模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)習(xí)

生產(chǎn)實(shí)習(xí)課程名稱 模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)習(xí)學(xué)生學(xué)院 材料與能源學(xué)院專業(yè)班級10微電子2班學(xué)號3110007483 學(xué)生姓名 何俊鑫 指導(dǎo)教師 賀小勇 2014年1月17日模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)習(xí)培訓(xùn)內(nèi)容介紹培訓(xùn)目的.學(xué)會使用數(shù)?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì) EDA工具進(jìn)行簡單的模擬集成電路設(shè)計(jì)的流程，包括Cadence的Virtuoso原理圖輸入、版圖設(shè)計(jì)，Cadence的Spectre電路仿真，及MentorGraphics的Calibre版圖規(guī)則檢查（DRC）、電路圖版圖一致性檢查（LVS）。.學(xué)會使用三大常用的仿真方式（DC,AC,以及Transient）來對電路進(jìn)行性能的驗(yàn)證與設(shè)計(jì)參數(shù)的調(diào)整培訓(xùn)內(nèi)容本培訓(xùn)首先設(shè)計(jì)一個運(yùn)算放大器，在該放大器中采用了一個理想的電流源做偏置。接著設(shè)計(jì)一個帶隙基準(zhǔn)源（Bandgapreference來提供這個運(yùn)算放大器中用到的電流源，然后對整個電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證。整個電路 Lab_top電原理圖以及仿真激勵如下圖所示。最后，參加培訓(xùn)的學(xué)員要求對所設(shè)計(jì)的 Bandgapreference進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)以及DRC、LVS檢查，時(shí)間充裕的學(xué)員進(jìn)一步設(shè)計(jì)運(yùn)算放大器的版圖及對其進(jìn)行DRC/LVS的檢查。1J[]口白口-H中d<7V1MP-3 Q——V]NNJinvin+tflin-opam—Er冒口白口-H中d<7V1MP-3 Q——V]NNJinvin+tflin-opam—Er冒b=口弭Wufreq-IK"72?-I]口Dout?r*q=1K中！J圖1-0Lab_top原理圖上圖中的運(yùn)算放大器（opam）電路如下圖所示，值得注意的是，該運(yùn)算放大器需要一個currentsink做偏置，該currentsink由上圖中的NM1來提供。其中的bandgap電路如下圖。DNG<nDNG<nSchematic到layout的Quickstart一、Schematic（opam）.運(yùn)行虛擬機(jī)vmware;.在虛擬機(jī)界面中打開并運(yùn)行 CentOS.vmx;.用戶登陸，登錄名：eda,登錄密碼：123456;.界面按鼠標(biāo)右鍵->選OpenTerminal進(jìn)入eda根目錄下的命令行界面;.輸入csh并回車；.輸入icfb&命令后臺運(yùn)行Cadence的工具進(jìn)入icfb界面。icfb-Log:/homeji'eda/CD5.logHelpFi黜TmjisOpliufisHelpORLICENSORSMISSUBJECTTOLICENSEHTRtt5Load：can'taccessfileLendG?rTtaGGt53filehcalibreLoad：can'taccessfileLendG?rTtaGGt53filehcalibre在J?圖1-1icfb的主界面在icfb中，任何一個電路，不論是已經(jīng)存在的可以引用的庫，還是用戶新建立的一個電路，都是一個library.一個library一般有若干個Cell（單元電路）,每個cell由多個CellView組成，CellView可以是schematic（電路原理）和layout（版圖）或symbol（符號），或者其他Cadence工具所調(diào)用的hspiceS等。.導(dǎo)入工藝庫文件、Spectre仿真（opam）（1）直流分析（DCAnalyses）我們在共模輸入管腳接一個可以調(diào)節(jié)的電壓源 VCM,使得這個電壓源的電壓從。升到高到3.3v然后我們測量output端的電壓。從圖1-14中的Tools菜單->AnalogEnvironment調(diào)出spectre,我們看到一個窗口:

圖2-1spectre仿真界面這個就是cadence提供的仿真工具，其實(shí)，不僅僅包含了 spectre。但本文只討論spectre.調(diào)出spectre后的第一步，是設(shè)置模型庫。圖2-1setup菜單->modellibrarys調(diào)出模型庫設(shè)置窗口。點(diǎn)擊Browse找到使用的仿真文件“sm083006-1k.scs”,Section那欄填入：typical,然后點(diǎn)擊ADD。依次在Section欄中加入bjt,capacitor,diode,resistor并點(diǎn)擊加入，結(jié)果如圖：圖2-2setupresult點(diǎn)擊ok,回到spectre的主窗口。我們在創(chuàng)建庫lab_practice的時(shí)候已經(jīng)指定了工藝庫為 chrt35rf,因此這里的模型庫是自動設(shè)置好的?，F(xiàn)在我們要進(jìn)行dc分析的設(shè)置了，從analyses菜單->choose調(diào)出分析設(shè)置窗口。選擇DC分析，變化類型選擇ComponentParameter,Componentname填入VCM參數(shù)為dc,變化范圍是0到3.3（見圖2-3）.*>*>graph1selected'double-clicKtobringupanritauredialog.圖2-6Output波形（結(jié)果顯示共模輸入電平在 2.0V以下輸出直流工作點(diǎn)基本不變 ）圖2-3dc圖2-3dc分析設(shè)置一切準(zhǔn)備就緒， 從Simulation菜單選擇Netlistandrun或點(diǎn)擊Netlistandrun快捷按鈕（像紅El回回綠燈）.OutputEl回回lab.practlce.opamschematic:Jan1810:J7:00201412FileEditFrameGnphAxisTraceMarkerZoomToolsHelp(2)AC分析先進(jìn)行AC分析激勵設(shè)置，將輸入交流信號 V1（正端）和V0（負(fù)端）的交流幅值設(shè)置為500mV,相位都為0。由于兩端反向連接，故反向，差分交流輸入的幅值為 IV。Tudla-0tl利[c-davlocalIhostleddPlocalhoat(11&44)7[edaSloraIhostCertOSVMwB<eWorts?(ton口與-WwtatBhon|oEnvlLTQnmcint(3^Cdi[0bi?M.i|PrijprrUffh.labE|BMnulatlDi■qElcnilUT3什也不。 nfilyrumbtImstaiMinShaw xy-stcm■tusor?CDFTudla-0tl利[c-davlocalIhostleddPlocalhoat(11&44)7[edaSloraIhostCertOSVMwB<eWorts?(ton口與-WwtatBhon|oEnvlLTQnmcint(3^Cdi[0bi?M.i|PrijprrUffh.labE|BMnulatlDi■qElcnilUT3什也不。 nfilyrumbtImstaiMinShaw xy-stcm■tusor?CDFLilrftFCell7HRraw^fiFtafutltaix.1uwrALail*VNfiplAyPtDpcrly Wue DnptiiyU&EHhjiib [nnalQgiJ? <1仃3Nmtw Vila CffViewNnnt spsbal <1仃fcisdmgHAimB 里. 燈仃Arid Detelc!MkiifefyU^arRnifiartyMmsWVhIur- ImHVhJurDtspteytrue 1 oirrCDFiParatTwilfirACFiRigriilurABA￡pluucDC"值除④□IB雪etwll3igeQTfllHliriRFh&fllWiCypfa$pbyOffoffOffufroffcirr<llT0Cent&S■VHwart… >3ManeQ^ddiharL.區(qū)界’，*FD礴件屏用圖2-7交流分析激勵設(shè)置現(xiàn)在進(jìn)行分析設(shè)置，重新調(diào)出圖2-3的窗口，這次，我們選擇AC分析。忙■r#D5口?tiltsdrmnlctiE*lpACAnaJy^lsDesi^ihContmrAutDiiYkatiC.Re?illvmjhunM/^da/sirmilaiMry|?C3incS1|jilus:Re7M冒gHlggrlttlMHFtnq|MlEl44Ef]fllll|?HT1HTlLIMthtiiMfiiMiF^M-HifiAliar。年等忙■r#D5口?tiltsdrmnlctiE*lpACAnaJy^lsDesi^ihContmrAutDiiYkatiC.Re?illvmjhunM/^da/sirmilaiMry|?C3incS1|jilus:Re7M冒gHlggrlttlMHFtnq|MlEl44Ef]fllll|?HT1HTlLIMthtiiMfiiMiF^M-HifiAliar。年等IqnEfi置IefiewIWerkfiUbonED說葉睥用C?M醛-VMwA*i?Oioci&iHgAikalyKS--Vinuoso>rAnalogDesignEnvlioihikVVPIOft*ToalxDeshinVq等■[MMIwl||?dA3locaIho￡tHJiedd?locaItwst圖2-8ac分析設(shè)置設(shè)置頻率從1變到1G,點(diǎn)擊ok,然后netlist&run:圖圖2-10輸出運(yùn)算放大器的波特圖從spectre的result菜單中選擇Directplot->ACmagnitude&phase.然后會自動切換到schematic窗口，從這里點(diǎn)擊output那條連線，致其變色，按"ESC"鍵。我們看到有兩條曲線，一條是以 db形式出現(xiàn)的幅頻特性圖，另外一條是相頻特性圖。點(diǎn)擊一下左邊工具條中的倒數(shù)第四個，可以把兩條曲線分開。圖2-9輸出波形查看設(shè)置 r-rj-j i ： - ； -Fab.practice,opamschemAtic: is10:4^:3i2014ISHieEditFrameGraphAxisTraceMarkerZoomToolsHelp當(dāng)c解言 囹咨圈11fly1圈用喇國國心手因MLatiPiACRg5pQn寫日aphase(VFC/OUT!))口日出NdG/Ff/。UT'；)25O-■■■■■mumi■■inq-ilSSIBI：■■Hill■HIDIIiiiiib?iin一17510三101010rreq(H2)■111911BESSIEI■■■HillIO2104aphase(VFC/OUT!))口日出NdG/Ff/。UT'；)25O-■■■■■mumi■■inq-ilSSIBI：■■Hill■HIDIIiiiiib?iin一17510三101010rreq(H2)■111911BESSIEI■■■HillIO2104IO1■lllll■lllll■■IKUI■■1■III■■lllll■■lllll■■III■■■Illi■■mu■■■mi■■■uni■■■mu11.598kHzISI27dB(6造?ii-50.0-100-125*>graph1selected,double-dlckiobringupatiributedialog.現(xiàn)在測量一下圖2-10中的運(yùn)算放大器的低頻增益（Av0）、3dB帶寬（f0）、相位裕度（PM）等參數(shù)。有兩種測量方法： Trace工具條測量法及calculator精確計(jì)算測量法a）如果想粗略地看一下結(jié)果，可以用Trace方法，簡單快速。按一下“V”按鍵，左上角出現(xiàn)一個紅色的三角形標(biāo)記，用鼠標(biāo)左鍵按住這個紅色三角形，然后向右邊拖動到曲線平坦的地方。在白色小窗口內(nèi)會顯示測量的坐標(biāo)值，可以讀出此運(yùn)放的低頻增益。圖2-11用Trace工具條進(jìn)行仿真參數(shù)的測量，此圖讀出低頻增益為 51.27dBn-irx-3dB帶寬和相位裕度也可測出。n-irxlab_pracNce_opam^cherrutic:Jan3^J0:4^:IS2:0X4,15FileEditFrameGraphAxisTraceMarkerZoomToolsHelp昌4群置，國國畫亡手回陽州國區(qū)。手因ACResponsephase(VFC/OUT'?f^91.11kHz\phase(VFC/OUT'?f^91.11kHz\-4517deqdE20(VFC7OLJ^bi)I4<)1.11kHzF4E.l^ldBfreq(Hz)*>Pressmkeytoplacemarker圖2-12用Trace工具條測量-3dB帶寬(51.27dB-3dB=48.27dB),測出為491.11kHz圖2-13用Trace工具條測量相位裕度，定義為增益為 1(0dB)時(shí)對應(yīng)的相位與-180°C的距離。先從幅頻特性中找出增益為 0dB(此處為50.53mdB,近似0dB)對應(yīng)的頻率(123.72MHz),再在相頻特性中找出此頻率對應(yīng)的相位，與-180°C相減即為相位裕度(-122.42°C-(-180°C)=57.58°C)如果想看一下增益帶寬積( GBW),可以另開一個子窗口看低頻增益的實(shí)際幅值■dJ此儂顯示的為增益的實(shí)如果想看一下增益帶寬積( GBW),可以另開一個子窗口看低頻增益的實(shí)際幅值■dJ此儂顯示的為增益的實(shí)圖2-16圖2-16用Calculator計(jì)算運(yùn)放的-3dB帶寬圖2-14以實(shí)際幅值而非dB值顯示的幅頻特性（因?yàn)檩斎霝?1.0V,所以實(shí)測低頻輸出電壓值即為放大器的低頻增益值， 365.98）b）如果想精確計(jì)算仿真結(jié)果的參數(shù)，則需用Calculator工具。先Edit/Delete刪除第二個子窗口，只留下原來的幅頻特性和相頻特性在一起的圖。Tools/Calculator彈出Calculator窗口圖2-15Calculator窗口選才Iac分析，再點(diǎn)擊vf選項(xiàng)，去到電路原理圖中點(diǎn)擊輸出點(diǎn)（ out）,然后在右下白色窗口中選擇測量bandwidth,再點(diǎn)擊一下Append字樣右邊的plot按鈕就可以計(jì)算出仿真波形的-3dB帶寬（491500Hz,約480kHz）。相位裕度也可用同樣的方法計(jì)算 （選phasemargin,測出PM=54.15°C）三、建立opam的symbol:整個系統(tǒng)包括上面設(shè)計(jì)好的運(yùn)算放大器 （opam）模塊和后面的帶隙基準(zhǔn)源（bandgap）模塊。系統(tǒng)的設(shè)計(jì)采用層次化設(shè)計(jì)方法：頂層為系統(tǒng)電路，調(diào)用opam模塊和bandgap模塊。而要模塊調(diào)用的話必須先為設(shè)計(jì)好的模塊建立 symbol。將文件另存opam_simu作為仿真用，對準(zhǔn)

選copy,出現(xiàn)圖3-1所示的復(fù)制單元窗口。lab_practice庫中的Cell:opam按鼠標(biāo)右鍵，然后dr-c_pipo_pcCKE_CDSJ消ESDcldup.pipQ_pcellLinfogaopsrrsch.pipo_pcell_infoIC5141LibraryMandyer:VVorkAre&:Tjte￡dit州ErbesiqriMannerCategoriesIIhraryCell"Lab_pi-ajctic：eVS_8th9unalogLihbasic。北DHTtchiabchrt35rfEunjCtlOtiBLLLibLite-Lrij_prsbaLibMe融郵弁LogfiLe-13"XhjOBe-/e-d.a/IitManagerlog".1圖3-1將opam另存為opam_simu重新進(jìn)入opam文件修改將電壓源、電流源等刪除，加pin（快捷鍵按p）,加pin時(shí)可以單擊鼠標(biāo)右鍵對 pin旋轉(zhuǎn)。依次加上vdd,GND,Iin,vin+,vin-共五個輸入pin,加上之前加的out輸出pin,共六個pin。修改后的電路圖如圖 3-2所示。t

J

O

￡>Q市urtGNlu>QOAd({CheckSheetOp圖3-3從菜單創(chuàng)建Ad({CheckSheetOp圖3-3從菜單創(chuàng)建symbol圖3-2去電壓源、電流源，以及gnd,再加相應(yīng)地pin從原理圖生成symbol,在VirtuosoSchematicEditing窗口中，選擇菜單 Design->CreateCellview->FromCellview.DesignWindowEditCheckandSaveSave(notneeded)SaveAs...HierarchyCreateGellvlew-_____New.**Open…圖3-4在Tool/DataType一欄中選Composer-Symbol方啜我—方啜我—工艮圖3-5安排pin的位置圖3-5只是pin擺放的一個例子。ViirttH-jsoJSymbulEdiciny：lab-.pratl>ce：_apahi一,imuS-ymbulOtwI: Sei:1ToolsDmshiiVAndmjyEditAildOiMk邱皿融[(&instanc^NqmeJ[?partNcnn^K^圖3-6創(chuàng)建女？的opam模塊的Symbol至ijLibraryManager窗口中看看，在lab_practice庫中的opam單元中多了一個Symbol。

圖3-7創(chuàng)建的Symbol在LibraryManager中體現(xiàn)四、bandgap模塊由于時(shí)間關(guān)系， Bandgap模塊我們就不畫原理圖了，直接將lab_practice_demo庫中的bandgap_simu單元copy至Ulab_practice庫。圖4-14各bandgap_simu單元從lab_practice_demo庫中copy至Ulab_practice庫中，可以看至L電路中已經(jīng)加上了電源電壓V0(vsource/dc/3.3V)和交流仿真激勵V1(vsin/1V/1kHz)?，F(xiàn)在進(jìn)行仿真。

(1)溫度系數(shù)仿真結(jié)果圖4-2溫度從-40到125°C變化時(shí)bandgap電壓輸出的變化系數(shù)仿真設(shè)置圖4-3bandgap溫度系數(shù)仿真結(jié)果

(2)PSRR仿真在直流VDD的上面加一交流信號(圖4-4),設(shè)置交流仿真的頻率范圍(圖 4-5),看outl信號(圖4-6)。圖4-4PSRR激勵仿真設(shè)置圖在直流電源VDD的基礎(chǔ)上加一交流信號 vdd,模擬電源電壓波動對電路輸出的影響(電源抑制比，PSRR(dB)=2010g(AVout/AVDD))ACResponse T圖4-6電源抑制比仿真結(jié)果從仿真結(jié)果圖4-6可知，在頻率<1kHz時(shí)，PSRR<-35dB

五、總電路（調(diào)用bandgap和opam模塊）：將lab_practice庫中的bandgap_simu單元copy成bandgap單元，打開bandgap單元電路，刪除直流電壓源和交流電壓源，創(chuàng)建 bandgap單元的Symbol。在lab_practice庫中創(chuàng)建頂層系統(tǒng)電路lab_top單元，然后調(diào)用bandgap和opam子電路，加上幾個PMOS和NMOS管做鏡像電流源緩沖，再加上直流電源（V0）、運(yùn)放的差分共模電壓（VCM）及差分輸入交流信號激勵（VINP、VINN）,如圖5-1所示。￥2如如freq?Ik丁1LJVJKKV1UWuruiopam亡i

工e_￥2如如freq?Ik丁1LJVJKKV1UWuruiopam亡i

工e_口H圖5-1使用bandgap模塊和opam模塊構(gòu)成的電路總圖（1）先做瞬態(tài)仿真調(diào)靜態(tài)偏置工作點(diǎn)圖5-2做瞬態(tài)仿真設(shè)置tal'M-St0*tbtal'M-St0*tbu一?圖5-3瞬態(tài)仿真輸出波形選擇NM1的漏端(可看NM1的漏極電流)及輸出電壓(out端)TransientResponse圖5-4TransientResponse圖5-4瞬態(tài)仿真波形從圖5-4可以看出，V(out)從圖5-4可以看出，V(out)則在不斷變化,0.25us后NM1輸出給opam的偏置電流基本保持在

這是由于輸入加了1mV的差分正弦信號引起的。的整個變化，只要將仿真截止時(shí)間拉長至 10mS以上就可以了，此時(shí),響應(yīng)如圖5-5。54.2uA。輸出電壓如果要看清楚V(out)輸入激勵以及輸出TransientResponsefl20T =，，，———，-/out^―■^―/netLH1.5008r1.5005=====一

=亙TransientResponsefl20T =，，，———，-/out^―■^―/netLH1.5008r1.5005=====一

=亙r(jià)?lu二---三======1一4993甲?02.5time(ms)15Q口出15L4998149951.49931.50叫1500511.50031is]149對1.49951100圖5-5仿真時(shí)間為10mS的瞬態(tài)響應(yīng)波形(2)再做AC分析圖5-6AC圖5-6AC分析時(shí)VINP和VINN設(shè)置由于在lab_top的連接圖中，兩個輸入激勵的連接是相反的，這樣VINP和VINN就是幅度都為0.5V但相位相反的正弦信號，從而差分信號(VINP-VINN)為幅值為1.0V的正弦信號。

工總學(xué)E辦Ift?* 1*lp?>F+tlru，電圖5-7AC仿真結(jié)果工總學(xué)E辦Ift?* 1*lp?>F+tlru，電圖5-7AC仿真結(jié)果圖5-7中左邊子窗口可以看出低頻增益為 365.93。用calculator工具對子窗口2中的特性進(jìn)行測量，測得其帶寬為 493.166kHz,相位裕度PM=54.11°六、畫版圖新建版圖文件1.先畫bandgap新建版圖文件1.先畫bandgap模塊，打開librarymanager,圖6-1新建bandgap的版圖文件|三|口二La慳wtEditing;I居h?p**i「eb刊件d附/Ijiypirt圖6-2進(jìn)入版圖編輯器界面在版圖界面選擇Tools/LayoutXL打開相應(yīng)模塊的schematic圖6-3使用LayoutXL進(jìn)行原理圖和版圖的交互編輯VirtuososXLLayoutEditing:JabpracX:-6.625Y:10,000(F)Select：0VirtuososXLLayoutEditing:JabpracX:-6.625Y:10,000(F)Select：0圖6-4將schematic中的元件對應(yīng)加到 layout編輯器中在VirtuosoXLLayout中，選擇菜單Create/PickFromSchematic,然后鼠標(biāo)點(diǎn)擊schematic中的元件，在layout編輯器中放入。圖6-5剛放入是帶框的

圖6-6圖6-6按Shift-F可顯示具體信息， Ctrl-F可回框顯示。對應(yīng)的元件可以這樣全部放入 layout編輯器中。布圖設(shè)計(jì)分為兩步：元件布局與布線將多個匹配的元件對齊：首先將匹配的七個MOS版圖水平對齊，方法是Edit/Others/Align然后彈出對齊設(shè)置窗口，按圖6-7所示設(shè)置，然后點(diǎn)擊SetNewReference,在Layout中先選中中間MOS版圖作為對齊中心，然后依次點(diǎn)擊其他六個 MOS,這樣這七個MOS管就水平對齊了（元件之間空隙為1.0um）。Alignment0KCancel0KCancelSelectnriMode:Setreferencetoalignpreselectedotqects?SetreferenceandselectobjectstohealignedzyignmentDirection?HorizontalVerticaiAJignIFsingComponentCenter匕零&AfiplySpacingsCampbiientSpaceSpacings］1.D苫］"5mlM”刪曲By加州［)ir(ii;iianOnJ?r 岫n的代肚SiortSetMewReference圖6-7元件對齊設(shè)置

接著垂直方向?qū)R電阻，在Layout中先選擇中間那個電阻作為參考位置，然后依次點(diǎn)擊上面和下面的電阻，將它們?nèi)繉R。

最后對齊九個三極管，先將中間三極管位置放好，然后用上面的方法水平和垂直對齊其他三極官）這里Spacings設(shè)置為3.0umlw迎工finxbiTHffalp口占一翳蟲ipa:晅口目小e畫?畫通功lw迎工finxbiTHffalp口占一翳蟲ipa:晅口目小e畫?畫通功mouseL;Ent4cPointSetacltlH口晅小tclienwweili：、UnMirjiHmiArlinn%l?wil9lnr4口irlh口I)ml□WhafsNIIihrjirvMill1IihmrwPjI口11%W I1VirliHn^nRlI1VirtUnflcJ◎Thu^riv1:36i5￡i??VW工?5fiaLwH|jjalpid0rtKIts.0HanexCRedZLiiumAS忙40j575Virtuaw?-Lay-QUtEditing;labpracticedemobandgap?laycmUZ口VW：OFF球陰575":45.425i5￡i??VW工?5fiaLwH|jjalpid0rtKIts.0HanexCRedZLiiumAS忙40j575Virtuaw?-Lay-QUtEditing;labpracticedemobandgap?laycmUZ口VW：OFF球陰575":45.425TmIs口的口1Wltwgw況由整￡dllVertfyCorMiectiv'ilEyOpUuisRatingCMbi^■iDUAG1版DUgHddFt口19-leJIihKouittffqpDp{)R：仁.也叩日口力()打]|pLogExleis■/hohe.'>da/liMtafti^#i.Logu.TT~~rSeAuctdifvketube;diyiiijd.(Ph'sxretimiuvufdtivicctoalignsutd門蜂城EuviHniMid)■POLY3皿;在i匕 wru?D國二通啊0 □溷二W13萬C*n謎■VlrtrS最后對齊九個三極管，先將中間三極管位置放好，然后用上面的方法水平和垂直對齊其他三極管，這里Spacings設(shè)置為3.0um如圖：IvureVorkatDtiAn .匚KFS：總遺型,FS：總遺型,宜園；■矛7”更，曲H?！断?=修皿… ?訓(xùn)版 ’電室琳E朋人■■… =?！??當(dāng)所有的元件都放進(jìn)來并對齊位置后，布局就完成了，接下來是布線。在對整個版圖布線完成之后,要對版圖加上pin標(biāo)示，以便版圖與原理圖一一對應(yīng)起來。在對整個版圖布線完成之后,按原理圖連接關(guān)系進(jìn)行連線，用MET1drw至MET4drw四層金屬進(jìn)行連線，各層金屬之間的連接通過過孔（Via）,MET1和柵多晶（poly2）之間用接觸孔（contact）進(jìn)行連接。加接觸孔和過孔的方法是：按" o”,選擇不同的過孔或接觸孔，如metal1-poly2或m1-m2等。如圖：圖6-10給PM65、PM66、PM68、PM69四個PMOS加保護(hù)環(huán)(guardring)圖6-11bandgaplayoutCalibre的quickstart、DRC1.做bandgap的drc。Virtuoso界面菜單最右邊Calibre/RunDRC,出現(xiàn)如圖1所示界面C3lihreInteractive-DRCEHe工ranscriptSetupCalibre-DRCRur@￡FslieujIe-sCalibre-DRCRunDirectoryj/home/eda圖1DRC運(yùn)行界面在wzh_lab/verify/drc目錄中創(chuàng)建目錄bandgap,然后將drc的工作目錄設(shè)為bandgap目錄,如圖2所示。然后按圖2中的RunDRC按鈕，稍等片刻，出現(xiàn)圖3所示的DRC檢查結(jié)果。圖2設(shè)定工作目錄和DRC文件

圖3DRC運(yùn)行結(jié)果多次修改錯誤及重新runDRC,至最后除了金屬密度之外無其他錯誤。<C-a.librEllnlicractiw-DRCRun匚勺「?Tempi'sC二11日工irgKiwarlpEgfilupRun匚勺「?Tempi'sC^llCailkbre-DRCR.VE.:band'g^ip-dre.resultsJ/iiiQmG/-c：da/,Mrzh__lab/ve.Ffify/drEz/ba.ndgaplr3i里iiewHighlight工?？诨赟elup&&.?H*CW.且ij性守早tx|亡。11t1;arid口口口-3TopC*ellbandgap:3 (ih3 3ChfiekS)|aMCheckMIJ2_CHK-1RnsullWKJiZheckMe3_CHIK_=1RhsuIICeil曲3門53口:3Ceil曲3門53口:3Result'S圖4DRC成功界面二、LayoutVSNetlist(LVS)由于要設(shè)置工藝對比文件，請做如下步驟：.退出剛剛做的DRC環(huán)境，同時(shí)退出icfb.在eda目錄下，建立工藝庫特性比較文件 ,請鍵入source/home/eda/wzh_lab/Library/chartered0.35/sourceme如果有錯誤提示，請?jiān)趕ource該文件前，先鍵入csh,回車后在鍵入上述命令。.重新進(jìn)入icfb,exportschematic電路的netlist(取名bandgap.cdl)至/home/eda/wzh_lab/verify/lvs/netlist目錄中;export方法：icfb主界面，F(xiàn)ile/Export/CDL,如圖5所示，隨即進(jìn)入圖6所示的界面，填入topcellname項(xiàng)、outputfile項(xiàng)及rundirectory項(xiàng)，ok之后如出現(xiàn)圖7所示信息則表示電路網(wǎng)表導(dǎo)出成功。HooWrblre困tnhelisf(0bytes)left}Log—jhcmg儺d司CZDSdcgFileTmolMOy>UansBackground11ui3L-a.txnn.../e"N mitSith*Libr-aryMariaq,Ef.EIDIFZDQ...EiDirSITO...FfeWOpen...ImirortExportRefresh.,.MaksFteadOnly.r.口osbOata.B,E叫…口EFePRFlatlfin.-OUJ圖5導(dǎo)出電路網(wǎng)表菜單操作LocaEian./hame/ebandgapsinu圖6導(dǎo)出電路網(wǎng)表界面輸出netlist文件的文件名輸出文件的路徑圖7網(wǎng)表導(dǎo)出成功提示界面(在本例子中為bandgap.