存儲器基本原理和接口課件

第五章存儲器原理與接口存儲器分類存儲器結構■8086CPU最小模式下總線產生存儲器接口第五章存儲器原理與接口151存儲器分類有關存儲器幾種分類存儲介質分類3M半導體存儲器磁盤和磁帶等磁表面存儲器光電存儲器51存儲器分類2半導體存儲器按存取方式分類隨機存儲器RAM(RandomAccessMemory只讀存儲器ROM(Read-OnlyMemory)串行訪問存儲器SerialAccessstorage半導體存儲器按存取方式分類3>按在計算機中的作用分類主存儲器(內存)輔助存儲器(外存)高速緩沖存儲器>按在計算機中的作用分類4、半導體存儲器的分類、隨機存取存儲器RAM2、只讀存儲器ROM、半導體存儲器的分類5二、半導體存儲器的分類、隨機存取存儲器RAMa.靜態(tài)RAM(ECL,TTL,MOS)b.動態(tài)RAM二、半導體存儲器的分類6字線2、只讀存儲器ROM熔a,掩膜式ROMb,可編程的PROM可編程的PROMc、可用紫外線擦除、可編程的EPROMd.、可用電擦除、可編程的EPROM等字7可用紫外線擦除、可編程的EPRM浮量柵r-DsO2行線位線輸出絕緣層浮柵管浮動柵雪崩注入式位線MOS管可用紫外線擦除、可編程的EPRM8編程使柵極帶電擦除EPROM芯片上方有一個石英玻璃窗口a當一定光強的紫外線透過窗口照射時,所有存儲電路中浮柵上的電荷會形成光電流泄放掉,使浮柵恢復初態(tài)。般照射20~30分鐘后,讀出各單元的內容均為FFH,說明EPROM中內容已被擦除。編程9可用電擦除、可編程的E2PROM浮柵隧道氧化層MoS管Flotox(FloatinggateTunnel|oxde):浮柵與漏區(qū)間的氧化物層極薄(20納米以下),稱為隧道區(qū)。當隧道區(qū)電場大于10Vcm時隧道區(qū)雙向導通當隧道區(qū)的等效電容極小時,加在控制柵和N漏極間的電壓大部分降在隧道區(qū),有利擦除和寫入均利區(qū)導通。用隧道效應隧道區(qū)+20VorlanD今這10ms入擦除寫入可用電擦除、可編程的E2PROM10存儲器基本原理和接口課件11存儲器基本原理和接口課件12存儲器基本原理和接口課件13存儲器基本原理和接口課件14存儲器基本原理和接口課件15存儲器基本原理和接口課件16存儲器基本原理和接口課件17存儲器基本原理和接口課件18存儲器基本原理和接口課件19存儲器基本原理和接口課件20存儲器基本原理和接口課件21存儲器基本原理和接口課件22存儲器基本原理和接口課件23存儲器基本原理和接口課件24存儲器基本原理和接口課件25存儲器基本原理和接口課件26存儲器基本原理和接口課件27存儲器基本原理和接口課件28存儲器基本原理和接口課件29存儲器基本原理和接口課件30存儲器基本原理和接口課件31存儲器基本原理和接口課件32存儲器基本原理和接口課件33存儲器基本原理和接口課件34存儲器基本原理和接口課件35存儲器基本原理和接口課件36存儲器基本原理和接口課件37存儲器基本原理和接口課件38存儲器基本原理和接口課件39存儲器基本原理和接口課件40存儲器基本原理和接口課件41存儲器基本原理和接口課件42存儲器基本原理和接口課件43存儲器基本原理和接口課件44存儲器基本原理和接口課件45存儲器基本原理和接口課件46存儲器基本原理和接口課件47存儲器基本原理和接口課件48存儲器基本原理和接口課件49存儲器基本原理和接口課件50存儲器基本原理和接口課件51存儲器基本原理和接口課件52第五章存儲器原理與接口存儲器分類存儲器結構■8086CPU最小模式下總線產生存儲器接口第五章存儲器原理與接口5351存儲器分類有關存儲器幾種分類存儲介質分類3M半導體存儲器磁盤和磁帶等磁表面存儲器光電存儲器51存儲器分類54半導體存儲器按存取方式分類隨機存儲器RAM(RandomAccessMemory只讀存儲器ROM(Read-OnlyMemory)串行訪問存儲器SerialAccessstorage半導體存儲器按存取方式分類55>按在計算機中的作用分類主存儲器(內存)輔助存儲器(外存)高速緩沖存儲器>按在計算機中的作用分類56、半導體存儲器的分類、隨機存取存儲器RAM2、只讀存儲器ROM、半導體存儲器的分類57二、半導體存儲器的分類、隨機存取存儲器RAMa.靜態(tài)RAM(ECL,TTL,MOS)b.動態(tài)RAM二、半導體存儲器的分類58字線2、只讀存儲器ROM熔a,掩膜式ROMb,可編程的PROM可編程的PROMc、可用紫外線擦除、可編程的EPROMd.、可用電擦除、可編程的EPROM等字59可用紫外線擦除、可編程的EPRM浮量柵r-DsO2行線位線輸出絕緣層浮柵管浮動柵雪崩注入式位線MOS管可用紫外線擦除、可編程的EPRM60編程使柵極帶電擦除EPROM芯片上方有一個石英玻璃窗口a當一定光強的紫外線透過窗口照射時,所有存儲電路中浮柵上的電荷會形成光電流泄放掉,使浮柵恢復初態(tài)。般照射20~30分鐘后,讀出各單元的內容均為FFH,說明EPROM中內容已被擦除。編程61可用電擦除、可編程的E2PROM浮柵隧道氧化層MoS管Flotox(FloatinggateTunnel|oxde):浮柵與漏區(qū)間的氧化物層極薄(20納米以下),稱為隧道區(qū)。當隧道區(qū)電場大于10Vcm時隧道區(qū)雙向導通當隧道區(qū)的等效電容極小時,加在控制柵和N漏極間的電壓大部分降在隧道區(qū),有利擦除和寫入均利區(qū)導通。用隧道效應隧道區(qū)+20VorlanD今這10ms入擦除寫入可用電擦除、可編程的E2PROM62存儲器基本原理和接口課件63存儲器基本原理和接口課件64存儲器基本原理和接口課件65存儲器基本原理和接口課件66存儲器基本原理和接口課件67存儲器基本原理和接口課件68存儲器基本原理和接口課件69存儲器基本原理和接口課件70存儲器基本原理和接口課件71存儲器基本原理和接口課件72存儲器基本原理和接口課件73存儲器基本原理和接口課件74存儲器基本原理和接口課件75存儲器基本原理和接口課件76存儲器基本原理和接口課件77存儲器基本原理和接口課件78存儲器基本原理和接口課件79存儲器基本原理和接口課件80存儲器基本原理和接口課件81存儲器基本原理和接口課件82存儲器基本原理和接口課件83存儲器基本原理和接口課件84存儲器基本原理和接口課件85存儲器基本原理和接口課件86存儲器基本原理和接口課件87存儲器基本原理和接口課件88存儲器基本原理和接口課件89存儲器基本原理和接口課件90存儲器基本原理和接口課件91存儲器基本原理和接口課件92存儲器基本原理和接口課件93存儲器基本原理和接口課件94存儲器