集成電路封裝與測試復習題含答案

1、2學時3學時2學時3學時1學時2學時4學時2學時4學時2學時第2章芯片互聯(lián)技術(shù)第3章插裝元器件的封裝技術(shù)第4章表面組裝元器件的封裝技術(shù)第5章 BGA和CSP的封裝技術(shù)第6章 POP堆疊組裝技術(shù)第7章集成電路封裝中的材料第8章測試概況及課設簡介一、芯片互聯(lián)技術(shù)1、引線鍵合技術(shù)的分類及結(jié)構(gòu)特點？答：1、熱壓焊：熱壓焊是利用加熱和加壓力，使焊區(qū)金屬發(fā)生塑性形變，同時破壞 壓焊界面上的氧化層，使壓焊的金屬絲與焊區(qū)金屬接觸面的原子間達到原子的 引力范圍，從而使原子間產(chǎn)生吸引力，達到“鍵合”的目的。2、超聲焊：超聲焊又稱超聲鍵合，它是利用超聲波（60-120kHz）發(fā)生器產(chǎn)生的能量，通過磁致伸縮換能器，在

2、超高頻磁場感應下，迅速伸縮而產(chǎn)生彈性振動經(jīng) 變幅桿傳給劈刀，使劈刀相應振動；同時，在劈刀上施加一定的壓力。于是， 劈刀就在這兩種力的共同作用下，帶動Al絲在被焊區(qū)的金屬化層（如Al膜）表面迅速摩擦，使Al絲和Al膜表面產(chǎn)生塑性形變。 這種形變也破壞了 Al層界面 的氧化層，使兩個純凈的金屬面緊密接觸，達到原子間的“鍵合”，從而形成牢固的焊接。3、金絲球焊：球焊在引線鍵合中是最具有代表性的焊接技術(shù)。這是由于它操作方 便、靈活，而且焊點牢固，壓點面積大，又無方向性?，F(xiàn)代的金絲球焊機往往 還帶有超聲功能，從而又具有超聲焊的優(yōu)點，有的也叫做熱（壓）（超）聲焊?？蓪崿F(xiàn)微機控制下的高速自動化焊接。因此，這

3、種球焊廣泛地運用于各類IC和中、小功率晶體管的焊接。2、載帶自動焊的分類及結(jié)構(gòu)特點？答：TAB按其結(jié)構(gòu)和形狀可分為Cu箔單層帶：Cu的厚度為35-70um ,Cu-PI雙層帶Cu-粘接劑-PI三層帶Cu-PI-Cu雙金屬3、載帶自動焊的關(guān)鍵技術(shù)有哪些？答：TAB的關(guān)鍵技術(shù)主要包括三個部分：一是芯片凸點的制作技術(shù)；二是TAB載帶的制作技術(shù)；三是載帶引線與芯片凸點的內(nèi)引線焊接和載帶外引線的焊接術(shù)。制作芯片凸點除作為TAB內(nèi)引線焊接外，還可以單獨進行倒裝焊（F C B）4.倒裝焊芯片凸點的分類、結(jié)構(gòu)特點及制作方法？答：蒸鍍焊料凸點：蒸鍍焊料凸點有兩種方法，一種是 C4技術(shù)，整體形成焊料凸點；Word

4、資料電鍍焊料凸點：電鍍焊料是一個成熟的工藝。先整體形成UBM層并用作電鍍的導電層，然后再用光刻膠保護不需要電鍍的地方。電鍍形成了厚的凸點。印刷焊料凸點：焊膏印刷凸點是一種廣泛應用的凸點形成方法。印刷凸點是采用模板 直接將焊膏印在要形成凸點的焊盤上，然后經(jīng)過回流而形成凸點釘頭焊料凸點：這是一種使用標準的球形導線鍵合技術(shù)在芯片上形成的凸點方法?？捎肁u絲線或者Pb基的絲線?；瘜W凸點：化學鍍凸點是一種利用強還原劑在化學鍍液中將需要鍍的金屬離子還原 成該金屬原子沉積在鍍層表面形成凸點的方法。5、比較各種芯片互聯(lián)方法的優(yōu)缺點？答：（1）:引線鍵合（WB）特點：焊接靈活方便，焊點強度高，通?？梢詽M足70n

5、m 以上芯片的焊區(qū)尺寸和節(jié)距的需要。（2）:載帶自動焊（TAB）:綜合性能比 WB高，TAB技術(shù)可以作為裸芯片的載體對 IC芯片進行老化、篩選、測試，使組裝的超大規(guī)模集成電路芯片被確 認是好的芯片。這就可以大大提高電子產(chǎn)品特別是MCM的組裝成品率從而大幅度降低電子產(chǎn)品的成本。（3）:倒裝焊（FOB）:芯片面朝下，將芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接相連。在裸芯片上 的電極上形成焊料凸點， 通過釬焊將芯片以電極面朝下的倒裝方式安裝 在多層布線板上，由于不需要從芯片向四周引出I/O端 子，可布置更多的端子，互聯(lián)線的長度大大縮短，減小了 RC延遲，可靠性提高上的電極上形成焊料凸點， 通過釬焊將倒狀方式實裝在多層

6、布線板上，由于不需要從芯片向四周引出I/O端子，可布置更多的端子，互聯(lián)線的長度大大縮短，減小了 RC延遲，可靠性提高6、埋層芯片互聯(lián)-后布線技術(shù)的結(jié)構(gòu)特點及發(fā)展趨勢？ 答：結(jié)構(gòu)特點：先布線焊接互聯(lián)技術(shù)：在各類基板上的金屬化布線焊區(qū)上焊接各類IO芯片，即先布線而后焊接，稱為先布線焊接互聯(lián)技術(shù)。埋層芯片互聯(lián)技術(shù)（后布線技術(shù)）：先將IO芯片埋置到基板或 PI介質(zhì)層中后，再統(tǒng)一進行金屬布線， 將IC芯片的焊區(qū)與布線金屬自然相 連。這種芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)間的互聯(lián)屬金屬布線的一部分，互連已無任何“焊接”的痕跡。這種先埋置IO芯片再進行金屬布線的技術(shù)稱為后布線技術(shù)。 發(fā)展趨勢：埋置芯片互連還可進一步提高電子

7、組裝密度，是進一步實現(xiàn)立體封裝的一種有效的形 式。它的最明顯好處是可以消除傳統(tǒng)的IO芯片與基板金屬焊區(qū)的各類焊接點，從而提高電子產(chǎn)品的可靠性。而 Si基板除了以上兩種埋置芯片互連技術(shù)外，還可以利用半導體 IC芯片 制造工藝，先在 Si基板內(nèi)制作所需的各類有源器件后再布線與各有源器件的焊區(qū)互連。在 這種內(nèi)含有源器件的 Si基板上再進行多層布線，埋置 IO芯片，將有更高的集成度。二、插裝元器件的封裝技術(shù)1。插裝元器件的結(jié)構(gòu)特點及應用？答：結(jié)構(gòu)特點：插裝元器件的管腳都帶有引線，引腳從封裝兩側(cè)引出，適合進行插裝，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。插裝元器件的引腳節(jié)距多為2.54mm ,引腳一般在4-64之間。

8、Word資料應用：應用范圍包括標準邏輯 IC,存貯器LSI,微機電路等。2.插裝元器件與表面貼裝元器件主要區(qū)別？答：表面貼裝元器件體積小，便于小型化生產(chǎn)，便于減小成品尺寸。表面貼裝管腳引線短，降低了其特性中附加的電感和電容成分，尤其在高頻電路中, 表面貼裝成本低，便于批量生產(chǎn)，三、表面組裝元器件的封裝技術(shù).表面組裝電阻器主要有哪幾類？各有什么特點？答：可分為矩形片式電阻器，圓柱形片式電阻器。其中矩形片式電阻器的基板由高純氧化鋁 做成，電阻材料用鍍膜濺射的方法涂與基板表面，用玻璃純化的方法形成保護膜，在矩形的兩邊為可焊端，即引線端。.矩形片式電阻由哪幾部分組成？各部分的主要作用是什么？答：基板：

9、基板要具有良好的電絕G8P-1A4P DC12緣性、導熱性和機械強度高等特征。一般基板的材科多采用高純度的 （96%） AL203陶瓷。其工藝要求表面平整、劃線準確，以確 保電阻、電極漿料印制到位。電極：片式電阻器一般都采用三層電極結(jié)構(gòu)，最內(nèi)層的是內(nèi)層電極，它是連接電阻體位 于中間層的是中間電極，它是鍍饃（Ni）層，也被稱為阻擋層，其主要作用是提高電阻器在焊接時的耐熱性，避免造成內(nèi)層電極被溶蝕。位于最外層的是外層電極，它也被稱為可焊層， 該層除了使電極具有良好的可焊性外，還可以起到延長電極保存期的作用。通常，外層電極采用錫一鉛（S。-Pb）合金電鍍而成。電阻膜：電阻膜是采用具有一定電阻率的電阻

10、漿料印制在陶瓷基板上，然后再經(jīng)過燒結(jié) 而成的厚膜電阻。保護層：保護層位于電阻膜的外部，主要起保護作用。它通?？梢约毞譃榉獍ＡПＷo 膜、玻璃釉涂層和標志玻璃層。.片式瓷介電容器主要有哪幾種類型？各有什么主要特點？答：片式瓷介電容器：單層的電極燒結(jié)構(gòu)成陶瓷芯片，再外加電極，形成電容器。多層片式瓷介電容器：由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫燒結(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨石電容器。.片式鋰電解電容和鋁電解電容有什么主要特點和主要差別？答：片式鋰電解電容器： 是用金屬鋁做正極， 用稀硫酸等配液做負極， 用

11、鋁表面生成的氧化 膜作為介質(zhì)制成。矩形鋰電解電容外殼為有色塑料封裝，一端印有深色標志線，為正極，在封面上有電容量的數(shù)值及耐壓值，一般有醒目的標志，以防用錯。鋁電解電容：以金屬鋁為正極，其表面氧化膜作為介質(zhì)，電解液作為負極的電容，液體 電解質(zhì)片式鋁電解電容器的特點：它是由鋁圓筒做負極、里面裝有液體電解質(zhì)， 插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經(jīng)直流電壓處理，做正極的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點是容量大、但是漏電大、穩(wěn)定性差、有正負極性，適于電源濾波或低頻電路中， 使用時，正、 負極不能接反。.片式電感器主要有哪幾種類型？答：（見題6）.片式電感器的類型主要有幾種？其結(jié)構(gòu)各有什么特點？Word資

12、料答：片式電感器從制造工藝來分，片式電感器主要有4種類型，即繞線型、疊層型、編織型和薄膜片式電感器。 其中，繞線式是傳統(tǒng)繞線電感器小型化的產(chǎn)物，疊層式則采用多層印_則技術(shù)和疊層生產(chǎn)工藝制作，體積比繞線型片式電感器還要小，是電感元件領(lǐng)域重點開發(fā)的一聲品。片式電感器現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢由于微型電感器要達到足夠的電感量和品質(zhì)因數(shù)（Q）比較困難，同時由于磁性元件中電路與磁路交織在一起，制作工藝比較復雜， 故作為三大基礎無源元件之一的電感器片式化，明顯滯后于電容器和電阻器。特點：繞線型它的特點是電感量范圍廣（mHH）,電感量精度高，損耗?。?Q大），容許電流 大、制作工藝繼承性強、簡單、成本低等，但不足之處

13、是在進一步小型化方面受到限制。陶 瓷為芯的繞線型片電感器在這樣高的頻率能夠保持穩(wěn)定的電感量和相當高的Q值，因而在高頻回路中占據(jù)一席之地。NLC型 適用于電源電路，額定電流可達300mA ; NLV型為高Q值，環(huán)保（再造塑料），可與NL互換；NLFC有磁屏，適用于電源線。疊層型：它具有良好的磁屏蔽性、燒結(jié)密度高、機械強度好。不足之處是合格率低、成本高、 電感量較小、Q值低。它與繞線片式電感器相比有諸多優(yōu)點：尺寸小，有利于電路的小型化，磁路封閉，不會干擾周圍的元器件， 也不會受臨近元器件的干擾，有利于元器件的高密度安裝；一體化結(jié)構(gòu)，可靠性高；耐熱性、可焊性好；形狀規(guī)整，適合于自動化表面安裝生產(chǎn)。薄

14、膜片式：具有在微波頻段保持高 Q、高精度、高穩(wěn)定性和小體積的特性。其內(nèi)電極集中于同一層面，磁場分布集中，能確保裝貼后的器件參數(shù)變化不大，在 100MHz以上呈現(xiàn)良好的頻 率特性。編織型：特點是在1MHz下的單位體積電感量比其它片式電感器大、體積小、容易安裝在基片 上。用作功率處理的微型磁性元件。.其它表面組裝元件主要是指哪些元件？這些元件各有什么特點？分別用在哪些場合？ 答：磁珠，二極管。磁珠特點：是由鐵氧體材料和導體線圈組成的疊層型獨石結(jié)構(gòu)，因在高溫下燒結(jié)而成， 因而致密性好、可靠性高。磁珠應用場合：廣泛應用于開關(guān)電源、遙控玩具、傳真機、激光打印機及電子鐘表等通訊和消費類電子領(lǐng)域。磁珠是 E

15、MC設計中常使用的元件，在 EMC對策中占重要位置。二極管特點：有單向?qū)щ娦?，片式封裝，貼片焊接二極管應用場合：可分為開關(guān)二極管，變?nèi)荻O管，穩(wěn)壓片式二極管，整流二極管，瞬間抑制二極管，發(fā)光二極管，適合于高頻、大電流、低電壓整流電路以及微波電子 混頻電路、 檢波電路、高頻 數(shù)字邏輯電路等。.表面組裝器件的簡稱是什么？它與傳統(tǒng)的半導體器件有什么不同？主要有哪幾種類型？答：SMC泛指無源表面，SMD泛指有源表面組裝器件。不同：表面組裝器件體型小，直接貼在 PCB上焊接，無需通孔，可大大提高PCB集成度。類型：PLCC 有引腳塑封芯片載體LCCC 陶瓷芯片載體磁 珠Word資料二極管SOT小外形封裝

16、晶體管.表面組裝塑封器件主要有哪幾種類型？各用于什么場合？ 答：(1):小外形塑料封裝芯片(SOJ Small Out-Line J-Lead package ):主要用于存 儲芯片。(2)： LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)無引線陶瓷封裝載體， 是 SMD 集成電路的一種封裝形式。在陶瓷基板的四個側(cè)面都設有電極焊盤而無引腳的表面貼裝型封裝，芯片被封裝在陶瓷載體上，用于高速，高頻集成電路封裝。通常電極數(shù)目為18156個，間距1.27mm 。 主要用于軍用電路。(3):塑封引線芯片載體(PLCC):多用于各類型的集成電路，引腳形態(tài)為“J”形,引腳間距1.27

17、mm ,封體形態(tài)為正方形或長方形、不規(guī)則形狀，封裝材料為塑料，可直接 裝入芯片插座或焊接。(4):四周扁平封裝(QFP):多用于各類型的集成電路，引腳形態(tài)基本上分為“鷗翼” 形，引腳間距從 0.3mm至1.0mm 多個系列，封體形態(tài)為正方形或長方形，封裝材料為塑 料(PQFP)或陶瓷(CQFP)。.陶瓷封裝器件與塑封器件相比具有什么特點？主要有哪幾種類型？ 答：陶瓷：是一種氣密性的密封形式，采用 Al2O3 ,可靠性高，電性能好，導熱性能好， 化學性能穩(wěn)定，但是其制作工藝復雜，工藝溫度高，成本高，燒結(jié)裝配尺寸精度差，介電常 數(shù)高，有較高脆性，易引起引力損傷。塑料：集成電路的封裝就是將封裝材料和

18、半導體芯片結(jié)合在一起，形成一個以半導體為基礎的電子功能塊器件。 封裝材料除了保護芯片不受外界灰塵、潮氣、 機械沖擊外，還起到 了機械支撐和散熱的功能。當今約有90%的芯片用模塑料進行封裝。從基材的綜合特性來看，目前IC封裝用鄰甲酚甲醛型環(huán)氧樹脂體系的較多，但由于環(huán)氧樹脂的特性，使它在耐 溫性、工藝性、固化條件、封裝流動性、固化物收縮等存在一些應用缺點。類型：SIP:單列直插式封裝S-DIP:收縮雙列直插式封裝SK-DIP:窄型雙列直插式封裝.SOP:小外型封裝.表面貼裝型封裝MSP:微方型封裝.表面貼裝型封裝QFP:四方扁平封裝.表面貼裝型封裝SVP:表面安裝型垂直封裝.表面貼裝型封裝LCCC

19、:無引線陶瓷封裝載體PLCC:無引線塑料封裝載體.一種塑料封裝的LCC.SOJ:小外形J引腳封裝.表面貼裝型封裝BGA:球柵陣列封裝.表面貼裝型封裝CSP:芯片級封裝.TCP:帶載封裝.在形成布線的絕緣帶上搭載裸芯片，四、BGA和CSP的封裝技術(shù)Word資料BGA的封裝結(jié)構(gòu)和主要特點？答：(見3題)BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)答：安裝前需檢查 BGA焊球的共面性以及有無脫落，BGA在PWB上的安裝與目前的 SMT 工藝設備和工藝基本兼容。先將低熔點焊膏用絲網(wǎng)印制到PWB上的焊區(qū)作列上，用安裝設備將BGA對準放在印有焊膏的焊區(qū)上，然后進行標準的SMT再流焊。BGA的封裝結(jié)構(gòu)和主要特點？答：封裝結(jié)構(gòu)：BG

20、A(ball grid array)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體(PAC)。弓唧可超過200,是多引腳LSI用的一種封裝。焊球材料為低熔點共晶焊料合金，直徑約 1mm，間距范圍1.27-2.54mm , 焊球采用低熔點焊料合金連接在基板底部，組裝時焊球熔融，與PCB表面焊盤接合在一起，呈現(xiàn)桶狀。特點：BGA引腳很短，使信號路徑短，減小了引腳電感和電容，改善了電性能。BGA有利于散熱。BGA也適合MCM的封裝，有利于實現(xiàn) MCM的高密度、高性能。CSP的

21、封裝技術(shù)答：所謂CSP(Chip Size Package) ,即芯片尺寸封裝。CSP是在BGA基礎上發(fā)展起來的， 是接近LSI芯片尺寸的封裝產(chǎn)品。這種產(chǎn)品具有以下幾個特點：(1)體積?。篊SP是目前體積最小的 LSI芯片封裝之一。(2)可容納的引腳最多：相同尺寸的LSI芯片的各類封裝中，CSP的引腳最多。(3)電性能好：CSP寄生電容很小，信號傳輸延遲時間短。(4)散熱性能優(yōu)良：大多數(shù)CSP都將芯片面向下安裝，能從芯片背面散熱，且效果良好。BGA和CSP的封裝比較答：a): BGA和CSP引腳結(jié)構(gòu)不同；BGA引腳數(shù)多，外形尺寸??；B):相同的外形尺寸，以 BGA的I/O數(shù)最多，安裝密度最高，

22、易于 SMT的規(guī)模化生 產(chǎn)；C): BGA封裝技術(shù)使SMT工藝得以擴展，更易于表面安裝，從而更強化了SMT的優(yōu)勢。對于窄節(jié)距引腳元器件或BGA封裝件，在PWB上的表面安裝工藝流程是類似的；但因BGA焊球引腳節(jié)距較大而便于使用SMT。D):可以看出，BGA的缺陷率很低，可生產(chǎn)性更好。E):終檢，和BGA的焊膏檢測相比，窄節(jié)距QFP在可靠性檢查時增加了附加成本，QFP普遍采用眼測短路/開路自動系統(tǒng)，這就增加了這種封裝的生產(chǎn)成本，而 BGA的 生產(chǎn)效率高，缺陷率低，可靠性檢測只限于對準和定位的檢測。F):返修工藝：返修 BGA封裝件時，要充分預熱。BGA和其他引腳SMD的最終預熱溫度類似，但預熱升溫

23、速度不同，BGA要整體升溫后才使焊球熔化，故要慢慢升溫，預熱曲線較平緩。必須同時加熱 BGA封裝件的所有焊球。G):焊點可靠性比較：一般認為，PWB和元器件的焊接性能對 BGA和QFP表面安裝成本的影響更大。Word資料五、多芯片組件 MCM和堆疊封裝POPMCM的概念、分類與特性答：概念：將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。分類：MCM-L是采用片狀多層基板的MCM、MCM-C 是采用多層陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技術(shù)的 MCM特性：尺寸小、技術(shù)集成度高、數(shù)據(jù)速度和信號質(zhì)量高、可靠性高、成本低、PCB板設計簡化、提高圓片利用率、降低投資風險?？纱蠓忍岣唠娐愤B線密度

24、， 增加封裝效率；可完成輕、薄、短、小的封裝設計；封裝的可靠性提升。MCM 的設計答：將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種設計。要使用多層互聯(lián)基板的制作，芯片連接兩種技術(shù)，芯片連接可以用打線鍵合，TAB或C4 ,基板可以使用陶瓷、金屬、高分子材料，利用厚膜，薄膜或多層陶瓷共燒等技術(shù)制成的互連結(jié)構(gòu)。一|MCM的組裝技術(shù)答：MCM 一般采用DCA (裸芯片直接安裝技術(shù))或 CSP,可使電路圖形線寬達到幾微米到幾十微米的等級。在 MCM基礎上設計的與外部電路連接的扁平引線間距為0.5mm ,把幾塊MCM利用SMT組裝在普通的PCB上即可實現(xiàn)系統(tǒng)的功能。它是為適應現(xiàn)代電子系統(tǒng)短、小、輕、薄和高

25、速、高性能、高可靠性、低成本的發(fā)展方 向而在多層印制板(PCB)和表面安裝技術(shù)(SMT)的基礎上發(fā)展起來的新一代微電子封裝與組 裝技術(shù)。MCM的測試技術(shù)答：測試費用高：高測試費用提醒設計者在做設計決策時必須仔細考慮測試問題。一種新設計的MCM所要進行的測試比一種成熟的MCM測試更為復雜。測試獨特：裸芯片需要用探針臺測試，因此現(xiàn)在可以向封裝廠提供良品單芯片(KGD)或高可靠芯片來提高在封裝、老化和環(huán)境試驗以后的成品率。測試復雜：封裝后 MCM的測試一般包括對每一個獨立芯片的測試，測試檢查它在封裝過程包括內(nèi)部芯片互連中是否損壞功能測試：MCM的功能測試從數(shù)字矢量到環(huán)境測試，從高頻到大功率，可能包含

26、非常不同的測試類型。MCM 的BGA封裝答：BGA封裝適用于MCM封裝，能夠?qū)崿F(xiàn) MCM的高密度，高性能。PoP的結(jié)構(gòu)特點答：元器件內(nèi)芯片的堆疊大部分是采用金線鍵合的方式(Wire Bonding), 堆疊層數(shù)可以從2層到8層。STMICRO聲稱迄今厚度達 40微米的芯片可以從兩個堆疊到八個 (SRAM, flash, DRAM) , 40微米的芯片堆疊 8個總厚度為1.6mm ,堆疊兩個厚度為 0.8mm 。元件 堆疊裝配(PoP, Package on Package), 在底部元器件上面再放置元器件，邏輯 +存儲通 常為2到4層，存儲型PoP可達8層。外形高度會稍微高些， 但是裝配前各個

27、器件可以單Word資料 獨測試，保障了更高的良品率，總的堆疊裝配成本可降至最低。PoP與多模塊封裝（MCM）,系統(tǒng)封裝（SiP）, PiP封裝區(qū)別？答：PoP :元件堆疊裝配（PoP, Package on Package）,在底部元器件上面再放置元器件，邏輯+存儲通常為2到4層，存儲型PoP可達8層。外形高度會稍微高些，但 是裝配前各個器件可以單獨測試，保障了更高的良品率，總的堆疊裝配成本可降 至最低;。MCM :使用多層互聯(lián)基板的制作，芯片連接兩種技術(shù)，芯片連接可以用打線鍵合， TAB或C4,基板可以使用陶瓷、金屬、高分子材料，利用厚膜，薄膜或多層 陶瓷共燒等技術(shù)制成的互連結(jié)構(gòu)。SiP:

28、SIP （System In a Package系統(tǒng)級封裝）是將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能。與SOC （SystemOn a Chip 系統(tǒng)級芯片）相對應。不同的是系統(tǒng)級封裝是采用不同芯片進行并排 或疊加的封裝方式，而 SOC則是高度集成的芯片產(chǎn)品PiP：器件內(nèi)置器件（PiP, Package in Package）,封裝內(nèi)芯片通過金線鍵合堆疊到基板上，同樣的堆疊通過金線再將兩個堆疊之間的基板鍵合，然后整個封裝成一個單元便是PiP。PiP封裝的外形高度較低，可以采用標準的SMT電路板裝配工藝，單個器件的裝配成本較低。但由于在封裝之前單

29、個芯片不可以單獨測試，所以總成本會高（封裝良率問題），而且事先需要確定存儲器結(jié)構(gòu)，器件只能由設計服務公司決 定，沒有終端使用者選擇的自由。堆疊封裝的發(fā)展趨勢？答：當前半導體封裝發(fā)展的趨勢是越來越多的向高頻、多芯片模塊（MCM）,系統(tǒng)集成（SiP）封裝，堆疊封裝（PiP, PoP）發(fā)展，出現(xiàn)了半導體裝配與傳統(tǒng)電路板裝配間的集成，如倒裝晶 片（Flip Chip）直接在終端產(chǎn)品裝配。元件堆疊技術(shù)是在業(yè)已成熟的倒裝晶片裝配技術(shù)上發(fā)展 起來的。六、集成電路封裝中的材料.封裝中涉及到的主要材料有哪些？答：引線材料；引線框架材料；芯片粘結(jié)材料；模塑料；焊接材料；封裝基板材料.引線材料；答：用于集成電路引線

30、的材料，需要注意的特性為電特性、絕緣性質(zhì)、擊穿、表面電阻熱 特性，玻璃化轉(zhuǎn)化溫度、 熱導率、熱膨脹系數(shù)，機械特性， 揚氏模量、泊松比、剛度、強度, 化學特性，吸潮、抗腐蝕，.引線框架材料；答：引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實 現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件， 它起到了和外部導線連接的橋梁作用。引線框架材料的要求為：熱匹配，良好的機械性能，導電、導熱性能 好，使用過程無相變，材料中雜質(zhì)少，低價，加工特性和二次性能好.芯片粘結(jié)材料；答：通常采用粘接技術(shù)實現(xiàn)管芯（IC Chip ）與底座（Chip Carrier ）的連接的材料。要求 機械強度、化學性能穩(wěn)定、導電、導熱、熱匹配、低固化溫度、可操作性。Word資料導電膠粘接技術(shù)、環(huán)氧樹脂粘主要的粘結(jié)技術(shù)為：銀漿粘接技術(shù)、低熔點玻璃粘接技術(shù)、 接技術(shù)、共晶焊技術(shù)導電膠粘接