MEMS設(shè)計、仿真軟件的綜合比較

word格式文檔《MEMS器件、仿真與系統(tǒng)集成》期中測驗（三）（占考試成績的20%,中英文答題均可，5月30日交電子版。任課教師：陳劍鳴）研究生：（簽字）學(xué)號： MEMS設(shè)計、仿真軟件的綜合比較。（占本課程的20%）。具體要求：用表格形式對MEMS常用的軟件進行比較。比較的軟件四大類：TannerPro（主要是L-edit），HFSS,CoventorWare，IntelliSense，ANSYS比較的內(nèi)容：/公司、廠家；/軟件的總體描述；/軟件的模塊關(guān)系（模塊組成）；/按模塊來闡述的主要用途；/按模塊來闡述的性能參數(shù)；/軟件所做的實例圖（分模塊）。/你對此軟件（或者是具體模塊）的看法和評價，不少于5個模塊。作業(yè)作答如下：專業(yè)整理word格式文檔一.TannerPro（主要是L-edit）公司、廠家：TannerResearch公司軟件的總體描述Tanner集成電路設(shè)計軟件是由TannerResearch公司開發(fā)的基于Windows平臺的用于集成電路設(shè)計的工具軟件。該軟件功能十分強大，易學(xué)易用，包括S-Edit，T-Spice，W-Edit，L-Edit與LVS，從電路設(shè)計、分析模擬到電路布局一應(yīng)俱全。其中的L-Edit版圖編輯器在國內(nèi)應(yīng)用廣泛，具有很高知名度。L-EditPro是TannerEDA軟件公司所出品的一個IC設(shè)計和驗證的高性能軟件系統(tǒng)模塊，具有高效率，交互式等特點，強大而且完善的功能包括從IC設(shè)計到輸出，以及最后的加工服務(wù)，完全可以媲美百萬美元級的IC設(shè)計軟件。L-EditPro包含IC設(shè)計編輯器（LayoutEditor）、自動布線系統(tǒng)（StandardCellPlace&Route、線上設(shè)計規(guī)則檢查器（DRC）、組件特性提取器（DeviceExtractor）、設(shè)計布局與電路netlist的比較器（LVS）、CMOSLibrary、MarcoLibrary，這些模塊組成了一個完整的IC設(shè)計與驗證解決方案。L-EditPro豐富完善的功能為每個IC設(shè)計者和生產(chǎn)商提供了快速、易用、精確的設(shè)計系統(tǒng)。TannerToolsPro是一套集成電路設(shè)計軟件，包含以下幾種工具:S-Edit（編輯電路圖）專業(yè)整理

word格式文檔T-Spice（電路分析與模擬）W-Edit（顯示T-Spice模擬結(jié)果）L-Edit（編輯布局圖，自動布局布線，DRC,電路轉(zhuǎn)化）LVS（版圖和電路圖對比）軟件的模塊關(guān)系Tanner數(shù)字ASIC設(shè)計流程圖：S-Edit電路圖設(shè)L-Edit/SPR+JL-EdiVEXTRACT+JL-Edit/DRC+JT-Spice仿真+S-Edit電路圖設(shè)L-Edit/SPR+JL-EdiVEXTRACT+JL-Edit/DRC+JT-Spice仿真+JW-Edit顯示波形.4各模塊的的描述以及實例圖4.1S-Edit以及范例專業(yè)整理PropertiesBrowserScheinsiticWindow專業(yè)整理PropertiesBrowserScheinsiticWindowword格式文檔S-Edit13.0界面S-EditS-Edit13.0界面S-Edit范例T-SpiceT-Spice是電路仿真與分析的工具，文件內(nèi)容除了有元件與節(jié)點描述外，還必須加上其他的設(shè)定。有包含文件、端點電壓源設(shè)置、分析設(shè)定、輸出設(shè)置。LVSLVS是用來用來比較布局圖與電路圖所描述的電路是否相同的工具。也就是說比較S-Edit繪制的電路圖與L-Edit繪制的布局圖是否一致。需要spc文件和sp文件。1.5L-Edit的使用L-Edit畫圖布局詳細步驟打開L-Edit程序，保存新文件。取代設(shè)定(File-ReplaceSetup)。環(huán)境設(shè)定(5?七回一口65?8口)。專業(yè)整理word格式文檔選取圖層。選擇繪圖形狀繪制布局圖。設(shè)計規(guī)則設(shè)定50515/0「8仃2.OU）和設(shè)計規(guī)則檢查（DRC）。檢查錯誤，修改（移動）對象。再次進行設(shè)計規(guī)則檢查。使用L-Edit畫PMOS布局圖.用到和圖層包括NWell,Active,NSelect,PSelect,Poly,Metal1,Metal2,ActiveContact,Via..繪制NWell圖層：L-Edit編輯環(huán)境是預(yù)設(shè)在P型基板上，不需定義P型基板范圍，要制作PMOS，首先要作出NWell區(qū)域。根據(jù)設(shè)計規(guī)則Well區(qū)電最小寬度的要求（10九），可畫出NWell區(qū)。.繪制Active圖層：定義MOS管的范圍。PMOS的Active圖層要繪制在NWell圖層之內(nèi)。根據(jù)設(shè)計規(guī)則要求，Active的最小寬度為3九?？稍贜Well中畫出Active圖層。.繪制PSelect圖層：定義要布置P型雜質(zhì)的范圍。繪制前進行DRC可發(fā)現(xiàn)相應(yīng)錯誤。繪制時注意遵守4.2b規(guī)則：NotSelectedActive）。繪制時注意遵守4.2b規(guī)則：ActivetoP-SelectEdge最小2九。同時還要注意pdiff層與NWell層要遵守2.3a（5九）。.繪制Poly圖層：定義成長多晶硅，最小寬度2九。.繪制ActiveContact圖層：源極、漏極接電極需要。標(biāo)準(zhǔn)寬度2九。7）繪制Metal1圖層：最底層的金屬線。專業(yè)整理word格式文檔使用L-Edit畫PMOS布局圖1.5.3使用L-Edit編輯標(biāo)準(zhǔn)邏輯元件.標(biāo)準(zhǔn)元件庫中的標(biāo)準(zhǔn)元件的建立符合某些限制，包括高度、形狀與連接端口的位置。標(biāo)準(zhǔn)元件分為邏輯元件與焊墊元件。.操作流程：進入L-Edit-建立新文件-環(huán)境設(shè)定-繪制接合端口-繪制多種圖層形狀-設(shè)計規(guī)則檢查-修改對象-設(shè)計規(guī)則檢查.繪制接合端口:每一個標(biāo)準(zhǔn)元件一個特殊的端口叫做接合端□，它的范圍定交出元件的尺寸及位置即元件的邊界。4)繪制電源與電源接口:典型標(biāo)準(zhǔn)元件的電源線分布在元件的上端和下端。注意標(biāo)準(zhǔn)單元庫中的每一個標(biāo)準(zhǔn)元件其電源端口必須有相同的真對高度，且電源端口的寬度必須設(shè)定為0,位置必須貼齊Abut范圍的兩邊。.繪制NWell層：在P型基板上制作PMOS的第一步流程。橫向24格，縱向38格。.編輯NWell節(jié)點：因為PMOS基板也需要電源，故需要在NWell上建立一個歐姆節(jié)點。在Abut端口的上方，繪制出Active,NSelect、ActiveContact這3種圖層。.編輯P型基板節(jié)點小乂。5基板也需要接地，故此需要在Pbase上建立一個歐姆節(jié)點。在Abut端口的下方，繪制出Active、PSelect、ActiveContact這3種圖層。.繪制PSelect圖層。植入P型雜質(zhì)需要。兩部分：一是在NSelect右邊加上一塊橫向11格、縱向10格；一是在下方再加上專業(yè)整理word格式文檔橫向18格，縱向22格。.繪制NMOSActive圖層：定義MOS的范圍，Active以外的地方是厚氧化層區(qū)(或稱場氧化層)。一是在原上部Active下接一塊橫向12格，縱向4格的方形Active，一是在其下方再畫橫向14格、縱向18格的方形Activeo.繪制NSelect圖層：植入N型雜質(zhì)需要。一是在Abut下部PSelect右邊加橫向11格，縱向10格；一是在剛上方加橫向18格，縱向22格。.繪制PMOSActive圖層：一是在原下部Active上接一塊橫向12格，縱向4格的方形Active,一是在其上方再畫橫向14格、縱向18格的方形Activeo.繪制Poly層：Poly與Active相交集為柵極所在位置。橫向2格，縱向70格。繪制完此步，請先進行DRC無誤后再繼續(xù)。.繪制輸入信號端口(A)：標(biāo)準(zhǔn)元件信號端口(除電源和地)的繞線會通過標(biāo)準(zhǔn)元件的頂端或底部。一個標(biāo)準(zhǔn)元件信號端口要求高度為0,且寬度最好為整數(shù)值。自動繞線時用Metal2,故需先將輸入端口由Metal2通過Via與Metal1相連，在通過Metal1通過PolyContact與Poly相連。DRC確認無誤。.繪制PMOS源極接線：需要將PMOS左端P型擴散區(qū)與Vdd相連。利用Metal1與Vdd相連，Metal1與Active間通過ActiveContact相接。(15)繪制NMOS源極接線：需要將NMOS左邊N型擴散區(qū)與Gnd專業(yè)整理word格式文檔相連。利用Metall與Gnd相連，Metall與Active間通過ActiveContact相接。.連接PMOS與NMOS的基極：將NMOS的右邊擴散區(qū)和PMOS的右邊擴散區(qū)利用Metall相連，并在Metall與Active重疊區(qū)打上節(jié)點。.繪制輸出信號端口(OUT)..更改元件名稱為 INV，轉(zhuǎn)化為spice文件(TOOLS一Extract)。用L-Edit繪制的反相器標(biāo)準(zhǔn)單元布局圖二.HFSS公司、廠家:專業(yè)整理word格式文檔美國Ansoft公司軟件的總體描述AnsoftHFSS（全稱HighFrequencyStructureSimulator,高頻結(jié)構(gòu)仿真器）是Ansoft公司推出的基于電磁場有限元方法（FEM）的分析微波工程問題的三維電磁仿真軟件，可以對任意的三維模型進行全波分析求解，先進的材料類型，邊界條件及求解技術(shù)，使其以無以倫比的仿真精度和可靠性，快捷的仿真速度，方便易用的操作界面，穩(wěn)定成熟的自適應(yīng)網(wǎng)格剖分技術(shù)使其成為高頻結(jié)構(gòu)設(shè)計的首選工具和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于航空、航天、電子、半導(dǎo)體、計算機、通信等多個領(lǐng)域，幫助工程師們高效地設(shè)計各種高頻結(jié)構(gòu)，包括：射頻和微波部件、天線和天線陣及天線罩，高速互連結(jié)構(gòu)、電真空器件，研究目標(biāo)特性和系統(tǒng)/部件的電磁兼容/電磁干擾特性，從而降低設(shè)計成本，減少設(shè)計周期，增強競爭力。軟件的模塊組成及其主要用途DESIGNER模塊：在DESIGNERTM里結(jié)合二維版圖，工藝流程，和材料特性，CoventorWareTM可以生成三維模型，進行網(wǎng)格的自動劃分。ANALYZER模塊：針對客戶所關(guān)心的問題，分析人員可以調(diào)用ANALYZERTM里專門針對MEMS器件分析開發(fā)的多個求解器，對MEMS器件的三維模型進行結(jié)構(gòu)力學(xué)、靜電學(xué)、阻尼、電磁學(xué)、多物理場耦合（含壓電，，及壓阻問題）、微流體（主要涉及Biochip和Inkjet）等物理問題的詳細分析。ANALYZERTM還可對邊界條件、材料特性、三維模型幾何形狀等進行參數(shù)分析，研究這些參數(shù)對器件性能的影響。INTEGRATOR模塊：利用INTEGRATORTM，設(shè)計人員可以從三維分析結(jié)果提取MEMS器件宏模型，反饋回ARCHITECTTM里進行系統(tǒng)性能的驗證，從而完成MEMS的設(shè)計。支持的格式包括：Verilog-A（Cadence）,MAST（Architect）,andMATLAB同時，用戶也可以利用INTEGRATORTM建立自己MEMS產(chǎn)品涉及到的宏模型庫，為新產(chǎn)品的開發(fā)提供技術(shù)儲備。AnsoftHFSS的應(yīng)用領(lǐng)域：天線（1）面天線：貼片天線、喇叭天線、螺旋天線（2）波導(dǎo)：圓形/矩形波導(dǎo)、喇叭、波導(dǎo)縫隙天線（3）線天線：偶極子天線、螺旋線天線（4）天線陣列：有限陣列天線陣、頻率選擇表面（FSS）、（5）雷達散射截面（RCS）微波（1）濾波器：腔體濾波器、微帶濾波器、介質(zhì)濾波器（2）EMC（ElectromagneticCompatibility）/EMI（ElectromagneticIntergerence）：屏蔽罩、近場一遠專業(yè)整理word格式文檔場輻射(3)連接器：同軸連接器\底板、過渡(4)波導(dǎo)：波導(dǎo)濾波器、波導(dǎo)諧振器、波導(dǎo)連接器(5)Silicon/GaAs:螺旋電感器、變壓器2.5HFSS的操作界面和菜單功能介紹：AnsoftHFSS的界面主要包括：菜單欄(Menubar)、工具欄(Toolbars)、工程管理(ProjectManage)窗口、狀態(tài)欄(Statusbar)、屬性窗口(Propertieswindow)、進度窗口(Progresswindow)、信息管理(MessageManage)窗口和3D模型窗口(3DModelerWindow)。圖3AnsoftHFSS的操作界面菜單欄(Menubar):繪圖、3D模型、HFSS、工具和幫助等下拉式菜單組成。工具欄(Toolbar):對應(yīng)菜單中常用的各種命令，可以快速方便的執(zhí)行各種命令。工程管理(ProjectManage):窗口顯示所以打開的HFSS工程的詳細信息，包括邊界、激勵、剖分操作、分析、參數(shù)優(yōu)化、結(jié)果、端口場顯示、場覆蓋圖和輻射等。狀態(tài)欄(Statusbar):位于HFSS界面底部，顯示當(dāng)前執(zhí)行命令的信息。專業(yè)整理word格式文檔屬性窗口（Propertieswindow）:顯示在工程樹、歷史樹和3D模型窗口中所選條目的特性或?qū)傩浴＿M度窗口（「「08「6$$window）:監(jiān)視運行進度，以圖像方式表示進度完成比例。信息管理（MessageManage）:窗口顯示工程設(shè)置的錯誤信息和分析進度信息。3D模型窗口（3口ModelerWindow）:是創(chuàng)建幾何模型的區(qū)域，包括模型視圖區(qū)域和歷史樹（記錄創(chuàng)建模型的過程）。我的看法：本次課我們介紹了Ansoft公司的HFSS高頻仿真軟件的基本特性和基本操作，并結(jié)合實際例子對一個縫隙耦合貼片天線進行了建模和仿真。作為一個軟件，學(xué)習(xí)它最好的辦法就是經(jīng)常使用它，由于課堂上的時間十分有限，這里介紹的都是基本的操作，對于其他的許多功能和定義，我們可以查找HFSS的幫助文件和用戶手冊。在下一節(jié)課我們將進一步學(xué)習(xí)HFSS的一些高級應(yīng)用及實用技巧。三CoventorWare公司、廠家：美國Coventor公司軟件的總體描述CoventorWare是在著名的MEMCAD軟件上發(fā)展起來的，目前業(yè)界公認的功能最強、規(guī)模最大的MEMS專用軟件。擁有幾十個專業(yè)模塊，功能包含MEMS系統(tǒng)/器件級的設(shè)計與仿真，工藝仿真/仿效。其主要用于四大領(lǐng)域：Sensors/Actuators,RFMEMS,Microfluidics,OpticalMEMS。具有系統(tǒng)級、器件級的功能的MEMS專用軟件，其功能覆蓋設(shè)計、工藝、器件級有限元及邊界元分析仿真、微流體分析、多物理場耦合分析、MEMS系統(tǒng)級仿真等各個領(lǐng)域。CoventorWare因其強大的軟件模塊功能、豐富的材料及工藝數(shù)據(jù)庫、易于使用的軟件操作并與各著名EDA軟件均有完美數(shù)據(jù)接口等特點給工程設(shè)計人員帶來極大的方便。軟件的模塊組成及其主要用途CoventorWare軟件主要包括四個模塊：ARCHITECT，DESIGNER，ANALYZER，INTEGRATOR專業(yè)整理

word格式文檔ARCHITECT模塊：提供了獨有的PEM（機電）、OPTICAL（光學(xué)）、FLUIDIC（流體）庫元件，可快速描述出MEMS器件的結(jié)構(gòu)，并結(jié)合周圍的電路進行系統(tǒng)級的機、電、光、液、熱、磁等能量域的分析，找到最優(yōu)的結(jié)構(gòu)、尺寸、材料等設(shè)計參數(shù)，從而生成器件的版圖和工藝文件。DESIGNER模塊：可進行版圖設(shè)計、生成器件三維模型、劃分網(wǎng)絡(luò)單元。ANALYZER模塊：可采用FEM（有限元法）、BEM（邊界元法）、BPM（光速傳播法）、FDM（有限差分法）、VOF（體積函數(shù)法）等分析方法進行結(jié)構(gòu)分析、電磁場分析、壓電分析、熱分析、微流體分析、光學(xué)分析及多物理場的全耦合分析等。INTEGRATOR模塊：最后從三維分析結(jié)果中提取MEMS器件的宏模型，反饋回ARCHITECT進行系統(tǒng)或器件性能的驗證，完成整個設(shè)計。CoventorWare的基本內(nèi)容CoventorWare由可單獨使用以補充現(xiàn)有的設(shè)計流程，或者共同使用以提供一個完整的MEMS設(shè)計流程的4個主要部分組成。其中包括Architect,Designer,Analyzer和Integrator。該工具套件的完整性和模塊間高度的一■體化程度提高了整體效率和易用性，使用戶擺脫了在多個獨立工具設(shè)計間手工傳遞數(shù)據(jù)的負擔(dān)。倒用始倒椎代共享的加工I藝數(shù)據(jù)Architect版圖輸出Integrator設(shè)it結(jié)束照理圖.葬輯器3倒椎代共享的加工I藝數(shù)據(jù)Architect版圖輸出Integrator設(shè)it結(jié)束照理圖.葬輯器3圖12CoventorWare工作流程圖自定文數(shù)據(jù)庫 結(jié)果分析器ARCHITECT3D專業(yè)整理word格式文檔快速組裝來自獨特和全面的MEMS積木庫中的MEMS器件，并在一個基于原理圖的系統(tǒng)級建模環(huán)境中仿真其與周邊電子部分的行為。DESIGNER定義制造工藝，在MEMS版圖編輯器中繪制版圖布局，并自動生成可視化3D實體模型，以輸入到解算器中.ANALYZER使用此最高級的3D場算法器的綜合套件，分析、理解和驗證任何基于MEMS或微流體設(shè)計的物理行為，優(yōu)化MEMS特定的耦合物理條件。INTEGRATOR提取與ARCHITECT兼容的線性和非線性降階MEMS模型。CoventorWare分析的基本步驟CoventorWare分析的基本步驟包括：①定義材料屬性；②生成工藝流程；③生成二維版圖；④通過二維版圖生成三維模型；⑤劃分網(wǎng)格生成有限元模型；⑥設(shè)定邊界條件、加載；⑦求解；⑧提取、查看結(jié)果。以下我們以實例介紹該軟件的整個仿真過程：懸臂梁與硅基底間電容的計算和懸臂梁的受力分析工藝過程(1)在硅基底上沉積一層氮化物(絕緣層)；(2)再在其上沉積一層硼磷硅玻璃?「56)作為犧牲層(用于沉積鋁)；(3)刻蝕出支座(anchor)將要沉積的位置；(4)采用等邊沉積法沉積鋁層；(5)留下支座(anchor)和懸臂梁(beam)部分，刻蝕其余的鋁層；專業(yè)整理

wordword格式文檔（6）釋放BPSG犧牲層。具體設(shè)計過程（1）啟動CoventorWare2003,在用戶設(shè)置中設(shè)定Directory（目錄），包括WorkDirectory、ScratchDirectory、SharedDirectory。只需設(shè)定工作目錄，下面兩個目錄是默認的，系統(tǒng)會自動將它設(shè)定到相應(yīng)的工作路徑下，CoventorWare所有運行生成的文件都會寫在該目錄下（該目錄必須是已經(jīng)存在的目錄，在啟動時是無法新建工作目錄的）。許可文件的位置，包括CoventorLicense、CFDlicense、Saberlicense，在安裝時就已設(shè)定，默認即可。（2）單擊OK后，系統(tǒng)進入ProjectsDialogWindow（工程對話窗口），新建工程名稱為BeamDesign的文件夾，單擊Open進入FunctionManager（功能管理器）界面。（3）進入DESIGNER模塊，在Materials中定義材料屬性，選擇Aluminum（film），根據(jù)題設(shè)修改其參數(shù)；再選擇Silicon，方法相同。單擊6。$6，就可編輯工藝過程。（4）進入ProcessEditor（工藝編輯器），新建一■個工藝文件c，根據(jù)上述工藝過程在工藝編輯器中設(shè)計整個流程，如圖4-13所示。設(shè)計完后，單擊8。56，就可進行版圖設(shè)計。圖4-14 圖4-14 二維工藝版圖|^|ProcessEditor:F:\BeaADesign\BeaADesign\Devices\beaM.proc ||口||XEileEditYiewHelp—圜兇㈣StepActionBaseType ILayerNameSubstrateMaterialThickness10.0ColorcyanMaskName/PolarityGNDDepthOffsetrrrrrrrrrr，rrrrrrrrrrrSidewallAngleComment1DepositDepositStackedStackedNitrideSacrificeSINBPSG0.22.0■blueyellowrirrrrirrrrr，rrrrrirrrr，rrrrr，rrrr，rrrr3EtchDepositFront,LastLayerConformalbeamALUMINUM(FI...0.5SCFyellow■redanchor-2.00.00.05EtchFront,LastLayerbeam+0.50.00.06Sacrif...BPSG賀弘;丑賀罵賀羽丑賀圖4-13工藝過程（1）進入LayoutEditor（版圖編輯器），新建beam.cat文件，根據(jù)預(yù)先設(shè)計專業(yè)整理word格式文檔（2）在model/mesh下拉欄里選擇上步設(shè)計的二維版圖文件beam.cat,單擊BuildaNew3DModel。通過工藝文件c設(shè)定的厚度和模型在二維版圖文件beam.cat中的形狀，就可生成三維實體模型，如圖4-15所示。（a）在犧牲層上沉積鋁層（b）釋放犧牲層，得到模型圖4-15三位實體模型（3）然后選取懸臂梁和基底，劃分網(wǎng)絡(luò)單元。因為要使用有限元求解器，必須將選擇的實體模型劃分網(wǎng)格使生成若干單元體，這與ANSYS的處理過程相同。（4）再次回到FunctionManager（功能管理器）界面，進入ANALYZER模塊，選擇MemElectro求解器，點擊Analysis運行后，就可以選擇提取所需的電容和電量值及電量密度的彩云圖；同樣要求解懸臂梁的應(yīng)力和變形，選擇MemMech求解器，同樣可以提取懸臂梁的變形和應(yīng)力值及彩云圖。（5）提取、查看結(jié)果。所求得的電量和電容值如圖4-16（a）、（b）；所示所求得的應(yīng)力和變形值如圖4-17（a）、（b）所示。專業(yè)整理

word格式文檔(a)電荷密度C^pELcitancc(pF)3CapaLil (jaFjMmword格式文檔(a)電荷密度C^pELcitancc(pF)3CapaLil (jaFjMm口m-1-11曲(b)電容值圖1(a)Z向最大位移為0.16um圖4-16電荷密度及電容值圖2(b)懸臂梁所受最大等效應(yīng)力值為39MPa圖4.17懸臂梁變形和應(yīng)力圖四ANSYS公司、廠家:美國ANSYS公司軟件的總體描述ANSYS是由美國ANSYS公司開發(fā)的、功能強大的有限元工程設(shè)計分析及優(yōu)化軟件包，是迄今為止唯一通過ISO9001質(zhì)量認證的分析設(shè)計類軟件。該軟件是美國機械工程師協(xié)會(ASME)、美國核安全局(NQA)及近二十種專業(yè)技術(shù)協(xié)會認證的標(biāo)準(zhǔn)軟件。與當(dāng)前流行的其他有限元軟件相比，ANSYS有明顯的優(yōu)勢及突破。ANSYS具有能實現(xiàn)多場及多場耦合分析的功能，是唯一能夠?qū)崿F(xiàn)前后處理、分析求解及多場分析統(tǒng)一數(shù)據(jù)庫的大型有限元軟件，和其他有限元軟件相比，ANSYS的非線性分析功能更加強大，網(wǎng)格劃分更加方便，并具有更加快速的求解器。同時，ANSYS是最早采用并行計算技術(shù)的有限元軟件，它支持從微機、工作站、大型機直至巨型機等所有硬件平臺，并可與大多數(shù)的CAD軟件集成并有交換數(shù)據(jù)的接口，ANSYS模擬分析問題的最小尺寸可在微米量級，同時，國際上也公認其適于MEMS器件的模擬分析，這是其他有限元分析軟件所無法比擬的。ANSYS有限元軟件是融結(jié)構(gòu)、熱、流體、電磁、聲學(xué)于一體的大型通用有限專業(yè)整理word格式文檔元分析軟件，可廣泛用于核工業(yè)、機械制造、電子、土木工程、國防軍工、日用家電等一般工業(yè)及科學(xué)研究領(lǐng)域。ANSYS是國際公認的適用于MEMS模擬分析的軟件工具。其主要分析功能包括以下幾個方面。（1）結(jié)構(gòu)分析包括線性、非線性結(jié)構(gòu)靜力分析，結(jié)構(gòu)動力分析（包括模態(tài)和瞬態(tài)），斷裂力學(xué)分析，復(fù)合材料分析，疲勞及壽命估算分析，超彈性材料的分析等。（2）熱分析包括穩(wěn)態(tài)溫度場分析，瞬態(tài)溫度場分析，相變分析，輻射分析等。（3）高度非線性結(jié)構(gòu)動力分析包括接觸分析，金屬成形分析，整車碰撞分析，焊接模擬分析，多動力學(xué)分析等。（4）流體動力學(xué)分析包括層流分析，湍流分析，管流分析，牛頓流與非牛頓流分析，內(nèi)流與外流分析等。（5）電磁場分析包括電路分析，靜磁場分析，變磁場分析，高頻電磁場分析等。（6）聲學(xué)分析包括水下結(jié)構(gòu)的動力分析，聲波分析，聲波在固體介質(zhì)中的傳播分析，聲波在容器內(nèi)的流體介質(zhì)中傳播分析等。（7）多場耦合分析包括電場-結(jié)構(gòu)分析，熱-應(yīng)力分析，磁-熱分析，流體-結(jié)構(gòu)分析，流體流動-熱分析，電-磁-熱