1 位被清 0（將錯誤標志單元 ui_Err 與 0 x d 相與）；然后通過多字寫入模式向剛擦除完的 FLASH 塊里寫入 30 個數(shù)據(jù)（i_str_W1039，實現(xiàn)多字寫入功能），而后對寫入的 30 個數(shù)據(jù)進行校驗，若 30 個數(shù)據(jù)中有寫入錯誤的，則錯誤標志單元第 2位被清 0（將錯誤標志單元 ui_Err 與 0 x b 相與）。最后將錯誤標志單元 ui_Err 送到 IOD口，通過 IOD07口的 LED 顯示出來，通過查看 LED

7、的點亮情況，就可以看出各功能的實現(xiàn)情況。 Sunplus Technology Co.,.PAGE 5V1.0 Mar 27, 2006R38470D7 LEDR39470D8 LEDIOD012IOD412R40470D9 LEDR41470D10 LEDIOD112IOD512R45470D11 LEDR46470D12 LEDIOD212IOD612R47330D13 LEDR48470D14 LEDIOD312IOD712JP82LED1LED(2)程序流程圖：開始系統(tǒng)初始化 ui_Err = 0 xff無擦除校驗-有錯？有無單字寫入校驗-有錯？有無多字寫入校驗-有錯？有while(1

8、); Sunplus Technology Co.,.PAGE 6V1.0 Mar 27, 2006P_IOD_Buffer-W= ui_Errui_Err第20FLASH寫功能多字寫入方式寫入30個數(shù)據(jù)ui_Err第10單字字寫入方式寫入寫入10個數(shù)據(jù)ui_Err第00將FLASH第14頁第一塊擦除FLASH寫使能(3)程序代碼：C 語言格式 Sunplus Technology Co.,.PAGE 7V1.0 Mar 27, 2006/=/工程名稱： Exa09_Flash_C/編者：/功能描述： Flash 模式設置、擦除操作、寫單字操作/以及寫多字操作的子程序段/組成文件： main.

9、c/spmc75f2313a.h, unspmacro.h/硬件連接： 新版評估套件/完成日期： 2006-4-12/=#include spmc75f2313a.h #include unspmacro.h#defi R P_IOB_Buffer-B.bit8 #define SRCLK P_IOB_Buffer-B.bit9 #define RCLK P_IOB_Buffer-B.bit10/=/語法格式： void Flash_RW_Disable(void)/ 功能描述： FLASH 區(qū)寫/參數(shù)：無/返回值：無/=void Flash_RW_Disable(void)P_Flash_R

10、W-W = 0 x5a5a;/第一次寫入控制命令 P_Flash_RW-W = 0 x4000;/第二次寫入設置字,只讀/= Sunplus Technology Co.,.PAGE 8V1.0 Mar 27, 2006/語法格式： void Flash_RW_Enable(void)/功能描述： FLASH區(qū)寫使能/參數(shù)：無/返回值：無/=void Flash_RW_Enable(void)P_Flash_RW-W = 0 x5a5a;/第一次寫入控制命令 P_Flash_RW-W = 0 x0000;/第二次寫入設置字，讀寫/=/語法格式： void FlashErase(unsigned

11、*sectorAddress)/功能描述： 擦除一塊 flash/參數(shù)：sectorAddress-要擦除的塊中的任意一個地址/返回值：無/注意：每擦除一次硬件會進行延時 20ms 以上/=void FlashErase(unsigned*sectorAddress)P_Flash_Cmd-W = 0 xAAAA; /寫入控制命令 P_Flash_Cmd-W = 0 x5511;/寫入擦除命令*sectorAddress = 0;/向要擦除塊中的 sectorAddress 地址寫入 0/=/語法格式： void FlashWrite(unsigned*sectorAddress,word)/

12、功能描述： 向指定地址寫入指定的數(shù)/參數(shù)：sectorAddress-要寫入數(shù)據(jù)的塊地址,word-要寫入的數(shù)據(jù)/返回值：無/注意：寫入前保證對應地址已擦除/=void FlashWriteWord(unsigned*sectorAddress,word)P_Flash_Cmd-W = 0 xAAAA;/寫入控制命令P_Flash_Cmd-W = 0 x5533;/寫入單字編程命令*sectorAddress = word;/向 sectorAddress 地址寫入數(shù)據(jù) word/=/語法格式：void FlashWrite(unsigned*sectorAddress,*Pword,unsi

13、gned char n)/功能描述：向指定地址寫入多個數(shù)據(jù)/參數(shù)：sectorAddress-要寫入數(shù)據(jù)的塊地址,Pword-要寫入的數(shù)據(jù)的首地址/n-要寫入數(shù)據(jù)的個數(shù)/返回值：無/注意：寫入前保證對應地址已擦除/=void FlashWritePage(unsigned*sectorAddress,*Pword,unsigned char n)nt i;P_Flash_Cmd-W = 0 xAAAA;/寫入控制命令for(i=0;iW = 0 x5544;/寫入多字編程命令*(sectorAddress + i) = *(Pword + i); /將數(shù)據(jù)寫入目標地址P_Flash_Cmd-W

14、 = 0 xF;/結(jié)束連續(xù)字寫入操作/=/語法格式： void LED_Display(unsignedcode) Sunplus Technology Co.,.PAGE 9V1.0 Mar 27, 2006 Sunplus Technology Co.,.PAGE 10V1.0 Mar 27, 2006/功能描述： 驅(qū)動一位數(shù)碼管顯示一個數(shù)據(jù)/參數(shù)：code 高 4 位顯為示位碼，code 低 8 位為顯示段碼/返回值：無/=void LED_Display(unsignedcode)unsignedi; unsigned k;k = 0 x1000;/初始化要顯示的位的標志 for(i=

15、0;i= 1;/標志位右移一位RCLK = 1;/將數(shù)據(jù)顯示 RCLK = 0;/=/主函數(shù)/=nt main(void)i_str_W40, *ui_Addr;unsignedi,ui_Err;ui_Err = 0 x0000;ui_Addr = (unsigned*)0 xf000;/地址指針初始化，指向?qū)懭霐?shù)據(jù)的首地址P_IOB_Dir-W |= 0 x0700;/IOB810設置為輸出P_IOB_Attrib-W |= 0 x0700;/IOB810設置為非反向P_IOB_Buffer-W &= 0 xf8ff;/IOB810輸出為低for(i=0;i=39;i+)i_str_Wi =

16、 i;/要寫入 FLASH 的數(shù)組初始化，256 個數(shù)據(jù)Flash_RW_Enable();/FLASH 寫使能FlashErase(ui_Addr);/將 FLASH 第 14 頁第一塊擦除/校驗是否塊中所有數(shù)據(jù)都被正確擦除for(i=0;i=255;i+)if(*(ui_Addr+i)!=0 x f)ui_Err |= 0 x0001;/如果有錯，則 ui_Err 第 00/單字寫入 10 個數(shù)據(jù)for(i=0;i=9;i+)FlashWriteWord(ui_Addr+i),i_str_Wi);/單字寫入 Sunplus Technology Co.,.PAGE 11V1.0 Mar 2

17、7, 2006匯編語言格式 Sunplus Technology Co.,.PAGE 12V1.0 Mar 27, 2006/=/工程名稱： Exa09_Flash_ASM/編者：/功能描述： Flash 模式設置、擦除操作、寫單字操作/校驗單字寫入的 10 個數(shù)據(jù)for(i=0;i=9;i+)if(*(ui_Addr+i)!= i_str_Wi)ui_Err |= 0 x0002;/如果有錯，則 ui_Err 第 10/向擦除的塊剩余空間寫入 246 個數(shù)據(jù)FlashWritePage(ui_Addr+i),&i_str_W10,30);Flash_RW_Disable();/FLASH 寫

18、功能/校驗多字寫入方式寫入的 246 個數(shù)據(jù)for(i=10;i=39;i+)if( *(ui_Addr+i)!= i_str_Wi)ui_Err |= 0 x0004;/如果有錯，則 ui_Err 第 20ui_Err |= 0 x0fc0;/顯示看是否有錯 LED_Display(ui_Err);/調(diào)用 LED 顯示子程序 while(1);/以及寫多字操作的子程序段/main.asm組成文件：/spmc75f2413a.inc/SPMC75F2413A 的新版 EVM 板硬件連接：/完成日期：2006-3-17/=/=.INCLUDE spmc75f2413a.inc.RAM.VAR _

19、ERR.CODE/=/主函數(shù)/=.PUBLIC _main_main:r1 = 0 x00ffP_IOD_Dir = r1/IOD07設置為輸出r1 = 0 x00ffP_IOD_Attrib = r1/IOD07設置為非反向r1 = 0 x0000P_IOD_Buffer = r1/IOD07輸出為 0r5 = 0 x00ff/出錯標志位初始化call _Flash_RW_Enable/FLASH 寫使能設置r1 = 0 xf000/擦除塊的首地址call _FlashErase/擦除第 14 頁第一塊 Sunplus Technology Co.,.PAGE 13V1.0 Mar 27,

20、2006r1 = 0 xf000/擦除塊的首地址r3 = 256/讀出的數(shù)據(jù)個數(shù)寄存器?_VerifyErase:/擦除塊中數(shù)據(jù)讀出校驗r4 = r1/讀數(shù)據(jù)cmp r4,0 xf/判斷是否擦除jz ?_ReadErase/對了則跳轉(zhuǎn)r5 &= 0 x e/錯了則錯誤標志位第 00?_ReadErase:/沒有寫錯r1 += 1/地址加 1r3 -= 1/讀出數(shù)據(jù)計數(shù)器減 1jnz ?_VerifyErase/256 個數(shù)據(jù)沒讀完則跳轉(zhuǎn)r1 = 0 xf000/要寫入數(shù)據(jù)的 Flash 首地址r2 = 0/要寫入的數(shù)據(jù)r3 = 10/寫入數(shù)據(jù)個數(shù)計數(shù)器?_WriteWord:/單字寫入call

21、 _FlashWriteWord/將 r2 里面的數(shù)據(jù)寫入 r1 地址中r1 += 1/地址加 1r2 += 1/數(shù)據(jù)加 1r3 -= 1/寫入數(shù)據(jù)個數(shù)計數(shù)器減 1jnz ?_WriteWord/寫完 10 個數(shù)據(jù)了嗎r1 = 0 xf000/寫入數(shù)據(jù)的塊的首地址r2 = 0/校驗數(shù)據(jù)初始化r3 = 10/讀出的數(shù)據(jù)個數(shù)寄存器?_VerifyWord:/單字寫入的數(shù)據(jù)讀出校驗r4 = r1/讀數(shù)據(jù) Sunplus Technology Co.,.PAGE 14V1.0 Mar 27, 2006cmp r4,r2/判斷是否寫錯jz ?_ReadWord/寫對了則跳轉(zhuǎn)r5 &= 0 x d/寫錯了

22、則錯誤標志第 10?_ReadWord:/沒有寫錯r1 += 1/地址加 1r2 += 1/數(shù)據(jù)加 1r3 -= 1/讀出數(shù)據(jù)計數(shù)器減 1jnz ?_VerifyWord/單字寫入的 10 個數(shù)據(jù)沒讀完r1 = 0 xf00a/多字寫入的首地址r2 = 10/寫入數(shù)據(jù)初始化r3 = 30/要寫入的數(shù)據(jù)個數(shù)寄存器call _FlashWritePage/多字寫入call _Flash_RW_Disable/Flash 些功能r1 = 0 xf00a/多字寫入的數(shù)據(jù)讀出校驗r2 = 10r3 = 30?_VerifyPage:r4 = r1cmp r4,r2jz ?_Reager5 &= 0 x

23、b/錯誤則錯誤標志第 20?_Reage:r1 += 1r2 += 1r3 -= 1jnz ?_VerifyPage Sunplus Technology Co.,.PAGE 15V1.0 Mar 27, 2006P_IOD_Buffer = r5/顯示錯誤狀態(tài)，沒有錯誤則 LED?_Loop:nopjmp ?_Loop/=/匯編格式:_Flash_RW_Disable/實現(xiàn)功能:FLASH 卸功能/參數(shù):無/出口參數(shù):無/破壞寄存器:無/=.PUBLIC _Flash_RW_Disable_Flash_RW_Disable:push r1 to spr1 = 0 x5a5aP_Flash_R

24、W = r1/第一次寫入控制命令r1 = 0 x4000P_Flash_RW = r1/第二次寫入設置字,只讀pop r1 from spretf/=/匯編格式:_Flash_RW_Disable/實現(xiàn)功能:FLASH 卸功能使能/參數(shù):無 Sunplus Technology Co.,.PAGE 16V1.0 Mar 27, 2006/ 出口參數(shù): 無/ 破壞寄存器:無/=.PUBLIC _Flash_RW_Enable_Flash_RW_Enable:push r1 to spr1 = 0 x5a5aP_Flash_RW = r1/第一次寫入控制命令r1 = 0 x0000P_Flash_RW = r1/第二次寫入設置字，讀寫pop r1 from sp retf/=/_FlashErase語法格式：/功能描述：擦除一塊 flash/r1-要擦除的塊中的任意一個地址參數(shù)：/返回值：無/出口參數(shù):無/破壞寄存器:無/=.PUBLIC _FlashErase_FlashErase:push r2 to spr2 = 0 xAAAAP_Flash_Cmd = r2/寫入控制命令r2 = 0 x5511 Sunplus Technology Co.,.PAGE 17V1.0 Mar 27, 2006P_Flash_Cmd = r2/寫入擦除命令r1 = r1