三極管及場(chǎng)效應(yīng)管原理講解

三輕管及堤效雁管原能解大堆：- 三怪管輿堤效愿管的簡(jiǎn)介三推管輿堤效底管的工作原三推管輿堤效底管的潺別三推管輿堤效底管辨噤雁用一 三樞管輿堤效雁管的^介1.三慘管的神介半尊體三樞管又摺晶體三樞管，M摺晶髓管.它是由三坑半尊體歪成，年成微PN、待，即集t#^＜射#，塞待3微食樞，分可是集食樞,基樞，金射樞，如下圈所示:B

BB3基楹,C畚集^楹,E><射^半暮體三十亟管TRANSISTORTest#Description1hFEForward-currenttransferratio2VBEBaseemittervoltage(seealsoAppendixF)3IEBOEmittertobasecutoffcurrent4VCESATSaturationvoltage5ICBOCollectortobasecutoffcurrent6ICEOCollectortoemitercutoffcurrentICER,withbasetoemiterloadICEX,reversebias,orICESshort(seealsoAppendixF)7BVceoBreakdownvoltage,collectortoemitter,bVcerwithbasetoemiterload,BVcexreversebias,orBVcesshort(seealsoAppendixF)8BVcboBreakdownvoltage,collectortobase9BVeboBreakdownvoltage,emittertobase10VbesatBaseemittersaturationvoltage堤效雁管筒介埸技愿管又秤屬-氧化物-半暮體埸效愿管，也就是我嘩通常所MOS(MetalOxideSemiconductor)管.埸技愿管是-彳重由阿入信耽宅壁控制其阿出點(diǎn)大小的半暮體埸技愿管,是宅壁控制器件,阿入如旦非常高.埸技愿管分3:、罕型埸技愿管(JFET)和藉、琴柵型埸技愿管(IGFET)、罕型埸技愿管JEFTTest#、罕型埸技愿管JEFTTest#1vgsoff2lDss3bvdgo4IGSS5IDGO6IDOFF7bvgss8vdsonDescriptionGatetosourcecutoffvoltage.Zerogatevoltagedraincurrent.Draintogatebreakdownvoltage.Gatereversecurrent.Draintogateleakage.Draincut-offcurrent.Gatetosourcebreakdownvoltage.Draintosourceon-statevoltage.、待型堤效愿管有dN、待型堤效愿管有dN型和P型淺道植，食符映如下d 、待型堤效愿管有三樞:珊樞源樞十亟、待型堤效愿管有微 PN、待，在柵源樞上加-定竟型，在堤效愿管R部育形成一微尊如至道，耆d,s樞膺加上一定^型成，食就可以您淺道中述,即通^源t型改建尊食淺道食阻,滑說(shuō)封樞食的控制.,浩型堤效底管的主要4我Tt型UDS（off）,耆UDS等于某一微定值（10v）,使Id等于某一微微小t （如50uA）成，柵源樞膺所加的UGS即＞4Tt型.UDS（off）-般31?10V.嶷和樞t Ids：耆Ugs=0匿，堤效愿管金生孑真由T成的悟t.直峋入如旦Rgs.低朋跨尊GM源馨穿t型 U（br）ds柵源馨穿t型U（br）gs最大耗散功 Pdm、弩簿柵型堤效愿管是由屠氧化物和半尊體歪成,故摺3MOSFET,M棒MOS管，其工作原似於、待型堤效愿管MOSFETTest# MOSFETTest# DescriptionVGSTHIDssIDSxThresholdvoltagZerogatevoltagedraincurrent.withgatetoSourcereversebias.

3BVDssDraintoSourcebreakdownvoltage.4VDSONDraintoSourceon-statevoltage.IGSSF5GatetoSourceleakagecurrentforward.6IGSSRGatetoSourceleakagecurrentreverse.7VFDiodeforwardvoltage.8VGSFGatetoSourcevoltage(forward)requiredforspecifiedInatspecifiedVos.(seeSISQAppendixF)9VGSRGatetoSourcevoltage(reverse)requiredforspecifiedIDatspecifiedVDS.(seealsoAppendixF)10VDSONOn-statedraincurrent11VGSONOn-stategatevoltage符映和樞性dV iD—iDgbg+* —?1 ?b+ss(1)增魅型NMOS(2)增魅型PMOSiDiD_g -—?g ?? ? Bt ——?Bs s*— ?(3)耗壹型NMOS(4)耗壹型PMOS暮簿柵型坍效庵管主要BVDsIDMSX(肆敦食型)源＜?t型BVDsIDMSX(肆敦食型)最大樞食隅值食型Vgs

暮通如旦Ron跨尊(互尊)(GM)最高工作溥?通隨膺TON和雇唆T成膺二三怪管輿堤效愿管的工作原三推管的工作原1.(1)NPN (2)pnp(3)購(gòu)入特性曲'貌v三推管的工作原1.(1)NPN (2)pnp(3)購(gòu)入特性曲'貌vbe三樞管的三植憩:放大放大*餐射、罕正偏，集七罕反偏，E1>E2,即NPN型三樞管Vc>Vb>Ve,PNP型三樞管Vc<Vb<Ve,三樞管扇于放大惹.由于Ic=6Ib,即Ic受Ib控制，而Ic的t能是由t源提供的，此融Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)截止

IbW0的*域柄截止*,UBE<0.5V成，三樞辟始截止，>截止可靠，常使UBEW0,即餐射、罕偏或反偏(NPN管VbWVe,PNP型三樞管VbMVe),截止吃集七罕也反向偏置(NPN管Vb<Vc,PNP型三樞管Vb>Vc).鐐和耆VCE<VBE,即集宅、罕正向偏置(Vb<Vc),裝射、罕正向偏置(Vb>Ve)吃三樞管扇于箭和*.箭和型UCE(sat),小功硅管UCE(sat)=0.3V,瑋管UCE(sat)\0.1V.1.主要共裝射樞直宅放大系6—,即Hfe,6TC/IB共裝射樞交宅放大系6 .6=AIC/AIB集宅樞，基樞反向箭和宅 ICBO集定樞,裝射樞反向箭和宅 ICEO,即穿透t集定樞最大允^功耗PCM集t樞最大允^tICM集t樞,基樞反向擎穿t型U(BR)CBO裝射樞,基樞反向擎穿t型U(BR)CBO集t樞,裝射樞反向擎穿t型U(BR)CBO2.堤效愿管的工作原2.1結(jié)型埸效雁管場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分，它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件。N構(gòu)道

N構(gòu)道N溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，在柵極與源極之間加負(fù)電壓，柵極與溝道之間的pn結(jié)為反偏。在漏極，源極之間加一定正電壓，使N溝道中的多數(shù)載流子（電子）由源極向漏極漂移，形成iD。iD的大小受vgs的控制。P溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，極性相反，溝道中的多子為空穴。2.2別色#彖柵型埸效雁管N^道N^道別色#彖柵型埸效雁管柵源電壓vgs對(duì)iD的控制作用當(dāng)yGS<0時(shí)，PN結(jié)反偏，耗盡層變厚，溝道變窄，溝道電阻變大，ID減小；VGS更負(fù)，溝道更窄，ID更小；直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾斷，ID§0。這時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵源電壓vGS稱(chēng)為夾斷電壓匕。漏源電壓VDS對(duì)iD的影響在柵源間加電壓VGS＞VP，漏源間加電壓vDSo則因漏端耗盡層所受的反偏電壓為yGD=yGS-yDS，比源端耗盡層所受的反偏電壓UGS大，(如:^都=-2乂VDS=3V,VP=-9V,則漏端耗盡層受反偏電壓為-5V，源端耗盡層受反偏電壓為-2V)，使靠近漏端的耗盡層比源端厚，溝道比源端窄，故vDS對(duì)溝道的影響是不均勻的，使溝道呈楔形。當(dāng)vDS增加到使vGD=vGS-vDS=匕時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)，伏安特性曲線①輸出特性曲線)"恒流區(qū)：(又稱(chēng)飽和區(qū)或放大區(qū))特點(diǎn):(1)受控性：輸入電壓vGS控制輸出電流(2)恒流性：輸出電流孔基本上不受輸出電壓，DS的影響。用途:可做放大器和恒流源。條件:(1)源端溝道未夾斷V」＜VJ(2)源端溝道予夾斷V」＜匕V特點(diǎn)：(1)當(dāng)vGS為定值時(shí)，八是vDS的線性函數(shù)，管子的漏源間呈現(xiàn)為線性電阻，且其阻值受vGS控制。(2)管壓降vDS很小。用途：做壓控線性電阻和無(wú)觸點(diǎn)的、閉合狀態(tài)的電子開(kāi)關(guān)條件：源端與漏端溝道都不夾斷 IVGSI<IVp|IVdsI<|Vgs-V」夾斷區(qū)用途：做無(wú)觸點(diǎn)的、接通狀態(tài)的電子開(kāi)關(guān)條件：整個(gè)溝道都夾斷IVGSI>IVpI擊穿區(qū)當(dāng)漏源電壓增大到IVDSI=IV(BR)DSI時(shí)，漏端PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，使孔劇增的區(qū)域。其值一般為(20-50)V之間。由于Vgd=Vgs-Vds故vGS越負(fù)，對(duì)應(yīng)的匕就越小。管子不能在擊穿區(qū)工作②轉(zhuǎn)移特性曲線Df廣/Df廣/(VGS"C/dC^b^/Av)=偵/dv)=g^ns)二三怪管輿堤效雁管的潺別晶體管是電流控制元件；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件晶體管參與導(dǎo)電的是電子一空穴，因此稱(chēng)其為雙極型器件;

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，參與導(dǎo)電的只有一種載流子，因此稱(chēng)其為單級(jí)型器件。四三檄管橫成F9雷路OUTINYGND四三檄管橫成F9雷路OUTINYGND3.晶體管的輸入電阻較低，一般102-104W；場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，可達(dá)109~1014W三槌管堤效雁管結(jié)構(gòu)與分類(lèi)NPN型PNP型結(jié)型N溝道P溝道絕緣柵增強(qiáng)型N溝道P溝道耗盡型N溝道P溝道載流子多子擴(kuò)散少子漂移多子漂移輸入量電流輸入電壓輸入控制電流控制電流源電壓控制電流源噪聲較大較小溫度特性受溫度影響較大較小，且有零溫度系數(shù)點(diǎn)輸入電阻幾十到幾千歐姆幾兆歐姆以上靜電影響不受靜電影響易受靜電影響集成工藝不易大規(guī)模集成適宜大規(guī)模,超大規(guī)模集成

+5VGND

五相^雷路^例檄不重名不胃: LUXEMBURG不良現(xiàn)象：80NODISPLAY技有Vcore;14.318不振,ICS不工作)分析思路：根撮以上的不良現(xiàn)象，我仍首要做的就是判■斤出冏題黑占來(lái),依撮intel主板的工作原理,ICS正常工作前，其16?(VTT_PWRGD*PD)＞通遏Q5C1.R5C8瑩寸VCCP迤行采檬值測(cè),看其是否。虹如圄1),如VCCPOK,Q5C1的基橡舄1.0V,Q5C1^通,A#B位舄LOW,ICS^始工作,因舄沒(méi)

有VCCP,A#K的雷位拉不到LOW,所以ICS不工作.由此可以判■斤出冏題黑占不在ICS商里其只是被重力停止工作耒值測(cè)前此黠親高籍平JCS虐馳等待膚熊。漫有正堂工作U6B1GK_41QE看VCCP??,量測(cè)其雷路所有MOS管都OK,但ADP3418K的3胎"如圈2a)(VREG_ILIMIT庵位舄高雷平(3.3V),沒(méi)有拉低，查看其上一例俞入雷路，它是??-fi220K的雷阻R1F31直接速到U1F1的15胎"如圈2b)，更換U1F1仍MSES出，量測(cè)其上—伽俞入信號(hào)虎箴說(shuō)U1F1的11?(VTT_PWRGD)(H2b)的輸入SE舄LOW其是值測(cè)V_FSB_VTT是否正常工作.

C4B03謎GMltiI』 \ 二 「5I山 C4B03謎GMltiI』 \ 二 「5I山 LIMIT此腫席低琶平付效，在木fir作箭君高雷豐i富我勵(lì)君低■霄平膨U4E1固始勤作一VDCPJW_FWW3D1u1〕R1FW〉R1F31221K<249K1%<1%CH(CH翊I402島TEHW8VF^G_PVW1_G_DRV_H_Cn酬7UREG_5W1_3UT1口丁F3III?BwnFHF5VREO-PWIvl!_□_CF?V_LC4Q7i—inoonp留俱7CDVIC3WU1留口MH2MCIPWW3MIXiUTviaMlFEimTtvrFBMSQOMP?.uFWGD7MDCEDOIf□EATL&UWRIDBJEFFULV^ADJuur正常工作畤，此黑占的■?位量V_FSB_VTT的斯奧雷路(d3)