GB 13539.4-1992低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

UDC621.316.923.027.2K31中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB13539.4-92低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices1992-07-01發(fā)布1993-03-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)低壓熔斷器半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求GB13539.4-92中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話：63787337、637874471993年3月第一版2005年11月電子版制作書號(hào)：155066·1-26327版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：010)68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)低壓熔斷器GB13539.4-92半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices本標(biāo)準(zhǔn)參照采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC269-4(1986)《低壓熔斷器華導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要術(shù)》本標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)與GB13539.1一92《低壓熔斷器本要求》一起使用。除非本標(biāo)準(zhǔn)另有說明，半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體，還應(yīng)符合GB13539.1的規(guī)定。1主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件保護(hù)用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時(shí)間-電流特性、分?jǐn)嗄芰?、截?cái)嚯娏魈匦浴?特性、電弧電壓特性、試驗(yàn)和標(biāo)志。本標(biāo)準(zhǔn)適用于交流額定電壓不超過1200V或直流額定電壓不超過1500V的電路中具有半導(dǎo)體器件的設(shè)備上使用的熔斷體。注：在多數(shù)情況下，以組合設(shè)備的一部分作為塔斷體的底座。由于設(shè)備種類繁多，難以作出一般的規(guī)定。組合設(shè)備是否通合用作熔斷體的底座，應(yīng)由用戶與制造廠協(xié)商。但是，當(dāng)采用獨(dú)立的婚斷器底座或支持件時(shí),則它們應(yīng)符合GB13539.1的有關(guān)規(guī)定。②這種熔斷體通常稱為“半導(dǎo)體熔斷體”2引用標(biāo)準(zhǔn)GB321優(yōu)先數(shù)和優(yōu)先數(shù)系GB13539.11低壓熔斷器基本要求3術(shù)語、符號(hào)、代號(hào)3.1術(shù)語3.1.1半導(dǎo)體器件基本特性是由于載流子在半導(dǎo)體中流動(dòng)引起的-j一種器件、3.1.2半導(dǎo)體熔斷體semiconductorfuse-link在規(guī)定條件下，能夠分?jǐn)?.2范圍內(nèi)的任何電流值的-一種限流熔斷體。注：GB13539.1中術(shù)語;“(熔斷體的)使用類別”本標(biāo)準(zhǔn)不適用.3.