GB/T 13539.4-2005低壓熔斷器第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

ICS29.120.50K31中華人民共和國國家標準GB/T13539.4-2005/IEC60269-4:1986代替GB13539.4-1992低壓熔斷器第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求Low-voltagefuses-Part4:Supplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices(IEC60269-4:1986,IDT)2005-08-03發(fā)布2006-04-01實施中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T13539.4-2005/IEC60269-4:1986次前言1總則2定義3；正常工作條件5培斷體特性6標志………7設計的標準條件8試驗··……………·……··附錄A(規(guī)范性附錄）婚斷體和半導體設備的配合導則16附錄B(資料性附錄)制造廠應在產(chǎn)品使用說明書中列出的半導體設備保護用熔斷體的資料·····20

GB/T13539.4-2005/IEC60269-4：1986《低壓熔斷器》是系列標準，目前包括以下7個部分GB13539.1—2002《低壓熔斷器第1部分：基本要求》idtIEC60269-1:1998)GB/T13539.2—2002《低壓熔斷器第2部分:專職人員使用的熔斷器的補充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器)》idtIEC60269-2:1986)GB13539.3—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補充要求(主要用于家用和類似用途的熔斷器)》(idtIEC6O269-3:1987）GB/T13539.4—2005《低壓熔斷器第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求》（IEC60269-4:1986.IDT）GB/T13539.5—1999《低壓熔斷器第3部分：非熟練人員使用的熔斷器的補充要求(主要用于家用和類似用途的熔斷器）標準化熔斷器示例》idtIEC60269-3-1:1994）GB/T13539.6—2002《低壓熔斷器第2部分：專職人員使用的熔斷器的補充要求(主要用于工業(yè)的熔斷器）第1至5篇：標準化熔斷器示例》(idtIEC60269-2-1:2000）GB/T13539.7—2005《低壓熔斷器第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求：第1至3篇標準化熔斷體示例》IEC60269-4-1:2002.IDT)本部分為《低壓熔斷器》系列標準的第4部分，系等同采用IEC60269-4：1986《低壓熔斷器第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求》及1EC60269-4的修正件No.1(1995）、修正件No.2(2002)和修正件No.2勒誤表(2003)。本部分是對國家標準GB13539.4-1992《低壓熔斷器半半導體器件保護用熔斷體的補充要求》的修訂。本部分是對用于半導體設備保護的熔斷體的補充要求，同時對于具體型式的熔斷體的要求在GB/T13539.7-2005中規(guī)定，在使用時應和GB13539.1-2002和GB/T13539.7-2005配合使用。本部分與GB13539.4—1992的主要差別為增加對半導體設備保護用熔斷體的分類要求;規(guī)定不同類型的熔斷體的試驗方法、標志等內容。本部分5.8.1引用的圖3.在IEC原文中為圖2,疑有誤.應為圖3。IEC原文中5.8和5.9的時間常數(shù)(15～20ms)與經(jīng)修正的表12B不符,本部分此處按表12B規(guī)定。本部分8.4.3.2和8.4.3.4引用的表2,IEC原文為IEC60269-1表2,疑有誤，應為本部分表2.本部分批準實施后.代替GB13539,4—1992《低壓熔斷器半導體器件保護用熔斷體的補充要求》本部分的附錄A為規(guī)范性附錄，附錄B為資料性附錄本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本部分由全國低壓電器標準化技術委員會歸口本部分負責起草單位：上海電器科學研究所。本部分參加起草單位：西安西整焙斷器廠、西安熔斷器廠、上海電器陶瓷廠本部分主要起草人：季慧玉、吳慶云。本部分參加起草人：章永孚、伍麗華、劉雙庫、劉羅曼、林海鷗。本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T13539.4-1992。

GB/T13539.4-2005/IEC60269-4：1986低壓熔斷器第4部分半導體設備保護用熔斷體的補充要求本部分與國家標準GB13539.1《低壓熔斷器第1部分：基本要求》共同使用.因此本部分的條款、分條款和表的編號與它們的編號相對應。1總則半導體設備保護用的熔斷體(以下簡稱為熔斷體)應符合GB13539.1的所有要求.下文中沒有另外指明的.也應符合本部分規(guī)定的補充要求。1.1范圍本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體，熔斷體的額定電壓不超過交流1000V或標稱電壓不超過直流1500V。如果適用.還可以用于更高的標稱電壓的電路住1：這種熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”。在2：在多數(shù)情況下,組合設備的一部分可用作熔斷器底座。由于設備的多樣性，難以作出一般的規(guī)定：組合設備是否適合作婚斷器底座.應由用戶與制造廠協(xié)商。但是，如果采用獨立的墻斷器底座或培斷器支持件，它們應符合GB13539.1的相關要求。12目的本部分的目的是確定半導體熔斷體的特性,從而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的焙斷體替換半導體焙斷體。因此·本部分中特別規(guī)定了：1.2.1熔斷體的特性：預定值：正常工作時的溫升；耗散功率；時間-電流特性：分斷能力；截斷電流特性和廠／特性;g)電弧電壓極限值1.2.2用于驗證熔斷體特性的型式試驗。1.2.3婚晰體標志。1.2.4應提供的技術數(shù)據(jù)（見附錄B）2定義2.2一般術語2.2.14半導體設備sem