標準解讀

GB 13539.4-1992 是一項中國國家標準，專注于低壓熔斷器中專門用于半導體器件保護的熔斷體的補充要求。該標準在原有通用低壓熔斷器標準基礎(chǔ)上，針對半導體器件（如晶體管、二極管、集成電路等）的特性，制定了更為具體和嚴格的規(guī)定，以確保這些精密電子組件得到恰當?shù)倪^電流保護，避免因電流過大造成損壞。

標準內(nèi)容概覽包括：

  1. 適用范圍：明確了標準適用于安裝在電路中，旨在保護半導體器件免受過電流危害的低壓熔斷器。這類熔斷器需能在過電流情況下快速響應，以減少對半導體器件的潛在損害。

  2. 術(shù)語與定義：界定了與半導體保護熔斷體相關(guān)的專業(yè)術(shù)語，確保使用者對標準中的概念有統(tǒng)一理解。

  3. 技術(shù)要求：

    • 電氣性能：規(guī)定了熔斷體的額定電壓、分斷能力、熔斷特性等電氣參數(shù)，確保其能適應半導體器件的工作環(huán)境和保護需求。
    • 機械性能：包括熔斷體的結(jié)構(gòu)強度、耐熱性、安裝尺寸及兼容性要求，保證安全穩(wěn)定地集成到電路系統(tǒng)中。
    • 環(huán)境條件：考慮到不同使用環(huán)境下（如溫度、濕度）熔斷體應保持的功能穩(wěn)定性。

  4. 試驗方法：詳細說明了對熔斷體進行驗證和測試的具體步驟和條件，如電氣試驗、機械強度試驗、環(huán)境適應性試驗等，以驗證其是否滿足規(guī)定的性能指標。

  5. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品出廠前的檢驗項目、抽樣方案及合格判定準則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量控制。

  6. 標志、包裝、運輸和儲存：要求熔斷體的標識清晰，包裝適應長途運輸和儲存需要，防止因外因?qū)е碌膿p壞。

  7. 附加信息：可能包含參考標準、實施日期和標準的替代或廢止情況說明等。

此標準的制定和實施，對于提升半導體器件應用的安全性和可靠性具有重要意義，為制造商、設計工程師以及使用這些保護器件的行業(yè)提供了統(tǒng)一的技術(shù)遵循依據(jù)。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 13539.4-2005
  • 1992-07-01 頒布
  • 1993-03-01 實施
?正版授權(quán)
GB 13539.4-1992低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求_第1頁
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文檔簡介

UDC621.316.923.027.2K31中華人民共和國國家標準GB13539.4-92低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices1992-07-01發(fā)布1993-03-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求GB13539.4-92中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471993年3月第一版2005年11月電子版制作書號：155066·1-26327版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：010)68533533

中華人民共和國國家標準低壓熔斷器GB13539.4-92半導體器件保護用熔斷體的補充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices本標準參照采用國際標準IEC269-4(1986)《低壓熔斷器華導體器件保護用熔斷體的補充要術(shù)》本標準應與GB13539.1一92《低壓熔斷器本要求》一起使用。除非本標準另有說明，半導體器件保護用熔斷體，還應符合GB13539.1的規(guī)定。1主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了半導體器件保護用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時間-電流特性、分斷能力、截斷電流特性、7特性、電弧電壓特性、試驗和標志。本標準適用于交流額定電壓不超過1200V或直流額定電壓不超過1500V的電路中具有半導體器件的設備上使用的熔斷體。注：在多數(shù)情況下，以組合設備的一部分作為塔斷體的底座。由于設備種類繁多，難以作出一般的規(guī)定。組合設備是否通合用作熔斷體的底座，應由用戶與制造廠協(xié)商。但是，當采用獨立的婚斷器底座或支持件時,則它們應符合GB13539.1的有關(guān)規(guī)定。②這種熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”2引用標準GB321優(yōu)先數(shù)和優(yōu)先數(shù)系GB13539.11低壓熔斷器基本要求3術(shù)語、符號、代號3.1術(shù)語3.1.1半導體器件基本特性是由于載流子在半導體中流動引起的-j一種器件、3.1.2半導體熔斷體semiconductorfuse-link在規(guī)定條件下，能夠分斷7.2范圍內(nèi)的任何電流值的-一種限流熔斷體。注：GB13539.1中術(shù)語;“(熔斷體的)使用類別”本標準不適用.3.

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