PECVD工藝指導(dǎo)書模版

PECVD工藝操作規(guī)程車間:電池車間編制:審核:審定:批準(zhǔn):時(shí)間:202375-1-序言為更好地保證PECVD,穩(wěn)定生產(chǎn)工藝,提高PECVD品質(zhì)量,進(jìn)一步保證電池產(chǎn)品性能,特制定本作業(yè)指導(dǎo)書,以使操作人員的工藝操作有章可循,標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一,同時(shí),為員工的上崗培訓(xùn)供給教材參考。-2-名目一、工藝目的二、使用范圍三、責(zé)任四、設(shè)備及工具五、材料與工藝氣體六、工藝描述1、工藝原理2、工藝條件3、工藝方案七、工藝預(yù)備1、工藝干凈預(yù)備2、設(shè)備預(yù)備3、原材料預(yù)備4、工裝工具預(yù)備八、工藝操作1、工藝循環(huán)2、裝載3、卸載九、測(cè)試膜厚及折射率十、安全、標(biāo)準(zhǔn)操作十一、記錄及轉(zhuǎn)交1橢偏儀操作規(guī)程-3-PECVD工藝操作規(guī)程一、工藝目的：在硅片外表沉積一層起減反射和鈍化作用的氮化硅膜二、適用范圍PECVDOTB設(shè)備三、責(zé)任本工藝操作規(guī)程由工藝工程師負(fù)責(zé)四、設(shè)備及工具OTB設(shè)備、石墨舟、高溫隔熱手套、PVC手套、口罩、鑷子、不銹鋼桌架、橢偏儀、機(jī)械手五、材料與工藝氣體濕法刻蝕后合格的多晶硅片、硅烷、氨氣\氬氣、氮?dú)?、壓縮空氣。六、工藝描述1、工藝原理6.1〔SiH4)〔NH3〕將其激發(fā)為等離子體狀態(tài)，SiN〔Si3N4〕薄膜，起到減反射和鈍化的作用。反響如下：3SiH4+4NH3====Si3N4+12H2↑實(shí)際上生成物并不是完全的氮化硅〔Si34，其中還有確定比例的氫原子SixNyHz2、工藝條件5-74-640psi，-4-40psi400℃。PSI表示磅每平方英寸。七、工藝預(yù)備1、工藝干凈治理操作時(shí)戴干凈的手套、口罩，并且保證每班清理現(xiàn)場(chǎng)及設(shè)備衛(wèi)生，以保證車間的干凈度。2、設(shè)備預(yù)備確認(rèn)設(shè)備正常運(yùn)行：工藝溫度、冷卻水壓力、特氣壓力及流量等。3、原材料預(yù)備不合格片包括崩邊、缺角、裂紋、鋸痕、斑點(diǎn)、尺寸不合格等。4、工裝工具預(yù)備備齊用于工藝生產(chǎn)的石墨舟、隔熱手套、PVC手套、口罩、鑷子等。八、工藝操作1、工藝循環(huán)首先選擇工藝方案，進(jìn)展工藝循環(huán)，此過程為自動(dòng)運(yùn)行。數(shù)狀況。2、裝卸載自動(dòng)轉(zhuǎn)載、卸載操作及留意事項(xiàng)詳見“OTB3、將合格硅片與隨工單一起轉(zhuǎn)下工序。常見不合格硅片有崩邊、缺角、裂紋、碎片、變色、斑點(diǎn)、穿孔、顏色不均勻等。色、斑點(diǎn)、穿孔、顏色不均勻等。九、測(cè)試膜厚及折射率4絨面硅片經(jīng)PECVD鍍膜后減反射膜厚度目標(biāo)平均值為92±2nm；外表折射率平均目標(biāo)值為2.05±0.032.0-2.15，超出目標(biāo)范圍應(yīng)當(dāng)馬上通知當(dāng)班技術(shù)員進(jìn)展調(diào)整處理。-5-85-97nm1.95-2.16應(yīng)當(dāng)對(duì)PECVD90120十、安全、標(biāo)準(zhǔn)操作、員工須經(jīng)相關(guān)專業(yè)培訓(xùn)前方能上崗，且嚴(yán)格依據(jù)本工序設(shè)備安全操作規(guī)程和工藝指導(dǎo)書作業(yè)。、硅片的裝卸應(yīng)當(dāng)在標(biāo)準(zhǔn)為三十萬級(jí)的干凈環(huán)境下進(jìn)展，留意保持車間及操作臺(tái)干凈PVC3SE必需使用鑷子，鑷子要保持干凈；4、SE后非鍍膜面邊緣有很明顯的刻蝕痕跡，切勿將硅片放反，以免造成不合格電池，無法確認(rèn)的作為外表挑出。5、PECVD裝載區(qū)操作人員應(yīng)時(shí)刻留意PECVD設(shè)備的運(yùn)行狀況，常常觀看設(shè)備電腦界面下傳硅片并通知印刷工序停頓印刷本設(shè)備已下傳硅片，同時(shí)通知班組長(zhǎng)與技術(shù)人員處理。6、PECVD卸載區(qū)操作人員留意將鍍膜后外表不合格片及其他各種不合格挑出，當(dāng)外表，上交二級(jí)庫(kù)。十一、記錄及轉(zhuǎn)交工單并準(zhǔn)時(shí)依據(jù)要求下傳。-6-1橢偏儀操作規(guī)程一.目的使用橢偏儀測(cè)量經(jīng)PECVD鍍膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n)。二.適用范圍CENTECHSE400advanced型號(hào)的橢偏儀。三.設(shè)備主要性能及相關(guān)參數(shù)設(shè)備型號(hào)：SE400advanced設(shè)備構(gòu)成：包括632.8nm、橢圓偏振光承受和分析器組成。此局部完成整個(gè)光學(xué)局部的測(cè)試。BPC四.運(yùn)行前的檢查主要檢查設(shè)備光學(xué)儀器局部是否損壞和電腦是否可正常使用。五.設(shè)備操作啟動(dòng)軟件器連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。SE400advancedC:\programfiles\SE400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.使用資源治理器或者直接雙擊桌面的SE400advanced圖標(biāo)，啟動(dòng)軟件。-7-Fig.錯(cuò)誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-1:SE400advanced圖標(biāo)軟件翻開時(shí)會(huì)自動(dòng)進(jìn)入上次退出時(shí)的登陸用戶界面。Fig.錯(cuò)誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-2:SE400advanced用戶認(rèn)證“Logon“，能夠添加、更改或刪除用戶和用戶權(quán)限。用戶主窗口11342Fig.錯(cuò)誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-3:SE400advanced主窗口-8-式。綠色。假設(shè)顯示不為綠色，請(qǐng)檢查橢偏儀和把握器之間的網(wǎng)絡(luò)連接是否正常，并檢查屏幕右下角的任務(wù)欄的網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)。樣品測(cè)試08Si3N4onsilicon100nm.2〕將樣品平放于測(cè)試臺(tái)，并定位3〕通過按來開頭測(cè)量，測(cè)量完成后，結(jié)果被顯示在主結(jié)果區(qū)〔3〕和protocol區(qū)〔4。測(cè)量選項(xiàng)在“Measurementoptions“頁(yè)面中，能夠依據(jù)測(cè)量的數(shù)值計(jì)算方法、數(shù)值極限和結(jié)果報(bào)告，對(duì)一些設(shè)定進(jìn)展更改。此外，設(shè)定入射角度和對(duì)多角度測(cè)量所使用角度的選擇，也能夠在這里進(jìn)展。Fig.錯(cuò)誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-4:(測(cè)量)-9-測(cè)量任務(wù)Psi測(cè)量任務(wù)Psi，Delta橢偏角度的測(cè)量。Substratens，ksfreesurface.模型時(shí)，基底的復(fù)折射率。Thickness射率時(shí)，膜層的厚度；開頭膜厚由用戶給出或由CER測(cè)量給出。使用單層膜模型時(shí)，膜層的厚度和折射率(基底的Thickness+n復(fù)折射率作為固定值)。開頭膜厚由用戶給出或由CER測(cè)量給出。Thickness+n+absorption 數(shù)，使用“Thickness+n”模型，橢偏儀需要用多角度測(cè)量。Twolayers多角度測(cè)量狀況下，雙層膜的厚度。模型選項(xiàng)頁(yè)面“Model“包含了全部對(duì)測(cè)量進(jìn)展分析的參數(shù)。軟件所使用的默認(rèn)模型為在吸取基底上的三層吸取膜。SENTECH材料庫(kù)，可通膜層名字右邊的按鈕使用材料庫(kù)。-10-Fig.錯(cuò)誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-5:模式選項(xiàng)(模型)Fig.錯(cuò)誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-6:SE400advanced材料庫(kù)模型參數(shù)的描述在下表給出：NsNs基底折射率Ks基底吸取系數(shù)Na四周環(huán)境的折射率(空氣:n=1)Ka四周環(huán)境的吸取系數(shù)(空氣:k=0)-11-PhiPhi入射角(垂直時(shí)入射角=0°)La激光波長(zhǎng)(nm)Nu上層膜的折射率Ku上層膜的吸取系數(shù)(通常為負(fù))Du上層膜的厚度Nm中間層膜的折射率Km中間層膜的吸取系數(shù)Dm中間層膜的厚度Nl底層膜的折射率Kl底層膜的吸取系數(shù)Dl底層膜的厚度

Tab.錯(cuò)誤！文檔中沒有指定樣式的文字。-1:三層膜模型的參數(shù)總結(jié)SENTECHSE400advanced程序。六.留意事項(xiàng)被測(cè)片放于測(cè)試臺(tái)，測(cè)試時(shí)留意片子不要移動(dòng)，以使測(cè)試準(zhǔn)確。測(cè)試時(shí)假設(shè)參數(shù)有較大偏差〔n2.05-2.1，d84-92nPECVD工藝問題，再考慮橢偏儀本身是否測(cè)試準(zhǔn)確。Degreeofpola