化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)銷售額及預(yù)測(cè)分析

化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)銷售額及預(yù)測(cè)分析

化合物半導(dǎo)體即Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,包括碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體材料,它們是有別于第一代硅半導(dǎo)體的二、三代半導(dǎo)體.從2000年開始,化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)逐步擴(kuò)大,以砷化鎵、氮化鎵、碳化硅為首的半導(dǎo)體材料應(yīng)用增多.

Ⅲ-Ⅴ族化合物與傳統(tǒng)硅材料相比具有以下優(yōu)點(diǎn)：一、帶隙較大,所制造的器件能夠耐受較大功率,且工作溫度更高.電子遷移率高,適合制備高頻、飛速器件.二、光電轉(zhuǎn)換效率高,適合制作光電器件.化合物半導(dǎo)體在三代半導(dǎo)體材料性能比較中優(yōu)異材料-SiGaAsGaN物理特性禁帶寬度（ev）1.11.43.4飽和速率（107cm/s）12.12.7熱導(dǎo)（W/c·K）1.30.62擊穿電壓（M/cm）0.30.45-電子遷移速率（cm2/V·s用情況光學(xué)應(yīng)用無紅外藍(lán)光/紫外高頻性能差好好高溫性能中差好發(fā)展階段成熟發(fā)展中初期

因此,Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體多應(yīng)用于光纖通訊、無線通訊、衛(wèi)星通訊、高端功率器件等領(lǐng)域.其中,砷化鎵主要用于民用射頻器件、氮化鎵主要用于軍用/高性能民用射頻器件、碳化硅主要用于高壓功率器件領(lǐng)域.化合物半導(dǎo)體下游應(yīng)用市場(chǎng)開始明確分類主要下游應(yīng)用介紹GaAs民用射頻器件在移動(dòng)終端的無線PA和射頻開關(guān)器領(lǐng)域占主導(dǎo)地位，未來高集成度和低成本制造將成為產(chǎn)

業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，在無線通信、消費(fèi)電子、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。GaN軍用/高性能民用射頻器件藍(lán)綠光LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展成熟，微波通信器件和電力電子器件產(chǎn)品尚未在民用領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。SiC高壓功率器件產(chǎn)品主要以電力電子器件為主，SiC-IGBT未來將憑借其優(yōu)異的性能在大型輪船引擎、智能電

網(wǎng)、高鐵和風(fēng)力發(fā)電等大功率領(lǐng)域得到應(yīng)用

砷化鎵（GaAs）材料是目前生產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣泛,因而也是最重要的化合物半導(dǎo)體材料,是僅次于硅的最重要的半導(dǎo)體材料.砷化鎵材料具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙,消耗功率低的特性,廣泛應(yīng)用于高頻及無線通訊領(lǐng)域,在手機(jī)、無線網(wǎng)絡(luò)、光纖通訊、汽車?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通信、物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴設(shè)備等行業(yè)具有強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求.中國GaAs市場(chǎng)2011-2016年銷售額以及2017-2021年預(yù)測(cè)（單位：億元）

而根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù),2014年全球GaAs元件市場(chǎng)總規(guī)模為74.3億美元,較2013年同比增長(zhǎng)15%,