模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第三講二極管和三極管課件

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第三講二極管和三極管模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第三講二極管和三極管PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)外加正向電壓 外電場(chǎng)使擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，漂移運(yùn)動(dòng)減弱，空間電荷區(qū)變窄。 由于電源的作用，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)將源源不斷的進(jìn)行，從而形成正向電流，PN結(jié)導(dǎo)通。內(nèi)容回顧2PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)外加正向電壓內(nèi)容回顧42. PN結(jié)外加反向電壓 外加反向電壓是指N端加正電壓，P端加負(fù)電壓，也稱(chēng)反向接法或反向偏置。 外電場(chǎng)使漂移運(yùn)動(dòng)加劇，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)減弱，空間電荷區(qū)變寬。 形成反向電流，也稱(chēng)漂移電流。 反向電流非常小，在近似分析中忽略不計(jì)，認(rèn)為PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。內(nèi)容回顧32. PN結(jié)外加反向電壓內(nèi)容回顧5二極管的伏安特性開(kāi)啟電

2、壓：使二極管開(kāi)始導(dǎo)通的臨界電壓Si : 0.5VGe : 0.1V導(dǎo)通壓降：Si : 0.60.8V 一般取0.7VGe : 0.10.3V 一般取0.2V內(nèi)容回顧AK4二極管的伏安特性開(kāi)啟電壓：使二極管開(kāi)始導(dǎo)通的臨界電壓Si 寫(xiě)出下圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓 UD0.7V。 1）假設(shè)二極管截止，計(jì)算uA、uK。2）若uA-uK0.7V,則二極管導(dǎo)通，UD=0.7V。步驟：5 寫(xiě)出下圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電 例 寫(xiě)出下圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓 UD0.7V。 Uo1= 1.3V ; Uo2= 0V; Uo3= -1.3V; Uo4= 2V; U

3、o5= 1.3V; Uo6= -2V6 例 寫(xiě)出下圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓1.2.5 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管的伏安特性主要參數(shù)：穩(wěn)定電壓UZ穩(wěn)定電流IZ額定功耗PZM動(dòng)態(tài)電阻rz=UZ / IZ溫度系數(shù)= UZ /T穩(wěn)壓區(qū)：IZIDZIZM71.2.5 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管的伏安特性主要參數(shù)：穩(wěn)壓穩(wěn)壓管電路 8穩(wěn)壓管電路 10例 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求圖示電路中UO1和UO2各為多少伏。1）假設(shè)穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓區(qū)，求其電流IDz2）若IDz在IZ和IZM之間，則假設(shè)正確，Uo=Uz, 若IDz小于IZ ，則穩(wěn)壓管未擊穿，Uo按R和RL分

4、壓計(jì)算， 若IDz大于IZM ，則穩(wěn)壓管過(guò)流燒毀。 步驟：9例 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin例 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求圖示電路中UO1和UO2各為多少伏。解：UO16V，UO25V。10例 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin 解：（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。 （2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。例 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為UZ1=6V和UZ2=8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問(wèn)： （1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多

5、少？ （2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？11 解：（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、6.7V、8.7V1.3 晶體三極管晶體三極管又稱(chēng)雙極型晶體管，半導(dǎo)體三極管等。121.3 晶體三極管晶體三極管又稱(chēng)雙極型晶體管，半導(dǎo)體三極管1.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型 根據(jù)不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管。結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：基區(qū)很薄且雜質(zhì)濃度很低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度高；集電區(qū)面積很大。131.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型 根據(jù)不同的摻1.3.2 晶體管的電流放大作用 晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。 晶體管的放大作用

6、表現(xiàn)為小的基極電流可以控制大的集電極電流。輸入回路輸出回路共射放大電路141.3.2 晶體管的電流放大作用 晶體管工一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)1. 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE2. 擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流IB3.集電結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC15一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)1. 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形二、晶體管的電流分配關(guān)系16二、晶體管的電流分配關(guān)系18三、晶體管的共射電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)一般情況下，IBICBO,117三、晶體管的共射電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)一般情況下，共射交流電流放大系數(shù)在近似分析中,不對(duì)二者加以區(qū)分18共射交流電流放大系數(shù)在近似