《物質結構與性質》復習課件

1、物質結構與性質復習物質結構與性質復習一、高考題型一是選擇題一、高考題型一是選擇題 研究篇明確方向11年開始物質結構，元素周期律年年在選擇題中考查 3 研究篇明確方向11年開始物質結構，元素周期律一、高考題型一是選擇題二是三選一中的37題一、高考題型一是選擇題5題號考查內容賦分2015201120122013201437物質結構與性質（以碳為背景討論核外電子排布、共價鍵、雜化軌道、晶體結構等）物質的制備、電負性的比較、雜化類型的判斷微粒間作用力的判斷、有關晶胞的計算以氧族元素為背景主要考查電子排布式、電離能、雜化軌道理論、分子的立體結構、含氧酸酸性強弱和考查晶胞密度的計算物質結構與性質（以碳和硅

2、為背景討論能層、能級、共價鍵、雜化軌道、晶體結構等）物質結構與性質（以Cu、Al、Fe為背景討論晶胞、電子排布式、共價鍵類型、配合物、密度計算等）155題號考查內容賦分201520112012201320143二、復習建議 1、 河北省化學選做題選做率統(tǒng)計表2012年題號 分值 選做率 得分率 平均分 36 15 0.0428 4.2537 15 0.4331.6 4.7438 15 0.51558.252013年題號 分值 選做率 得分率 平均分 36 15 0.079 18.8 2.8337 15 0.45 40.1 6.0138 15 0.48 46.1 6.922014年題號 分值 選

3、做率 得分率 平均分 36 15 0.10 9.42 1.437 15 0.33 52.91 7.94 38 15 0.57 35.80 5.37 二、復習建議 1、 河北省化學選做題選江南十?；瘜W選做題選做統(tǒng)計表2016年題號 選做人數(shù) 難度系數(shù)區(qū)分度平均分 36 21734.960.334.9637 47287.850.52 7.8538 97416.340.426.34江南十?；瘜W選做題選做統(tǒng)計表題號 選做人數(shù) 難度系數(shù)區(qū)分度平重點：1-36號原子核外電子排布式、價電子的排布式、軌道表示式、成對電子、未成對電子。 掌握基本概念：第一電離能、電負性、共價鍵鍵能、鍵長、氫鍵、晶格能等。 雜化

4、軌道類型及空間構型。 金屬晶體的堆積方式及其晶胞的計算。難點：晶胞分析及其計算。物質結構與性質復習重點、難點重點：1-36號原子核外電子排布式、價電子的排布式、軌道表?？嫉闹R點（離子）核外電子排布式（1-36號元素）、價層電子排原子布式、價層電子軌道示意圖（s、p、d軌道，判斷未成對電子、成對電子）。如Na、Al、Fe、Cu、 H、C、N、O、Si、S、Cl2011年基態(tài)B原子的電子排布式為_2012年Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 ；2013年基態(tài)Si原子中，電子占據的最高能層符號為 ，該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。2014年基態(tài)鐵原子有 個未成對電子，三價鐵離子的電

5、子排布式為： 2015年處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用 形象化描述。在基態(tài)C原子中，核外存在 對自旋相反的電子。?？嫉闹R點?？嫉闹R點化學鍵及晶體類型判斷【四大晶型、三大鍵型（含配位鍵、鍵和鍵、極性鍵和非極性鍵）】。2011年在BF3分子中，F(xiàn)BF的鍵角是_2013年在與石墨結構相似的六方氮化硼晶體中，層內B原子與N原子之間的化學鍵為_，層間作用力為_；2014年1摩爾乙醛分子中含有的鍵的數(shù)目為： 。2015年碳在形成化合物時，其鍵型以共價鍵為主，原因是 。CS2分子中，共價鍵的類型有 ，?？嫉闹R點?？嫉闹R點原子雜化軌道類型（sp、sp2、sp3）及分子（含離

6、子）空間構型（正四面體、四面體、平面四邊形、三角錐形、平面三角形、V形等）判斷。2011年在BF3分子中， B原子的雜化軌道類型為_，BF 4-的立體構型為_；2012年氣態(tài)SeO3分子的立體構型為 ，SO32-離子的立體構型為 ；2013年SiO44- 四面體Si原子的雜化形式為 ，2014年乙醛中碳原子的雜化軌道類型為 _；2015年CS2分子中，共價鍵的類型有 ，C原子的雜化軌道類型是 ，寫出兩個與CS2具有相同空間構型和鍵合形式的分子或離子 。?？嫉闹R點1.雜化軌道2s2pC的基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 雜化態(tài)CHHHH10928激發(fā)sp3 雜化1.雜化軌道2s2pC的基態(tài)2

7、s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 2s2pB的基態(tài)2p2s激發(fā)態(tài)正三角形sp2 雜化態(tài)BFFF激發(fā)120sp2 雜化2s2pB的基態(tài)2p2s激發(fā)態(tài)正三角形sp2 雜化態(tài)BFF激發(fā)2s2pBe基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)雜化直線形sp雜化態(tài)鍵合直線形化合態(tài)Cl Be Cl180sp雜化激發(fā)2s2pBe基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)雜化直線形sp雜化態(tài)鍵合直2s2pC的基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 雜化態(tài)激發(fā)碳可以形成sp3、sp2 、 sp雜化正三角形sp2 雜化態(tài)直線形sp雜化態(tài)2s2pC的基態(tài)2s2p激發(fā)態(tài)正四面體形sp3 雜化態(tài)激發(fā)2雜化軌道的類型類型空間構型實例sp3雜化正四面體形金剛石、晶體硅、SiO2

8、、CH4、CCl4、NH4 + 、SO4 2-、PO43-、四面體形 CH3 -三角錐形NH3、PH3、NF3、PCl3、SO32 - 、PO33-、ClO3、H3O V形H2Osp2雜化平面三角形BF3 、CH2O、SO3、SeO3、CO32、NO3、平面形CH2CH2、C6H6、石墨、 C2H4、-CHO 、 -COOHV形SO2、O3、NO2sp雜化直線形CO2、CS2、HCN、CNS、NO2+、N3、C2H2C2H2 BeCl22雜化軌道的類型類型空間構型實例sp3雜化正四面體形金剛石?？嫉闹R點元素原子電離能及電負性遞變規(guī)律、大小判斷及其應用。2011年B和N相比，電負性較大的是_2

9、012年O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為 ；關于第一電離能：第2周期：Li、B 、B e、C、O、N、F第3周期：Na、Al、Mg、Si、S、P、Cl?？嫉闹R點常考的知識點利用晶格能、范德華力（含氫鍵）及化學鍵鍵能大小、等電子體理論等）解釋物質性質（酸性強弱、穩(wěn)定性大小、熔沸點高低、溶解性大小等）。2011年在與石墨結構相似的六方氮化硼晶體中，層內B原子與N原子之間的化學鍵為_，層間作用力為_2012年 H2SeO4比 H2SeO3酸性強的原因： 2013年硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是 。SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是

10、2014年乙酸的沸點明顯高于乙醛，其主要原因是： 。2015年CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物的熔點為253K，沸點為376K，其固體屬于 晶體。共價鍵(或極性鍵)分子間力(或范德華力)乙酸的分子間存在氫鍵，增加了分子之間的相互作用分子CC鍵和CH鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成。CH鍵的鍵能大于CO鍵，CH鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能卻遠小于SiO鍵，所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的SiO鍵。對同一種元素的含鹽酸來說，該元素的化合價越高，其含氧酸的酸性越強。?？嫉闹R點共價鍵(或極性鍵)分子間力(或范德華

11、力)乙酸的?？嫉闹R點典型原子晶體（金剛石、單晶硅、二氧化硅）結構特征及其與性質的關系。2015年在石墨烯晶體中，每個C原子連接 個六元環(huán)，每個六元環(huán)占有 個C原子。3 2 常考的知識點3 2 在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個C原子連接 個六元環(huán)，六元環(huán)中最多有 個C原子在同一平面。12 4 在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個C原子2014年（3）氧化亞銅為半導體材料，在其立方晶胞內部有四個氧原子，其余氧原子位于面心和頂點，則該晶胞中有 個銅原子。（4）鋁單質為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為 。2014年（3）氧化亞銅為半導

12、體材料，在其立方晶胞內部有四個常見金屬晶體的三種結構型式三種典型結構型式面心立方最密堆積體心立方密堆積六方最密堆積常見金屬Ca、Al、Cu、Ag、Au、Pd、PtLi、Na、K、Ba、W、FeMg、Zn、Ti結構示意圖配位數(shù)12812常見金屬晶體的三種結構型式三種典型結構型式面心立方最密堆積2013年（3）單質硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與原子之間以 相結合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻 個原子。（6）在硅酸鹽中，SiO44- 四面體（如下圖（a）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式。圖（b）為一種無限長單鏈結構的多硅酸根，Si與O的原子數(shù)之比

13、為 ，化學式為 。2013年（3）單質硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與2012年（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如下圖所示，其晶胞邊長為5400 pm密度為 （列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列示表示）2012年（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)2011年（5）六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉化為立方氮化硼，其結構與金剛石相似，硬度與金剛石相當，晶胞邊長為361.5 pm。立方氮化硼晶胞中含有_個氮原子、_個硼原子，立方氮化硼的密度是_ gcm3(只要求列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅

14、常數(shù)為NA)。2011年（5）六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉化為立方氮化硼晶胞原子數(shù)目計算 簡單立方晶胞中原子個數(shù)：8181體心立方晶胞中原子個數(shù)：818 + 12面心立方晶胞中原子個數(shù)：818 +6124晶體密度的計算面心立方晶胞中原子個數(shù)：818 +61241mol晶胞中含原子的物質的量：4mol頂點:1/8棱邊:1/4體心：1面心:1/2晶胞原子數(shù)目計算 簡單立方晶胞中原子個數(shù)：818全國卷2015年37化學選修3：物質結構與性質碳及其化合物廣泛存在于自然界中，回答下列問題：（1）處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用 形象化描述。在基態(tài)原子中，核外存在 對自旋相反的

15、電子。（2）碳在形成化合物時，其鍵型以共價鍵為主，原因是 。（3）CS2分子中，共價鍵的類型有 ，C原子的雜化軌道類型是 ，寫出兩個與CS2具有相同空間構型和鍵合形式的分子或離子 。（4）CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物的熔點為253K，沸點為376K，其固體屬于 晶體。（5）碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結構如圖所示： 石墨烯晶體 金剛石晶體在石墨烯晶體中，每個C原子連接 個六元環(huán)，每個六元環(huán)占有 個C原子。在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個C原子連接 個六元環(huán)，六元環(huán)中最多有 個C原子在同一平面。電子云2C有4個價電子且半徑較小，難以通過得或失電

16、子達到穩(wěn)定電子結構鍵和鍵 spCO2、SCN-分子3 2 12 4 全國卷2015年37化學選修3：物質結構與性質電子2014年37、化學選修3：物質結構與性質(15分)早期發(fā)現(xiàn)的一種天然準晶顆粒由三種Al、Cu、Fe元素組成?；卮鹣铝袉栴}：（1）準晶是一種無平移周期序，但有嚴格準周期位置序的獨特晶體，可通過 方法區(qū)分晶體、準晶體和非晶體。（2）基態(tài)鐵原子有 個未成對電子，三價鐵離子的電子排布式為： 可用硫氰化鉀檢驗三價鐵離子，形成配合物的顏色為 （3）新制備的氫氧化銅可將乙醛氧化為乙酸，而自身還原成氧化亞銅，乙醛中碳原子的雜化軌道類型為 _；一摩爾乙醛分子中含有的鍵的數(shù)目為： 。乙酸的沸點明

17、顯高于乙醛，其主要原因是： 。氧化亞銅為半導體材料，在其立方晶胞內部有四個氧原子，其余氧原子位于面心和頂點，則該晶胞中有 個銅原子。（4）鋁單質為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為 。列式表示鋁單質的密度 gcm3(不必計算出結果)X射線衍射4血紅色1s22s22p63s23p63d5. sp3；sp26NA乙酸的分子間存在氫鍵，增加了分子之間的相互作用16122014年37、化學選修3：物質結構與性質(15分)X2013年新課標37化學選修3：物質結構與性質（15分）硅是重要的半導體材料，構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。請回答下列問題：（1）基態(tài)Si原子中，電子占據的最

18、高能層符號為 ，該能層具有的原子軌道數(shù)為 、電子數(shù)為 。（2）硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。（3）單質硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與原子之間以 相結合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻 個原子。（4）單質硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質中反應制得SiH4，該反應的化學方程式為 。4M 9 二氧化硅共價鍵 3Mg2Si + 4NH4Cl = SiH4 + 4NH3 + 2MgCl22013年新課標37化學選修3：物質結構與性質（15（5）碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關事實：硅與碳同族，也

19、有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是 。SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是 。（6）在硅酸鹽中，SiO44- 四面體（如下圖（a）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網狀四大類結構型式。圖（b）為一種無限長單鏈結構的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為 ，Si與O的原子數(shù)之比為 ，化學式為 ?；瘜W鍵CCCHCOSiSiSiHSiO鍵能/kJmol-1356413336226318452CC鍵和CH鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成。CH鍵的鍵能大于CO鍵，CH鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能

20、卻遠小于SiO鍵，所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的SiO鍵。sp3 13 SiO3 n2n- (或SiO 32-)化學鍵CCCHCOSiSiSiHSiO鍵能/kJ2012年新課標112【選修3物質結構與性質】（15分） VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化臺物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題：（1）S單質的常見形式為S8，其環(huán)狀結構如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 ；（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為 ；（

21、3）Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 ；（4）H2Se的酸性比H2S （填“強”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構型為 ，SO32-離子的立體構型為 ；SP3OSSe34 3s23p63d10強平面三角形三角椎形2012年新課標112【選修3物質結構與性質】（15分）S（5）H2SeO3的K1和K2分別為27x l0-3和25x l0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為12X10-2，請根據結構與性質的關系解釋： H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因： ； H2SeO4比 H2SeO3酸性強的原因： （6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)

22、中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如下圖所示，其晶胞邊長為5400 pm密度為 （列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列示表示）H2SeO4和H2SeO3第一步電離產生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。對同一種元素的含鹽酸來說，該元素的化合價越高，其含氧酸的酸性越強。4.1（5）H2SeO3的K1和K2分別為27x l0-3和22011年新課標12化學選修3：物質結構與性質 氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經過一系列反應可以得到BF3和BN，如下圖所示： 請回答下列問題：（1）由B2O3制備BF3、BN的化學

23、方程式依次是_、_；（2）基態(tài)B原子的電子排布式為_；B和N相比，電負性較大的是_，BN中B元素的化合價為_；（3）在BF3分子中，F(xiàn)BF的鍵角是_；B原子的雜化軌道類型為_，BF3和過量NaF作用可生成NaBF4，BF 4-的立體構型為_；B2O33CaF23H2SO4 2BF33CaSO43H2OB2O32NH3 2BN3H2O1s22s22p1N3120sp2正四面體2011年新課標12化學選修3：物質結構與性質 B（4）在與石墨結構相似的六方氮化硼晶體中，層內B原子與N原子之間的化學鍵為_，層間作用力為_；（5）六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉化為立方氮化硼，其結構與金剛石相似，硬度與金剛石相當，晶胞邊長為361.5 pm。立方氮化硼晶胞中含有_個氮原子、_個硼原子，立方氮化硼的密度是_ gcm3(只要求列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA)。分子間力(或范德華力)共價鍵(或極性共價鍵)44（4）在與石墨結構相似的六方氮化硼晶體中，層內B原子與N原子全國I卷：物質結構和元素周期律2011年13短周期元素W、X、Y和Z的原子序