功率半導(dǎo)體行業(yè)之士蘭微研究報(bào)告：電氣化時(shí)代多點(diǎn)開花-功率IDM龍頭厚積薄發(fā)

1、功率半導(dǎo)體行業(yè)之士蘭微研究報(bào)告：電氣化時(shí)代多點(diǎn)開花_功率IDM龍頭厚積薄發(fā)士蘭微：中國功率半導(dǎo)體的 IDM 龍頭逐步打造 IDM 模式，產(chǎn)品線不斷豐富杭州士蘭微電子股份有限公司是一家從事集成電路及半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)和制造的企 業(yè)。公司成立于 1997 年 9 月，總部位于杭州，2003 年 3 月公司作為第一家境內(nèi) 上市的集成電路芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在上交所掛牌交易。公司擁有 5/6 英寸、8 英寸、12 英寸及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)線，形成了從外延、芯片 設(shè)計(jì)與制造到封裝的 IDM 垂直整合模式。公司與 2001 年成立士蘭集成，建設(shè)了 5/6 英寸生產(chǎn)線，開啟 IDM 模式發(fā)展之路；2004 年公司成立士蘭明

2、芯進(jìn)入 LED 芯 片制造；2010 年成都士蘭進(jìn)入模塊封裝領(lǐng)域；2017 年，士蘭集昕實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)第一 條 8 英寸線的投產(chǎn)；2019 年，士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體產(chǎn)線投產(chǎn)；2020 年，士蘭集 科 12 英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)。士蘭微集成電路及分立器件產(chǎn)品銷售流程大致為：集成電路及分立器件芯片分別 由士蘭集成（5/6 英寸）、士蘭集昕（8 英寸）、士蘭集科（12 英寸）制造，其 中大部分芯片由公司統(tǒng)一采購后，再委托成都集佳（封裝廠）和外部封裝廠封裝 成成品（包括 IC、器件成品和模塊）后對(duì)外銷售，少部分芯片由公司統(tǒng)一采購后 直接對(duì)外銷售。LED 芯片（發(fā)光二極管）主要由士蘭明芯、士蘭明鎵制造，并由

3、公司統(tǒng)一采購后對(duì)外銷售，少部分芯片由美卡樂封裝成成品后對(duì)外銷售。公司產(chǎn)品線豐富，涵蓋功率半導(dǎo)體、模擬芯片及 LED 等領(lǐng)域。基于公司芯片生產(chǎn) 線，將業(yè)務(wù)分為器件、集成電路及發(fā)光二極管三大板塊。其中，器件包括 MOSFET （場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、SBD（肖特基二極管）、FRD （快恢復(fù)二極管）、開關(guān)管、穩(wěn)壓管、TVS 管等產(chǎn)品；集成電路包括 MEMS 傳感器、 數(shù)字音視頻和智能語音產(chǎn)品、電源管理芯片、電控類 MCU、智能功率模塊 IPM （Intelligent Power Module）等產(chǎn)品；發(fā)光二極管包括 LED 芯片和成品。公司架構(gòu)清晰，股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定公司實(shí)際控

4、制人始終為陳向東、范偉宏、鄭少波、江忠永、羅華兵、宋衛(wèi)權(quán)、陳 國華等七個(gè)創(chuàng)始人，合計(jì)持有公司 37.89%的股份。1993 年，七位公司創(chuàng)始人離開 華越微電子共同創(chuàng)業(yè)，七人分別在芯片設(shè)計(jì)與制造、產(chǎn)線管理及銷售等方面已有 多年積累，且志同道合，因此，多年以來公司股權(quán)結(jié)構(gòu)保持穩(wěn)定。首次股權(quán)激勵(lì)提升公司凝聚力，業(yè)績考核預(yù)期高增長。2021 年 12 月 22 日，公司 股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃首次登記的激勵(lì)對(duì)象為 2,410 人，授予數(shù)量為 1,999.20 萬份，行權(quán) 價(jià)格為 51.27 元/股，占當(dāng)前總股本 1.52%。根據(jù)業(yè)績考核要求，公司以 2020 年 營業(yè)收入 42.81 億元為基數(shù)，2021 年累

5、計(jì)營業(yè)收入增長率不低于 62%，2021 -2022 年累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于 273%，2021-2023 年累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于 508%，2021-2024 年累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于 767%，對(duì)應(yīng) 2021-2024 年收入約 為 69.35 億元、90.33 億元、100.6 億元、110.88 億元。作為公司多年來首次股 權(quán)激勵(lì)，本次激勵(lì)覆蓋面廣，業(yè)績預(yù)期要求高，在芯片人才緊缺的背景下，有助 于增強(qiáng)員工與公司的凝聚力。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與產(chǎn)能雙升級(jí)，業(yè)績加速釋放隨著公司士蘭集昕 8 英寸線產(chǎn)能逐步釋放并保持高水平產(chǎn)出，疊加國產(chǎn)替代及下 游需求增加，公司 2018 至 2020 年度營

6、業(yè)收入復(fù)合增長率為 18.94%。2020 年，公 司營業(yè)收入 42.81 億元，同比增長 37.61%；2021 年前三季度公司已實(shí)現(xiàn)營收 52.22 億元，同比增長 76.18%。根據(jù)公司公告，公司產(chǎn)品主要分為器件（52%）、集成 電路（34%）和 LED（9%）板塊及其他（6%）幾個(gè)板塊。一方面，分立器件和集成 電路營收占比逐年增加，2021 年上半年占公司營收 85.5%。其中，IPM 模塊/MEMS 傳感器/IGBT 等代表性產(chǎn)品營收分別突破 4.1 億元/1.4 億元/1.9 億元，同比增長150%/290%/85.64%以上。另一方面，LED 板塊營收占比不到 10%，虧損大幅減

7、少； 此外， Mini-LED 及高端照明等中高端產(chǎn)品正在推進(jìn)，2021 年上半年，公司發(fā)光 二極管產(chǎn)品的營業(yè)收入為 2.94 億元，較上年同期增加 110.84%。8 英寸產(chǎn)線盈利釋放，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化有效。由于士蘭集昕 8 英寸線建設(shè)，LED 業(yè)務(wù) 下滑，公司 18-21 年盈利能力受到影響。隨著士蘭集昕 8 英寸線達(dá)產(chǎn)，保持較高 水平的產(chǎn)出，芯片產(chǎn)量有較大幅度的增長，士蘭集昕虧損逐季度縮窄并于 2021 年第三季度實(shí)現(xiàn)盈利，對(duì)應(yīng)營業(yè)收入為 8.39 億元，凈利潤為 202 萬元。加之 LED 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，公司盈利能力逐步提升，2021 年公司營業(yè)利潤和利潤總額均扭虧 為盈，前三季度累計(jì)實(shí)現(xiàn)

8、扣非歸母凈利潤 7.28 億元。2022 年 1 月 21 日，公司發(fā) 布業(yè)績預(yù)增公告，預(yù)計(jì)扣非歸母凈利潤 9.12-9.26 億元。隨著高毛利產(chǎn)品占比提 升，產(chǎn)品毛利率逐季提升，2021 年第三季度實(shí)現(xiàn)綜合毛利率 32.8%。公司費(fèi)用率下降，研發(fā)投入持續(xù)增加。隨著產(chǎn)線及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，公司降本提效 明顯，管理費(fèi)用率逐季下降。此外，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，近三年研發(fā)投入占 比保持 10%以上，以保證芯片設(shè)計(jì)研發(fā)與工藝技術(shù)研發(fā)持續(xù)發(fā)展，支撐公司電源 管理電路、功率模塊、功率器件、MEMS 傳感器等各系列產(chǎn)品的研發(fā)。公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)豐富，多路徑打開成長空間公司已形成分立器件如 MOSFET（場效應(yīng)晶體管）

9、、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、 SBD（肖特基二極管）、FRD（快恢復(fù)二極管），集成電路芯片如 IPM 模塊、電控 類 MCU、MEMS 傳感器等多條產(chǎn)品線。士蘭微以 IGBT、超結(jié) MOSFET 和高密度溝槽 柵 MOSFET 為代表的功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品性能發(fā)展迅速，已達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的水 平。附加值較高的高壓超結(jié) MOS 管、高密度低壓溝槽柵 MOS 管、大功率 IGBT 均實(shí) 現(xiàn)大批量生產(chǎn)。2021 年上半年，公司 IGBT 產(chǎn)品（包括器件和 PIM 模塊）營收超 1.9 億元，同比增加超 110%，自主研發(fā)的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī) 驅(qū)動(dòng)模塊，已在國內(nèi)多

10、家客戶通過測(cè)試，并在部分客戶開始批量供貨； IPM 模塊 營收突破 4.1 億，同比增長超 150%以上；MEMS 傳感器營收超 1.4 億元，同比增長 超 290%以上。豐富的產(chǎn)品線為公司成長帶來了多條增長曲線，增強(qiáng)了公司對(duì)抗單 一品類周期性波動(dòng)的能力。工業(yè)、新能源汽車?yán)瓌?dòng)功率器件需求功率器件作為電路中電壓、電流、頻率、開關(guān)等物理狀態(tài)改變的載體，廣泛應(yīng)用 于電子電力器件中。功率半導(dǎo)體可對(duì)電流電壓進(jìn)行變換，最終實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的管理。 其產(chǎn)品包括分立器件 Discretes（二極管、三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 等）、 功率模組 Modules。從性能上看，MOSFET 和 IGBT 屬于

11、電壓控制型開關(guān)器件，相比 于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損 耗低等特點(diǎn)，二者市場規(guī)模占整體功率半導(dǎo)體市場近 70%。隨著下游電氣化程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。 2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025 年占比將達(dá) 39%，對(duì)應(yīng)復(fù)合增速 16.6%。 我國作為重要的功率半導(dǎo)體市場，將從 106.9 億美元增至 124.3 億美元。2020 年，公司 MOSFET 分立器件全球市占率達(dá) 2.2%，排名第十位；2021 年上半年，

12、 公司分立器件業(yè)務(wù)營收 17.09 億元，同比增長 85.64%。工業(yè)應(yīng)用夯實(shí) IGBT 業(yè)務(wù)基礎(chǔ)隨著工業(yè)變頻及無刷電機(jī)、交流驅(qū)動(dòng)器滲透增加，IGBT、二極管等廣泛用于逆變 焊機(jī)、可變速電機(jī)、不間斷電源（UPS）中。以工控變頻器和工業(yè)風(fēng)扇為例，大多 數(shù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)在低壓（低于 1kV 的直流電源）下運(yùn)行，對(duì)應(yīng) 600V、1200 V 或 1700 V 器件；在交流側(cè)，低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器對(duì)應(yīng)電壓不超過 690V。因此，IGBT 可在上述設(shè) 備中廣泛應(yīng)用，且占比超 80%以上。工業(yè)制造升級(jí)，全球工業(yè) IGBT 市場 2025 年將達(dá) 31 億美元。隨著工業(yè)自動(dòng)化的 推進(jìn)，預(yù)計(jì)至 2021 年我國工業(yè)控制市

13、場規(guī)模將達(dá) 2,600 億元。根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)， 全球工業(yè) IGBT 市場將從 2021 年 20.7 億美元增加至 31 億美元，其中模塊占比為 81%。相應(yīng)地，我國工業(yè) IGBT 市場從 2021 年 9.6 億美元增加至 14 億美元，其中 模塊占比為 82%，復(fù)合增速 11.5%，整體需求穩(wěn)步增加。士蘭微 IGBT 分立器件 2020 年全球排名第十位，市占率達(dá) 2.6%。公司 IGBT 器件 增速快，2020 年全年實(shí)現(xiàn)營收 2.6 億元，同比增長 60%，IGBT 分立器件市場市占 率達(dá)到 2.6%，排名全球第十位；2021 年上半年，IGBT 實(shí)現(xiàn)營收 1.9 億元，同比

14、增長 110%。目前，公司可提供各應(yīng)用參數(shù)范圍的工業(yè)級(jí) IGBT 模塊，對(duì)應(yīng)電流 30-200A、650-1200V，可用于變頻器、電焊機(jī)、電機(jī)逆變器等。新能源汽車對(duì)功率半導(dǎo)體需求提升接近 9 倍相較于傳統(tǒng)汽車，新能源汽車不再使用汽油發(fā)動(dòng)機(jī)、油箱或變速器，“三電系統(tǒng)” 即電池、電機(jī)、電控系統(tǒng)取而代之，新增 DC-DC 模塊、電機(jī)控制系統(tǒng)、電池管理 系統(tǒng)、高壓電路等部件；相應(yīng)地，實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換及傳輸?shù)暮诵钠骷?功率半導(dǎo)體含 量大大增加。以純電動(dòng)車為例，功率器件主要分布在主逆變器，車載充電器 OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換 器及輔助電器（空調(diào)壓縮機(jī)、水泵、油泵）。其中，主逆變器對(duì)應(yīng)功率最高，需 要用高壓

15、IGBT、SiC MOSFET；車載充電器對(duì)功率要求次之，除 IGBT、SiC MOSFET 外，Si MOSFET 和 SiC 二極管也會(huì)應(yīng)用其中；在車載充電器部分，Si MOSFET 即 可滿足需要，出于快充和減輕重量的需求，可替換為 SiC MOSFET 和二極管；在輔 助電器部分，IGBT 均可覆蓋。IGBT 主要應(yīng)用于混動(dòng)汽車和純電動(dòng)車等需要大功率 的電驅(qū)等部分。傳統(tǒng)燃油汽車中，功率半導(dǎo)體主要用在啟動(dòng)、停止和行車安全等領(lǐng)域，按照傳統(tǒng) 汽車中半導(dǎo)體價(jià)值 450 美元，功率器件為 50 美元，占比較低?；靹?dòng)汽車和純電動(dòng) 車中，對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體價(jià)值分別為 735 美元和 750 美元，相比傳統(tǒng)燃

16、油汽車 450 美元 大大增加。由于新能源汽車電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動(dòng)力汽車的功 率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車的功率器件占比增至 55%，按照純電動(dòng)汽車半導(dǎo) 體單車價(jià)值 750 美元計(jì)算，功率半導(dǎo)體單車價(jià)值量約為 455 美元。全球車用 IGBT 市場 2025 年將達(dá) 55 億美元。根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù)，2021 年新能源車 全球銷量達(dá)到 623 萬量，同比增長 118%；其中中國作為主要市場，占比超 50%。 隨著新能源汽車增長，疊加傳統(tǒng)汽車存量市場，車用 IGBT 需求將持續(xù)增加。根據(jù) Omdia 預(yù)測(cè)，2021-2025 年全球車用 IGBT 市場（含燃油車）將從 22 億

17、美元增加至 55 億美元，其中模塊占比為 75%。相應(yīng)地，我國車用 IGBT 市場（含燃油車）將從 5.74 億美元增加至 14.63 美元，其中，由于我國純電動(dòng)汽車占比高，因此，2025 年汽車用 IGBT 模塊占比將達(dá) 88%且復(fù)合增速超 35%。士蘭微 IGBT 模塊已上車，A/A00 級(jí)新能源汽車銷量增速快、發(fā)展空間大。目前， 自主研發(fā)的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在國內(nèi)多家客戶 通過測(cè)試，并在部分客戶開始批量供貨。根據(jù)公司官網(wǎng)，目前汽車模塊為 B1 （400A/650V）模塊和 B3（950A/750V）模塊：B1 模塊適用于功率范圍 30-60

18、kW 的電動(dòng)汽車應(yīng)用，配備士蘭微 Trench-Field-Stop IGBT4 和 FRD；B3 模塊基于自 主研發(fā)的高密度溝槽工藝 IGBT 芯片。適用于混動(dòng)和純電動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域，具有 高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)。電動(dòng)轎車銷量最多，且增速最快。12 月單月銷量超 12.7 萬輛，全年銷量超 90 萬 輛。未來，隨著該類車型銷量不斷增加，加之海外新能源汽車搶占海外大廠的有 限產(chǎn)能使得國內(nèi)需求難以滿足，公司車用 IGBT 未來成長空間大，增速快。家電變頻打開 IPM 模塊增量空間家電變頻化推動(dòng)智能功率模塊 IPM 需求攀升。IPM 模塊由 IGBT、門級(jí)驅(qū)動(dòng)電路及 快速保護(hù)電路構(gòu)

19、成，即把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成，并加入過電壓，過電流 和過熱等故障檢測(cè)電路。隨著家用空調(diào)、商用空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)和熱泵的變頻化，IPM 需求量增加。根 據(jù)產(chǎn)業(yè)在線統(tǒng)計(jì)，2021 年我國家用空調(diào)變頻比例同比增加 14%，對(duì)應(yīng)增加 4500 萬顆 IPM 模塊，總量達(dá) 2.5 億顆；冰箱變頻增加 2000 萬顆 IGBT 芯片需求，達(dá) 1.2 億顆；洗衣機(jī)的變頻比例將提升至 45%，增加 700 萬顆 IPM 需求，總量 3300 萬顆。2025 年全球 IPM 市場將達(dá) 22.5 億美元，國產(chǎn)替代空間大。隨著家電變頻化及工 業(yè)自動(dòng)化發(fā)展，全球整體 IPM 市場將從 2021 年 17.8 億

20、美元增加至 22.5 億美元，。 相應(yīng)地，我國 IPM 市場從 2021 年 7.1 億美元增加至 8.1 億美元，復(fù)合增速 11 %， 整體需求穩(wěn)步增加。2022 年，國內(nèi)家電 IPM 需求超 3.26 億顆。目前，中國已成為全球最大的白色家 電生產(chǎn)基地，其中空調(diào)占全球 80%的產(chǎn)能，冰箱和洗衣機(jī)亦超 50%。根據(jù)產(chǎn)業(yè)在線 預(yù)計(jì)，隨著空調(diào)變頻化，預(yù)計(jì) 22 年國內(nèi)空調(diào) IPM 需求達(dá) 2.95 億顆。然而家電 IPM 模塊國產(chǎn)比例僅 12%左右，且格力、美的自主供應(yīng)芯片數(shù)量較少。作為國產(chǎn) IPM 主要供應(yīng)商，士蘭微 2021 年上半年白電 IPM 銷售已超 1800 萬顆，未來國產(chǎn)替代 仍有

21、較大的發(fā)展空間。士蘭微 IPM 模塊 2020 年全球排名第十位，市占率達(dá) 1.6%。公司 IPM 增速快，2020 年全年實(shí)現(xiàn)營收 4.1 億元，同比增長 140%，IPM 模塊市場市占率達(dá)到 1.6%，排名 全球第九位；2021 年上半年，IPM 模塊實(shí)現(xiàn)營收 1.9 億元，同比增長 110%。目前， 公司 IPM 模塊已廣泛應(yīng)用到下游家電及工業(yè)客戶的變頻產(chǎn)品上，包括空調(diào)、冰箱、 洗衣機(jī)，油煙機(jī)、吊扇、家用風(fēng)扇、工業(yè)風(fēng)扇、水泵、電梯門機(jī)、縫紉機(jī)、電動(dòng) 工具，工業(yè)變頻器等。國產(chǎn)替代驅(qū)動(dòng)電源管理芯片加速滲透電源管理芯片（PMIC）在電子設(shè)備中承擔(dān)變換、分配、檢測(cè)等電能管理功能，集 成了線性穩(wěn)壓

22、、過壓保護(hù)、充電管理等功能。其中，高壓集成電路作為電源管理 芯片的發(fā)展方向之一可使裝置內(nèi)電源部分的體積縮小、重量減輕、性能改進(jìn)、可 靠性提高，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制、日常照明、家用電器等 場景中。根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，全球電源 IC 市場 2026 年將超過 250 億美元，其中移動(dòng) 與消費(fèi)市場是最大的應(yīng)用細(xì)分市場，2020 將超過 115 億美元。汽車和工業(yè)市場增 長最快，2020-2026 年復(fù)合增速分別為 9.0%和 5.6%。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)顯示，2020 年中國電源管理芯片業(yè)務(wù)規(guī)模 763 億元，是全 球電源管理芯片的重要需求市場，占模擬芯片市場規(guī)模

23、的 50%以上。目前國內(nèi)電 源管理芯片市場大部分被以德州儀器、高通、ADI、英飛凌等歐美龍頭占據(jù)，國內(nèi) 且份額小，國產(chǎn)替代空間大。近年來，以圣邦股份為代表的國內(nèi)公司發(fā)展迅速， 國產(chǎn)替代空間大。根據(jù)前瞻研究院統(tǒng)計(jì)，士蘭微在電源管理芯片領(lǐng)域已躋身國內(nèi) 企業(yè)前十位，擁有超過七百款產(chǎn)品。萬物物聯(lián)推動(dòng) MEMS 傳感器快速增長MEMS 是指集微型結(jié)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、接口、 通信和電源等于一體的微型器件或系統(tǒng)。MEMS 制造工藝是利用半導(dǎo)體工藝和材 料，通過微米技術(shù)在芯片上制造微型機(jī)械，并將其與對(duì)應(yīng)電路集成為一個(gè)整體， 具有微型化、成本低、效能高、可大批量生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)。目前，

24、MEMS 被廣泛用于游 戲控制器、智能手機(jī)、運(yùn)動(dòng)設(shè)備、數(shù)字照相機(jī)等各類移動(dòng)智能終端和“穿戴式” 電子消費(fèi)產(chǎn)品。根據(jù)賽迪顧問統(tǒng)計(jì)，2021 年全球 MEMS 傳感器市場規(guī)模約達(dá) 223 億美元，2018-2021 年全球 MEMS 市場年均復(fù)合增長率達(dá) 13.6%。相應(yīng)地，作為全球最為活躍的物聯(lián)網(wǎng) 應(yīng)用市場，我國 2021 年 MEMS 傳感器行業(yè)市場規(guī)模約達(dá) 851 億元，2018-2021 年 年均復(fù)合增速將達(dá) 19.1%。士蘭微 MEMS 品類豐富，加速度、麥克風(fēng)及光學(xué)傳感器未來增長快。根據(jù) Yole 預(yù) 測(cè)， 麥克風(fēng)，慣性和光學(xué) MEMS 在汽車、消費(fèi)的拉動(dòng)下將成為未來增長的主要品 類。

25、目前，公司在上述類型 MEMS 傳感器均有布局，根據(jù)公司公告，年產(chǎn)能 8.9 億 只 MEMS 傳感器項(xiàng)目正在推進(jìn)，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年收入將達(dá) 10.56 億元、稅后利潤 1.46 億元。恰逢結(jié)構(gòu)性缺貨，公司產(chǎn)能釋放顯受益行業(yè)供需結(jié)構(gòu)分化，公司技術(shù)與產(chǎn)能領(lǐng)先顯受益新能源應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，功率半導(dǎo)體進(jìn)入新一輪增長周期?；仡櫣β拾雽?dǎo)體行業(yè)，參 考全球幾大功率半導(dǎo)體公司營業(yè)收入及平均增速，行業(yè)通過英飛凌并購美國國際 整流器公司(IR)、NXP 與 freescale 合并、安森美半導(dǎo)體(On Semi)并購仙童半導(dǎo) 體(Fairchild)經(jīng)歷了供給側(cè)優(yōu)化后，自 20 年后進(jìn)入新一輪增長周期。新能源汽 車、光伏

26、及風(fēng)電等新能源滲透加速是本輪增長的主要?jiǎng)右?，并將在未來幾年?nèi)持 續(xù)性增長。根據(jù)行業(yè)龍頭英飛凌的業(yè)績報(bào)告，2020-2021 年受供需錯(cuò)配以及疫情 等外界因素影響業(yè)績有部分波動(dòng)，但在下游需求的拉動(dòng)下公司對(duì)未來業(yè)績的預(yù)期 保持樂觀，預(yù)計(jì) 2022 財(cái)年公司盈利將持續(xù)增加。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品迭代慢，IDM 廠商產(chǎn)品迭代速度快，國內(nèi) IDM 國產(chǎn)替代機(jī)會(huì)大。 由于電力電子架構(gòu)升級(jí)相對(duì)速度較慢，因此功率器件生命周期長迭代速度慢。從 20 世紀(jì) 50 年代，功率二極管、功率三極管面世到超結(jié) MOSFET 打破傳統(tǒng)“硅限”， 平均 15 年左右才會(huì)出現(xiàn)一代新產(chǎn)品。而 IDM 廠商迭代一代產(chǎn)品僅 3 個(gè)月，與 F

27、abless 設(shè)計(jì)廠商迭代一代產(chǎn)品需 6 個(gè)月以上相比，IDM 優(yōu)勢(shì)明顯。此外，由于 產(chǎn)線自主可控，IDM 產(chǎn)品升級(jí)不受行業(yè)供需波動(dòng)影響。得益于 IDM 模式，士蘭微 以 IPM、IGBT、MEMS 為代表的產(chǎn)品營收增長迅速。IPM 模塊從 2017 年進(jìn)入白電市 場后銷量不斷增加，目前應(yīng)用從家電已拓展至工業(yè)變頻產(chǎn)品上。IGBT 產(chǎn)品從 2019 年應(yīng)用于家電產(chǎn)品后迅速發(fā)展，2021 年已實(shí)現(xiàn)汽車客戶的批量供應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了從消 費(fèi)到汽車級(jí)產(chǎn)品的迭代升級(jí)。IGBT 供需緊平衡，公司恰逢產(chǎn)能釋放將率先受益。一方面，根據(jù) ITT 數(shù)據(jù)，目前 IGBT 交期仍在半年以上，低壓 MOSFET 產(chǎn)品交期相對(duì)較

28、短已回落。另一方面，歐 洲等海外地區(qū)新能源汽車銷量迅速增加，搶占了海外大廠的有限產(chǎn)能，使得英飛 凌平均交期高于行業(yè)平均水平，拉大了國內(nèi)功率器件供應(yīng)缺口。在此背景下，擁 有穩(wěn)定產(chǎn)能及 IGBT 產(chǎn)品的國內(nèi) IDM 廠商成為了替代首選。隨著士蘭微 12 英寸產(chǎn) 能逐漸釋放，公司將成為此階段國產(chǎn)替代最受益的廠商之一。12 英寸產(chǎn)能率先開出，8 英寸產(chǎn)線扭虧為盈通過不斷積累，公司現(xiàn)已形成從成都士蘭硅外延片生產(chǎn)線，士蘭集成 5/6 英寸線、 士蘭集昕 8 英寸線，士蘭集科 12 寸線及成都集佳封裝產(chǎn)線的 IDM 完善布局。2021 年上半年，士蘭集成總計(jì)產(chǎn)出 5、6 英寸芯片 122.25 萬片，同比增

29、加 5.68%；根 據(jù) IC Insights 產(chǎn)能排名，公司在 6 英寸及以下的芯片生產(chǎn)規(guī)模居全球第二；士 蘭集昕總計(jì)產(chǎn)出 8 英寸芯片 31.65 萬片，同比增加 33.43%；成都士蘭硅外延芯片 生產(chǎn)線已形成年產(chǎn) 70 萬片硅外延芯片 (5、6、8、12 英寸) 的全尺寸生產(chǎn)能力； 成都集佳已形成年產(chǎn)智能功率模塊（IPM）1 億只、工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)功能模塊（PIM） 80 萬只、功率器件 10 億只、MEMS 傳感器 2 億只、光電器件 4000 萬只的封裝能力。國內(nèi)首條 12 英寸特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)線投產(chǎn)，先發(fā)優(yōu)勢(shì)逐漸體現(xiàn)。從 2001 年建設(shè) 國內(nèi)第一條 5 寸線到 2017 年第一條

30、8 英寸線投產(chǎn)，2018 年啟動(dòng)國內(nèi)第一條 12 英 寸特色工藝半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線的建設(shè)，士蘭微產(chǎn)能布局一直領(lǐng)先。經(jīng)過近幾年不斷 發(fā)展，公司 12 英寸產(chǎn)線順利投產(chǎn)，同時(shí) 8 英寸產(chǎn)線產(chǎn)出穩(wěn)定，恰逢 2020 年下半 年功率半導(dǎo)體缺貨，公司產(chǎn)能得以持續(xù)釋放，市占率逐步提升。相比 8 英寸產(chǎn)線，12 英寸線設(shè)備更易購買且具備成本優(yōu)勢(shì)，芯片數(shù)量翻倍，前道 成本將降低 20%-30%左右。此外，由于 12 英寸線建設(shè)要經(jīng)歷 2 年時(shí)間，投產(chǎn)后工 藝還需從低端產(chǎn)品開始轉(zhuǎn)移至高端產(chǎn)品。相比于諸多在缺貨行情當(dāng)中開啟擴(kuò)產(chǎn)的 IDM 廠商，公司先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯，2021 年上半年公司總計(jì)已產(chǎn)出 12 英寸芯片 5.7

31、2 萬片，預(yù)計(jì) 2021 年年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 3.5 萬片/月的目標(biāo)，預(yù)計(jì) 2022 年底將實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 6 萬片/月。公司 12 英寸線對(duì)業(yè)績拖累較小，產(chǎn)能釋放助力整體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。與士蘭集昕 8 英寸線不同，公司僅有士蘭集科 12 英寸線 15%股權(quán)，產(chǎn)線折舊及前期虧損對(duì)公司 影響不大。而士蘭微采購士蘭集科 12 英寸晶圓做成產(chǎn)品再對(duì)外銷售，將提升公司 收入和利潤。此外，12 英寸產(chǎn)線投產(chǎn)后 IGBT 成本將大幅降低，同時(shí)可以為穩(wěn)定 投產(chǎn)的 8 英寸產(chǎn)線騰出空間調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)產(chǎn)線盈利能力。根據(jù)公司公告， 得益于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整及需求拉動(dòng)，各產(chǎn)線營收及 ASP 不斷提升。產(chǎn)線折舊漸穩(wěn)定，士蘭集昕 8 英寸產(chǎn)線扭虧為盈。公司產(chǎn)線建設(shè)帶來的折舊壓力 使得公司業(yè)績?cè)谶^去幾年中承壓。2016-2020 年折舊費(fèi)用從 1.84 億元不斷增至 4.17 億元。士蘭集昕 8 英寸線擴(kuò)產(chǎn)是最主要的影響因素。從成本結(jié)構(gòu)上看，士蘭 集成 5.6 英寸產(chǎn)線設(shè)備折舊基本完成，其制造費(fèi)用（包含折舊）占比為 23.93%， 明顯低于 8 英寸產(chǎn)線的 44.34%。目前，士蘭集昕 8 英寸線一期