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文檔簡介

任課教師:劉章生概述薄膜與厚膜的區(qū)別工藝上,厚膜電路一般采用絲網(wǎng)印刷工藝,薄膜電路采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝;厚度上,厚膜電路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多處于小于1μm.概述薄膜技術(shù)在電子封裝中的應(yīng)用:(1)生成UBM(underbarriermetal)層(2)薄膜電阻薄膜技術(shù)1.薄膜技術(shù)2.薄膜材料3.薄膜表征1.薄膜技術(shù)1.1濺射Plasma++++++++++++++HighVoltage+ArAr++positive-negativeArTi/AuTargete-WaferAr+Ar+Ar+1.薄膜技術(shù)1.1濺射分類:直流濺射(DCsputteringdeposition)射頻濺射(RFsputteringdeposition)雙陰極濺射(dualcathodessputteringdeposition)三級濺射(triodesputteringdeposition)磁控濺射(magnetronsputteringdeposition)1.薄膜技術(shù)1.2蒸鍍將被蒸鍍物體加熱(電阻絲或電子束),利用其在高溫時所具有的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積.1.薄膜技術(shù)1.2蒸鍍降低蒸鍍溫度;增加原子平均自由程;去除污染物如氧和氮.真空度(<E6torr)要求嚴格1.薄膜技術(shù)1.2蒸鍍1.薄膜技術(shù)1.4.電鍍

電鍍工藝:是利用電解原理在基板表面上鍍覆一層金屬的過程。

2.薄膜材料2.1薄膜電阻Ni-Cr合金2.薄膜材料2.1薄膜電阻2.薄膜材料2.2阻擋層材料(1)氮化鈦(TiN)(2)鈦鎢合金(TiW)(3)Ta與TaN:主要作為銅制程阻擋層材料

來自銅的挑戰(zhàn)(a)低電阻率(銅約1.8μΩ-cm,鋁約3μΩ-cm)(b)與SiO2附著力不佳;(c)對SiO2及硅擴散速率快,易造成元件惡化;2.薄膜材料2.3導(dǎo)體材料鋁合金的尖峰現(xiàn)

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