吸波材料課件

吸波材料目錄概況1吸波材料的吸波原理2吸波材料的分類3發(fā)展趨勢4背景隱形飛機防輻射手機殼防輻射鍵盤電磁波吸收原理（1）電磁損耗電阻損耗介電損耗磁損耗（2）阻抗匹配電阻損耗電磁波在材料里感應產生電流，電流在材料內部傳輸受阻而轉化為內能。電導率越大載流子引起的宏觀電流越大（電場引起的電流和磁場引起的渦流）有利于電磁能轉變?yōu)闊崮軠u流：塊狀導體在變化的磁場中或在磁場中運動時產生的在導體內自成閉合回路的感應電流叫渦電流，簡稱渦流。介電損耗電極化：在外電場的作用下，介質的質點（原子、分子、離子）正負電荷重心分離，使其轉變?yōu)榕紭O子的過程。電子極化——陶瓷離子極化——離子結構的物質取向計劃——有機物質界面極化——結構不均勻的材料電介質分子的極化需要一定的時間，而在交變電場的作用下，當這種極化落后于外電場的頻率時，便產生了極化的滯后，從而產生介電損耗。磁損耗磁性材料在磁化過程和反磁化過程中有一部分能量不可逆地轉變?yōu)闊崮芩鶕p耗的能量稱為磁損耗。磁滯損耗渦流損耗剩余損耗磁損耗渦流損耗：同時兼具電阻損耗和磁損耗。剩余損耗：除了渦流和磁滯損耗以外的其他所有損耗。*低頻和弱磁場中，剩余損耗主要是磁后效損耗，且與頻率無關。*高頻下，剩余損耗主要包括尺寸共振、疇壁共振、自然共振等引起的損耗。吸波性能的評價主要參數：電阻率(ρ)復介電常數(ε)：ε=ε'-ε"

ε'—材料在電場作用下極化程度的變量；

ε"—在外電場作用時，材料電偶矩產生移動引起的損耗；復磁導率(μ)：μ=μ'-μ"μ'—材料在磁場作用下磁化程度的變量；μ"—在外加磁場的作用下，材料磁偶矩產生移動引起的損耗。介質損耗正切值(tanδ)：tanδE=ε"/ε'，tanδM=μ"/μ'反射損失(R)：表征吸波材料對于金屬平板反射的大小。

金屬微粉：主要通過磁滯損耗、渦流損耗等吸收衰減電磁波，主要包括金屬鐵粉、鐵合金粉、羰基鐵粉等?？寡趸?、抗酸堿能力差！介電常數大！而且密度大！

石墨：密度低，電阻是衰減電磁能的主要方式。

高溫抗氧化性差！式

鐵氧體：具有吸收率高、涂層薄和頻帶寬等優(yōu)點。

密度大！

飽和磁化強度低！高溫穩(wěn)定性差！傳統吸波材料

粉體體積小

比表面積大

顆粒表面原子比例高

量子尺寸效應多重散射懸掛的化學鍵增多具有良好的吸波性能界面極化新型吸波材料——納米材料碳納米管吸波材料本征吸收性差

導電性很好，屬于電損耗型吸波材料，但磁導率小，磁損耗很小，限制了在微波吸收性能上的提高。目前研究重點：碳納米管薄膜、

碳納米管/聚合物基復合吸波材料、

碳納米管/磁性物質復合吸波材料等。復合化越來越受到重視碳納米管薄膜研究表明，在Si基底上定向生長的碳納米管基本沒有吸波性能，而在Cu基底上定向生長的管徑30nm、長度5μm、間距150nm的碳納米管薄膜對紅光和紅外激光的吸收高達98%，對10GHz的微波有50%的吸收。該材料密度小、吸收強,對微波和紅外激光均能吸收,主要應用于軍事領域。碳納米管薄膜碳納米管的純化化學氣相沉積法法制備的碳納米管純度不高,存在較多的缺陷或雜質,會影響碳納米管的性能,因此通常要將制得的碳納米管進行純化處理。純化后：介電損耗正切值tanδE

磁損耗正切值tanδM碳納米管/聚合物基復合吸波材料由于碳納米管尺寸小、比表面積大，具有良好的導電性，在與聚合物混合物制備成復合材料能夠形成導電網絡，而且能夠提高復合材料強度，是一種綜合性能優(yōu)良的電損耗型復合吸波材料。碳納米管/磁性物質復合吸波材料碳納米管是具有中空結構的一維材料，可以利用其毛細現象將一些元素或物質填充到碳納米管的內部，制備成具有特