專升本《CMOS模擬集成電路分析與設計》-試卷-答案

專升本《CMOS模擬集成電路分析與設計》一、（共75題,共150分）1.GordonMoore在1965年預言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每（）個月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.標準答案：B2.MOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的（）效應產(chǎn)生的。（2分）A.體B.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾值導通.標準答案：C3.在CMOS模擬集成電路設計中，我們一般讓MOS管工作在（）區(qū)。（2分）A.亞閾值區(qū)B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū)D.飽和區(qū).標準答案：D4.MOS管一旦出現(xiàn)（）現(xiàn)象，此時的MOS管將進入飽和區(qū)。（2分）A.夾斷B.反型C.導電D.耗盡.標準答案：A5.（）表征了MOS器件的靈敏度。（2分）A.B.C.D..標準答案：C6.Cascode放大器中兩個相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：B7.基本差分對電路中對共模增益影響最顯著的因素是（）。（2分）A.尾電流源的小信號輸出阻抗為有限值B.負載不匹配C.輸入MOS不匹配D.電路制造中的誤差.標準答案：C8.下列電路不能能使用半邊電路法計算差模增益（）。（2分）A.二極管負載差分放大器B.電流源負載差分放大器C.有源電流鏡差分放大器D.Cascode負載Casocde差分放大器.標準答案：C9.鏡像電流源一般要求相同的（）。（2分）A.制造工藝B.器件寬長比C.器件寬度WD.器件長度L.標準答案：D10.某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應。要使和嚴格相等，應取為（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：A11.選擇題:下列結(jié)構(gòu)中密勒效應最大的是（）。（2分）A.共源級放大器C.共柵級放大器.標準答案：AB.源級跟隨器D.共源共柵級放大器12.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸入電阻為（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：A13.對電路進行直流工作點分析的Hspice命令是（）。（2分）A.DCB.ACC.OPD.IC.標準答案：C14.模擬集成電路設計中的第一步是（）。（2分）A.電路設計C.規(guī)格定義.標準答案：CB.版圖設計D.電路結(jié)構(gòu)選擇15.（）可提高圖中放大器的增益。（2分）A.減小，減小B.增大，增大C.增大，減小D.減小，增大.標準答案：A16.模擬集成電路設計中可使用大信號分析方法的是（）。（2分）A.增益.標準答案：C17.模擬集成電路設計中可使用小信號分析方法的是（）。（2分）A.增益B.電壓凈空C.輸出擺幅D.輸入偏置B.輸出電阻C.輸出擺幅D.輸入電阻.標準答案：A18.在NMOS中，若會使閾值電壓（）（2分）C.減小D.可大可小A.增大.標準答案：A19.NMOS管中，如果VB變得更負，則耗盡層（）。（2分）B.不變A.不變.標準答案：C20.隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時電路的工作電壓會（）（2分）B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變A.不斷提高B.不變C.可大可小D.不斷降低.標準答案：D21.MOS管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是（）。（2分）A.電導B.電阻C.跨導D.跨阻.標準答案：C22.工作在飽和區(qū)的MOS管，可以被看作是一個（）。（2分）A.恒壓源B.電壓控制電流源D.電流控制電壓源C.恒流源.標準答案：B23.密勒效應最明顯的放大器是（）。（2分）A.共源極放大器C.共柵極放大器.標準答案：AB.源極跟隨器D.共基極放大器24.不能直接工作的共源極放大器是（）共源極放大器。（2分）A.電阻負載B.二極管連接負載C.電流源負載.標準答案：CD.二極管和電流源并聯(lián)負載25.模擬集成電路設計中的最后一步是（）。（2分）A.電路設計C.規(guī)格定義.標準答案：BB.版圖設計D.電路結(jié)構(gòu)選擇26.在當今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC在功耗方面具有最大的優(yōu)勢。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標準答案：B27.MOS器件小信號模型中的A.二級B.襯偏C.溝長調(diào)制.標準答案：B28.PMOS管的導電溝道中依靠（）導電。（2分）A.電子B.空穴C.正電荷D.負電荷.標準答案：B29.當MOS管的寬長比是定值時，其跨導與漏源電流的關系曲線是（）。是由MOS管的（）效應引起。（2分）D.亞閾值導通ABCD（2分）A.見圖B.見圖.標準答案：D30.如果MOS管的柵源過驅(qū)動電壓給定，L越（），輸出電流越理想。（2分）A.大B.小C.近似于WD.精確.標準答案：AC.見圖D.見圖31.MOS電容中對電容值貢獻最大的是（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：A32.下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。（2分）A.電阻負載共源級放大器C.二極管負載共源級放大器B.電流源負載共源級放大器D.源極負反饋共源級放大器.標準答案：C33.電阻負載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是（）。（2分）A.增大器件寬長比C.降低輸入信號直流電平.標準答案：DB.增大負載電阻D.增大器件的溝道長度L34.電阻負載共源級放大器中，讓輸入信號從VDD下降，NMOS管首先進入（）區(qū)。（2分）A.亞閾值區(qū)B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū)D.飽和區(qū).標準答案：B35.下圖的共源共柵放大器中，選擇合適的偏置電壓VB，讓輸入電壓Vin從0逐漸增加，則先從飽和區(qū)進入線性區(qū)的MOS管是（）。（2分）A.M1B.M2C.兩個同時進入.標準答案：DD.都有可能36.下面放大器的小信號增益為（）。（2分）A.B.C.1D.理論上無窮大.標準答案：A37.下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）。（2分）A.為放大器管提供固定偏置C.減小放大器的共模增益.標準答案：DB.為放大管提供電流通路D.提高放大器的增益38.下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：C39.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸出電阻為（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：B40.（）可提高圖中放大器的增益。（2分）A.減小B.僅增大C.增大D.僅減小.標準答案：C41.MOS管的端電壓變化時，源極和漏極（）互換。（2分）A.能B.不能D.在特殊的極限情況下能C.不知道能不能.標準答案：A42.CMOS工藝里不容易加工的器件為（）。（2分）A.電阻B.電容C.電感D.MOS管.標準答案：C43.MOS管的特征尺寸通常是指（）。（2分）A.WB.LC.W/LD.tox.標準答案：B44.MOS管從不導通到導通過程中，最先出現(xiàn)的是（）。（2分）A.反型B.夾斷C.耗盡D.導通.標準答案：C45.源極跟隨器通常不能用作（）。（2分）A.緩沖器B.放大器C.電平移動D.驅(qū)動器.標準答案：B46.能較大范圍提高閾值電壓的方法是（）。（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高過驅(qū)動電壓C.制造時向溝道區(qū)域注入雜質(zhì)D.增大襯底偏置效應.標準答案：C47.PMOS管導電，依靠的是溝道中的（）。（2分）A.電子.標準答案：B48.為了讓MOS管對外表現(xiàn)出受控電流源的特性，我們通常讓其工作在（）區(qū)。（2分）A.截止B.三極管C.線性D.飽和.標準答案：DB.空穴C.電荷D.電子空穴對49.MOS管中最大的電容是（）。（2分）A.氧化層電容B.耗盡層電容C.交疊電容.標準答案：AD.結(jié)電容50.MOS器件小信號模型中的是由MOS管的（）效應引起。（2分）A.體B.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾值導通.標準答案：C51.在當今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC最容易實現(xiàn)尺寸的按比例縮小。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標準答案：B52.（）在1965年預言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每18個月翻一番（2分）A.比爾蓋茨B.摩爾C.喬布斯D.貝爾.標準答案：B53.最常見的集成電路通常采用（）工藝制造。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標準答案：B54.工作在（）區(qū)的MOS管，可以被看作為電流源。（2分）A.截止B.三極管C.深三極管D.飽和.標準答案：D55.工作在（）區(qū)的MOS管，其跨導是恒定值。（2分）A.截止B.三極管C.深三極管D.飽和.標準答案：D56.載流子溝道就在柵氧層下形成（），源和漏之間“導通”。（2分）A.夾斷層B.反型層C.導電層D.耗盡層.標準答案：B57.形成（）的柵源電壓叫閾值電壓（）。（2分）A.夾斷層B.反型層C.導電層D.耗盡層.標準答案：B58.NMOS管中，如果VBS變得更小，則耗盡層（）。（2分）A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標準答案：C59.NMOS管的導電溝道中依靠（）導電。（2分）A.電子B.空穴C.正電荷D.負電荷.標準答案：A60.當MOS管的寬長比是定值時，其跨導與過驅(qū)動電源的關系曲線是（）。ABCD（2分）A.見圖B.見圖C.見圖D.見圖.標準答案：C61.MOS管的漏源電流受柵源過驅(qū)動電壓控制，我們定義（）來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。（2分）A.跨導B.受控電流源C.跨阻D.小信號增益.標準答案：A62.為溝長調(diào)制效應系數(shù)，對于較長的溝道，值（）（2分）A.較大B.較小C.不變D.不定.標準答案：B63.共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是輸出阻抗（）。（2分）A.低B.一般C.高D.很高.標準答案：D64.NMOS管中，對閾值電壓影響最大的是（）。（2分）A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.標準答案：A65.Cascode放大器中兩個尺寸相同的NMOS具有相同的（）效應。（2分）A.溝長調(diào)制B.體C.背柵D.襯底偏置.標準答案：A66.小信號輸出電阻相對最小的放大器是（）。（2分）A.共源級放大器C.共柵級放大器B.源級跟隨器D.共源共柵級放大器.標準答案：B67.差分放大器中，共模輸入電平的變化不會引起差動輸出的改變的因素是（）。（2分）A.尾電流源輸出阻抗為有限值B.輸入MOS管不完全對稱C.負載不完全對稱.標準答案：DD.輸入對管工作在飽和區(qū)68.下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（）。（2分）A.為放大器管提供固定偏置C.減小放大器的共模增益.標準答案：DB.為放大管提供電流通路D.提高放大器的增益69.下面電路的差模小信號增益為（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：D70.某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應。若讓M2管工作在飽和區(qū)邊緣，應取為（）。（2分）A.B.C.D..標準答案：B71.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸出電阻為（）