綜合面試題目僅作參考-模電總結(jié)復(fù)習(xí)

第一章一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge特性---光敏、熱敏和摻雜特性。本征半導(dǎo) 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體兩種載流 帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子雜質(zhì)半導(dǎo) 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性*P型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子*N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性*載流子的濃 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)*體電 通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻*----通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體PNPN結(jié)的接觸電位差硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3VPN結(jié)的單向?qū)щ?正偏導(dǎo)通，反偏截止PN結(jié)的伏安特性*單向?qū)щ?正向?qū)?，反向截?二極管伏安特 同ＰＮ結(jié)*正向?qū)▔航?--------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V*死區(qū)電壓---------硅管0.5V0.1V3.分析方 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低V陽>V陰V陽<V陰1）圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點等效電路法直流等效電路法*總的解題------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若VV陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);*三種模型微變等效電路法三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極-----正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章三極管及其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點分為NPN和PNP兩種特 基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理三極管的三種基本組態(tài)三極管內(nèi)各極電流的分配共發(fā)射極電流放大系 (表明三極管是電流控制器式 稱為電流共射電路的特性曲線*輸入特性曲線---同二極管。輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動。三.低頻小信號等效模型（簡化）常用rbe表示；VTVCCRbRc、C1、C2的作用2組成原 能放大、不失真、能傳輸直流通路與靜態(tài)分析*概 直流電流通的回路*畫 電容視為開路*作 確定靜態(tài)工作*直流負(fù)載 *電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響改變Rb：Q點將沿直流負(fù)載線上下移動。Rc：QIBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點發(fā)生移動。交流通路與動態(tài)分析*概念---交流電流流通的回路*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號被放大的過程。靜態(tài)工作點與非線性失真截截止失真*產(chǎn)生原因---Q點設(shè)置過低*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高飽和失真*產(chǎn)生原因---Q點設(shè)置過高*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減Rc、增VCC4.放大器的動態(tài)范圍Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。范 六.放大電路的等效電路法靜態(tài)分析靜態(tài)工作點的近似估算Q點在放大區(qū)的條件欲使Q點不進入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc 放大電路的動態(tài)分析放大倍數(shù)輸入電阻輸出電阻七分壓式穩(wěn)定工作點共射七分壓式穩(wěn)定工作點共射放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)Re兩端并一電Ce輸入電阻Re兩端并一電Ce**2.動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻電路特點電壓放大倍數(shù)為正，且略小 1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器輸入電阻高，輸出電阻低。第第三場效應(yīng)管及其基本放大電路一.結(jié)型場效應(yīng)管（JFET2.輸出特性曲線（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)轉(zhuǎn)移特性曲線 分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDOUGS=2UTiD值。N-DMOS的輸出特性曲線漏極飽和電流夾斷電壓開啟電壓直流輸入電阻低頻跨導(dǎo)gm(表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)E-MOS的跨gm自偏壓式偏置放大電路動態(tài)分析若帶有Cs，則分壓式偏置放大電路靜態(tài)分析動態(tài)分析若源極帶有Cs，則六.共漏極基本放大電路靜態(tài)分析或動態(tài)分析第四章多級放大電路級間耦合方式阻容耦 各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不于集成，低頻特性差。變壓器耦 各級靜態(tài)工作點彼此獨立，可以實現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。直接耦 低頻特性好，便于集成。各級靜態(tài)工作點不獨立，互相有影響。存在“零點*零點漂移------當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點也隨之變化，致使uo偏離初始 波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=-180o低頻段(f‘高頻段(f完整的基本共射放大電路的頻率特性三.分壓式穩(wěn)定工作點電路的頻 響下限頻率的估算上限頻率的估算四.多級放大電路的頻率響應(yīng)頻響表達式波特圖1甲類工作狀態(tài)導(dǎo)通角為360o，I大，管耗大，效率低。2乙類工作狀態(tài)o導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。二.1.工作狀態(tài)任意狀態(tài)：盡限狀態(tài)：Uom=VCC-理想狀態(tài)：輸出功率直流電源提供的平均功率4問題的提出在兩管交替時出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。解決辦法甲乙類雙電源互補對稱功率放大器 利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生置電壓。動態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。功放中的負(fù)電源-VCC四.復(fù)合管的組成及特點前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間類型取決于第一子的類型第六章集成運算放大電路一.集成運放電路的基本組成輸入 采用差放電路，以減小零漂中間 多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)輸出 多采用互補對稱電路以提高帶負(fù)載能力偏置電 多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態(tài)電流抑制零點漂移的過程---- 計算差放電路設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得計算差放電路雙端輸出時對于動態(tài)分析差模電壓放大倍數(shù)雙端輸出單端輸出時差模輸入電阻差模輸出電阻雙端輸出：單端輸出三.集成運放的電壓傳輸特性當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運放工作性區(qū)域四.理想集成運放的參數(shù)及分析方法理想集成運放的參數(shù)特征開環(huán)電壓放大倍數(shù)共模抑制比理想集成運放的分析方法運放工 性區(qū)電路特征——引入負(fù)反饋電路特點——“虛短”和“虛斷”:運放工作在非線性區(qū)電路特征——開環(huán)或引入正反饋電路特點——u+>u-時，uo=+Uom兩輸入端的輸入電流為零:第七章放大電路中的反饋一.反饋概念的建立＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－＊反饋深度－－－１＋ＡＦ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：當(dāng)ＡＦ＞０時，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋當(dāng)ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。當(dāng)ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋反饋的范 本級或級間反饋的性 交流、直流或交直流直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。（輸出短路時反饋電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時反饋 反饋的方 并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加Rs越小反饋效果越好。反饋信號反饋到非輸入端）反饋極 瞬時極性法假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示，并設(shè)信號的頻率在中頻段。根據(jù)該極性，逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點的瞬時極性（升高用+表示，降低用－表示。確定反饋信號的極性。XiXf的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid減小為負(fù)反饋；Xid增大為正反饋。某反饋元件引入級間（本級）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。四.負(fù)反饋對放大電路性能的影響提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性擴展頻帶減小非線性失真及抑制干擾和噪聲改變放大電路的輸入、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF*電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件產(chǎn)生自激振蕩的原因附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。產(chǎn)生自激振蕩的條件若表示為幅值和相位的若表示為幅值和相位的條件則為： 基本運算電路1.反相比例運算電路2.同相比例運算電路3.反相求和運算電路4.4.同相求和運算電路5.5.二.積分和微分運算電路積分運算微分運算第九章信號發(fā)生電路一.正弦波振蕩電路的基本概念產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)即幅值平衡條件：即幅值平衡條件：相位平衡條件：起振條件相位條件:放大電 建立和維持振蕩正反饋網(wǎng) 與放大電路共同滿足振蕩條件選頻網(wǎng) 以選擇某一頻率進行振蕩穩(wěn)幅環(huán) 使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下LC振蕩器振蕩頻率較高,1M以上石英晶體振蕩 振蕩頻率高且穩(wěn)定二.RC正弦波振蕩電1.RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路RC移相式正弦波振蕩電路三.LC正弦波振蕩電斷回路、引輸入、看相位三點式LC振蕩*相位條件的判斷------“射同基反” “三步曲法電感反饋三點式振蕩器(哈特萊電路)電容反饋三點式振蕩器(考畢茲電路)串聯(lián)改進型電容反饋三點式振蕩器（克拉潑電路并聯(lián)改進型電容反饋三點式振蕩器（西勒電路并聯(lián)型石英晶體振蕩器2.2.串聯(lián)型石英晶體振蕩器第十章直流電源一.直流電源的組成框圖電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動電壓。濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。穩(wěn)壓電路：自動保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。輸出電壓的平均值輸出電壓的脈動系數(shù)正向平均電流輸出