第3章9引線封裝課件

3.9引線封裝引線封裝主要包括管芯與外引線間的互連和封裝技術。工藝:中測、劃片、管芯引線鍵合、密封、管殼封焊、塑模。3.9引線封裝引線封裝主要包括管芯與外引線間的互連和封裝技1第3章9引線封裝課件2第3章9引線封裝課件3第3章9引線封裝課件4第3章9引線封裝課件5芯片引線鍵合顯微照片芯片引線鍵合顯微照片61.芯片固定到合適的集成電路的管座上采用共晶焊或聚合物粘合2.引線鍵合采用細金屬絲將集成電路芯片上的壓焊點與管座上的引線端連接起來的工藝。主要有三種方法:3.9.1鍵合工藝

1.芯片固定到合適的集成電路的管座上3.9.1鍵合工藝7（1）超聲焊

主要是利用超聲波的能量使金屬絲與Al電極在常溫下直接焊接的一種方法。又稱楔-楔焊接。常用的材料稱為硅鋁絲。（1）超聲焊

主要是利用超聲波的能量使金屬絲與Al電極在常8將底座加熱到一定的高溫，利用壓力的“刀刃”在引線上施加一定的壓力并維持一定的時間使引線變形，并破壞兩種金屬界面的氧化膜。在外加壓力的作用下實現(xiàn)引線和金屬層的鍵合。（2）熱壓焊

將底座加熱到一定的高溫，利用壓力的“刀刃”在引線上施加一定的9（3）金絲球焊底座加熱到300℃以上，金絲穿過陶瓷或紅寶石劈刀中毛細管，用氫氣火焰將金絲端頭燒成球形后再用劈刀將金絲球壓在金屬電極上實現(xiàn)焊接。也屬于熱壓焊。適合于自動化，在集成電路生產中使用較多。（3）金絲球焊底座加熱到300℃以上，金絲穿過陶瓷或紅寶101基本封裝外型：DIP、SIP、QFP、PGA、LCC、PLCC、SSOP、SOT等3.9.2封裝1基本封裝外型：DIP、SIP、QFP、PGA、LCC、P11第3章9引線封裝課件12封裝技術封裝技術13第3章9引線封裝課件14封裝技術（與PCB板的連接）封裝技術（與PCB板的連接）15引線鍵合封裝（wire-bonding）LeadFrameSubstrateDiePad引線鍵合封裝（wire-bonding）LeadFrame163先進封裝技術（1）載帶自動鍵合（TAB）（2）倒扣芯片封裝（FC）（3）球柵陣列（BGA）（4）直接芯片粘接（COB）3先進封裝技術（1）載帶自動鍵合（TAB）17第3章9引線封裝課件183.9引線封裝引線封裝主要包括管芯與外引線間的互連和封裝技術。工藝:中測、劃片、管芯引線鍵合、密封、管殼封焊、塑模。3.9引線封裝引線封裝主要包括管芯與外引線間的互連和封裝技19第3章9引線封裝課件20第3章9引線封裝課件21第3章9引線封裝課件22第3章9引線封裝課件23芯片引線鍵合顯微照片芯片引線鍵合顯微照片241.芯片固定到合適的集成電路的管座上采用共晶焊或聚合物粘合2.引線鍵合采用細金屬絲將集成電路芯片上的壓焊點與管座上的引線端連接起來的工藝。主要有三種方法:3.9.1鍵合工藝

1.芯片固定到合適的集成電路的管座上3.9.1鍵合工藝25（1）超聲焊

主要是利用超聲波的能量使金屬絲與Al電極在常溫下直接焊接的一種方法。又稱楔-楔焊接。常用的材料稱為硅鋁絲。（1）超聲焊

主要是利用超聲波的能量使金屬絲與Al電極在常26將底座加熱到一定的高溫，利用壓力的“刀刃”在引線上施加一定的壓力并維持一定的時間使引線變形，并破壞兩種金屬界面的氧化膜。在外加壓力的作用下實現(xiàn)引線和金屬層的鍵合。（2）熱壓焊

將底座加熱到一定的高溫，利用壓力的“刀刃”在引線上施加一定的27（3）金絲球焊底座加熱到300℃以上，金絲穿過陶瓷或紅寶石劈刀中毛細管，用氫氣火焰將金絲端頭燒成球形后再用劈刀將金絲球壓在金屬電極上實現(xiàn)焊接。也屬于熱壓焊。適合于自動化，在集成電路生產中使用較多。（3）金絲球焊底座加熱到300℃以上，金絲穿過陶瓷或紅寶281基本封裝外型：DIP、SIP、QFP、PGA、LCC、PLCC、SSOP、SOT等3.9.2封裝1基本封裝外型：DIP、SIP、QFP、PGA、LCC、P29第3章9引線封裝課件30封裝技術封裝技術31第3章9引線封裝課件32封裝技術（與PCB板的連接）封裝技術（與PCB板的連接）33引線鍵合封裝（wire-bonding）LeadFrameSubstrateDiePad引線鍵合封裝（wire-bonding）LeadFrame343先進封